CN105897218B - 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法 - Google Patents

凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105897218B
CN105897218B CN201610202596.2A CN201610202596A CN105897218B CN 105897218 B CN105897218 B CN 105897218B CN 201610202596 A CN201610202596 A CN 201610202596A CN 105897218 B CN105897218 B CN 105897218B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
filtering chip
sound filtering
surface sound
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610202596.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105897218A (zh
Inventor
张江华
梁新夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JCET Group Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
Priority to CN201610202596.2A priority Critical patent/CN105897218B/zh
Publication of CN105897218A publication Critical patent/CN105897218A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105897218B publication Critical patent/CN105897218B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明涉及一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，所述结构包括表面声滤波芯片晶圆（1），所述表面声滤波芯片晶圆（1）表面包括电极区域（1.1）和感应区域（1.2），所述表面声滤波芯片晶圆（1）上方设置有贴合晶圆（4），所述贴合晶圆（4）与感应区域（1.2）之间形成空腔（7），所述贴合晶圆（4）在电极区域（1.1）位置处设置有开孔（8），所述开孔（8）内填充有导电胶或电镀金属（9），所述导电胶或电镀金属（9）的表面设置有第二金属层（10），所述第二金属层（10）上设置有金属球（6）。本发明一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，具有更低的制造成本。

Description

凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。
背景技术
表面声滤波设备广泛用于RF和IF应用，其中包括便携式电话机、无线电话机、以及各种无线电装置。通过使用表面声滤波，对这些电子设备进行电信号的滤波、延时等处理。因表面声滤器产品性能和设计功能需求，需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质，即空腔结构设计。
现有的表面声滤波器件封装结构是将滤波芯片通过导电凸块倒装焊与陶瓷基板相连并完全嵌于基材腔体内，基板表面加金属盖保护。但是此种结构金属盖的成本较高，而且陶瓷基板与金属盖的平整度要求比较高，容易有封闭不良的情况。另外其他表面声滤波器件的制作方法是使用顶部密封或包膜工艺对模块加以密封，形成空腔结构。
现有的表面声滤波器件的封装方法，流程较长，成本较高，且结构尺寸还是比较大，在目前电子设备越做越小的潮流趋势下，需要不断减小电子装置及其中所使用的表面声滤波器件的重量和尺寸。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声滤波器件，并且具有更低的制造成本。
本发明解决上述问题所采用的技术方案为：一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构，它包括表面声滤波芯片晶圆，所述表面声滤波芯片晶圆表面包括电极区域和感应区域，所述电极区域表面设置有第一金属层，所述表面声滤波芯片晶圆除电极区域和感应区域外的区域设置有粘合胶，所述粘合胶上方设置有贴合晶圆，所述贴合晶圆与感应区域之间形成空腔，所述贴合晶圆在电极区域位置处设置有第一开孔，所述第一开孔内填充有导电胶或电镀金属，所述导电胶或电镀金属的表面设置有第二金属层，所述第二金属层上设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有第二开孔。
所述第二开孔内设置有金属球；
所述贴合晶圆背面开设有凹槽，所述凹槽位于感应区域上方。
一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、贴合晶圆蚀刻凹槽
取一片贴合晶圆，在贴合晶圆需要的位置蚀刻出凹槽，凹槽的位置与表面声滤波芯片晶圆的电极区域和芯片感应区域的位置相对应；
步骤四、贴合晶圆贴合
将步骤三蚀刻出凹槽的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、蚀刻开孔
在贴合晶圆面涂光刻胶，曝光，显影，蚀刻，在电极区域上方形成第一开孔；
步骤六、埋孔
用导电胶或电镀金属埋入第一开孔内；
步骤七，制备第二金属层
在步骤六第一开孔内埋入的导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层；
步骤八、制备绝缘层
在第二金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置暴露出来，形成第二开孔；
步骤九、植球
在步骤八中暴露出的植球位置进行植球；
步骤十、切割
切割分成单颗产品。
所述步骤四与步骤五之间对贴合晶圆进行研磨、减薄。
所述贴合晶圆采用玻璃材料。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
1、与传统的工艺相比，整体生产流程是晶圆级的，能形成小尺寸的封装结构，而且工艺简单，能保证芯片感应区的空腔结构，能形成可靠性较高的凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构；
2、本发明的凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构可以直接使用，也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装，形成***级封装。
附图说明
图1为本发明一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构的示意图。
图2~图12为本发明一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法的工艺流程图。
其中：
表面声滤波芯片晶圆1
电极区域1.1
感应区域1.2
第一金属层2
粘合胶3
贴合晶圆4
凹槽5
金属球6
空腔7
第一开孔8
导电胶或电镀金属9
第二金属层10
绝缘层11
第二开孔12。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
如图1所示，本实施例中的一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构，它包括表面声滤波芯片晶圆1，所述表面声滤波芯片晶圆1表面包括电极区域1.1和感应区域1.2，所述电极区域1.1表面设置有第一金属层2，所述表面声滤波芯片晶圆1除电极区域1.1和感应区域1.2外的区域设置有粘合胶3，所述粘合胶3上方设置有贴合晶圆4，所述贴合晶圆4与感应区域1.2之间形成空腔7，所述贴合晶圆4在电极区域1.1位置处设置有第一开孔8，所述第一开孔8内填充有导电胶或电镀金属9，所述导电胶或电镀金属9的表面设置有第二金属层10，所述第二金属层10上设置有绝缘层11，所述绝缘层11上设置有第二开孔12，所述第二开孔内设置有金属球6。
所述金属球6与第二金属层10相接触。
所述贴合晶圆4背面开设有凹槽5，所述凹槽5位于感应区域1.2上方。
其制造方法包括以下工艺步骤：
步骤一、参见图2，取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、参见图3，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
表面声滤波芯片晶圆通过清洗，烘烤，溅射，涂光刻胶，光刻，显影，电镀铜层，去光刻胶，蚀刻的方法在电极区域制备第一金属层；
步骤三、贴合晶圆蚀刻凹槽
参见图4，取一片贴合晶圆，在贴合晶圆需要的位置蚀刻出凹槽，凹槽的位置与表面声滤波芯片晶圆的电极区域和芯片感应区域的位置相对应；
步骤四、贴合晶圆贴合
参见图5，将步骤三蚀刻出凹槽的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、减薄
参见图6，将贴合晶圆进行研磨、减薄；
步骤六、蚀刻开孔
参见图7，在贴合晶圆面涂光刻胶，曝光，显影，蚀刻，在电极区域上方形成第一开孔；
步骤七、埋孔
参见图8，用导电胶或电镀金属埋入第一开孔内；
步骤八，制备第二金属层
参见图9，通过清洗，烘烤，溅射，涂光刻胶，光刻，显影，电镀铜层，去光刻胶，蚀刻的方法在导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层；
步骤九、制备绝缘层
参见图10，在第二金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置暴露出来，形成第二开孔；
步骤十、植球
参见图11，在步骤九中暴露出的植球位置进行植球；
步骤十一、切割
参见图12，切割分成单颗产品。
所述贴合晶圆为玻璃材料或其他绝缘材料；
上述步骤中，所述步骤五也可省略。
除上述实施例外，本发明还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本发明权利要求的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构，其特征在于：它包括表面声滤波芯片晶圆（1），所述表面声滤波芯片晶圆（1）表面包括电极区域（1.1）和感应区域（1.2），所述电极区域（1.1）表面设置有第一金属层（2），所述表面声滤波芯片晶圆（1）除电极区域（1.1）和感应区域（1.2）外的区域设置有粘合胶（3），所述粘合胶（3）上方设置有贴合晶圆（4），所述贴合晶圆（4）与感应区域（1.2）之间形成空腔（7），所述贴合晶圆（4）在电极区域（1.1）位置处设置有第一开孔（8），所述第一开孔（8）内填充有导电胶或电镀金属（9），所述导电胶或电镀金属（9）的表面设置有第二金属层（10），所述第二金属层（10）上设置有绝缘层（11），所述绝缘层（11）上设置有第二开孔（12），所述第二开孔内设置有金属球（6）；所述贴合晶圆（4）背面开设有凹槽（5），所述凹槽（5）位于感应区域（1.2）上方。
2.一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、贴合晶圆蚀刻凹槽
取一片贴合晶圆，在贴合晶圆需要的位置蚀刻出凹槽，凹槽的位置与表面声滤波芯片晶圆的电极区域和芯片感应区域的位置相对应；
步骤四、贴合晶圆贴合
将步骤三蚀刻出凹槽的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、蚀刻开孔
在贴合晶圆面涂光刻胶，曝光，显影，蚀刻，在电极区域上方形成第一开孔；
步骤六、埋孔
用导电胶或电镀金属埋入第一开孔内；
步骤七，制备第二金属层
在步骤六第一开孔内埋入的导电胶或电镀金属的表面制备第二金属层；
步骤八、制备绝缘层
在第二金属层上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将后续植球位置暴露出来，形成第二开孔；
步骤九、植球
在步骤八中暴露出的植球位置进行植球；
步骤十、切割
切割分成单颗产品。
3.根据权利要求2所述的一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤四与步骤五之间对贴合晶圆进行研磨、减薄。
4.根据权利要求2所述的一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述贴合晶圆采用玻璃材料、绝缘材料。
5.根据权利要求2所述的一种凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述步骤三在将贴合晶圆蚀刻出凹槽的同时，在后续需要植球的位置进行蚀刻开孔，可省略步骤五。
CN201610202596.2A 2016-04-01 2016-04-01 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法 Active CN105897218B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610202596.2A CN105897218B (zh) 2016-04-01 2016-04-01 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610202596.2A CN105897218B (zh) 2016-04-01 2016-04-01 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105897218A CN105897218A (zh) 2016-08-24
CN105897218B true CN105897218B (zh) 2018-11-09

Family

ID=57011944

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610202596.2A Active CN105897218B (zh) 2016-04-01 2016-04-01 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105897218B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106301283A (zh) * 2016-11-07 2017-01-04 无锡吉迈微电子有限公司 声表面波滤波器的封装结构及制作方法
CN106787277B (zh) 2017-02-27 2020-06-02 深圳市道通智能航空技术有限公司 电机、云台及无人机
CN106888001B (zh) * 2017-03-08 2020-07-17 宜确半导体（苏州）有限公司 声波设备及其晶圆级封装方法
CN107241077B (zh) * 2017-05-12 2020-12-29 电子科技大学 一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法
CN107749748B (zh) * 2017-09-01 2021-12-24 江苏长电科技股份有限公司 一种声表面波滤波芯片封装结构
CN112117195B (zh) * 2019-12-16 2023-06-02 中芯集成电路（宁波）有限公司 封装方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777263B1 (en) * 2003-08-21 2004-08-17 Agilent Technologies, Inc. Film deposition to enhance sealing yield of microcap wafer-level package with vias
CN1565078A (zh) * 2002-07-31 2005-01-12 株式会社村田制作所 压电部件及制造方法
US7596849B1 (en) * 2003-06-11 2009-10-06 Triquint Semiconductor, Inc. Method of assembling a wafer-level package filter
CN102111116A (zh) * 2010-11-24 2011-06-29 张�浩 整合的晶圆级别封装体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007005948A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Alps Electric Co Ltd 電子部品及びその製造方法
KR100951284B1 (ko) * 2007-06-01 2010-04-02 삼성전기주식회사 웨이퍼 레벨 패키지 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1565078A (zh) * 2002-07-31 2005-01-12 株式会社村田制作所 压电部件及制造方法
US7596849B1 (en) * 2003-06-11 2009-10-06 Triquint Semiconductor, Inc. Method of assembling a wafer-level package filter
US6777263B1 (en) * 2003-08-21 2004-08-17 Agilent Technologies, Inc. Film deposition to enhance sealing yield of microcap wafer-level package with vias
CN102111116A (zh) * 2010-11-24 2011-06-29 张�浩 整合的晶圆级别封装体

Also Published As

Publication number Publication date
CN105897218A (zh) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105897218B (zh) 凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
CN105897210A (zh) 凹槽型表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
TWI491018B (zh) 半導體封裝件及其製造方法
CN105742255B (zh) 金属圆片级凹槽埋孔型表面声滤波芯片封装结构及方法
US20170064458A1 (en) Mems microphone package structure having a non-planar substrate
CN208094792U (zh) 集成式传感器
CN202772854U (zh) 芯片级封装声表面波器件
JP6931498B2 (ja) チップのパッケージング方法及びパッケージング構成
CN104867865B (zh) 一种晶圆三维集成引线工艺
CN105810666A (zh) 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构的制作方法
WO2022105161A1 (zh) 天线封装结构及天线封装结构制造方法
WO2022105160A1 (zh) 天线封装结构及天线封装结构制造方法
JP7075546B2 (ja) チップのパッケージング方法及びパッケージング構造
CN105810597B (zh) 金属圆片级埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
CN105897219A (zh) 圆片级表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
CN206332654U (zh) 易于集成的微型化声表面波滤波器件封装结构
CN105762085B (zh) 金属圆片埋孔型表面声滤波芯片封装结构及制造方法
CN105742195A (zh) 一种蚀刻埋孔型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
CN104486907B (zh) 高频ipd模块三维集成晶圆级封装结构及封装方法
CN105811917A (zh) 金属圆片级表面声滤波芯片封装结构及其制造方法
CN105518853B (zh) 嵌入式电子封装和相关联的方法
CN205609499U (zh) 圆片级表面声滤波芯片封装结构
CN205610595U (zh) 金属圆片级表面声滤波芯片封装结构
CN105810596A (zh) 一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
CN103441746B (zh) 声表面波滤波器集成封装结构及其封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant