JP2006514157A - ビューウィングウィンドのクリーニング用装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
【解決手段】ビューウィングウィンドのクリーニング用装置とビューウィングウィンドと取り付け具とを有するプロセスチャンバのためのビューウィングポートが、与えられている。ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、この取り付け具に結合され、このビューウィングウィンドと上記プロセスチャンバのあいだに位置されており、この取り付け具のクリーニング用のプラズマ領域にクリーニング用のプラズマを形成するように構成されている。さらに、この取り付け具は、副生成物が、ウィンドに向かうのを妨げることによって、プロセスチャンバからのビューウィングウィンドの表面の副生成物の量を、減少させるように構成されている。
【解決手段】ビューウィングウィンドのクリーニング用装置とビューウィングウィンドと取り付け具とを有するプロセスチャンバのためのビューウィングポートが、与えられている。ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、この取り付け具に結合され、このビューウィングウィンドと上記プロセスチャンバのあいだに位置されており、この取り付け具のクリーニング用のプラズマ領域にクリーニング用のプラズマを形成するように構成されている。さらに、この取り付け具は、副生成物が、ウィンドに向かうのを妨げることによって、プロセスチャンバからのビューウィングウィンドの表面の副生成物の量を、減少させるように構成されている。
Description
本発明は、(1)蓄積した副生成物をビューウィングウィンドから取り除くか、または(2)このビューウィングウィンドに副生成物が蓄積することを妨げるか、(3)その両方かによりこのビューウィングウィンドの清浄を維持するための装置に関する。
この出願は、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、2001年3月23日に出願された米国出願番号No.60/277,965と、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、2001年3月23日に出願された米国出願番号No.60/277,966とに基づく優先権を主張する2002年3月25日に出願された出願中の国際出願No.PCT/US02/22080に関連する2002年9月19日に出願された米国仮出願番号No.60/411,760に関連し、これに基づいて優先権を主張している。これら全ての出願の全体の内容は、ここでは参照により組みいれられる。
半導体装置の製作と製造において、プラズマプロセシングの使用は、この装置の生成の間に必要な多くのエッチングと蒸着の工程を容易にするために、ひろく受け入れられている慣行である。例えば、シリコンに基づいた半導体装置を製作するための回路基板を与えるシリコンウェーハは、プラズマプロセス用チャンバに導入され、さまざまな工程中にプロセス用プラズマにさらされる。この工程では、材料は、この基板の選択的な領域から取り除かれる(エッチング)か、加えられる(蒸着)。
光プラズマ検出は、プラズマプロセスの特徴づけやプロセスの終点検出などのために、プラズマプロセシングにおいて頻繁に用いられている。このような検出は、関心のある光波長に対して十分に透明で、信頼性のある真空シールを与えるウィンドを通して、このプラズマプロセシングの領域への光学的なアクセスを必要とする。ほとんどの光検出法は、スキャニングモノクロメータや分光器や同様の装置を用いて、スペクトルの全体を得ることを必要とする。これらの場合、このウィンドは、関心のあるスペクトル領域の全体にわたって高い透明性を維持していることが重要である。
プラズマプロセスの光検出において最も頻繁に出会う問題の一つは、前記光学検出ウィンドすなわち観測ビューウィングポートへのフィルムの蒸着である。この観測ビューウィングポートは、前記プロセス用プラズマと一つの側面で接触し、典型的なプラズマのエッチングと蒸着の化学作用において、このビューウィングポートにおける局所的なプラズマの状態は、吸収したこのプロセス用プラズマ中に存在する化学種から成るフィルムの形成を引き起こす。ウェーハプロセシングの間、このフィルムは、このビューウィングポートで成長し、得られた光学シグナルの漸進的な劣化に導く。この劣化は、同じ状態下でなされた光学シグナルの測定の非再現性を導く。この光学シグナルの非再現性は、光学検出センサーからのインプットに反応を基づかせているプロセシングツールの制御機構に影響を与えうる。
要約すると、用いられる特定の光学方法に関係なく、図1に示されているビューイングポートのような、前記チャンバの壁における観測ビューイングポートは、比較的清浄に保たれなければいけない。もしそうでなければ、観測もしくは実験によって集められたデータは、不正確になりうる。(図1は、標準的なISO−KFハードウェア(hardware)300aによってプラズマチャンバ200aに取り付けられた一つのそのようなビューイングウィンド400aを図示している。)
このために、このビューウィングポートから、蓄積すなわち堆積した物質を取り除いて、きれいにすることが、必要である。以前は、これは、このビューイングポートを取り外し、手でこれのガラスをクリーニングすることを意味した。しかしながら、この仕事を実行するために必要な時間と労働とのために、ビューイングポートをこのようにクリーニングすることは、高くつく問題であった。
本発明は、このビューイングウィンドを取り外す費用と労働とを増やすことなく、好ましくは、プロセスチャンバのビューウィングウィンドをクリーニングする装置と方法とを提供する。この結果、前記プロセスチャンバを観測することにより得られたデータは、正確である。このように、本発明は、このウィンドを取り外す必要なく、このウィンドをクリーニングする装置と方法とを記述する。
本発明の第1の態様に係われば、副生成物(もしくは他の物質)は、プロセスチャンバのビューイングウィンドから物理的もしくは化学的なエッチングにより除去される。好ましくは、二次的なプラズマ源は、ビューイングウィンドに隣接して取り付けられている。この二次的なプラズマ源により生成されたプラズマは、このビューイングウィンドに蓄積した副生成物をエッチングする。
第2の実施の態様に係われば、好ましくは、プロセスチャンバに取り付けられているビューウィングウィンドの清浄さは、そもそもこのビューウィングウィンドに蓄積する副生成物の量を減少させることにより維持されている。
好ましくは、このビューイングウィンドは、前記プロセスチャンバに対して、このビューイングウィンドに向かう副生成物の量が実質的に減少されるように、所定の位置もしくは場所に支持されている。
このうえ、さらに他の態様においては、複数の磁石が、前記プロセスチャンバから前記ビューウィングウィンドへの副生成物の蓄積を減少させている。これらの磁石は、このビューウィングウィンドに到達する前記プロセスチャンバの副生成物の量を減少させる磁場を生成している。さらに他の実施の態様においては、ガス注入機構が、前記ビューウィングウィンドの近くの前記プロセスチャンバの部分に圧力をかけることによって、このプロセスチャンバからこのビューウィングウィンドへの副生成物の蓄積を減少させている。
上記の態様のいずれの組み合わせも、前記ビューウィングウィンドから副生成物を除去することか、このビューウィングウィンドへの副生成物の蓄積を減少させることの一方に用いられることができる。
本発明のより完全な評価と付随する長所の多くとは、以下の詳細な説明を参照して、特に添付されている図面に関連して考察されると、容易に明らかになるだろう。
ここで、同じ参照符号が、いくつかの図を通して同一か対応する部材を指定している図面を参照すると、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、(1)ビューウィングウィンドに蓄積した、プロセスチャンバからの副生成物を除去するための装置か、(2)ビューウィングウィンドに向かう粒子の数を減少させる装置か、(3)これらの両方から構成されることができる。
本発明は、既知のプラズマチャンバのビューウィングウィンドの困難を扱うための装置と方法を提供する。本発明に係われば、図2を参照すると、このプロセスチャンバ200は、内部にプラズマが生成されることができる大きなチャンバである。このプロセスチャンバ200は、プロセスチャンバへの光学的なアクセスを可能とするビューウィングウィンド400と、ビューウィングポートを前記プロセスチャンバに結合する取り付け具300と、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100とを、有するビューウィングポート10を、有している。さらに、この取り付け具300は、ビューウィングウィンド400を前記プロセスチャンバ200から分離している。例えば、この取り付け具300は、標準的なISO−KFハードウェア(hardware)301と互換性を持つように構成されることができる。この取り付け具は、また、取り付け具の様々な部分を互いに確実にすると共に、この取り付け具を所望の長さに延長することを可能にする接続部材302を有することができる。前記ビューウィングウィンド400とこの取り付け具300とは、前記チャンバ200の中のプロセスが監視されることを可能にする、このプロセスチャンバ200の内部への視野を提供する。
第1の実施の形態に係われば、プロセスチャンバ200の副生成物は、ビューウィングウィンド400から除去される。ビューウィングウィンドのクリーニング用の装置100は、好ましくは、プロセスチャンバ200の外部で、ビューウィングウィンド400に隣接させて、取り付け具300に位置されている。第1のインターフェース部分305は、前記取り付け具300と前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100との接続点に位置され、前記プロセスチャンバ200に面している。第2のインターフェース部分310は、前記第1のインターフェース部分305の反対側に位置され、前記ビューウィングウィンド400に面している。前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100により生成されたプラズマは、前記プロセスチャンバ200から移動してきた副生成物を前記ビューウィンド400から除去する。除去を達成するため、前記ビューウィングウィンドのクリーニング装置100により生成された前記プラズマが、前記ビューウィングウィンドの副生成物を除去するように、前記インターフェース部分310は、前記ビューウィングウィンド400を十分近くに位置させている。除去のプロセスは、物理的もしくは化学的なエッチングプロセスか、物理的なエッチングと化学的なエッチングプロセスの結合である。
図3Aと3Bを参照すると、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100は、外側のハウジング130とプラズマ源140との少なくとも2つの構成要素を有している。このハウジング130は、このプラズマ源140にエネルギーを与えるために用いられているRFエネルギーの遮断に加えて、このプラズマ源140のための構造の支持を提供している。
このハウジングは、また前記接続部材302を有している。この接続部材302は、前記取り付け具の部材300との耐真空接続(vacuum-tight connection)を提供し、前記取り付け具300のビューウィングウィンドのクリーニング用装置100のための支持を提供し、前記様々な部分の必要なメインテナンスを可能にしている。
前記プラズマ源140は、さらにインピーダンス整合集合体141とプラズマ発生装置150とを有する。このインピーダンス整合集合体141は、前記プラズマ発生機構の中に内在する固有の反射インピーダンス成分(reactive impedance component)に抗するために、インピーダンス整合を与えることにより、前記プラズマ発生装置150を通してRF発生源138からクリーニング用プラズマ領域155の中の前記プラズマへの電力の移動を最大にしている。典型的には、前記インピーダンス整合集合体141の中の、真空可変コンデンサ(vacuum variable capacitor)のような、調整可能な構成部品は、供給(forward)と反射(reflected)のRF電力の測定を与えられた自動制御機構(図示されていない)により、操作されている。プラズマ発生のためのインピーダンス整合回路のデザインと自動並びに手動両方の使用とは、RF機構とプラズマ源とのデザインの当業者によく知られている。本発明によれば、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100の中で使用できる小さな空間で実行する、既知の整合集合体の構成要素が採用されている。例えば、前記プラズマ源140のデザインの詳細は、ここでは参照により全体として組みいれられる、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、2001年3月23日に出願された米国出願番号No.60/277,965と、「誘導的に結合した高密度プラズマ源」と題され、2001年3月23日に出願された米国出願番号No.60/277,966とに基づいた優先権を主張している2002年3月25日に出願された出願中の国際出願No.PCT/US02/22080に、コンパクトな誘導的に結合したプラズマ源のために、与えられている。
特に、例えば、前記インピーダンス整合集合体141は、前記RF源138の出力に結合された入力端並びに誘導コイル151の第1の端子143に結合された出力端を有する第1の可変コンデンサ142と、前記誘導コイルの前記第1の端子に結合された第1の端子並びにこの誘導コイル151の第2の端子145に結合された第2の端子を有する第2の可変コンデンサ144とを有することができる。そして、前記誘導コイル151の前記第2の端子と前記可変コンデンサ144の第2の端子は、アースに結合されている。例えば、可変コンデンサ142と可変コンデンサ144は、1つかそれ以上の固定コンデンサであることができる。
前記プラズマ発生装置150は、インピーダンス整合集合体141に結合され、プロセスチューブ152を囲むように位置された前記誘導コイル151を有することができる。代わって、別のインピーダンス整合集合体の配置が、用いられることができる。ウェーハプロセシングの工程中か、ウェーハプロセシングの工程どうしの間の時間に、前記プロセスチャンバ200の中でプロセス用プラズマを形成するために用いられるガス注入機構から、前記クリーニング用のプラズマ領域155に、イオン化可能なガスが供給されることができる。この代わりに、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100か、前記取り付け具の部材300に結合された2次的なガス注入機構が、イオン化可能なガス並びに/または、解離ガス(dissociative gas)を前記クリーニング用のプラズマ領域155に、局所的に注入するために用いられている。例えば、前記ビューウィングウィンドのクリーニング(エッチング)プロセスが、望ましくは、物理的なプロセスなら、アルゴン、クリプトン、キセノンなどのような重い不活性ガスが用いられることができる。逆に、前記ビューウィングウィンドのクリーニング(エッチング)プロセスが、望ましくは、化学的な過程なら、NF3、CF4、SF6、C2F6、CCl4、C2Cl6のような反応性のガスが供給されることができる。前記ビューウィングウィンドのクリーニング(エッチング)プロセスが、物理的な過程と化学的な過程の両方を有するときは、重いガスと反応性のガスの組み合わせが用いられることができる。
この代わりに、注入されたガスが通ってプラズマ形成領域に移動するような、真空シール可能な(vacuum sealable)ガス注入孔(図示されていない)が前記プロセスチューブにそって配設されることができる。前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100が、作動されている時、RF電力は、前記誘導コイル151を用いて、前記インピーダンス整合集合体141を通して、前期RF源138から前記クリーニング用プラズマ領域155に結合される。この結合したRF場は、前記注入されたガスの存在下で、前記ビューウィングウィンドをクリーニングするために用いられるプラズマを発生している。
好ましくは、排気ガスは、前記クリーニング用プラズマ領域から前記プラズマチャンバ(図示されていない)内へポンプで出されているか、ポンプで直接前記プラズマ源(図示されていない)の外に出されている。この排気ガスが、このプロセスチャンバを通して排出される時、すでに所定の位置にあるプロセスチャンバのポンプ機構が、用いられることができる。この排気ガスが、前記クリーニング用のプラズマ領域から直接排出される時は、2次的なポンプ機構(図示されていない)が設置されているか、クリーニング用のガスを前記プロセスチャンバに入れることなく、直接前記プロセスチャンバのポンプ機構の引入れ口に排出するために、2次的な真空線(vacuum line)(図示されていない)が設置されている。例えば、真空ポンプ機構が、側部から前記プロセスチャンバ200にアクセスしている場合、前記取り付け具300は、このプロセスチャンバ200の、実質的にこのプロセスチャンバ200を前記ポンプ機構の引入れ口に接続するポンプの排出口の近傍に位置されることができ、真空線は、この取り付け具300の内部を直接このポンプの排出口に結合し、これにより、前記プロセスチャンバ200の内部を迂回するようにされることができる。
前記ビューウィングウィンドのクリーニング装置100の排気の間、排出ガスが、効率的に前記プロセスチャンバの中にポンプで出されるために、前記プラズマ源をこのプロセスチャンバから分離するゲートバルブ(図示されていない)も、用いられてよい。このようなバルブは、このプロセスチャンバから前記取り付け具への排気をさせることなく、排気ガスが、ポンプでこのプラズマ源とこの取り付け具とからこのプロセスチャンバの中へ出されることを確実にするだろう。
第2の実施の形態では、前記ビューウィングウィンドへ拡散する、プロセスチャンバからの副生成物の量が減少される一方で、上記のビューウィングウィンドのクリーニング装置を与えている。 輸送の減少は、以下に記されたような様々な態様を用いることにより確立されている。これらの態様は、前記ビューウィングウィンドを前記プロセスチャンバに対してこのビューウィングウィンドに到達する副生成物の量が、減らされるように位置付けることと、領域横断(cross-field)の電子輸送を減らすために磁石を用いることと、前記プロセスチャンバから入ってくる物質に対して逆向きの圧力勾配を達成するために前記取り付け具300への加圧を用いることとのいずれか1つまたはこれらの組み合わせを有するが、これらに限られない。
この第2の実施の形態の、第1の態様は、図4を参照して記述されている。ビューウィングウィンド400は、取り付け具300によってプロセスチャンバ200に、このプロセスチャンバの所定の位置に取り付けられている。例えば、この位置は、上記取り付け具を通しての反応副生成物の輸送が減少される位置を示す実験的なデータを基礎として決められることができる。さらに、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100は、前記ビューウィングウィンド400に蓄積する反応副生成物の量が、実質的に減少されるように、前記プロセスチャンバから十分遠くに位置されることができる。さらに、図4に示されている角度αは、前記ビューウィングウィンド400と前記プロセスチャンバ200との間で一直線に並ぶの(a direct line-of-site)を避けることによる、反応副生成物のこのビューウィングウィンド400への輸送の減少を示す実験データを基礎にして、選ばれることができる。
それにもかかわらず、前記ビューウィングウィンドから、プラズマ状態の測定がなされる前記プロセスチャンバの内部の領域へ、一直線に並ぶこと(clear-line-of sight)を避けるように、この角度αは、そんなに大きくてはいけない。
図4の態様に加えて、前記取り付け具300は、図5Aと5Bに示されているように、磁石を有するように変更されることができる。図5Aと5Bでは、前記プラズマチャンバ200と前記ビューウィングウィンド400との間の領域横断(cross-field)電子輸送を妨げる磁場を生成するように、複数の磁石160Aから160Gが、配設されている。好ましくは、これらの磁石160Aから160Gは、前記取り付け具300の、内側の表面に配設されている。結果として、これらは、実質的に前記取り付け具300にわたってのびる磁場を生成し、前記プロセスチャンバ200の中のプロセス用プラズマと、前記ビューウィングウィンドのクリーニング装置100の中のクリーニング用プラズマとのいずれかによって生成された電子の領域横断(cross-field)輸送を妨げるのに十分な場の強さを構成している。例えば、この磁場の強さは、望ましくは、少なくとも200ガウスである。領域横断電子輸送の減少は、前記プロセス用のプラズマの前記クリーニング用のプラズマからの分離、プロセスの化学反応とクリーニングの化学反応の分離といったいくつかの利点がある。このような磁石は、必要に応じてコントロールされることのできる永久磁石か電磁石であることができる(すなわち、この磁場の強度は、電磁石への信号のレベルをコントロールすることにより、変えられることができる)。
これらの磁石160Aから160Gの極性は、カスプの場を形成するように配設されることができる(すなわち、これらの磁石のそれぞれの極性は、同じである。例えば、N極が内側に向けられている)。この代わりに、近接する磁石の極性を交替されることができる。この代わりに、少なくとも1つの磁石の極性が、この残りの磁石と違っている。
図6を参照すると、前記取り付け具の内部に圧力を発生させて、前記ビューウィングウィンドに拡散する、前記取り付け具300に入る反応副生成物の量を減少させるように、ガス注入機構170が、前記取り付け具300の内側に設置されている。導管172は、ガス供給機構(図示されていない)を前記取り付け具300の引込み口か引込み口のアレイに結合している。このガス供給機構(図示されていない)は、接続器(connector)174によって前記ガス注入機構170に結合されることができる。この接続器174は、例えば、VCRフィティング(VCR fitting)か、スワジロックフィティング(Swagelock fitting)であることができる。前記ガス供給機構(図示されていない)は、前記導管172を通して、前記引込み口171を通して、前記取り付け具300の中に、不活性のガス(すなわち希ガス、窒素などのようなガス)を供給している。この取り付け具300の内側には、圧力勾配が、確立されているので、前記ビューウィングウィンド400に形成する反応副生成物の量は、実質的に減少される。
この代わりに、前記取り付け具300の中の、流れを制限する装置(flow restrictor device)が、低いガス流量率(gas flow rate)において、圧力勾配の形成を容易にするために用いられることができる。この代わりに、ウィンドのクリーニングプロセスの間に、前記ガス注入機構を通して反応性のガスが注入される。この代わりに、このガスは、注入されて前記ビューウィングウィンドの表面に衝突するために向き付けられる。この代わりに、このビューウィングウィンドに衝突するように向き付けられたガスの流れは、パルスにされる。
本発明によれば、上記の態様のいずれも他のいずれの態様とも様々な組み合わせで同時に結合されることができる。例えば、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、前記ビューウィングウィンドと複数の磁石の間に取り付けられることができる。このように、これら複数の磁石とこのビューウィングウィンドのクリーニング用装置との組み合わせは、前記ビューウィングウィンドに蓄積する反応副生成物の量の非常に大きな減少を引き起こすことができる。同じように、これら複数の磁石と前記ガス注入機構と前記ビューウィングウィンドのクリーニング用の機構とは全て、さらに大きな減少に影響を与えるために前記取り付け具に設置されることができる。
特に、図7を参照すると、前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100と前記ビューウィングウィンド400の位置取りと前記複数の磁石160Aから160Gと前記ガス注入システム170とは、全て一度に結合されることができる。図7に示されているように、前記取り付け具300は、前記ビューウィングウィンド400を前記プロセスチャンバの特定の位置に設置するために、用いられることができる。ビューウィングウィンドのクリーニング用装置100は、前記ビューウィングウィンドの近くの前記取り付け具300の端に、このビューウィングウィンド400の表面の副生成物を物理的にエッチングするか化学的にエッチングするのに正しい位置に取り付けられている。2組の複数の磁石160Aから160Gは、前記取り付け具の中で互いに平行になるように配設されている。前記ガス注入機構170は、前記取り付け具300に圧力をかけ、さらに前記ビューウィングウィンドに達する反応副生成物の量を減らしている。
本発明は、ビューウィングウィンドと、プロセスチャンバからこのビューウィングウィンドの表面の副生成物の量を減少させる手段と、この減少させる手段をこのプロセスチャンバに結合させる接続部材とを有するビューウィングウィンドのクリーニング装置として記述されることもできる。
本発明は、ウェーハをプロセスチャンバの内部に設置する工程と、プラズマをそのプロセスチャンバの内部に発生させる工程と、このプロセスチャンバからビューウィングウィンドを切り離すことなくこのプロセスチャンバに結合されたビューウィングウィンドの表面の、このプロセスチャンバからの副生成物の量を減少させる工程とを有する前記ビューウィングウィンドをクリーニングする方法としても記述されることができる。
本発明の数多くの変更と変形が、上記の示唆の下で可能である。このため、添付された請求項の範囲内で、本発明は、ここで具体的に記述したのと違う方法で実施されることができる。
Claims (33)
- プロセスチャンバへの光学的なアクセスを可能とするビューイングウィンドと、
このビューイングウィンドを前記プロセスチャンバに結合する取り付け具と、
この取り付け具に結合され、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバとの間に位置され、前記取り付け具のクリーニング用プラズマ領域にクリーニング用プラズマを形成するビューウィングウィンドのクリーニング用装置とを具備するビューウィングポート。 - 前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、RF発生源とプラズマ源とを有する請求項1のビューウィングポート。
- 前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、さらにインピーダンス整合集合体とプラズマ発生装置とを有する請求項2のビューウィングポート。
- 前記プラズマ発生装置は、誘導コイルを有する請求項3のビューウィングポート。
- 前記取り付け具に、結合された少なくとも1つの磁石アレイをさらに具備する請求項1の取り付け具。
- 前記アレイの磁石の少なくとも1つは、永久磁石である請求項5の取り付け具。
- 前記アレイの磁石の少なくとも1つは、電磁石である請求項5の取り付け具。
- 前記クリーニング用プラズマ領域に結合されたガス注入機構をさらに具備する請求項1の取り付け具。
- 前記クリーニング用プラズマは、物理的なエッチングによって、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物をエッチングする請求項8の取り付け具。
- 前記ガス注入機構は、アルゴンとクリプトンとキセノンとのうち少なくとも1つを供給する請求項9の取り付け具。
- 前記クリーニング用プラズマは、化学的なエッチングによって、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物をエッチングする請求項8の取り付け具。
- 前記ガス注入機構は、NF3とCF4とSF6とC2F6とCCl4とC2Cl6とのうち少なくとも1つを供給する請求項11の取り付け具。
- 前記クリーニング用プラズマは、物理的かつ化学的なエッチングによって、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物をエッチングする請求項8の取り付け具。
- 前記ガス注入機構は、アルゴンとクリプトンとキセノンとの少なくとも1つと、NF3とCF3とSF6とC2F9とCCl4とC2Cl6との少なくとも1つを供給する請求項13の取り付け具。
- 前記プロセスチャンバの位置に対して、前記ビューウィングウィンドを所定の位置に配設するように形作られた、ビューウィングウィンドの支持部を具備する請求項1の取り付け具。
- 前記所定の位置は、実質的な量の副生成物が前記ビューウィングウィンドに到達しないように選ばれている請求項15の取り付け具。
- 前記クリーニング用プラズマ領域に副生成物の向かう方向と実質的に対向する圧力が発生されるように、前記ガス注入機構は、前記クリーニング用プラズマ領域にガスを流し込むように形作られた請求項8の取り付け具。
- 前記取り付け具に、結合された少なくとも1つの磁石アレイをさらに具備する請求項8の取り付け具。
- 前記アレイの磁石の少なくとも1つは、永久磁石である請求項18の取り付け具。
- 前記アレイの磁石の少なくとも1つは、電磁石である請求項18の取り付け具。
- プロセスチャンバに結合されたビューウィングポートを具備し、
このビューウィングポートは、
前記プロセスチャンバへの光学的なアクセスを可能にするビューウィングウィンドと、
このビューイングウィンドを前記プロセスチャンバに結合する取り付け具と、
この取り付け具に結合され、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバの間に位置され、前記取り付け具のクリーニング用プラズマ領域にクリーニング用プラズマを形成するように形作られたビューウィングウィンドのクリーニング用装置とを有することを特徴とするプロセスチャンバ。 - 前記取り付け具は、前記クリーニング用プラズマ領域に接続されたガス注入機構をさらに有する請求項21のプロセスチャンバ。
- 前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、RF発生源を有する請求項21のプロセスチャンバ。
- 前記ビューウィングウィンドのクリーニング用装置は、プラズマ発生装置を具備する請求項21のプロセスチャンバ。
- 前記取り付け具は、前記取り付け具に接続された少なくとも1つの磁石アレイをさらに具備する請求項21のプロセスチャンバ。
- 前記アレイの磁石の少なくとも1つは、永久磁石である請求項25のプロセスチャンバ。
- 前記アレイの磁石の少なくとも1つは、電磁石である請求項25のプロセスチャンバ。
- ビューウィングウィンドとプロセスチャンバの間に位置され、クリーニング用プラズマを形成するように形作られた、ビューウィングウィンドのクリーニング用装置を与えることと、
前記ビューウィングウィンドのクリーニングを容易にするように、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバとの間の領域に前記クリーニング用プラズマを形成することとを具備するプロセスチャンバのためのビューウィングウィンドをクリーニングする方法。 - 前記プラズマチャンバと前記ビューウィングウィンドの間の領域横断電子輸送を妨げる磁場を発生させることをさらに具備する請求項28の方法。
- 前記プロセスチャンバからの副生成物の向かう方向に実質的に対向する圧力が、前記ビューウィングウィンドと前記プロセスチャンバとの間の領域に発生されるようにガスを供給することをさらに具備する請求項28の方法。
- 前記プロセスチャンバの位置に対して、実質的な量の副生成物が、前記ビューウィングウィンドに到達しないように選ばれた所定の位置に、前記ビューウィングウィンドを配設することをさらに具備する請求項28の方法。
- 前記クリーニング用プラズマは、RF発生源とプラズマ発生装置とを用いて形成される請求項28の方法。
- 前記クリーニング用プラズマは、前記ビューウィングウィンドに堆積した副生成物を、アルゴンとクリプトンとキセノンとNF3とCF4とSF6とC2F6とCCl4とC2Cl6とのうち少なくとも1つを用いてエッチングする請求項28の方法。
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