JP2006518479A - 改善された双安定性ネマティック液晶ディスプレイ方法およびデバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、アンカリングを壊すことを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーンを備えるディスプレイ・デバイスを提供し、ディスプレイ・デバイスは、マトリクス・スクリーンの各画素に対する制御信号を生成しかつ印加するのに適したアドレス指定手段を含み、制御信号は、０．５Ｖ／μｓから０．０００１Ｖ／μｓの範囲にある勾配を呈する傾斜して立ち上がるエッジを有することを特徴とする。

Description

本発明は、液晶ディスプレイ・デバイスの分野に関し、より詳細には、本発明は、双安定性ネマティック・ディスプレイの切り替えを制御するためのデバイスおよび方法に関する。

本発明の目的
本発明の全般的な目的は、特許文献１に記載される双安定性ディスプレイ・デバイスを改善することである。それらのデバイスは、一般に「ＢｉＮｅｍ」デバイスと呼ばれる。この用語は、本特許出願に関連して使用される。そのようなデバイスの構造は、以下により詳細に記載される。

使用される液晶の物理的な性質に応じて、ネマティック、コレステリック、スメクティック、強誘電などであるデバイス間で区別される。本発明が関連するネマティック・ディスプレイにおいて、アキラル（ａｃｈｉｒａｌ）である、または例えばカイラル・ドーパント（ｃｈｉｒａｌ ｄｏｐａｎｔ）を添加することによってカイラルにされたネマティック結晶が使用される。このように、同時に均一または数ミクロンメートルより大きいカイラル・ピッチでわずかにねじれた組織が得られる。基板によって画定される表面近傍における液晶の方向付けおよびアンカリングは、前記基板に適用される配向処理または層によって自体が画定される。電界が存在しない場合、これは、均一またはわずかにねじれたネマティック組織を課す。

現在まで提案されかつ作られたほとんどのデバイスは、単安定性である。電界が存在しない場合、ただ１つの組織がデバイスにおいて表される。それは、全セル・エネルギーの絶対最小値に対応する。電界の下、組織は連続的に変形され、その光学特性は、印加される電圧の関数として変化する。電界がオフに切り替えられたとき、ネマティック液晶は、単一の単安定性の組織に再び戻る。そのようなシステムの中で、当業者は、ツイステッド・ネマティック（ＴＮ）、スーパー・ツイステッド・ネマティック（ＳＴＮ）、電気制御された複屈折（ＥＣＢ）ネマティック、垂直配向されたネマティック（ＶＡＮ）、面内スイッチング（ＩＰＳ）ネマティックなどの広く知られている動作モードを認めるであろう。

ネマティック・ディスプレイの他のクラスは、双安定性、複数安定性、または準安定性であるネマティック・ディスプレイのクラスである。そのような状況の下で、電界が存在しない状態で安定または準安定である少なくとも２つの異なる組織は、セル内に表されることができる。２つの状態間の切り替えは、適切な電気信号を印加することによって実施される。いったん画像が書き込まれると、画像は、双安定性のために電界が存在しない状態で記憶されたままである。双安定性ディスプレイのこのメモリは、多数の適用において非常に魅力的である。第１に、画像が遅いレート（すなわち、画像が変更されるべきときだけ）でリフレッシュされることを可能にし、携帯可能な機器におけるエネルギー消費の低減に関して非常に好ましい。第２に、メモリは、列の数とは無関係である画像品質を有して、非常に高い比で多重化が実行されることを可能にする。

いわゆる「ＢｉＮｅｍ」双安定性スクリーンの説明（図１）
新規な双安定性ディスプレイが、特許文献１に記載され、かつＢｉＮｅｍディスプレイと呼ばれる。

そのディスプレイは、図１に概略的に示される。

それは、少なくとも一方が透明である２つのプレートまたは基板２０、３０間に配置された、カイラルにされたまたはコレステリックのネマティック液晶層１０によって構成される。それぞれ基板２０、３０上に配置された電極２２、３２は、それらの間にあるカイラルにされたネマティック液晶１０に電気制御信号を印加するように作用する。電極２２、３２は、所望の方向に液晶分子１０を向けるように作用するアンカリング層２４、３４を担持する。マスタ・プレート上で、分子アンカリング２４は強くかつわずかに傾斜される。スレーブ・プレート３０上で、アンカリングは弱くかつ平らである。これら表面２２、３２上での分子１０のアンカリング２４、３４は、単安定性である。

デバイスは、光学システムも有する。

より正確には、図１の左側および右側は、概略的に２つ状態を示し、各状態は安定し、液晶の分子によって占められることができ、一方、図１の中央は、強い電界の下で安定であるが電界が無ければ不安定である壊れた状態を示す。この状態は、ディスプレイを制御するプロセスの間に、液晶分子によって一時的に占められる。

液晶は、印加される電界が無ければ安定である図１の左および右にそれぞれ示される２つの組織を有し、これらの組織は、ねじれ（Ｔ）かつわずかにねじれまたは均一（Ｕ）である。マスタ・プレート２０上およびスレーブ・プレート３０上でのアンカリング方向間の角度は、小さくまたはゼロである。２つの組織は、約１８０°の絶対値を有するねじれだけ異なり、ネマティックの自発ピッチｐ_０は、セルの厚みｄの４倍に近くなるように選択される（ｐ_０≒４ｄ）ので、組織ＵおよびＴのエネルギーは本質的に等しい。電界が印加されなければ、より低いエネルギーの他の状態は存在せず、ＵおよびＴは、正に双安定性である。

ＢｉＮｅｍ構造の利点は、ＵおよびＴ組織の両方において、分子は、（平らな）プレートにほぼ平行であり、したがって任意の補償フィルムなしで良好な視角を得ることを可能にすることである。反射構成におけるＢｉＮｅｍディスプレイの光学性能は、例えば特許文献２に記載される。

ＢｉＮｅｍ組織間の切り替え方法
２つの双安定性の組織ＵおよびＴは、トポロジ的に異なる。連続して体積を変形することによって、一方の組織から他方の組織へ変換することはできない。したがって、Ｕ組織からＴ組織への変換またはその逆の変換は、強い外部電界によってまたは転移（ｄｉｓｉｎｃｌｉｎａｔｉｏｎ）のラインを移動することによって、表面へのアンカリングが壊される必要がある。この第２の現象は、第１の現象よりかなり遅くかつ無視されることができるので、以下に詳細には記載されない。

アンカリングを壊すために、閾値電界Ｅ_ｃ以上の電界を印加する必要がある。この電界は、図１に概略的に示されるように、表面近傍における液晶の再方向付けが、ホメオトロピック（ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ）である組織に達することを可能にするのに十分に長い時間の長さにわたって印加されるべきである。この最短時間は、印加される電界強度、および液晶ならびに配向層の物理特性にも応じる。アンカリングを壊す電圧Ｖｃは、Ｖｃ＝Ｅ_ｃ・ｄとして定義され、ここで、ｄは、液晶セルの厚みである。ＢｉＮｅｍのための典型的なＶｃの値は、１６ボルト（Ｖ）である。

アンカリングは、分子が前記表面の近傍のプレートに対して垂直であり、かつ表面によって分子に及ぼされる戻りトルクがゼロであるときに、「壊された」と呼ばれる。これらの条件が満足されたとき、壊された表面３４の近傍のネマティック分子は、電界がオフに切り替えられると不安定な平衡の状態であり、それら分子は、それらの最初の方向付けに戻ることができるか、またはそれら分子は、１８０°のねじれだけ初期の組織とは異なる新たな組織を生じるように、反対方向に戻ることができる。

最終的な組織は、特に信号がゼロに戻される途中の印加される電気信号の波形によって決定される。パルスの電圧における連続する降下は、図１の左に概略的に示されるＵ組織を生じ、一方、電界における急な降下は、図１の右に概略的に示されるようなＴ組織を促進する。切り替えをこの方法で実行されることを可能にする物理的な機構は、例えば特許文献１に記載されている。

実際の実施
一般に、ＢｉＮｅｍタイプの液晶画素の切り替えは、２つの段階（アンカリングを壊す第１の段階、および組織を選択する第２の段階）で実行される。

第１の段階：アンカリングを壊す段階であり、Ｃで参照される。

Ｃ段階は、スレーブ・プレート３０に、アンカリングを壊すために適している電気信号を印加することからなる。一般に、Ｃ段階が短くなると、印加される信号に必要なピーク強度がより大きくなる。

所定の強度および持続期間に関して、この信号の波形の詳細（勾配、中間レベル、など）は、アンカリングが実際に壊されるなら、以下の段階が行われる途中で決定する作用を有さない。

第２の段階：選択段階であり、Ｓで参照される。

Ｓ段階の間に印加される電圧は、２つの双安定性の組織ＵまたはＴの一方または他方を選択することを可能しなければならない。上述の作用を考慮すれば、それは、一方の組織または他方の組織への変換を決定する、各画素の端子に印加される電気パルスの降下する波形である。

Ｔ組織への変換を得るために、
・段階Ｃ：アンカリングを壊す
アンカリングが壊される段階Ｃの間、スレーブ・プレート３０にアンカリングを壊す電界より大きい電界を加えるパルスを印加し、かつ図１の中央に示されるように、画素における分子が上昇される必要がある長さの時間を待機する必要がある。この壊す電界は、液晶層１０の弾性および電気特性と、電界がセルのスレーブ・プレート３０上に付着されたアンカリング層３４と相互作用する方法とに応じる。それは、マイクロメータ当たり約１０ボルトまで、数ボルトの範囲にわたって変化する。分子の持ち上げ時間は、回転粘度γに比例し、かつ使用される材料１０の誘電異方性に反比例し、また印加される電界の二乗に反比例する。実際、この時間は、マイクロメータ当たり約２０ボルトの電界に関して数マイクロ秒に下げられることができる。
・段階Ｓ：組織を選択する
その後、それは、数マイクロ秒または多くとも数十マイクロ秒で制御電圧における急な降下を確立することによって、電界を急速に降下させることに十分である。ΔＶ以上である強度を介する電圧におけるこの急な降下は、液晶における十分な強度の流体力学効果を生じることができるようなものである。組織Ｔを生成するために、この降下ΔＶは、必ず印加される電圧を、アンカリングを壊す電圧Ｖｃより大きな値から前記電圧より低い値にさせなければならない。

組織Ｔへ変換するために適した信号の例は、強度Ｐ１＞ＶｃおよびＰ１≧ΔＶの方形波タイプの信号である。その持続期間は、組織Ｔを選択するように作用するＰ１≧ΔＶでＰ１から０への降下する状態で（例えば図２）、アンカリングを壊すのに十分でなければならない。

組織Ｔへ変換するための他の信号の例は、２つのレベルを有する信号であり、信号は、持続期間τ_１でありかつＰ１＞Ｖｃの場合に強度Ｐ１のアンカリングを壊すための第１のシーケンスに続き、Ｐ２≧ΔＶおよびＰ２＞Ｖｃ、またはＰ１−Ｐ２≧ΔＶおよびＰ２＜Ｖｃのいずれかであるように、持続期間τ_２であり強度Ｐ２の選択目的の第２のシーケンスを含む。降下のために印加された電界が必要とする時間は、その持続期間の１０分の１より短く、または長いパルス（１ミリ秒（ｍｓ）より長いパルス）のために３０マイクロ秒（μｓ）より短くなければならない。

Ｕ組織への変換を得るために、
・段階Ｃ：アンカリングを壊す
アンカリングを壊す段階Ｃの間、Ｔ状態に書き込む上述の状態におけるように、分子を持ち上げるために十分である長さの時間にわたって、スレーブ・プレート３０にアンカリングを壊す電界より大きい電界を印加する必要がある。
・段階Ｓ：組織を選択する
その後、印加される電圧を遅く降下させることが適切である。特許文献１は、そのような「遅い降下」を達成する２つの方法を提案する。信号が、パルスの持続期間の３倍より長い降下時間（図３）を有する傾斜の持続期間τ_２が続く、持続期間τ_１でありかつ強度Ｐ１のパルスであるか、または階段降下が課される。

組織Ｕへ変換するための信号の例は、２つのレベルを有する信号であり、持続期間τ_１でありかつ強度Ｐ１（Ｐ１＞Ｖｃ）の壊す第１のシーケンスに続き、Ｐ２＜ΔＶおよびＰ１−Ｐ２＜ΔＶであるように、持続期間τ_２であり強度Ｐ２の選択目的の第２のシーケンスを含む。２つのレベルを有する階段降下は、デジタル電子装置を使用して実施がより容易である。それにもかかわらず、２個より多いいくつか数のレベルを介する降下を考案することも全く可能である。

したがって、Ｕ組織またはＴ組織のいずれかを得ることは、画素の端子に２つのレベルを有する簡単な信号を印加することだけによって可能である。第１のレベル（Ｐ１、τ_１）は、アンカリングを壊す段階に対応し、一方、第２のレベル（Ｐ２、τ_２）は、Ｐ２の値を決定することによって組織が選択されることを可能にする。この信号は、図４に示されている。値Ｐ２Ｔは、（所定のＰ１に関する）Ｔへの変換を可能にするＰ２の値に対応し、一方、値Ｐ２Ｕは、（所定のＰ１に関する）Ｕ組織への変換を可能にするＰ２の値に対応する。

典型的な値は、Ｐ１＝２０Ｖ、Ｐ２Ｕ＝７Ｖから９Ｖ、およびτ_１＝τ_２＝１ｍｓに関してΔＶ＝９Ｖから１３Ｖである。

多重化によるＢｉＮｅｍのアドレス指定
一般的な多重化
中間解像度のマトリクス・スクリーンに関して、当業者は、各画素にそれぞれ独立した制御電極を接続が存在することには疑問の余地が無いことを知っている。なぜならそれは、画素毎に１つの接続を必要とするからであり、スクリーンが複雑になると技術的に不可能である。通常の液晶技術での場合のように、使用される電気光学効果が線形では無いときに、多重化技術を使用することによって接続の数を低減することが可能である。画素は、それぞれｍ個の画素のｎ個のグループとしてマトリクス・システムで編成される。例えば、マトリクス・スクリーンのためのｎ個の行およびｍ個の列が存在するか、またはデジタル・ディスプレイのためにｎ個のデジットおよびｍ個のデジットが存在する。通常の場合のように、順次のアドレス指定モードで、１つの行が同時に選択され、その後、次の行が選択されなど、最後の行まで選択される。毎回、ある行が選択され、列信号が、行における全ての画素に同時に加えられる。この方法は、１つの行をアドレス指定するために必要な時間に、行の数のｎ倍した時間に等しい時間間隔において、全ての画像をアドレス指定されることを可能にする。この方法を用いて、ｍ＋ｎ個の接続は、ｍ×ｎ個の画素のスクリーンをアドレス指定するのに十分である。ここで、ｍは、考慮しているマトリクスにおける列の数である。そのような多重化されたマトリクス・スクリーンは、図５に示される。

任意の１つの画素によって見られる電気信号は、それらの交差に画素を有する、行に印加される信号と列に印加される信号との間の差異である。

図５で示される原理に基づくスクリーンは、「パッシブ」スクリーンであると呼ばれる。行電極は、行における全ての画素に共通であり、列電極は、列における全ての画素に共通である。

導電電極は、透明でなければならない。全ての製造業者によって使用される材料は、インジウムがドープされた酸化すず（ＩＴＯ）である。

ＢｉＮｅｍに加えられる多重化
多重化されるために、画素信号は、全ての画素に共通である行信号と、その符号に応じて、Ｕ組織またはＴ組織のいずれかを得るように作用する列信号とに再分割される必要がある。図６は、適切な画素信号が実施されることを可能にする例示的な行および列信号を示す。

行信号（図６ａ）は、２つのレベルを含む。第１のレベルは、時間τ_１に関する電圧Ａ１を与え、一方、第２のレベルは、時間τ_２に関する電圧Ａ２を与える。列信号（Ｕ組織への変換に関する図６ｂ、およびＴ組織への変換に関する図６）は、強度Ｃであり、かつ時間期間τ_２の間だけに印加され、画素をクリアする（すなわち、Ｕ組織を得る）ことが望まれるか、または画素を書き込む（すなわち、Ｔ組織を得る）ことが望まれるかに応じて、正または負のいずれかである。時間τ_３は、２つの行パルス間に及ぶ。図６ｄおよび図６ｅは、それぞれクリアされる（Ｕ組織への変換）画素の端子、および書き込まれる（Ｔ組織への変換）画素の端子に印加される信号を示す。

これらの信号は、以下の条件を満足しなければならない。
Ａ１＝Ｐ１、Ａ２−Ｃ＝Ｐ２Ｕ、Ａ２＋Ｃ＝Ｐ２Ｔ。

上記数値例を使用して、１つの可能な解は以下の通りである。
τ_１＝τ_２＝１ｍｓで、Ｐ２Ｕ＝８ＶかつＰ２Ｔ＝１３Ｖであるなら、Ａ１＝２０Ｖ、Ａ２＝１０．５Ｖ、Ｃ＝２．５Ｖである。

そのような信号は、非常に単純であり、かつ全てのそれらのパラメータが、スクリーンの特徴に調整されることを容易にする。

画素信号の降下するエッジの波形に基づく切り替えの原理は、ＢｉＮｅｍに特定的である。

液晶材料が直流（ＤＣ）電圧を受けたときに、所定の液晶材料が被る電気分解による劣化の問題を解決するために、ゼロまたはほぼゼロの平均値を有する信号を、画素に加えることがしばしば有利である。図６の理論的な信号をゼロの平均値を有する対称の信号に変換するために技術は、特許文献３に記載される。

列信号の持続期間の低減
ＢｉＮｅｍをアドレス指定する間に干渉信号を低減するために、特許文献３は、行アドレス指定信号における第２のレベルの持続期間より短い持続期間に、列信号の持続期間を低減することを推奨する。この低減は、その波形への修正に関連付けられることもできる。強度Ｃ’の方形波形信号である、列信号の持続期間を低減することによって得られる信号の一例は、図７に概略的に示される。最大強度Ｃ”の傾斜形状波形を有する、列信号の持続期間を低減することによって得られる信号の一例は、図８に概略的に示される。強度Ｃ１およびＣ２の階段波形を有する、列信号の持続期間を低減することによって得られる信号の一例は、図９に概略的に示される。
米国特許第６３２７０１７号 Ｃ．Ｊｏｕｂｅｒｔ、ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ＳＩＤ ２００２、頁３０−３３ 仏国特許第０２０１４４８号 仏国特許第０２０４９４０号

本発明の目的は、従来技術を改善するための新規な手段を提案することである。

本発明に関連して、この目的は、アンカリングを壊すことを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーンを備えるディスプレイ・デバイスによって達成され、ディスプレイ・デバイスは、マトリクス・スクリーンの各画素に対する制御信号を生成しかつ印加するのに適したアドレス指定手段を含み、制御信号は、マイクロ秒当たり（Ｖ／μｓ）０．５Ｖから０．０００１Ｖ／μｓの範囲にある勾配を呈する傾斜して立ち上がるエッジを有することを特徴とする。

特に多重化モードおよび同時モードで使用可能である、従来の鋭く立ち上がるエッジを置き換える傾斜を有するそのようなアドレス指定信号の利点は、以下に記載される。

本発明に関連して、用語「マトリクス」スクリーンは、行および列の画素の通常の配置だけに限定されるように考えられるべきである。それは、ｍ個の関連する素子のｎ個のグループ、例えばそれぞれｍ個の素子からなるｎデジットの形態での、画素の任意の配置を包含する。

本発明は、アンカリングを壊すことを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーンを電気的に制御する方法も提供し、その方法は、マトリクス・スクリーンに、傾斜して立ち上がるエッジを有するアドレス指定および制御信号を生成しかつ印加することを含むことを特徴とする。

本発明の有利な特徴によれば、本発明のスクリーンは、２つの組織を使用し、一方の組織は、分子が互いに少なくとも実質的に平行である均一であるまたはわずかにねじれたものであり、他方の組織は、プラスまたはマイナス１８０°程度のねじれにだけ第１の組織とは異なる。

本発明の他の特徴、目的、および利点は、非限定的な例として与えられる添付の図面を参照して行われる以下の詳細な記載を読むと明らかになろう。

多数の変形形態が、本発明に関連して想定されることができる。

本発明の変形形態１
本発明による第１の変形形態の記載が最初に続き、記載は、添付の図１０、図１１、および図１２を参照する。

図１０から図１２において分かるように、本発明に関連して、アンカリングを壊すものである（段階Ｃ）信号の立ち上がりエッジＦｍは、傾斜の形態である。この傾斜の持続期間は、τ_Ｒと書かれる。

本発明の第１の変形形態における画素の端子へ印加のための制御信号の例が、Ｕ組織への変換に関して図１０に示され、かつＴ組織への変換に関して図１１に示される。

図１０ａは、Ｕ変換に関して図３の信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、直線的な傾斜によって作られる。

図１０ｂは、Ｕ変換に関して図６ｄの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、単一の中間レベルを有する階段状の信号によって作られる。

図１０ｃは、Ｕ変換に関して図７ｂの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、２つの連続するレベルを有する階段状の信号によって作られる。

図１０ｄは、Ｕ変換に関して図８ｄの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、降下する傾斜が続き、次に急激な降下エッジが続く中間レベルを有する信号によって作られる。

図１０ｅは、Ｕ変換に関して図９ｄの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、３つの連続するレベルを有する階段状の信号によって作られる。

図１０に示される各信号に関して、２つの連続する降下するエッジのレベル間の低下は、限界閾値ΔＶを超えてはならない。

図１１ａは、Ｔ変換に関して図２の信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、急激なエッジによって作られる。

図１１ｂは、Ｔ変換に関して図６ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、単一の中間レベルを含む階段状の信号によって作られる。

図１１ｃは、Ｔ変換に関して図７ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、２つの連続するレベルを含む階段状の信号によって作られ、これらのレベルの第２のレベルは、第１のレベルより強度が大きい。

図１１ｄは、Ｔ変換に関して図８ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、それ自体急激な降下エッジが続く、立ち上がり傾斜が続く中間レベルを含む信号によって作られる。

図１１ｅは、Ｔ変換に関して図９ｅの信号を再生し、かつ本発明の変形形態１を含む。この例において、信号の降下エッジは、後続のレベルへ各レベルから増大する強度の３つの連続するレベルを含む階段状の信号によって作られる。

図１１に示される各信号に関して、降下するエッジは、限界閾値ΔＶより大きい少なくとも１つの急激な低下を含む。

より一般的には、ＢｉＮｅｍが多重化モードであるとき、本発明の変形形態１は、壊す信号における従来の急な立ち上がりエッジを、持続期間τ_Ｒの傾斜する信号に置き換えることからなる。

対応する行信号は、図１２に概略的に図示される。それは、傾斜して立ち上がるエッジと、単一の中間レベルを有する階段状の降下するエッジとを有する。行信号は、ただ単一のレベル、すなわちＡ１＝Ａ２を十分に同様に有する。

第１のレベルが「同時である」（以下参照）であると呼ばれる２つレベルのモードにおいて、図１２の行信号は、標準の多重化モードの場合のように、一度に行毎の代わりに、複数の行に同時に印加されることができる。

多重化モードにおいて、関連する列信号は、Ｕ変換に関して、図７ｂ（単一の正の方形波パルス）、図８ｂ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する正の信号）、または図９ｂ（２つのレベルを有する正の方形パルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものであり、およびＴ変換に関して、図７ｃ（単一の負の方形波パルス）、図８ｃ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する負の信号）、または図９ｃ（２つのレベルを有する負の方形パルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものである。

本発明の変形形態２
本発明による第２の変形形態の記載が続き、記載は、添付の図１３、図１４、および図１５を参照する。

図１３から図１５において、傾斜波形を呈するアンカリングを壊すものである（段階Ｃ）信号の同じ立ち上がりエッジＦｍが見られることができる。この傾斜の持続期間は、τ_Ｒと書かれる。

本発明の第２の変形形態は、ＢｉＮｅｍの多重化されたアドレス指定モードから始めて記載されることができる。本発明のこの第２の変形形態は、レベルＡ１とＡ２との間の行信号の従来の急な降下するエッジを、持続期間τ_Ｒ’の傾斜の形態における降下エッジＦｄに置き換えることを推奨する。

上述の変形形態１（傾斜する立ち上がりエッジ）に重ねられる本発明の変形形態２における行信号は、図１３に概略的に示される。この信号は、アンカリングを壊すためのレベルが続く傾斜する立ち上がりエッジと、レベルが続く傾斜する降下エッジと、選択する目的のための急激な低下とを含む。

第１のレベルが同時である（以下参照）であると呼ばれる２つレベルのモードにおいて、図１３の行信号は、標準の多重化モードの場合のように、一度に行毎の代わりに、複数の行に同時に印加されることができる。

多重化モードにおいて、関連する列信号は、Ｕ変換に関して、図７ｂ（単一の正の方形波パルス）、図７ｂ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する正の信号）、または図９ｂ（２つのレベルを有する正のパルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものであり、およびＴ変換に関して、図７ｃ（単一の負の方形波パルス）、図８ｃ（傾斜して立ち上がるエッジおよび急に降下するエッジを有する負の信号）、または図９ｃ（２つのレベルを有する負のパルス、第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度である）に示されるようなものである。

図１４は、Ｕ変換に関する変形形態１に重ねられる変形形態２における画素信号を示す。

図１４ａは、図１０ｂの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

図１４ｂは、図１０ｃの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

図１４ｃは、図１０ｄの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

図１４ｄは、図１０ｅの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

この場合も、図１４に示される各信号に関して、降下エッジにおける２つの連続するレベル間の低下は、限界閾値ΔＶを超えてはならない。

図１５は、Ｔ変換に関する変形形態１に重ねられる変形形態２における画素信号の例を示す。

図１５ａは、図１１ｂの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

図１５ｂは、図１１ｃの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

図１５ｃは、図１１ｄの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

図１５ｄは、図１１ｅの信号を再生し、かつ変形形態２を重ねる。

この場合も、図１５に示される各信号に関して、降下エッジは、限界閾値ΔＶを超える強度の少なくとも１つの急激な低下を含む。

他の列信号
図７ｃ、図８ｃ、および図９ｃに示される列信号に加えて、図１６に示されるような列信号は、本発明の両方の変形形態における多重化モードで使用されることができる。この列信号は、傾斜する立ち上がりエッジ、および急な降下エッジによって終了するレベルを有する持続期間τ_Ｃのパルスを含む。

図１２に示されるような行信号とともに本発明の変形形態１に加えられるような、列信号に関するこの波形に対応する画素信号は、Ｕ変換に関して図１７ａに示され、Ｔ変換に関して図１７ｂに示される。

図１７ａに示される信号は、傾斜する立ち上がりエッジ、アンカリングを壊すためのレベル、急激な降下エッジ・セグメント、レベル・セグメント、傾斜する降下エッジ・セグメント、他のレベル・セグメント、および最終的な急激な降下エッジを有する。

図１７ａに示される信号の降下エッジにおける２つの連続するレベル間の低下は、限界閾値ΔＶを超えてはならない。

図１７ｂに示される信号は、傾斜する立ち上がりエッジ、アンカリングを壊すためのレベル、急激な降下エッジ・セグメント、レベル・セグメント、傾斜する降下エッジ・セグメント、および最終的な急激な降下エッジを有する。

図１７ｂに示される信号における降下エッジは、限界閾値ΔＶより大きい強度の少なくとも１つの急激な低下（好ましくは最後の降下エッジ）を含む。

勾配Ｆｍの数値に関する関心の範囲
従来のＢｉＮｅｍのアドレス指定において、パルスは、１ミリ秒から数ミリ秒までの程度の持続期間を有して通常使用されることを想起されたい。アンカリングが壊される画素への印加に関する電圧Ｐ１の強度は、１．５マイクロメートル（μｍ）から２μｍの厚みを有するセルに関して１０Ｖから３０Ｖの程度である。

本発明に関連して、アドレス指定パルスの持続期間を過剰に延長することなく、以下に記載される利点を提供する立ち上がりエッジＦｍに関する傾斜の範囲は、０．５Ｖ／μｓから０．０００１Ｖ／μｓであり、好ましくは０．１Ｖ／μｓから０．００５Ｖ／μｓであり、すなわち、２０Ｖの電圧Ｐ１に関して、４０μｓから２００ｍｓの持続期間τ_Ｒであり、好ましくは２００μｓから４ｍｓである。この持続期間τ_Ｒは、好ましくは３００μｓより長い。降エッジの傾斜Ｆｄ（変形形態２）に関して、強度の程度は同一である。

多重化のオプション：ゼロの平均値を得る
直流電圧を受けて電気分解によって所定の液晶材料が劣化する危険性を考慮するために、ゼロの平均値を有する信号を画素に印加することが有利である。

第１のオプションは、互いに続く反対極性の信号を使用することである（特許文献３に記載される）。このオプション１を使用する本発明の変形形態１の行信号の一例は、図１８に示される。当然、相補的であるように選択され、かつ上述の波形の１つを有するように選択される列信号は、同様に行信号のように交互に反対極性を有さなければならない。

第２のオプション（また特許文献３に記載される）は、各画像に関する信号（行および列）の符号を反転する。図１９は、対称の結果を達成するためのこの第２のオプションに対応する変形形態１による行信号を示す。

上記例における行信号を供給する回路は、対称の信号を供給する必要のために、２Ａ１の全体の偏位を与える±Ａ１の電圧を供給する必要がある。行回路のかなりの単純化は、その最大偏位が２Ａ１より小さい値に低減されるなら、達成されることができる。これを行うために、行信号の動作中間点Ｖ_Ｍ、および第２の極性の間に同期して対応する列信号の動作中間点Ｖ_Ｍを変更することで十分である。したがって開始点が図１８に示されるようであれば、この考えは、行信号および列信号を対称にする段階の間に全ての行信号および列信号に共通電圧Ｖ_Ｍを加えることであり、ここでＶ_Ｍの値は、２つの対称的な段階の間で変化する。この第３のオプションは、また特許文献３に記載され、かつ本発明の変形形態１の信号への前のオプションと同じ方法で適用される。

図２０は、例として、Ｕ変換のための方形タイプの列信号（図７ｂ）とともに、本発明の変形形態１に適用されるとき、電圧Ｖ_Ｍを使用して得られる行回路の電圧偏位の低減を示す（図２０ａは、行信号を示し、図２０ｂは、列信号を示し、かつ図２０ｃは、結果としての画素信号を示す）。図２０ｃに示される画素信号は、図１０ｃに示される上述の信号すなわちＶ_Ｍで得られるような信号と比較して、変更されないままである。

信号Ｖ_Ｍは、対称化の第１の段階の間にＶ_Ｍ１に等しく、かつ信号Ｖ_Ｍは、対称化の第２の段階の間にＶ_Ｍ２に等しい。

変形形態において、時間間隔が、対称化の２つの段階の間に追加されることができる。

当然、変形形態１と組み合わせて適用される本発明の変形形態２は、ゼロ平均値を得る目的のために様々な対称化操作と両立する。

多重化オプション：行アドレス指定パルス間の時間の重なりを有するアドレス指定
特許文献４は、行パルス間の時間の重なりを有するＢｉＮｅｍスクリーンのためのアドレス指定モードを記載する。関連する信号（例えば、２レベルの信号）は、まだアンカリングを壊す段階および選択段階を備え、その全体の持続期間はτ_Ｌである。

後続の行信号Ｌ２は、従来のように先行する行信号Ｌ１の始まりから持続期間τ_Ｌだけもはやオフセットされないが、より短い持続期間τ_Ｄだけオフセットし、
τ_Ｃ≦τ_Ｄ≦τ_Ｌであり、ここでτ_Ｃは、列信号の持続期間である。

画像が表示されることができる速度を主に増加することを目的としたこのアドレス指定の方法は、ＢｉＮｅｍに特定的であり、切り替えは、画素信号の降下エッジの波形にだけ応じる。

特許文献４に記載される時間の重なりを有するアドレス指定は、本発明の変形形態１および２で説明される信号と両立する。図２１は、例えば方形波形状の列信号、および同時にアドレス指定される３つの連続する行を有する、本発明の変形形態１に適用されるアドレス指定のこのモードの例を示す。図２１の第１の４つの行は、スクリーンの４つの連続する行に印加される行信号を示し、図２１における第５の行は、対応する列信号を示す。

当然、上述された任意の列信号波形が使用されることができる。

アドレス指定のこのモードは、ゼロ平均値を得るように対称化方法と組み合わされることもできる。

アドレス指定のこのモードは、アドレス指定の画素パルスの持続期間は、１ｍｓから数ｍｓの範囲にある「従来の」持続期間より一般に長い。したがって、より浅い傾斜は、この例において許容されることができる。長いアドレス指定パルスの例における傾斜の一般的な値は、２０ｍｓの持続期間τ_Ｒを与える０．００１Ｖ／μｓである。

本発明の利点
本発明の主な利点は、以下に説明されるように、引き出される電流Ｉｉｎｓを制限し、一方、アンカリングを壊す信号において上昇する間に画素をアドレス指定することにある。

到達されるべき画素端子間の壊す電圧の強度は、Ｖ_０と記載される（図２および図３においてＰ１として呼ばれ、かつ図６から図９に示されるように多重化された信号に関してはＡ１として呼ばれる）。

一例として、単一の画素ディスプレイは、容量Ｃｐおよび直列抵抗Ｒｐ（ＩＴＯ電極のため）を有していると考えられる。この画素は、図２２に示されるように、相補型の金属シリコン上の酸化物（ＣＭＯＳ）スイッチ、および電圧Ｖ_０の定電圧源を有するドライバ回路によって制御されると仮定される。

制御信号の周波数は、ｆと記載される。双安定性の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に関して、この周波数は、スクリーン上に表示されるデータを更新することが望ましい周波数と理論的に等しい。しかしながら、スクリーンをアドレス指定するために必要な時間、より詳細には行パルスの持続期間に関連する以下の計算において、長い時間は、液晶電気分解の問題のために考慮されるべきではない。計算の目的のために、１０ヘルツ（Ｈｚ）の周波数が選択される。

図２２に示されるタイプの回路を用いて、明らかの方法で、電圧源Ｖ_０によって供給される画素当たりの平均電力消費Ｐ_ｍｅａｎおよび平均電流Ｉ_ｍｅａｎは、以下のように与えられる。

画素の端子に印加される矩形信号および傾斜する信号にために、電圧源Ｖ_０によって供給される最大瞬間電流を与えるための計算が続く。

従来の矩形信号のための最大瞬間電流
従来の矩形制御パルスに応答する画素のための瞬間充電電流が決定される。図２３に与えられる等価回路は、ゼロの立ち上がり時間および強度Ｖ_０を有する矩形の印加される信号Ｖ（ｔ）のためのものである。

パルスの印加後、瞬間ｔで画素を通って流れる電流は、指数的に減少する。

最大電流は、ｔ＝０で生じかつＶ_０／Ｒ_ｐに等しい。充電パルスは、短くほぼ３Ｒ_ｐＣ_ｐに等しい持続期間を有する。これらの信号は、図２４に示される。

この計算は、印加される矩形信号の傾斜の持続期間が、画素の時定数、すなわちＲ_ｐＣ_ｐより非常に短いなら正しい。

信号が、本発明による浅い傾斜を有するときの最大瞬間電流
この例において、最大強度Ｖ_０でτ_Ｒに等しい立ち上がり時間を有する浅い傾斜を有するパルスである。

パルスの開始時から（ｔ＜τ_Ｒ）瞬間ｔで画素を通って流れる電流は、以下の形態（図２５参照）である。

瞬間電流は、ｔ＝τ_Ｒで最大値であり、Ｖ_０Ｃ_ｐ／τ_Ｒにほぼ等しい。

この電流ピークの持続期間は、ほぼτ_Ｒに等しい。

この計算は、傾斜の持続期間τ_Ｒが、画素の時定数Ｒ_ｐＣ_ｐより約３倍大きいならまだ正しいままである。

２つの例間の比較

であれば、以下が適用される。

Ｉ_ｍｅａｎ＝ｆＣ_ｐＶ_０
Ｉ_ｉｎｓ（ｓｑｕａｒｅ）＝Ｖ_０／Ｒ_ｐ

ＢｉＮｅｍタイプの双安定性画素の例とともに様々な数値な適用が続き、
Ｒ_ｐ＝１０００Ω
ここで、Ｃ_ｐ／単位面積＝１５平方センチメートル当たりナノファラッド（ｎＦ／ｃｍ^２）
ｆ＝１０Ｈｚ、
τ_Ｒ＝４００μｓ
例１：容量Ｃ_ｐ＝１５ｎＦ、すなわちＲ_ｐＣ_ｐ＝１５μｓであると仮定して、面積＝１ｃｍ^２の単一の直接アドレス指定される画素。したがって、
τ_Ｒ≫Ｒ_ｐＣ_ｐ：４００μｓ≫１５μｓ

例２：多重化モードのＢｉＮｅｍディスプレイにおける行
行寸法：２ｍｍ×２０ｍｍ、すなわち４０ｍｍ^２＝０．４ｃｍ^２の面積。

Ｃ_ｐ＝６ｎＦ、
Ｒ_ｐＣ_ｐ＝６μｓ
以下を仮定する。τ_Ｒ≫Ｒ_ｐＣ_ｐ：４００μｓ≫６μｓ

したがって、従来の矩形信号から、４００μｓ持続期間の傾斜を呈する本発明による信号への変更は、２０倍以上に瞬間最大電流を低減することが分かり得る。より一般的には、改善は、傾斜の持続期間τ_Ｒに比例する。

消費を減少する他の利点は、トランジスタに必要なサイズを減少すること、したがってアドレス指定する電子装置の価格が低減されることができることを意味する、行および列電圧切り替えを実行するために必要なシリコンの面積を減少することである。

本発明の第１の実施形態
本発明の変形形態１を使用するシステムの記載が続く。記載される例は、図２６に示される種類のバッテリまたは任意の他のエネルギー蓄積構成部品を有さない無線スマート・カードのためのＢｉＮｅｍタイプのディスプレイを使用する、ディスプレイ・モジュールを含む。このデバイスにおいて、エネルギーは、誘導ループ５０および電源回路５２によって供給される（断続的に）。この回路は、マイクロコントローラ５４、ドライバ回路５６、およびＢｉＮｅｍディスプレイ５８に接続される。

ループ５０が、エミッタ・デバイスに近接して配置されるとき、ループ５０は、電源回路５２を給電し、電源回路５２は、マイクロコントローラ５４およびドライバ回路５６に安定化された直流電圧を供給する。ループ５０が給電される限り、コントローラ５４は、ドライバ回路５６を介して双安定性ディスプレイを更新することができる。これら動作に消費される電力は、ループ５０を介して伝達されるエネルギーの量は、数ミリワット（ｍＷ）程度の電源に制限されるので、小さいままでなければならない。

時間の残りで、システムは給電されない。ＢｉＮｅｍディスプレイ５８から読み取られることができる情報は、したがって、最新の更新の結果である情報である。

全ての状況下で、電源回路は、最大瞬間電流Ｉ_ＭＡＸを供給し、その値より上で、指定された公称電圧をもはや維持できない。ドライバ回路５６によって消費される電流が、少しの間でも許容可能な最大値を超えるなら、電圧低下が生じ（図２７参照）、倫理回路またはマイクロコントローラ５４が適切に動作することは、もはや保証されない。その後一般的なシステム障害が生じることがある。

従来のＢｉＮｅｍディスプレイは、初期的に矩形である信号で動作する。それが消費する最大瞬間電力は、高いことがある。

上述された最大瞬間電力の計算は、以下を与える。

Ｉ_ｉｎｓ（ｓｑｕａｒｅ）＝Ｖ_０／Ｒ_ｐ
したがってＶ_０＝２０Ｖ、およびＲ_ｐ＝１０００Ω（上記数値例）で、
Ｉ_ｉｎｓ＝２０ｍＡ
一方、平均電流Ｉ_ｍｅａｎは、
Ｉ_ｍｅａｎ＝ｆＣ_ｐＶ_０＝０．００３ｍＡ Ｃ_ｐ＝１５ｎＦに関して
電源が供給できなければならない最大瞬間電流Ｉ_ｉｎｓは、画素が、主に制御信号の切り替えの間に充電および放電するので、Ｉ_ｍｅａｎより非常に大きい。従来の矩形制御信号を用いて、電流は、全てのときにゼロまたはほぼゼロであるが、電圧を切り替えるとき毎に著しいピークを呈する。

電流消費ピークの間、必要な電力が、エネルギー源から利用可能な瞬間電力を超えることができることは明らかである。

数値的に作用する例
一般に、上述された誘導ループ５０で利用可能な出力は、２０ｍＷの程度である。

方形波タイプの信号のための最大瞬間電力は、
Ｐ_{（ｉｎｓ ｍａｘ，ｓｑｕａｒｅ）}＝Ｒ_ｐ・Ｉ_ｉｎｓ（ｓｑｕａｒｅ）^２＝４００ｍＷである。

標準の誘導ループは、そのようなレベルの瞬間電力を供給できないことは明らかである。

一般に、この困難性は、電源回路５２にエネルギー蓄積構成部品（コンデンサ、インダクタ、または蓄積バッテリ）を追加することによって解決される。この構成部品は、回路が、その消費のピークの間に必要とするエネルギーを蓄積する。

しかしながら、非常に薄い最大厚みに従わなければならないスマート・カードへの適用において、小型化の制約は、非常に厳しくエネルギー蓄積構成部品を追加することができない。または、シリコン上のモノリシック集積回路に必要な容量を集積することができない（経済的に言って不合理である数十平方ミリメートル（ｍｍ^２）のシリコンを充てることが必要である）。

本発明は、ディスプレイの瞬間電力要件が低減されることを可能にすることによって、この問題に対する解決方法を提供することを求める。

数値的に作用する例
τ_Ｒ＝２．５ｍｓを仮定する。

そのような傾斜を処理する本発明による信号のための最大瞬間電力は、以下によって与えられる。

この電力は、誘導ループ５０によって供給される。

本発明で記載される信号を生成すること
記載を簡略化するために、記載される例は、２つの列Ｃ１およびＣ２によって掛けられる２つの行Ｌ１およびＬ２を備える（多重化されるモードにおいてアドレス指定可能である４つの画素を与える）、ＢｉＮｅｍディスプレイ・マトリクス５８に接続されるドライバ回路５６に関連する。これは、図２８に示される。

正の単一極性の多重化スキームが、行Ｌ１およびＬ２に使用され、かつ双極性スキーマが、Ｖ_Ｍが一定である列Ｃ１およびＣ２に使用される（図２９に示される）ことが仮定される。図２９に示される信号とともにこの多重化スキーマは、固定概念に関する任意の選択に対応し、上述される他の変形形態は、提案された実施の性質を変更することなく使用されることができる。図２９に概略的に示されるように、示される信号は、行Ｌ１と列Ｃ１との交差でのＵ状態に対応し、かつディスプレイの行と列との他の交差でのＴ状態に対応することが理解されるべきである。

制御回路５６は、次に図３０に示されるような、１０個のアナログ・スイッチＣｏ１からＣｏ１０によって構成されることができる（より一般的には、スイッチの数は、行の数の２倍に、列の数の３倍を加えたものである）。

・各列信号は、スイッチＣｏ１からＣｏ４によって２つの電圧ＶＬ（ｔ）または０Ｖの１つを切り替えることによって得られる。

・各列制御信号は、スイッチＣｏ５からＣｏ１０を介して３つの電圧＋Ｃ（ｔ）、−Ｃ（ｔ）、または０Ｖの１つを切り替えることによって得られる。

この例において、図３１に示されるように、時間で変わるアナログ信号ＶＬ（ｔ）、＋Ｃ（ｔ）、および−Ｃ（ｔ）を提供することが必要である。これらのアナログ信号は、当然、多重化段階と同期される。

アナログ・スイッチＣｏは、トランジスタを使用して作られることができることが知られている。液晶ディスプレイのためのドライバ回路５６は、従来、ＭＯＳ技術またはトランジスタのためのそのような技術の変形形態を使用し、そのトランジスタは、それらが切り替えることができる最大電圧によって特徴付けられる。

それにもかかわらず、これに関連して、ドライバ回路５６は、ランプ信号ＶＬ（ｔ）およびＣ（ｔ）が切り替え段階による使用のために生成されることを可能にするデバイスを含まなければならないことが理解されるべきである。

この困難性は、第２の実施を使用することによって、複雑性、したがってシリコンの表面積、またはドライバ回路の製造コストを低減するように回避されることができる。

この第２の実施において、ドライバ回路５６は、切り替え段階Ｃｏを供給するためだけに定電圧を生成する回路を含む。

この実施は、ランプを生成するためのトランジスタの特徴を利用する。トランジスタは、通常、オン／オフ・スイッチとして「デジタル」電子回路設計者によって使用される。制御電極は、絶縁体を構成する電圧から、トランジスタが抵抗器のように伝導する電圧まで急激に変化する。それにもかかわらず、これら２つの電圧間は、トランジスタが、その端子に印加される電圧の広い範囲にわたって定電流ｉを通す制御電圧のための中間電圧が存在する。トランジスタが、コンデンサの容量Ｃと直列に生成器に接続されるなら、コンデンサの端子両端間の電圧は、以下の傾斜を有するランプであり、

ここで、ランプは、キャパシタが、生成器の電圧まで充電されるときに終端する。

この原理に基づく行回路が図３２に示される。その行回路は、２つのＭＯＳトランジスタ６０および６２だけを備える。これらの２つのトランジスタ６０、６２の主要な導電経路は、接地と、電圧Ｖ１またはＶ２のいずれかを受けることができる電源供給端子６４との間に直列に接続される。これら２つのトランジスタの制御電極は、共通に接続される。行電極に接続されるこの回路からの出力は、トランジスタ６０および６２のドレイン／ソース共通点から取られる。トランジスタ６０は、電源端子に接続される。トランジスタ６２は、グランドに接続される。

図３３は、この回路に関連する信号を示す。より詳細には、図３３ａは、トランジスタ６０および６２の制御電極に印加される制御信号を示し、図３３ｂは、トランジスタ６０および６２の共通ドレイン／ソース端子から取られる結果としての行信号を示し、図３３ｃは、均一な状態を得るためにディスプレイに印加される共通信号を示し、かつ図３３ｄは、ねじれた状態を得るためにディスプレイに印加される共通信号を示す。

本質的に、図３３ａに示される制御信号は、両方のトランジスタ６０および６２がオフされる（行電圧がゼロである）間の第１の状態Ｅ１、トランジスタ６０が導電である（電圧Ｖ１に到達するように次第に増大する行電圧）第２の状態Ｅ２、両方のトランジスタ６０および６２がオフされる（行電圧が値Ｖ１のままである）間の第３の状態Ｅ３、トランジスタ６２が導電である（電圧Ｖ２に到達するように次第に低減する行電圧）第４の状態Ｅ４、トランジスタ６０が導電である（行電圧がＶ２で維持される）第５の状態Ｅ５、トランジスタ６２が導電である（行電圧がゼロに低下する）第６の状態Ｅ６、およびトランジスタ６０および６２がオフである（行電圧がゼロに維持される）第７の状態Ｅ７を含む。

立ち上がりランプ（状態Ｅ２）およびレベルＶ１（状態Ｅ３）の間に、電源は電圧Ｖ１を供給する。第１の降下ランプ（状態Ｅ４）の間、電源は、Ｖ１からＶ２へ切り替わる必要がある。それは、状態Ｅ５に対応するレベルの間に、Ｖ２にとどまる。電源は、次にゼロに戻る。

第２の状態（状態Ｅ５）の無い変形形態は、動作が、定電源電圧Ｖ１を使用することによって単純化されることが可能である。

ランプの傾斜は、トランジスタ６０および６２の制御電極の電圧を調整することによって調整可能である。

この回路は、信号の極性は、画素の端子の両端間がゼロである平均電圧値を得るように、１つの画像から他の画像へ変更されることを可能にする。制御信号および電源電圧だけが、適合される必要がある。電源電圧は、正の信号に関して０、Ｖ１、およびＶ２であり、負の信号に関して０．Ｖ１−Ｖ２、およびＶ１である。

両方のトランジスタ６０および６２は、行信号の終わりに降下する間の大きな電流、およびランプの間の消散する電力を受けることができるように寸法設定される必要がある。正の信号のために、大きな電流は、トランジスタ６２を通過し、信号が負であるときに後続の画像のために、それはトランジスタ６０を通過する。それにもかかわらず、これらの大きな電流は、デバイスの電源で引かれないことが理解されるべきである。これらの電流は、画素放電によって構成される容量のためである。

この原理に基づく列回路は、図３４に示される。それは、３つのＭＯＳトランジスタ７０、７２、および７８を有する。

トランジスタ６０および６２と比較できる方法で、２つのトランジスタ７０および７２の主要な導電経路は、電圧＋Ｃまたは電圧Ｖ_０＋Ｃのいずれかを受けることに適する電源供給端子７４と、電圧−Ｃまたは電圧Ｖ_０−Ｃのいずれかを受けることに適する電源供給端子７６との間に直列に接続される。トランジスタ７０および７２の制御電極は、共通に接続される。共通電極に接続される回路からの出力は、２つの相補的なトランジスタ７０および７２の相互接続されたソースから取られる。トランジスタ７０は、電源端子７４に隣接する。トランジスタ７２は、電源端子７６に隣接する。

トランジスタ７８の主要な導電経路は、回路の出力（トランジスタ７０および７２のソースを構成する共通の点）と、電圧０およびＶ_０の一方または他方を受けることができる電源端子との間に接続される。

トランジスタ７０および７２は、それらが、導電状態であるように制御されているときに、列ランプの定電流を供給する。それらトランジスタは、サイズが小さいことがある。トランジスタ７８は、信号の終わりの電流を通過することができなければならない。トランジスタ７８は、オン／オフ・スイッチとして動作する。正の信号を用いて表示される画像のために、この回路は、電圧＋Ｃ、０、および−Ｃを給電される。負の信号によって表示される画像のために、電圧は、Ｖ_０＋Ｃ、Ｖ_０、およびＶ_０−Ｃである。

本発明の第２の実施形態
液晶セルのパラメータ、電圧およびアドレス指定モード、ならびに動作温度は、全てＢｉＮｅｍセルの切り替えに影響することがある要因を構成する。これら要因の値に応じて、１つの組織が「容易に」得られることができ、一方、他の組織は得るのが「困難に」なることが理解されるべきである。例えば、これは、特に温度要因に適用され、温度要因は、液晶の特性に影響を与えることが良く知られており、したがってＴ組織への切り替えの起源を構成する流体力学的な流れの特徴に影響を与えることが良く知られている。

さらに、ＢｉＮｅｍセルの切り替えは、液晶を分子の整列方向に移動させる。この切り替えは、切り替えられるべき領域が大きいときにより容易に起こる。したがって、複数の行の同時の切り替え（行の「パケット」）、または実際に表示全体の切り替え（「集合的な」切り替え）は、行毎の切り替えより容易である。

組み合わせにおけるこれら２つの観察は、以下の２つのステップでＢｉＮｅｍディスプレイをアドレス指定することを得策にする。

・ディスプレイの画素が、「困難な」組織をとるようにパケットまたは集合的に切り替えられる（傾斜する立ち上がりエッジを使用して）「同時の」第１のステップと、
・ディスプレイ全体が、「困難な」状態をとるべきディスプレイのこれらの画素を切り替えるように（傾斜するまたは傾斜しないことがある立ち上がりエッジで）、従来の多重化モードでアドレス指定される第２のステップとである。

この２ステップのアドレス指定モードを使用するとき、第１のステップの間にいくつかの数の行の同時の切り替えは、電子装置を大きな量の電流を引き出させる。

１つの解決方法は、複数の行に同時に印加される信号Ｖ_{ｓｉｍｕｌ}として、本発明による立ち上がりエッジの信号を使用することからなる。形式１の適用において、ディスプレイ全体にわたり同時に傾斜する信号を使用することは、引き出されるピーク電流を要因Ｆ（ｃｏｌ）＝τ_Ｒ／ＲＣ（ｄｉｓｐｌａｙ）だけ低減されることを可能にする。行の各パケットが、表面積の一部ｒを示すものであり、ここで、ｒ＝全ての行の全面積を行のパケットの面積で割ったものである、行のパケットに対する同時の信号を使用することは、引き出されるピーク電流がさらなる要因ｒによって低減されることを可能にする。したがって、Ｆ（ｐａｃｋｅｔ）＝Ｆ（ｃｏｌ）／ｒである。

傾斜の勾配は、例えばディスプレイの動作温度など様々な要因の値に応じて異なることがある。

本発明による２つのステップでのアドレス指定の実施は、図３５に示され、Ｔ変換に関するタイプの集合的な信号の例をとる。２つの行ｎおよびｎ＋１は、この非限定例に含まれ、原理は、ディスプレイ全体に一般化されることができる。複数の行に同時に印加される行信号Ｖ_{ｓｉｍｕｌ}のパラメータ（Ｖ_ｓＴ、τ_Ｒ、τ’_ｐ）は、集合的な切り替えモードに適合され、かつ所定のパラメータに応じて変更することができる。この場合、Ｖ_{ｓｉｍｕｌ}は、ただ１つのレベルだけを有するが、十分に良好に２つ以上を有することができる。多重化信号のパラメータ（Ｖ’１、Ｖ’２、τ’_１、τ’_２、Ｖ’Ｃ、τ’_Ｃ）は、同様に適合され、かつ簡単な多重化モードで使用される値とは異なる値をとることができる。

本発明による２つのステップのアドレス指定の実施は、図３６に示され、Ｕ変換タイプの集合的な信号の例を用いる。２つの行ｎおよびｎ＋１は、この非限定例に含まれ、原理は、ディスプレイ全体に一般化されることができる。複数の行に同時に印加される行信号Ｖ_{ｓｉｍｕｌ}のパラメータ（Ｖ_ｓＵ１、Ｖ_ｓＵ２、τ_Ｒ、τ”_ｐ）は、集合的な切り替えモードに適合され、かつ様々なパラメータに応じて変更することができる。多重化信号のパラメータ（Ｖ”１、Ｖ”２、τ”_１、τ”_２、Ｖ”_Ｃ、τ”_Ｃ）は、同様に適合され、かつ簡単な多重化モードで使用される値とは異なる値をとることができる。

異なる組織のための同時の切り替えは、ｐ行の「パケット」で実施されることができ、これらは、ディスプレイの全ての行がアドレス指定されるまで、多重化モードにその後アドレス指定され、次にｐ行の後続のパケットは、集合的にアドレス指定され、その後多重化モードされ、以下同様に続く。

異なる組織のための同時に切り替えは、ディスプレイの全ての行の集合的に実行されることもでき、次にディスプレイは、従来の方法でその全ての行に多重化モードでアドレス指定されることができる。

図３５に示されるアドレス指定は、４８０行×６４０列のＢｉＮｅｍディスプレイで実施される。表Ｉは、ディスプレイの全てに集合的に印加されるＶ_{ｓｉｍｕｌ}に使用されるパラメータに関する値を与える。これらの値は、ディスプレイが使用される温度とともに変化する。

Ｔ＝０°に関して、同時ステップの持続期間は、６０ｍｓであり、観察者によって見えかつ可視的に好ましくないディスプレイ全体にわたって光学擾乱を導くことが分かる。

例えば（上述のように全ての４８０の代わりに）４８行のパケットにおける同一のディスプレイをアドレス指定することは、１つのパケットに関する同時のステップの持続期間を低減することを可能にし、生じた光学擾乱における対応する低減を導き、一方、同一の電流を維持するままである。切り替えられる面積の容量は、１０分の１に分割され、立ち上がり時間τ_Ｒは、同様に１０分の１に分割され、一方、同じ瞬間電流を保存する。表ＩＩは、４８行のパケットによって同時の切り替えの例を与え、一方、表１の例におけるように同様の瞬間電流を保存する。

信号Ｖ_{ｓｉｍｕｌ}は、正の単極性の信号、負の単極性の信号、または必ずしも対称的ではない双極性であることができる。重要な点は、ディスプレイの行が、その正確な波形ではなくその機能であり、多重化信号を印加する前に十分に画定された状態（液晶組織）にそれらをするように、集合的にまたはパケットに切り替え、一方、ディスプレイの電子装置が、本発明によって傾斜を使用することによって許容可能である瞬間電流と有したままであることを同時に確実にする。

従来の受動的なディスプレイ・デバイスにおいて、電圧ランプは、増幅器段階が続くデジタル・アナログ変換器などの従来の方法を使用して容易に生成される。信号は、次に、行ドライバ段を介してスクリーン行に印加される。

デジタル・ドライバ回路を用いて、デジタル・アナログ変換器は、そこに集積される。

当然、本発明は、上述の特定の実施形態に制限されない。それは、その精神内で任意の変形形態に拡張される。

特に、本発明は、能動的なディスプレイを作るように、受動的なディスプレイを作るために同様に良好に適用されることができ、各画素は、それぞれの構成部品、例えばトランジスタによって制御され、構成部品は、それ自体が導電状態と非導電状態との間で切り替えられることができる。

従来技術のＢｉＮｅｍスクリーンの図である。 そのようなＢｉＮｅｍスクリーンをＴ状態に切り替えるための方形波形の画素信号の一例を示す。 そのようなＢｉＮｅｍスクリーンをＵ状態に切り替えるために傾斜して降下するエッジを有する画素信号の一例を示す。 画素の端子に印加されるパルスの第２のレベルの値Ｐ２に応じて、そのようなＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素の組織が選択されることを可能にする、２つのレベルを有する画素信号の一例を示す。 多重化されたマトリクス・スクリーンを示す図である。 多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の一例を示す。 列信号の持続期間が、干渉信号を低減するために低減される、多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の変形例を示す。 列信号の持続期間が、干渉信号を低減するために低減される、多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の変形例を示す。 列信号の持続期間が、干渉信号を低減するために低減される、多重化されたＢｉＮｅｍスクリーンにおける画素のための行および列信号の変形例を示す。 本発明の第１の変形形態に関連する、画素をＵ状態に変換するために用いられる本発明による５つのタイプの画素信号を示す図である。 本発明の第１の変形形態に関連する、画素をＴ状態に変換するために用いられる本発明による５つのタイプの画素信号を示す図である。 これに関連する、本発明による行信号の図である。 本発明の第２の変形形態に関連する、本発明による行信号の図である。 本発明の第２の変形形態に関連する、Ｕ状態に変換するために用いられる本発明による４つのタイプの画素信号を示す図である。 本発明の第２の変形形態に関連する、Ｔ状態に変換するために用いられる本発明による４つのタイプの画素信号を示す図である。 本発明の変形形態による列信号の図である。 Ｕ状態を得るための正信号を示す、図１２の行信号を使用する画素信号を示す。 Ｔ状態を得るための負信号を示す、図１６の列信号を使用する画素信号を示す。 本発明の変形形態による、交互に極性を反転することによって得られるゼロの中間値を有する行信号の図である。 ある行から次の行への交互に極性を反転することによってゼロの中間値を呈する本発明による他の変形形態の図である。 行ドライバの偏位を低減するように電圧Ｖ_Ｍを使用する本発明による、ディスプレイのための行、列、および画素信号の例を示す。 方形波形状の列信号に関連する、行パルス間の時間の重なりに関連する本発明による４つの行信号を示す。 強度Ａおよび周波数ｆの従来の方形波を受けるＢｉＮｅｍ画素のための等価回路図である。 ゼロの立ち上がり時間を有する従来印加される方形波信号のための画素のための等価回路図である。 画素を充電する対応するパルスの前記従来の方形波信号のネットを示す。 傾斜して立ち上がるエッジを呈する本発明による制御信号を用いる、画素を通って流れる電流を示す。 エネルギー蓄積手段を有さないディスプレイ・モジュールのブロック図である。 引き出された電流が最大許容値を超えるときに、そのようなモジュールにおいて発生する可能性がある電圧低下を示す図である。 ２×２ディスプレイおよび関連するドライバ・モジュールの図である。 そのようなディスプレイとともに使用するための一定の重ねられる電圧Ｖ_Ｍを用いる、行に関する正の単極性の多重化および列に関する双極性の多重化の任意の図である。 前記ディスプレイのための切り替え制御回路を表す。 回路のための可変解析信号を示す。 行信号を生成するための本発明の変形形態による制御回路を示す。 図３３ａは均一な効果またはねじれた効果を得るためのトランジスタ制御信号を示し、図３３ｂは均一な効果またはねじれた効果を得るための結果としての行信号を示し、図３３ｃは均一な効果またはねじれた効果を得るための関連する列信号を示し、図３３ｄは均一な効果またはねじれた効果を得るための関連する列信号を示す。 列信号を生成するための本発明の変形形態による制御回路を示す図である。 Ｔモードへの変換の第１のレベルを含む、本発明による２つのレベルを有するモードにおいてアドレス指定されるディスプレイのための行および列信号を示す。 Ｕモードへの変換の第１のレベルを含む、本発明による２つのセットを有するモードによってアドレス指定されるディスプレイのための行および列信号を示す。

符号の説明

５０ 誘導ループ
５２ 電源回路
５４ マイクロコントローラ
５６ ドライバ回路
５８ ＢｉＮｅｍディスプレイ
７０、７２、７８ トランジスタ

Claims (53)

1. アンカリングを壊すことを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーン（５８）を備えるディスプレイ・デバイスであって、前記ディスプレイ・デバイスは、前記マトリクス・スクリーンの各画素に対する制御信号を生成しかつ印加するのに適したアドレス指定手段（５６）を含み、前記制御信号は、０．５Ｖ／μｓから０．０００１Ｖ／μｓの範囲にある勾配を呈する傾斜して立ち上がるエッジ（Ｆｍ）を有することを特徴とするデバイス。
2. ディスプレイ・デバイスが、２つの組織を使用し、一方の組織は、分子が少なくとも実質的に互いに平行である均一またはわずかにねじれており、他方の組織は、プラスまたはマイナス１８０°の程度のねじれだけ一方の組織と異なることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
3. 前記アドレス指定手段（５６）は、２つの段階を含む信号を生成するように適合され、第１の段階がアンカリングを壊すためであり、第２の段階が選択する目的であることを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス。
4. 均一な組織を得るために、前記アドレス指定手段（５６）は、信号を生成するために適合され、前記信号は、前記選択段階の前記降下エッジにおける２つの連続するレベル間の前記低下が、限界閾値ΔＶを超えず、一方、ねじれた組織を得るために、前記降下エッジが、前記限界閾値ΔＶより大きな少なくとも１つの急な低下を含むことを特徴とする請求項３に記載のデバイス。
5. 前記立ち上がりエッジ（Ｆｍ）が、０．１Ｖ／μｓから０．００５Ｖ／μｓの傾斜を呈することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のデバイス。
6. 前記立ち上がりエッジ（Ｆｍ）が、４０μｓから２０ｍｓ、好ましくは２００μｓから４ｍｓの持続期間τ_Ｒを呈することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス。
7. 前記立ち上がりエッジ（Ｆｍ）が、３００μｓより長い持続期間τ_Ｒを呈することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス。
8. 前記アドレス指定および制御信号は、アンカリングを壊す段階の終わりで傾斜する降下エッジ（Ｆｄ）も有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のデバイス。
9. 前記降下エッジ（Ｆｄ）の前記勾配は、前記立ち上がりエッジ（Ｆｍ）の前記勾配と同じ程度の強度であることを特徴とする請求項８に記載のデバイス。
10. 各画素は、導電状態と非導電状態との間で切り替えられることができるそれぞれの構成部品、例えばトランジスタによって制御されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のデバイス。
11. 列信号の持続期間は、行パルスの最後のレベルの持続期間より短いことを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のデバイス。
12. 前記列信号は、方形波の形態であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のデバイス。
13. 前記列信号は、傾斜の形態であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のデバイス。
14. 前記列信号は、２つの連続するレベルを有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のデバイス。
15. 前記アドレス指定手段は、ゼロの中間値を有する信号を各画素に生成するように適合されることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載のデバイス。
16. 前記アドレス指定手段は、連続する反対極性を有する信号を各画素に生成するように適合されることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載のデバイス。
17. 前記アドレス指定手段は、反対極性の連続する行および列信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載のデバイス。
18. 前記アドレス指定手段は、各画像で反転される信号を各画素に生成するように適合されることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載のデバイス。
19. 前記アドレス指定手段は、全ての行および列信号に共通電圧Ｖ_Ｍを追加するように適合されることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載のデバイス。
20. 前記アドレス指定手段は、列電圧を印加するために必要な時間より長いまたは等しい持続期間に関して時間においてオフセットされる同様の行信号を同時に使用して、複数の行をアドレス指定するように適合されることを特徴とする請求項１から１９のいずれか一項に記載のデバイス。
21. 前記列信号の終わりが、前記行信号の終わりに同期されることを特徴とする請求項１から２０のいずれか一項に記載のデバイス。
22. τ_Ｃ≦τ_Ｄ＜τ_Ｌであり、以下の関係であり、
    τ_Ｄは、２つの行信号間でオフセットされる時間を表し、
    τ_Ｌは、アンカリングを壊す段階および組織を選択する段階を少なくとも含む行アドレス指定時間を表し、
    τ_Ｃは、列信号の前記持続期間を表すことを特徴とする請求項２０または２１に記載のデバイス。
23. 前記制御信号は、少なくとも第１のステップを含み、前記第１のステップの間に、前記信号は、少なくとも１つの画素のパケット、好ましくは行画素のパケットを集合的に同一の状態に切り替えるように適合されることを特徴とする請求項１から２２のいずれか一項に記載のデバイス。
24. 前記第１のステップの信号は、好ましくは行画素の前記パケットを「困難」である状態に切り替えるように適合されることを特徴とする請求項２３に記載のデバイス。
25. 前記第１のステップの信号は、傾斜する立ち上がりエッジを表すことを特徴とする請求項２３または２４に記載のデバイス。
26. 前記制御信号は、第２のステップを含み、前記第２のステップの間に、ディスプレイ全体が、各画素を選択されたそれぞれの状態に切り替えるために多重化されたモードでアドレス指定されることを特徴とする請求項２３から２５のいずれか一項に記載のデバイス。
27. 前記第２のステップの信号は、所定の選択された画素、好ましくは行を容易な状態に切り替えるように適合されることを特徴とする請求項２３から２６のいずれか一項に記載のデバイス。
28. 前記第２のステップの信号は、傾斜する立ち上がりエッジを表すことを特徴とする請求項２３から２７のいずれか一項に記載のデバイス。
29. 前記第１のステップの信号は、全ての画素、好ましくは行に同時に印加されることを特徴とする請求項２３から２８のいずれか一項に記載のデバイス。
30. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、均一な状態を得るために直線的な傾斜によって形成されることを特徴とする請求項１から２９のいずれか一項に記載のデバイス。
31. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、均一な状態を得るために単一の中間レベル方形波信号によって形成されることを特徴とする請求項１から２９のいずれか一項に記載のデバイス。
32. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、均一な状態を得るために２つの連続レベルを有する方形波信号によって形成されることを特徴とする請求項１から２９のいずれか一項に記載のデバイス。
33. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、均一な状態を得るために、降下する傾斜が続き、それ自体が急激な降下エッジが続く中間レベルを含む信号によって作られることを特徴とする請求項１から２９のいずれか一項に記載のデバイス。
34. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、均一な状態を得るために３つの連続レベルを有する方形波信号によって形成されることを特徴とする請求項１から２９のいずれか一項に記載のデバイス。
35. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、ねじれた状態を得るために急激なエッジによって形成されることを特徴とする請求項１から３４のいずれか一項に記載のデバイス。
36. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、ねじれた状態を得るために単一の中間レベル方形波信号によって形成されることを特徴とする請求項１から３４のいずれか一項に記載のデバイス。
37. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、ねじれた状態を得るために２つの連続レベルを有する方形波信号によって形成され、これら連続レベルの第２のレベルは、第１のレベルより大きな強度を有することを特徴とする請求項１から３４のいずれか一項に記載のデバイス。
38. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、ねじれた状態を得るために、上昇する傾斜が続き、それ自体が急激な降下エッジが続く中間レベルを含む信号によって形成されることを特徴とする請求項１から３４のいずれか一項に記載のデバイス。
39. 画素信号選択段階の前記降下エッジは、ねじれた状態を得るために、あるレベルから後続するレベルに強度がそれぞれ増大する３つの連続レベルを有する方形波信号によって形成されることを特徴とする請求項１から３４のいずれか一項に記載のデバイス。
40. 前記アドレス指定手段（５６）は、傾斜する立ち上がりエッジと、単一の中間レベルを含む方形波の降下エッジとを含む、行信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から３９のいずれか一項に記載のデバイス。
41. 前記アドレス指定手段（５６）は、アンカリングを壊すためのレベルが続く傾斜する立ち上がりエッジ、レベルが続く傾斜する降下エッジ、および分離する目的のための急な低下を含む行信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から３９のいずれか一項に記載のデバイス。
42. 前記アドレス指定手段（５６）は、単一の方形波パルスの形態の列信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から４１のいずれか一項に記載のデバイス。
43. 前記アドレス指定手段（５６）は、それぞれ傾斜して立ち上がるエッジと、急激に降下するエッジとを有する信号の形態での列信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から４１のいずれか一項に記載のデバイス。
44. 前記アドレス指定手段（５６）は、第２のレベルが、第１のレベルより大きな強度である、２つのレベルを有する方形波信号の形態の列信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から４１のいずれか一項に記載のデバイス。
45. 前記アドレス指定手段（５６）は、それぞれ傾斜して立ち上がるエッジを有するパルスの形態であり、そのレベルが急激に降下するエッジで終了する列信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から４１のいずれか一項に記載のデバイス。
46. 前記アドレス指定手段（５６）は、アナログ・スイッチ（Ｃｏ１からＣｏ１０）を備え、前記アナログ・スイッチは、２つの電圧ＶＬ（ｔ）または０Ｖから１つの電圧を切り替えて行信号を生成し、かつ３つの電圧＋Ｃ（ｔ）、−Ｃ（ｔ）、または０Ｖから１つの電圧を切り替えて列信号を生成するように適合されることを特徴とする請求項１から４５のいずれか一項に記載のデバイス。
47. 前記アドレス指定手段（５６）は、行の数の２倍に、列の数の３倍を加えた数に等しい数のアナログ・スイッチを備えることを特徴とする請求項４６に記載のデバイス。
48. 前記アナログ・スイッチは、時間で変化するアナログ信号（ＶＬ（ｔ）、＋Ｃ（ｔ）、及び−Ｃ（ｔ））が供給されることを特徴とする請求項４６または４７に記載のデバイス。
49. 前記アドレス指定手段（５６）は、一定電圧（Ｖ１、Ｖ２、＋Ｃ、Ｖｏ＋Ｃ、−Ｃ、Ｖｏ−Ｃ）によって給電されるアナログ・スイッチを含むことを特徴とする請求項１から４７のいずれか一項に記載のデバイス。
50. 前記アドレス指定手段（５６）は、各行に関して、２つの相補的トランジスタ（６０、６２）を含む制御回路を備え、相補的トランジスタの主導電経路は、接地と、交互に電圧Ｖ１またはＶ２を受けることができる電源端子（６４）との間に直列に接続されることを特徴とする請求項１から４９のいずれか一項に記載のデバイス。
51. 電源端子（６４）は、正信号のための電圧Ｖ１およびＶ２と、負信号のための電圧０ＶおよびＶ１−Ｖ２を受けることを特徴とする請求項５０に記載のデバイス。
52. 前記アドレス指定手段（５６）は、各列に関して、３つのトランジスタ（７０、７２、７８）を有する制御回路を備え、その２つのトランジスタ（７０、７２）は、交互に電圧＋ＣまたはＶ_０＋Ｃを受けるのに適した電源端子（７４）と、交互に電圧−ＣまたはＶ_０−Ｃを受けるのに適した電源端子（７６）との間に直列に接続された主導電経路を有し、第３のトランジスタ（７８）は、その主導電経路が、２つの前記トランジスタ（７０、７２）の共通点と、交互に電圧０ＶとＶ_０を受けるのに適した電源端子（７９）との間に配置されることを特徴とする請求項１から５１のいずれか一項に記載のデバイス。
53. アンカリングを壊すことを含む双安定性のネマティック液晶マトリクス・スクリーンを電気的に制御する方法であって、マトリクス・スクリーンに、傾斜して立ち上がるエッジを有するアドレス指定および制御信号を生成しかつ印加することを含むことを特徴とする方法。

Images