JP2006510918A - プロセス制御のためのトランスデューサパッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、以下の優先権を主張する;2003年5月6日出願のU.S.Serial No.60,468,41、発明の名称「RFセンサ電圧トランスデューサ(RF Sensor Voltage Transducer)」、2003年5月6日出願のU.S.Serial No.60/468,412,発明の名称「半導体処理のためのRF検知器(RF Detector for Semiconductor Processing)」、2003年5月6日出願のU.S.Serial No.60/468,413、発明の名称「RFセンサ電流トランスデューサトランスデューサ(RF Sensor Current Transducer)」、2003年7月14日出願のU.S.SerialNo.60/486,983、発明の名称「既知の固定インピーダンス環境(RF Power Sensor for Known Fixed Impedance Environments)」、2003年7月16日出願のU.S.Serial No.60/487,745、発明の名称「RF供給診断システム(An FR Delivery Diagnostic System)」、および2002年9月23日出願のU.S.Serial No.60/412,752、発明の名称「プロセス制御のためのRFセンサ(RF Sensor for Process Control)」。
U.S.4,547,728(Mecklenburg)、U.S.4,263,653(Mecklenburg)、およびU.S.4,080,566(Mecklenburg)、に見出され得る。これらすべては、RF電圧をサンプルするために誘導コイルのデザインに依存する。しかしながら、測定は、典型的には、維持とトラブル検出の間の診断と必要性によってのみ行われるため、設置の費用、軽便性および容易性は、主要な関心事である。
1つの局面で、RF電力供給される装置に供給されるRF信号の高調波含有量をモニタリングするためにここにシステムが提供されている。このシステムは以下を備える:(a)RF信号の電圧をサンプリングし、その第1信号表示を出力するように適合された電圧トランスデューサと、(b)RF信号の電流をサンプリングし、その第2信号表示を出力するように適合された電流トランスデューサと、(c)電圧トランスデューサおよび電流トランスデューサの少なくとも一方と、好ましくは双方と通信する記憶装置。この記憶装置は、少なくとも一方の、好ましくは双方のトランスデューサに特有の較正情報を含む。較正情報はローカルに格納されているので、トランスデューサパッケージ、または分析および通信パッケージのどちらかの置き換えが、実行の劣化なしに、そして再較正の必要なしに、もう1つのパッケージから独立して起こる。
Pi=V2 rms/(Zc)、ここで、Zcは特性インピーダンスとして知られる。
Po=VIcosφ
別の局面では、方法が提供され、ここでは、PiおよびPoの測定値が、回路の効率ε:ε=Po/Piの測定を決定するのに利用される。インピーダンスマッチング回路の効率の評価は、回路の健全性を確証するのに利用される診断情報を提供する。
発明の別の局面によると、観側、記録、さらなる処理のために離れた位置への、インピーダンスマッチング回路の入力でのRF電力を決定するための第1RFセンサーによる入力電力値の通信のための測定法が提供されている。これは、MODBUS基準プロトコル、またはTCP/IPへの他の適切な通信プロトコル(たとえば、高スピードシリアルなど)を用いて達成されるのが好ましい。同様に、インピーダンスマッチング回路の出力でのRF電力を決定する第2RFセンサーによって算出される出力電力値は、また、観側、記録、さらなる処理のため離れた位置と通信している。これも、また、TCP/IPへのMODBUS基準プロトコルを用いて達成されるのが好ましい。その効率は、それから、離れた位置で算出される。
A.プロセス制御のためのRFセンサー
図1を参照すると、ここでの教示に基づいて作られたRF制御された装置でのRFセンサーの利用を示すブロック図が示されている。この例示的なシステム10では、RFジェネレーター11(RF源)の形式をとっている電源は、伝送線14によってマッチング回路12を介して処理反応炉13と結合している。反応炉13は、プラズマ反応炉のように、半導体ウェハーを含むさまざまな物質を処理するための、さまざまな反応炉であり得る。さらに、当業者は、電気またはマイクロ波エネルギー(RFを含む)源を利用するさまざまな処理システムの技術が知られることを認め、また、これらのシステムのどれかひとつ、またはそのようなシステムのさまざまな組み合わせはここに記載されている教示の実際として利用されると認める。さらにまた、マッチング回路12の使用が好ましい一方、ここに記載されているセンサーの全ての応用に必ずしも必要ではない。
より大きな開口を持つ伝導体19とを結合するために利用される。中心開口26を有する絶縁ワッシャ23は、各コネクタ21および各端板22が筐体20に取り付けられるとき、筐体20内の各端部にある中心伝導体19を中心的に支えるのに利用される。ネジ、ボルト、または他の留め具装置がコネクタ21を端板22に、端板22を筐体20に取り付けるのに利用される。
2.RFセンサー電圧トランスデューサ
図7、8は、ここでの教示にしたがって形成されたDC結合RFセンサ電圧トランスデューサ101の実施態様の側面図、平面図である。電圧トランスデューサ101はDC結合という点において、図2、3,4,6の電圧トランスデューサ16と異なり、それが、DC自己バイアス電圧の測定を可能にする。ここに見られるように、このトランスデューサは主要RF電流キャリア(図示されていない)と直接的接触を有するベリリウム銅バネ103を備える。この構成は以上のように圧入接続が平坦、または円筒形電流キャリアのどちらかに維持される。DC結合RF電圧トランスデューサ101は、第1の高電圧用107と、第2の高電圧用109の無誘導性抵抗、およびDC自己バイアス高電成分からRFを分離するために適合されたバイアスT字装置111から構成される。高電圧RFおよび高電圧自己バイアス電圧は両方とも、比率(R2/(R1+R2))にしたがってサンプリングされる。ボンドパットは、RF電圧(VRF)115、DC電圧(VDC)117、アース端子(GND)119のための表面実装装置出力の接続を提供する。
3.半導体処理のためのRF検知器
図9は、ここでの教示にしたがって作成されたRF検知器401(図示されていない)の1つの可能な実施態様の機能構築を示している。RF検知器は、RF電力供給回路405とプラズマRF負荷407の間のRF電力供給線403に結合されている。適切なDC結合RF電圧トランスデューサ409とAC結合電流トランスデューサ411が使用ポイントのRF電圧と電流信号をサンプリングするために使われる。これらのサンプルは、それから好ましい測定の正確さに応じてさまざまな手段の検知器に利用される。
4.RFセンサ電流トランスデューサ
図10〜図12はここでの教示にしたがって作られたRFセンサの表面実装トランスデューサコイル303の筐体アセンブリ301を図示している。この筐体アセンブリは、上面305、第1側壁307と第2側壁309(図11,12を参照)、第1端壁311と第2端壁313(図10、11を参照)から成る。フランジ315と316で仕切られるこの端壁は、接続パッド321,323をそれぞれ経由して基板318に取り付けられている。同様に、側壁307、309は、それぞれ、接続パッド325および327を介して、基板318に搭載されている。
5.RF電力供給診断システム
ここでの教示にしたがって作成される好ましいRF電力供給診断システムの実施態様は図13に図示されている。ここに示されているように、システム201はRFジェネレーター203、インピーダンスマッチング回路205、プラズマ負荷207を含む。プラズマ負荷207は、たとえばプラズマエッチング反応炉といった、さまざまなRFを原動力とする装置に反応する可能性がある。
ここで、xが検知器221からのRMS信号の入力デジタル表示で、a,b,cは記憶ユニット227からの較正係数で、yが較正されたRMS信号、Vrmsである。そして、インピーダンスマッチング回路205への入力でのRMS RF電力は、方程式1にしたがって決定される:
Pi=V2 rms/(Zc) (方程式2)
Zcはジェネレーター203をインピーダンスマッチング回路205に結合させる電力線213の特性インピーダンスとして知られる。
Po=VrmsIrmscosφ (方程式3)
ここで、cosφは電圧と電力間の位相のコサインである。
6.コンビネーションとサブコンビネーション
ここに記されている装置および方法論は、相互にさまざまなコンビネーションとサブコンビネーションで使用されることがあり得、また、各種便利な装置に帰着している較正部品に使用されることもあり得る。たとえば、周知の技術として知られる各種周波数依存RFセンサは、ここに開示されているRF電圧トランスデューサとRF電流トランスデューサの一方または両方のコンビネーションで使われ得、かつ、またはここに開示される電力供給診断システムとRFセンサの一方または双方とのコンビネーションで使われ得る。このように、特に、周知の技術として知られる各種周波数依存RFセンサはここに開示されているRF電圧トランスデューサとRF電流トランスデューサのコンビネーションで使用され得る。また、周知の技術として知られる各種周波数依存RFセンサはここに開示されるRF電圧トランスデューサとRF電流トランスデューサのコンビネーションで使用され得、さらにここに開示されている電力供給診断システムとRFセンサのコンビネーションで使用され得る。
Claims (52)
- RF電源供給される装置に供給RF信号の高調波含有量をモニタリングするシステムであって、
RF信号の電圧をサンプリングし、その第1の信号表示を出力するように適合された電圧トランスデューサと、
RF信号の電流をサンプリングし、その第2の信号表示を出力するように適合された電流トランスデューサと、
該電圧トランスデューサおよび該電流トランスデューサの少なくとも一方と通信する記憶装置であって、該記憶装置は該トランスデューサの少なくとも一方に特有な較正情報を含む、記憶装置と
を備えた、システム。 - 前記記憶装置は、前記電圧トランスデューサおよび前記電流トランスデューサの各々と通信し、前記記憶装置は、該電圧トランスデューサおよび該トランスデューサの各々に特有な較正情報を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記電圧トランスデューサおよび前記電流トランスデューサと通信する制御装置であって、該電圧トランスデューサまたは電流トランスデューサからの入力に応答して前記RF信号を修正することにより、高調波ひずみを最小にするように適合された制御装置をさらに備えた、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1および第2の信号は、第1および第2のアナログ信号であり、該第1および第2のアナログ信号をそれぞれ第1および第2のデジタル信号に変換するように適合されたデジタル変換器をさらに備えた、請求項1に記載のシステム。
- 前記RF電力供給される装置は、半導体処理のためのプラズマ反応炉である、請求項1に記載のシステム。
- 前記記憶装置は、不揮発性の記憶装置である、請求項1に記載のシステム。
- 前記電圧トランスデューサおよび前記電流トランスデューサの両方からの入力に応答してRF信号を修正することにより、高調波ひずみを最小にするように適合された制御器をさらに備えた、請求項1に記載のシステム。
- デジタル信号処理装置をさらに備えた、請求項1に記載のシステム。
- RF信号をRF電源供給される装置に供給するために適合されたRF電源をさらに備えた、請求項1に記載のシステム。
- RF電源供給される装置に送られるRF電力の高調波含有量をモニタリングするシステムであって、
RF信号をRF電力供給される装置に提供するように適合されたRF電源と、
該RF信号の電圧をサンプリングし、その第1のアナログ信号表示を出力するように適合された電圧トランスデューサと、
該RF信号の電流をサンプリングし、その第2のアナログ信号表示を出力するように適合された電流トランスデューサと、
該第1および第2のアナログ信号を第1および第2のデジタル信号に変換するように適合された変換器と、
該電圧トランスデューサおよび電流トランスデューサに特有な較正情報を含む記憶装置と、
該変換器および該記憶装置と通信するデジタル信号処理装置であって、該記憶装置に格納された該較正情報に基づいて該第1および該第2のデジタル信号を較正し、該較正された信号に対して高速フーリエ変換(FFT)を実行するように適合されたデジタル信号処理装置と、
該デジタル信号処理装置と通信する制御装置であって、該較正された信号をモニターし、必要に応じてRF信号を修正することにより、高調波ひずみを最小にするように適合された制御装置と
を備え、
該制御装置は、該FFTの適切な実行のための設定コマンドを該処理装置に出力し、該処理装置は、該FFTの結果を該制御装置に出力する、システム。 - RF電源によってRF電力供給される装置に送られるRF信号の高調波含有量をモニタリングする方法であって、
該RF信号の電圧および電流をサンプリングし、その第1および第2のアナログ信号表示をそれぞれ出力するステップと、
該第1および第2のアナログ信号を第1および第2のデジタル信号に変換するステップと、
該第1および第2のデジタル信号をモニタリングし、該第1および第2デジタル信号に基づいて必要に応じてRF信号を修正することにより、高周波ひずみを最小にするステップと、
該第1および第2デジタル信号に対して高速フーリエ変換(FFT)を実行するステップと、
該デジタル信号処理装置と通信する記憶装置であって、該電圧および電流トランスデューサに特有な較正情報を含む記憶装置と、
を包含し、
該制御装置は、該FFTの適切な実行のための設定コマンドを該処理装置に出力し、該処理装置は、該FFTの結果を該制御装置に出力する、方法。 - RF電力によってRF電力供給される装置に送られるRF信号の高調波含有量をモニタリングする方法であって、
該RF信号の電圧をサンプリングし、その第1のアナログ信号表示を出力するステップと、
該RF信号の電流をサンプリングし、その第2のアナログ信号表示を出力するステップと、
該第1および第2のアナログ信号を第1および第2のデジタル信号に変換するステップと、
該第1および第2のアナログ信号をモニタリングし、第1および第2のデジタル信号に基づいて必要に応じて該RF信号を修正することにより、高周波ひずみを最小にするステップと、
該第1および第2のデジタル信号に対して高速フーリエ変換(FFT)を実行するステップと、
該デジタル信号処理装置と通信する記憶装置であって、該電圧および電流トランスデューサに特有な較正情報を含む、記憶装置と
を包含し、
該制御装置は、該FFTの適切な実行のための設定コマンドを該処理装置に出力し、該処理装置は、該FFTの結果を該制御装置に出力する、方法。 - RF電力に送られる高調波含有量をモニタリングするシステムであって、
入力RF信号をフィードガスに与えることによりプラズマを生成するように適合されたプラズマ反応炉と、
RF信号を該反応炉に提供するように適合されたRF電源と、
該RF信号の電圧をサンプリングし、その第1のアナログ信号表示を出力するように適合された電圧トランスデューサと、
該RF信号の電流をサンプリングし、その第2のアナログ信号表示を出力するように適合された電流トランスデューサと、
該第1および第2のアナログ信号を第1および第2のデジタル信号に変換するように適合されたデジタル変換器と、
該デジタル変換器と通信する分析制御通信(ACC)パッケージであって、該第1および第2のデジタル信号をモニタリングし、必要に応じて該RF信号を修正することにより、高調派ひずみを最小にするように適合されたACCパッケージと、
該デジタル信号処理装置と通信する不揮発性の記憶装置であって、該電圧トランスデューサおよび電流トランスデューサに特有な較正情報を含む、記憶装置と
を備えた、システム。 - 周知のインピーダンス環境を介してジェネレーターに結合されたインピーダンス回路の出力における電力を測定する方法であって、
該インピーダンス回路の出力における電圧の信号表示を電圧検知器に結合することにより、RMS電圧信号を生成するステップと、
該インピーダンス回路の出力における電流の信号表示を電流検知器に結合するステップと、
該RMS電圧およびRMS電流信号を処理することにより、該インピーダンス回路の出力における電流を決定するステップと
を包含する、方法。 - 前記インピーダンス回路の入力における電圧の信号表示を電圧検知器に結合することにより、RMS電圧信号を生成するステップをさらに包含する、請求項14に記載の方法。
- 前記インピーダンス回路の入力と出力における電圧を用いて、該インピーダンス回路の入力と出力の間の電力の差を算出するステップをさらに包含する、請求項15に記載の方法。
- 周知のインピーダンス環境を介してジェネレーターに結合されたインピーダンス回路の出力における電力を測定するシステムであって、
インピーダンス回路の下流に結合され、RMS電圧信号を生成するように適合された第1電圧検知器と、
インピーダンス回路の下流に結合され、該インピーダンス回路の出力における電流の信号表示を生成するように適合された電流検知器と、
インピーダンス回路の上流に結合され、RMS電圧信号を生成するように適合された第2電圧検知器と
を備えた、システム。 - RF電圧を有するRF電源供給される装置およびそれに関する自己バイアス電圧をモニタリングする方法であって、測定と同位置で、DC結合を経由して、該電圧と該自己バイアスをサンプリングするステップを包含する、方法。
- 前記RF電源供給される装置がプラズマ反応炉である、請求項18に記載の方法。
- 前記RF電圧および前記自己バイアス電圧が第1および第2抵抗R1およびR2をそれぞれ有するプローブでそれぞれサンプリングされ、該RF電圧および該自己バイアス電圧が比率R2/(R1+R2)にしたがってサンプリングされる、請求項18に記載の方法。
- 前記第1および第2抵抗が高電圧で、非誘導性抵抗である、請求項20に記載の方法。
- バイアスT字装置を使用して前記RF自己バイアス成分を前記DC自己バイアス成分から分離させる、請求項21に記載の方法。
- RF電圧を有するRF電力供給される装置およびそれに関する自己バイアス電圧をモニタリングするDC結合電圧プローブであって、
第1および第2の非誘導性抵抗と、
該RFを該DC自己バイアス電圧成分から分離させるように適合されたバイアスT字と
を備えた、プローブ。 - 前記プローブは前記RF電圧および前記自己バイアス電圧を同一測定点でサンプリングするように適合された、請求項23に記載のプローブ。
- 前記第1および第2抵抗は高電圧抵抗である、請求項23に記載のプローブ。
- 前記RF電力供給される装置がプラズマ反応炉である、請求項23に記載のプローブ。
- 前記プローブは、RF電流キャリアとの組み合わせで、前記RF電流キャリアと直接的接触をするバネをさらに備える、請求項23に記載のプローブ。
- 前記バネがベリリウム銅を備える、請求項27に記載のプローブ。
- 前記バネが前記RF電流キャリアと圧入接触を維持するように適合された、請求項27に記載のプローブ。
- RF電圧、DC電圧、グラウンドへの表面実装装置出力に接触を提供するように結合されたボンドパッドをさらに備えた、請求項23に記載のプローブ。
- RF電源の電圧および電流を検知するのに適した装置であって、
DC接合電圧トランスデューサと通信するRF電圧検知器と、
AC結合電流トランスデューサを通信するRF電流検知器と
を備えた、装置。 - 半導体処理装置と組み合わせの、請求項31に記載の装置。
- 前記RF電圧検知器および前記RF電流検知器が該RF電圧およびRF電流をそれぞれ使用点でサンプリングするように適合された、請求項32に記載の装置。
- 前記RF電圧検知器および前記RF電流検知器がピーク値を検知するように構成された、請求項31に記載の装置。
- 前記RF電圧検知器および前記RF電流検知器が平均値を検知するように構成された、請求項31に記載の装置。
- 前記RF電圧検知器および前記RF電流検知器が真のRMS値を検知するように構成された、請求項31に記載の装置。
- 前記ソフトウエアが該RF電圧検知器およびRF電流検知器の出力を分析するように適合されていて、前記ソフトウエアが前記RF電圧およびRF電流検知器のための較正係数を維持するように適合されている、請求項36に記載の前記装置との組み合わせのソフトウエアプログラム。
- RF電源をモニタリングする方法であって、
DC結合電圧トランスデューサを経由する該電源のRF電圧を検知するステップと、
AC結合電流トランスデューサを経由する該電源のRF電流を検知するステップと
を包含する、方法。 - 前記RF電圧および前記RF電流が使用点でサンプリングされる、請求項38に記載の方法。
- 前記RF電圧および前記RF電流がピーク値として検知される、請求項38に記載の方法。
- 前記RF電圧および前記RF電流が平均値として検知される、請求項38に記載の方法。
- 前記RF電圧および前記RF電流が真のRMS値として検知される、請求項38に記載の方法。
- 前記RF電圧およびRF電流がそれぞれRF電圧検知器およびRF電流検知器によって検知され、該電圧検知器および該RF電流検知器のために較正係数を維持するステップをさらに包含する、請求項42に記載の方法。
- 前記較正係数が前記RF電圧検知器および前記RF電流検知器の信号出力の分析に使用される、請求項43に記載の方法。
- RF電流トランスデューサと、
該トランスデューサのための筐体であって、金属上面および金属側壁を備えた筐体と
を備え、
該筐体は、平面基板の上に置かれているとき、該側壁が該上面から傾斜して該基板に傾くように構成されている、装置。 - 前記側壁が前記上面から間隔を空けてある、請求項45に記載の装置。
- 前記上面が前記側壁より高い、請求項45に記載の装置。
- 前記上面が第1および第2壁端に支えられている、請求項45に記載の装置。
- 前記上壁が接地された、請求項45に記載の装置。
- 前記装置が前記RF電流キャリアにもっとも近い位置の磁性に置かれていて、前記上面が前記RF電流キャリアからの電界干渉が原因によるクロストークを防ぐように適合された、RF電流キャリアとの組み合わせである、請求項45に記載の装置。
- 前記の側壁が前記トランスデューサを周囲の電界、または磁界から絶縁させるように適合された、請求項45に記載の装置。
- 前記側壁が前記RFキャリアと関係した磁場を弱めることのないように配置された、請求項45に記載の装置。
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