JP2006339499A - Method for manufacturing solar battery - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a solar battery for suppressing a warp to be generated in a solar battery. <P>SOLUTION: This method for manufacturing a solar battery comprises a first process for forming an aluminum content electrode by partially printing aluminum content paste on the surface of a semiconductor substrate; a second process for forming an insulating film on the surface of the semiconductor substrate formed with the aluminum content electrode; a third process for exposing the surface of the aluminum content electrode on an insulating film by making the aluminum content electrode penetrate the insulating film by carrying out the heat treatment of the semiconductor substrate after forming the aluminum content electrode and the insulating film; a fourth process for forming a metallic electrode by printing the metallic paste on at least a portion of the surface of the exposed aluminum content electrode; and a fifth process for carrying out the heat treatment of the semiconductor substrate after forming the metallic electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は太陽電池の製造方法に関し、特に太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell, and more particularly to a method for manufacturing a solar cell capable of suppressing warpage occurring in the solar cell.

太陽光のような光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池は、地球環境問題に対する関心が高まるにつれ積極的に種々の構造のものが開発されている。   Solar cells that convert light energy such as sunlight into electrical energy have been actively developed in various structures as interest in global environmental issues increases.

図１２に従来の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。この太陽電池においては、ｐ型のシリコン基板１の受光面に不純物拡散層であるｎ+層２が形成されており、ｎ+層２上には反射防止膜３および金属電極７が形成されている。また、シリコン基板１の裏面には不純物拡散層であるｐ+層４が形成されており、ｐ+層４上にはアルミニウム含有電極５が形成され、さらにアルミニウム含有電極５上には金属電極６が形成されている。   FIG. 12 shows a schematic cross-sectional view of an example of a conventional solar cell. In this solar cell, an n + layer 2 that is an impurity diffusion layer is formed on the light receiving surface of a p-type silicon substrate 1, and an antireflection film 3 and a metal electrode 7 are formed on the n + layer 2. Yes. A p + layer 4 as an impurity diffusion layer is formed on the back surface of the silicon substrate 1, an aluminum containing electrode 5 is formed on the p + layer 4, and a metal electrode 6 is formed on the aluminum containing electrode 5. Is formed.

この従来の太陽電池の製造工程を図１３（ａ）〜（ｅ）の模式的な断面図に示す。まず、たとえばワイヤソーなどを用いて多結晶のｐ型シリコンインゴッドを切り出すことによって図１３（ａ）に示すｐ型のシリコン基板１を形成する。ここで、シリコン基板１の表面にはワイヤソーなどによってダメージ層が形成されるため、ＮａＯＨ（水酸化ナトリウム）やＫＯＨ（水酸化カリウム）などの水溶液にイソプロピルアルコールを添加したアルカリ水溶液を用いたエッチングによって、ダメージ層を除去するとともにシリコン基板１の受光面に凹凸（図示せず）を形成する。   The manufacturing process of this conventional solar cell is shown in the schematic cross-sectional views of FIGS. First, a p-type silicon substrate 1 shown in FIG. 13A is formed by cutting out a polycrystalline p-type silicon ingot using, for example, a wire saw. Here, since a damage layer is formed on the surface of the silicon substrate 1 by a wire saw or the like, etching is performed using an alkaline aqueous solution in which isopropyl alcohol is added to an aqueous solution of NaOH (sodium hydroxide) or KOH (potassium hydroxide). The damage layer is removed, and irregularities (not shown) are formed on the light receiving surface of the silicon substrate 1.

次に、シリコン基板１の受光面の全面に、拡散源としてＰ2Ｏ5（五酸化二リン）などを含むドーパント液をスピンコータなどにより塗布した後に加熱することによって、シリコン基板１の受光面にｎ型不純物であるリンが拡散して、図１３（ｂ）に示すように、シリコン基板１の受光面にｎ+層２を形成する。 Next, a dopant liquid containing P 2 O 5 (diphosphorus pentoxide) as a diffusion source is applied to the entire surface of the light receiving surface of the silicon substrate 1 with a spin coater or the like, and then heated, whereby the light receiving surface of the silicon substrate 1 is applied. Phosphorus as an n-type impurity diffuses to form an n + layer 2 on the light receiving surface of the silicon substrate 1 as shown in FIG.

次いで、図１３（ｃ）に示すように、ＣＶＤ法などにより、シリコン基板１の受光面のｎ+層２上に反射防止膜３を形成する。続いて、図１３（ｄ）に示すように、スクリーン印刷法などによりシリコン基板１の裏面の略全面にアルミニウム含有ペーストを印刷してシリコン基板１の裏面にアルミニウム含有電極５を形成し、これを乾燥した後にシリコン基板１を熱処理することによって、ｐ型不純物であるアルミニウムを多量に含んだｐ+層４が形成される。   Next, as shown in FIG. 13C, an antireflection film 3 is formed on the n + layer 2 on the light receiving surface of the silicon substrate 1 by CVD or the like. Subsequently, as shown in FIG. 13 (d), an aluminum-containing electrode 5 is formed on the back surface of the silicon substrate 1 by printing an aluminum-containing paste on substantially the entire back surface of the silicon substrate 1 by screen printing or the like. After drying, the silicon substrate 1 is heat-treated to form a p + layer 4 containing a large amount of aluminum which is a p-type impurity.

最後に、スクリーン印刷法などにより、アルミニウム含有電極５の一部と重なるようにして銀ペーストなどの金属ペーストを印刷して金属電極を形成する。また、反射防止膜３上にもスクリーン印刷法などにより銀ペーストなどの金属ペーストを印刷して金属電極を形成する。そして、これらの金属電極を乾燥した後にシリコン基板１を熱処理する。これにより、図１３（ｅ）に示すように、シリコン基板１の裏面側においてはアルミニウム含有電極５上に金属電極６が形成されるとともに、受光面側においては金属電極７が反射防止膜３を突き抜けることによってｎ+層５と接触する。その後、シリコン基板１を冷却して図１２に示す太陽電池が完成する。
特開２００２−２６３４５号公報 特開平９−４５９４５号公報 Finally, a metal paste such as a silver paste is printed so as to overlap a part of the aluminum-containing electrode 5 by a screen printing method or the like to form a metal electrode. Also, a metal electrode such as a silver paste is printed on the antireflection film 3 by a screen printing method or the like to form a metal electrode. Then, after these metal electrodes are dried, the silicon substrate 1 is heat-treated. Thus, as shown in FIG. 13E, the metal electrode 6 is formed on the aluminum-containing electrode 5 on the back surface side of the silicon substrate 1, and the metal electrode 7 forms the antireflection film 3 on the light receiving surface side. It contacts the n + layer 5 by penetrating. Thereafter, the silicon substrate 1 is cooled to complete the solar cell shown in FIG.
JP 2002-26345 A JP-A-9-45945

このような従来の太陽電池においては、シリコン基板の裏面の略全面にアルミニウム含有電極が形成される（たとえば特許文献１および特許文献２参照）。しかしながら、金属電極形成後の冷却過程において、アルミニウム含有電極とシリコン基板との間の熱膨張係数差により、太陽電池に反りが発生するという問題があった。特に、エネルギのクリーン化のために太陽電池の普及が進み、太陽電池をさらに低コスト化することが求められており、材料コストの大部分を占めるシリコン基板の薄型化と大面積化を図る必要がある昨今においては、この問題は重要である。   In such a conventional solar cell, an aluminum-containing electrode is formed on substantially the entire back surface of the silicon substrate (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). However, in the cooling process after the formation of the metal electrode, there is a problem that the solar cell is warped due to a difference in thermal expansion coefficient between the aluminum-containing electrode and the silicon substrate. In particular, the spread of solar cells has been promoted for energy saving, and there is a need to further reduce the cost of solar cells, and it is necessary to reduce the thickness and area of the silicon substrate, which accounts for the majority of the material cost. In recent times, this problem is important.

そこで、本発明の目的は、太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法を提供することにある。   Then, the objective of this invention is providing the manufacturing method of the solar cell which can suppress the curvature which arises in a solar cell.

本発明は、半導体基板の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷することによってアルミニウム含有電極を形成する第１工程と、アルミニウム含有電極が形成された半導体基板の表面上に絶縁膜を形成する第２工程と、アルミニウム含有電極および絶縁膜を形成した後に半導体基板を熱処理することによってアルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出する第３工程と、露出したアルミニウム含有電極の表面の少なくとも一部に金属ペーストを印刷することによって金属電極を形成する第４工程と、金属電極を形成した後に半導体基板を熱処理する第５工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。   The present invention provides a first step of forming an aluminum-containing electrode by partially printing an aluminum-containing paste on a surface of a semiconductor substrate, and a first step of forming an insulating film on the surface of the semiconductor substrate on which the aluminum-containing electrode is formed. Two steps, a third step in which the aluminum-containing electrode penetrates the insulating film by heat-treating the semiconductor substrate after forming the aluminum-containing electrode and the insulating film, and the surface of the aluminum-containing electrode is exposed to the insulating film; A method for manufacturing a solar cell, comprising: a fourth step of forming a metal electrode by printing a metal paste on at least a part of the surface of the electrode; and a fifth step of heat-treating the semiconductor substrate after forming the metal electrode. is there.

ここで、本発明の太陽電池の製造方法においては、第３工程における熱処理温度が５００℃以上９００℃以下であることが好ましい。   Here, in the manufacturing method of the solar cell of this invention, it is preferable that the heat processing temperature in a 3rd process is 500 degreeC or more and 900 degrees C or less.

また、本発明の太陽電池の製造方法においては、第５工程における熱処理温度が第３工程における熱処理温度よりも低いことが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the solar cell of this invention, it is preferable that the heat processing temperature in a 5th process is lower than the heat processing temperature in a 3rd process.

本発明によれば、太陽電池に生じる反りを抑制することができる太陽電池の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the solar cell which can suppress the curvature which arises in a solar cell can be provided.

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the drawings of the present invention, the same reference numerals represent the same or corresponding parts.

図１に、本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図を示す。ここで、ｐ型のシリコン基板１の受光面側の表面にはｎ+層２が形成され、ｎ+層２上に反射防止膜３および金属電極７が形成されている。シリコン基板１の裏面側の表面には裏面電界（Back Surface Field；ＢＳＦ）層として機能するｐ+層４が形成され、さらにアルミニウム含有電極５、金属電極６および絶縁膜８が形成されている。なお、アルミニウム含有電極５は、シリコン基板１の裏面側の表面に部分的に形成されている。   In FIG. 1, typical sectional drawing of a preferable example of the solar cell manufactured by the manufacturing method of the solar cell of this invention is shown. Here, an n + layer 2 is formed on the light receiving surface side surface of the p-type silicon substrate 1, and an antireflection film 3 and a metal electrode 7 are formed on the n + layer 2. A p + layer 4 that functions as a back surface field (BSF) layer is formed on the surface on the back surface side of the silicon substrate 1, and an aluminum-containing electrode 5, a metal electrode 6, and an insulating film 8 are further formed. The aluminum-containing electrode 5 is partially formed on the surface on the back side of the silicon substrate 1.

図２に、この太陽電池の製造工程の好ましい一例を示す模式的な断面図を示す。まず、図２（ａ）に示すｐ型の多結晶または単結晶からなるシリコン基板１の表面をＮａＯＨなどを含むアルカリ水溶液を用いてエッチングする。ここで、アルカリ水溶液の代わりに、酸を用いてもよく、ＮａＯＨまたはＫＯＨなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールなどを加えたエッチャントに浸漬することで結晶方位に沿った異方性エッチングを行ないテクスチャ構造と呼ばれる微小なピラミッド状の凹凸を形成したり、ドライエッチングによる方法などで微小な凹凸を形成してもよい。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a preferred example of the manufacturing process of the solar cell. First, the surface of the silicon substrate 1 made of p-type polycrystal or single crystal shown in FIG. 2A is etched using an alkaline aqueous solution containing NaOH or the like. Here, instead of the alkaline aqueous solution, an acid may be used, and a texture structure is formed by performing anisotropic etching along the crystal orientation by immersing in an etchant obtained by adding isopropyl alcohol or the like to an alkaline aqueous solution such as NaOH or KOH. A minute pyramidal unevenness called may be formed, or a minute unevenness may be formed by a dry etching method or the like.

次に、このシリコン基板１に対し、たとえば、Ｐ2Ｏ5若しくはＰＯＣｌ3などによる気相拡散やリン化合物を含んだ溶液を塗布して行なう拡散法などを用いて８００℃〜９５０℃で５〜３０分間熱処理することにより、図２（ｂ）に示すように、シリコン基板１の受光面側の表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層２を形成する。 Next, for example, a vapor phase diffusion using P 2 O 5 or POCl 3 or a diffusion method performed by applying a solution containing a phosphorus compound to the silicon substrate 1 is performed at 800 ° C. to 950 ° C. at 5 to 5 ° C. By performing heat treatment for 30 minutes, as shown in FIG. 2B, the n + layer 2 is formed by diffusing phosphorus, which is an n-type impurity, on the light receiving surface side of the silicon substrate 1.

次いで、図２（ｃ）に示すように、ｎ+層２上に反射防止膜３として常圧ＣＶＤ法にてたとえば５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成する。ここで、酸化チタン膜の代わりに、プラズマＣＶＤ法によって形成されたたとえば７０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの窒化ケイ素膜を用いてもよい。   Next, as shown in FIG. 2C, a titanium oxide film having a thickness of, for example, 5 nm to 100 nm is formed as an antireflection film 3 on the n + layer 2 by an atmospheric pressure CVD method. Here, instead of the titanium oxide film, a silicon nitride film having a thickness of, for example, 70 nm to 100 nm formed by a plasma CVD method may be used.

続いて、図２（ｄ）に示すように、シリコン基板１の裏面側の表面に、スクリーン印刷法により部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷してアルミニウム含有電極５を形成する（第１工程）。このアルミニウム含有電極５のシリコン基板１の裏面側の表面におけるパターンとしては、たとえば魚骨状、櫛形状、所定の間隔をあけて配列されている複数の直線状または複数の分離した島状などがある。なお、本発明において、アルミニウム含有ペーストとしては、たとえば樹脂中にアルミニウム粉末およびガラスを含むアルミニウムペーストなどの従来から公知のものを用いることができる。また、アルミニウム含有ペースト中に銀を含めることによって、アルミニウム含有電極５に銀を含ませてもよい。   Subsequently, as shown in FIG. 2D, an aluminum-containing electrode 5 is formed by partially printing an aluminum-containing paste on the surface on the back surface side of the silicon substrate 1 by a screen printing method (first step). Examples of the pattern of the aluminum-containing electrode 5 on the back surface of the silicon substrate 1 include a fishbone shape, a comb shape, a plurality of linear shapes arranged at predetermined intervals, or a plurality of separated island shapes. is there. In the present invention, as the aluminum-containing paste, conventionally known ones such as an aluminum paste containing an aluminum powder and glass in a resin can be used. Moreover, you may include silver in the aluminum containing electrode 5 by including silver in an aluminum containing paste.

次いで、図２（ｅ）に示すように、アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１の裏面側の表面上に絶縁膜８としてＣＶＤ法によってたとえば５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化ケイ素膜を形成する（第２工程）。ここで、絶縁膜８としては、熱酸化法によって形成されたたとえば５ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化ケイ素膜、プラズマＣＶＤ法によって形成されたたとえば６０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの窒化ケイ素膜またはたとえば５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚みの酸化チタン膜であってもよい。なお、本発明において、絶縁膜８は、太陽電池の変換効率を向上する観点から、シリコン基板１の表面におけるキャリアの再結合を抑制することができるパッシベーション膜であることが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2E, a silicon oxide film having a thickness of, for example, 5 nm to 100 nm is formed as an insulating film 8 on the surface on the back surface side of the silicon substrate 1 on which the aluminum-containing electrode 5 is formed by a CVD method. (Second step). Here, as the insulating film 8, for example, a silicon oxide film having a thickness of 5 nm to 100 nm formed by a thermal oxidation method, a silicon nitride film having a thickness of 60 nm to 100 nm formed by a plasma CVD method, or a film having a thickness of 50 nm to 100 nm, for example. A thick titanium oxide film may be used. In the present invention, the insulating film 8 is preferably a passivation film that can suppress carrier recombination on the surface of the silicon substrate 1 from the viewpoint of improving the conversion efficiency of the solar cell.

絶縁膜８の形成後、アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１を熱処理することによって、アルミニウム含有電極５が絶縁膜８を突き抜けて、図２（ｆ）に示すように、絶縁膜８にアルミニウム含有電極５の表面が露出する（第３工程）。また、これと同時に、シリコン基板１の裏面側の表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散してｐ+層４が形成される。ここで、アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１の熱処理温度は５００℃以上９００℃以下であることが好ましい。アルミニウム含有電極５が形成されたシリコン基板１の熱処理温度が５００℃未満である場合にはｐ+層４の形成が不十分となる傾向にあり、９００℃よりも高い場合にはアルミニウムがシリコン基板１の裏面側の表面に異常拡散したり、熱ストレスによってシリコン基板１がダメージを受けやすくなる傾向にある。なお、アルミニウム含有電極５が絶縁膜８を突き抜けるのは、アルミニウム含有ペースト中のガラスが溶融し、絶縁膜８に作用して、アルミニウムなどと一緒に絶縁膜８を溶かしながら突き抜けるためと考えられる。   After the formation of the insulating film 8, the silicon substrate 1 on which the aluminum-containing electrode 5 is formed is heat-treated, so that the aluminum-containing electrode 5 penetrates the insulating film 8, and the insulating film 8 is formed as shown in FIG. The surface of the aluminum-containing electrode 5 is exposed (third step). At the same time, the p + layer 4 is formed by diffusing aluminum as a p-type impurity on the back surface of the silicon substrate 1. Here, the heat treatment temperature of the silicon substrate 1 on which the aluminum-containing electrode 5 is formed is preferably 500 ° C. or higher and 900 ° C. or lower. When the heat treatment temperature of the silicon substrate 1 on which the aluminum-containing electrode 5 is formed is less than 500 ° C., the formation of the p + layer 4 tends to be insufficient, and when it is higher than 900 ° C., aluminum is a silicon substrate. Therefore, the silicon substrate 1 tends to be easily damaged due to abnormal diffusion or thermal stress. The reason why the aluminum-containing electrode 5 penetrates the insulating film 8 is considered to be that the glass in the aluminum-containing paste melts and acts on the insulating film 8 so as to penetrate the insulating film 8 together with aluminum or the like.

次に、図２（ｇ）に示すように、シリコン基板１の受光面側の表面にスクリーン印刷法によって金属ペーストとして銀ペーストを印刷して金属電極７を形成し、シリコン基板１の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の少なくとも一部に金属ペーストとして銀ペーストを印刷して金属電極６を形成する（第４工程）。ここで、金属ペーストとしては、たとえば樹脂中に銀などの金属粉末を含む銀ペーストなどの従来から公知のものを用いることができる。   Next, as shown in FIG. 2 (g), a silver paste is printed as a metal paste on the light receiving surface side surface of the silicon substrate 1 by a screen printing method to form a metal electrode 7, and on the back surface side of the silicon substrate 1. A silver paste is printed as a metal paste on at least a part of the exposed surface of the aluminum-containing electrode 5 to form the metal electrode 6 (fourth step). Here, as a metal paste, conventionally well-known things, such as a silver paste which contains metal powders, such as silver, in resin, can be used, for example.

その後、金属電極６、７が形成されたシリコン基板１をたとえば５００℃以上９００℃以下の温度で熱処理する（第５工程）。これにより、金属電極７が反射防止膜３を突き抜け、ｎ+層２と接触してオーミック接合を形成する。その後、シリコン基板１を冷却して、図１に示す太陽電池が作製される。ここで、金属電極６、７が形成されたシリコン基板１の熱処理温度（第５工程における熱処理温度）は、第３工程における熱処理温度よりも低いことが好ましい。この場合には、アルミニウム含有電極５の再溶融を抑止することができる傾向にある。   Thereafter, the silicon substrate 1 on which the metal electrodes 6 and 7 are formed is heat-treated at a temperature of 500 ° C. or more and 900 ° C. or less, for example (fifth step). As a result, the metal electrode 7 penetrates the antireflection film 3 and comes into contact with the n + layer 2 to form an ohmic junction. Thereafter, the silicon substrate 1 is cooled to produce the solar cell shown in FIG. Here, the heat treatment temperature (heat treatment temperature in the fifth step) of the silicon substrate 1 on which the metal electrodes 6 and 7 are formed is preferably lower than the heat treatment temperature in the third step. In this case, remelting of the aluminum-containing electrode 5 tends to be suppressed.

このように、本発明においては、シリコン基板の裏面側の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷してアルミニウム含有電極を形成するため、金属電極を形成したシリコン基板の熱処理後の冷却過程においてアルミニウム含有電極とシリコン基板との間の熱膨張係数差により発生する太陽電池の反りを抑制することができる。これにより、太陽電池の割れを抑制し、歩留りを大幅に抑制することができることから、低コストで太陽電池を作製することが可能になる。   As described above, in the present invention, since the aluminum-containing electrode is formed by partially printing the aluminum-containing paste on the back surface of the silicon substrate, aluminum is formed in the cooling process after the heat treatment of the silicon substrate on which the metal electrode is formed. The curvature of the solar cell which generate | occur | produces by the thermal expansion coefficient difference between a containing electrode and a silicon substrate can be suppressed. Thereby, since the crack of a solar cell can be suppressed and a yield can be suppressed significantly, it becomes possible to produce a solar cell at low cost.

なお、本発明においては、たとえば図３の模式的断面図に示すように、露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部のみに金属電極６を形成することもできる。ただし、電極間の直列抵抗低減のためには、これらの電極の接触面積は大きい方が好ましい。   In the present invention, for example, as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 3, the metal electrode 6 can be formed only on a part of the exposed surface of the aluminum-containing electrode 5. However, in order to reduce the series resistance between the electrodes, it is preferable that the contact area of these electrodes is large.

また、本発明においては、たとえば図４および図５の模式的断面図に示すように、金属電極６を露出したアルミニウム含有電極５の表面からはみ出させて、金属電極６の一部を絶縁膜８と接触させてもよい。この場合には、金属電極６がアルミニウム含有電極５の表面のみに形成されている場合と比べて、金属電極６の密着力を向上させることができる。   In the present invention, for example, as shown in the schematic cross-sectional views of FIGS. 4 and 5, the metal electrode 6 is protruded from the exposed surface of the aluminum-containing electrode 5, and a part of the metal electrode 6 is part of the insulating film 8. May be contacted. In this case, the adhesion of the metal electrode 6 can be improved as compared with the case where the metal electrode 6 is formed only on the surface of the aluminum-containing electrode 5.

（実施例１）
まず、幅１２５ｍｍ×長さ１２５ｍｍ×厚み１５０μｍの正方形の板状のｐ型単結晶シリコンからなるシリコン基板を用意した。次に、このシリコン基板の表面をＮａＯＨ水溶液を用いてエッチングして、テクスチャ構造を形成した。 Example 1
First, a silicon substrate made of p-type single crystal silicon having a square plate shape of width 125 mm × length 125 mm × thickness 150 μm was prepared. Next, the surface of this silicon substrate was etched using an aqueous NaOH solution to form a texture structure.

次に、このテクスチャ構造が形成されたシリコン基板の受光面側となる表面に対し、リン化合物を含む溶液を塗布した後に９００℃で１０分間熱処理を行なうことにより、シリコン基板の受光面側となる表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層を形成した。   Next, the surface on the light-receiving surface side of the silicon substrate on which this texture structure is formed is subjected to a heat treatment at 900 ° C. for 10 minutes after applying a solution containing a phosphorus compound, thereby becoming the light-receiving surface side of the silicon substrate. An n + layer was formed by diffusing phosphorus as an n-type impurity on the surface.

次いで、ｎ+層上に反射防止膜として常圧ＣＶＤ法にて６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成した。   Next, a titanium oxide film having a thickness of 60 nm to 90 nm was formed as an antireflection film on the n + layer by atmospheric pressure CVD.

続いて、図６に示すように、シリコン基板の受光面側となる表面の反対側の裏面側となる表面に、スクリーン印刷法によりアルミニウム含有ペーストを印刷して魚骨状にアルミニウム含有電極５を形成した。   Subsequently, as shown in FIG. 6, an aluminum-containing electrode 5 is formed in a fishbone shape by printing an aluminum-containing paste on the surface which is the back surface side opposite to the light-receiving surface side of the silicon substrate by a screen printing method. Formed.

次いで、アルミニウム含有電極が形成されたシリコン基板の裏面側となる表面上にＣＶＤ法を用いてパッシベーション膜となる１００ｎｍの厚みの酸化ケイ素からなる絶縁膜を形成した。   Next, an insulating film made of silicon oxide having a thickness of 100 nm serving as a passivation film was formed on the front surface of the silicon substrate on which the aluminum-containing electrode was formed, using a CVD method.

絶縁膜の形成後、シリコン基板を７００℃〜８００℃で熱処理することによって、アルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて、絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出した。また、これと同時に、シリコン基板の裏面側となる表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散して深さ約１０μｍのｐ+層が形成された。   After forming the insulating film, the silicon substrate was heat-treated at 700 ° C. to 800 ° C., so that the aluminum-containing electrode penetrated the insulating film and the surface of the aluminum-containing electrode was exposed to the insulating film. At the same time, a p + layer having a depth of about 10 μm was formed by diffusing aluminum, which is a p-type impurity, on the front surface of the silicon substrate.

次に、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上にスクリーン印刷法によって銀ペーストを印刷して金属電極を形成し、乾燥させた。そして、シリコン基板の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部に図７に示すように銀ペーストを印刷して金属電極６を形成し、乾燥させた。   Next, a silver paste was printed by a screen printing method on the antireflection film on the light receiving surface side of the silicon substrate to form a metal electrode and dried. Then, a silver paste was printed on part of the surface of the aluminum-containing electrode 5 exposed on the back side of the silicon substrate to form a metal electrode 6 and dried as shown in FIG.

その後、シリコン基板をたとえば５００℃〜８００℃の温度で、かつ、上記の絶縁膜の形成後の熱処理温度よりも低い温度で熱処理することによって、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上に形成された金属電極が反射防止膜を突き抜けてシリコン基板の受光面側の表面と接触して、シリコン基板の受光面側となる表面および裏面側となる表面にそれぞれ厚さ数十μｍの金属電極を形成した。その後、シリコン基板を冷却して、実施例１の太陽電池を作製した。   Thereafter, the silicon substrate is heat-treated at a temperature of, for example, 500 ° C. to 800 ° C. and at a temperature lower than the heat treatment temperature after forming the insulating film, thereby forming the silicon substrate on the antireflection film on the light receiving surface side of the silicon substrate. The formed metal electrode penetrates the antireflection film and comes into contact with the surface on the light receiving surface side of the silicon substrate, and a metal electrode with a thickness of several tens of μm is formed on the surface on the light receiving surface side and the surface on the back side of the silicon substrate Formed. Then, the silicon substrate was cooled and the solar cell of Example 1 was produced.

また、比較として、絶縁膜を全く形成せずシリコン基板の裏面側となる表面の全面にアルミニウム含有電極を形成したこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件で比較例１の太陽電池を作製した。   Further, as a comparison, the solar cell of Comparative Example 1 under the same method and under the same conditions as in Example 1 except that no insulating film was formed and an aluminum-containing electrode was formed on the entire surface on the back side of the silicon substrate. Was made.

実施例１の太陽電池と比較例１の太陽電池とを比較したところ、実施例１の太陽電池は比較例１の太陽電池と比べて反りが低減されていた。また、比較例１の太陽電池は、太陽電池の搬送およびモジュール化工程において割れが多発したのに対して、実施例１の太陽電池は比較例１の太陽電池と比べて大幅に割れの発生を低減することができた。さらに、実施例１の太陽電池の出力は比較例１の太陽電池の出力と略同等の値が得られた。   When the solar cell of Example 1 and the solar cell of Comparative Example 1 were compared, the warpage of the solar cell of Example 1 was reduced compared to the solar cell of Comparative Example 1. Further, the solar cell of Comparative Example 1 was frequently cracked in the solar cell transport and modularization process, whereas the solar cell of Example 1 was significantly cracked compared to the solar cell of Comparative Example 1. It was possible to reduce. Further, the output of the solar cell of Example 1 was substantially equal to the output of the solar cell of Comparative Example 1.

（実施例２）
まず、幅１５５ｍｍ×長さ１５５ｍｍ×厚み１００μｍの正方形の板状のｐ型単結晶シリコンからなるシリコン基板を用意した。次に、このシリコン基板の表面をＮａＯＨ水溶液を用いてエッチングして、テクスチャ構造を形成した。 (Example 2)
First, a silicon substrate made of p-type single crystal silicon in the form of a square plate having a width of 155 mm, a length of 155 mm, and a thickness of 100 μm was prepared. Next, the surface of this silicon substrate was etched using an aqueous NaOH solution to form a texture structure.

次に、このテクスチャ構造が形成されたシリコン基板の受光面側となる表面に対し、リン化合物を含む溶液を塗布した後に９００℃で１０分間熱処理を行なうことにより、シリコン基板の受光面側となる表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層を形成した。   Next, the surface on the light-receiving surface side of the silicon substrate on which this texture structure is formed is subjected to a heat treatment at 900 ° C. for 10 minutes after applying a solution containing a phosphorus compound, thereby becoming the light-receiving surface side of the silicon substrate. An n + layer was formed by diffusing phosphorus as an n-type impurity on the surface.

次いで、ｎ+層上に反射防止膜として常圧ＣＶＤ法にて６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成した。   Next, a titanium oxide film having a thickness of 60 nm to 90 nm was formed as an antireflection film on the n + layer by atmospheric pressure CVD.

続いて、図８に示すように、シリコン基板の受光面側となる表面の反対側の裏面側となる表面に、スクリーン印刷法によりアルミニウム含有ペーストを印刷して所定の間隔をあけて配列された複数の線状にアルミニウム含有電極５を形成した。   Subsequently, as shown in FIG. 8, an aluminum-containing paste was printed by a screen printing method on the surface on the back side opposite to the light receiving surface side of the silicon substrate and arranged at a predetermined interval. Aluminum-containing electrodes 5 were formed in a plurality of lines.

次いで、アルミニウム含有電極が形成されたシリコン基板の裏面側となる表面上にプラズマＣＶＤ法を用いてパッシベーション膜となる８０ｎｍの厚みの窒化ケイ素からなる絶縁膜を形成した。   Next, an insulating film made of silicon nitride having a thickness of 80 nm serving as a passivation film was formed on the front surface of the silicon substrate on which the aluminum-containing electrode was formed, using a plasma CVD method.

絶縁膜の形成後、シリコン基板を７００℃〜８００℃で熱処理することによって、アルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて、絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出した。また、これと同時に、シリコン基板の裏面側となる表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散して深さ約１０μｍのｐ+層が形成された。   After forming the insulating film, the silicon substrate was heat-treated at 700 ° C. to 800 ° C., so that the aluminum-containing electrode penetrated the insulating film and the surface of the aluminum-containing electrode was exposed to the insulating film. At the same time, a p + layer having a depth of about 10 μm was formed by diffusing aluminum, which is a p-type impurity, on the front surface of the silicon substrate.

次に、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上にスクリーン印刷法によって銀ペーストを印刷して金属電極を形成し、乾燥させた。そして、シリコン基板の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部に図９に示すように銀ペーストを印刷して金属電極６を形成し、乾燥させた。   Next, a silver paste was printed by a screen printing method on the antireflection film on the light receiving surface side of the silicon substrate to form a metal electrode and dried. Then, a silver paste was printed on a part of the surface of the aluminum-containing electrode 5 exposed on the back side of the silicon substrate to form a metal electrode 6 and dried as shown in FIG.

その後、シリコン基板をたとえば５００℃〜８００℃の温度で、かつ、上記の絶縁膜の形成後の熱処理温度よりも低い温度で熱処理することによって、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上に形成された金属電極が反射防止膜を突き抜けてシリコン基板の受光面側の表面と接触して、シリコン基板の受光面側となる表面および裏面側となる表面にそれぞれ厚さ数十μｍの金属電極を形成した。その後、シリコン基板を冷却して、実施例２の太陽電池を作製した。   Thereafter, the silicon substrate is heat-treated at a temperature of, for example, 500 ° C. to 800 ° C. and at a temperature lower than the heat treatment temperature after forming the insulating film, thereby forming the silicon substrate on the antireflection film on the light receiving surface side of the silicon substrate. The formed metal electrode penetrates the antireflection film and comes into contact with the surface on the light receiving surface side of the silicon substrate, and a metal electrode with a thickness of several tens of μm is formed on the surface on the light receiving surface side and the surface on the back side of the silicon substrate Formed. Then, the silicon substrate was cooled and the solar cell of Example 2 was produced.

また、比較として、絶縁膜を全く形成せずシリコン基板の裏面側となる表面の全面にアルミニウム含有電極を形成したこと以外は実施例２と同一の方法および同一の条件で比較例２の太陽電池を作製した。   Further, as a comparison, a solar cell of Comparative Example 2 under the same method and under the same conditions as in Example 2 except that an insulating film was not formed at all and an aluminum-containing electrode was formed on the entire surface on the back side of the silicon substrate. Was made.

実施例２の太陽電池と比較例２の太陽電池とを比較したところ、実施例２の太陽電池は比較例２の太陽電池と比べて反りが低減されていた。また、比較例２の太陽電池は、太陽電池の搬送およびモジュール化工程において割れが多発したのに対して、実施例２の太陽電池は比較例２の太陽電池と比べて大幅に割れの発生を低減することができた。さらに、実施例２の太陽電池の出力は比較例２の太陽電池の出力と略同等の値が得られた。   When the solar cell of Example 2 and the solar cell of Comparative Example 2 were compared, the warpage of the solar cell of Example 2 was reduced compared to the solar cell of Comparative Example 2. Further, the solar cell of Comparative Example 2 was frequently cracked in the solar cell transport and modularization process, whereas the solar cell of Example 2 was significantly cracked compared to the solar cell of Comparative Example 2. It was possible to reduce. Furthermore, the output of the solar cell of Example 2 was substantially equal to the output of the solar cell of Comparative Example 2.

（実施例３）
まず、幅１２５ｍｍ×長さ１２５ｍｍ×厚み５０μｍの正方形の板状のｐ型単結晶シリコンからなるシリコン基板を用意した。次に、このシリコン基板の表面をＮａＯＨ水溶液を用いてエッチングして、テクスチャ構造を形成した。 (Example 3)
First, a silicon substrate made of p-type single crystal silicon having a square plate shape of width 125 mm × length 125 mm × thickness 50 μm was prepared. Next, the surface of this silicon substrate was etched using an aqueous NaOH solution to form a texture structure.

次に、このテクスチャ構造が形成されたシリコン基板の受光面側となる表面に対し、リン化合物を含む溶液を塗布した後に９００℃で１０分間熱処理を行なうことにより、シリコン基板の受光面側となる表面にｎ型不純物であるリンを拡散してｎ+層を形成した。   Next, the surface on the light-receiving surface side of the silicon substrate on which this texture structure is formed is subjected to a heat treatment at 900 ° C. for 10 minutes after applying a solution containing a phosphorus compound, thereby becoming the light-receiving surface side of the silicon substrate. An n + layer was formed by diffusing phosphorus as an n-type impurity on the surface.

次いで、ｎ+層上に反射防止膜として常圧ＣＶＤ法にて６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みの酸化チタン膜を形成した。   Next, a titanium oxide film having a thickness of 60 nm to 90 nm was formed as an antireflection film on the n + layer by atmospheric pressure CVD.

続いて、図１０に示すように、シリコン基板の受光面側となる表面の反対側の裏面側となる表面に、スクリーン印刷法によりアルミニウム含有ペーストを印刷して複数の分離した島状にアルミニウム含有電極５を形成した。   Subsequently, as shown in FIG. 10, the aluminum-containing paste is printed by a screen printing method on the surface which is the back surface side opposite to the light-receiving surface side of the silicon substrate, and a plurality of island-containing aluminum contents are separated. An electrode 5 was formed.

次いで、アルミニウム含有電極が形成されたシリコン基板の裏面側となる表面上にプラズマＣＶＤ法を用いてパッシベーション膜となる８０ｎｍの厚みの窒化ケイ素からなる絶縁膜を形成した。   Next, an insulating film made of silicon nitride having a thickness of 80 nm serving as a passivation film was formed on the front surface of the silicon substrate on which the aluminum-containing electrode was formed, using a plasma CVD method.

絶縁膜の形成後、シリコン基板を７００℃〜８００℃で熱処理することによって、アルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて、絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出した。また、これと同時に、シリコン基板の裏面側となる表面にｐ型不純物であるアルミニウムが拡散して深さ約１０μｍのｐ+層が形成された。   After forming the insulating film, the silicon substrate was heat-treated at 700 ° C. to 800 ° C., so that the aluminum-containing electrode penetrated the insulating film and the surface of the aluminum-containing electrode was exposed to the insulating film. At the same time, a p + layer having a depth of about 10 μm was formed by diffusing aluminum, which is a p-type impurity, on the front surface of the silicon substrate.

次に、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上にスクリーン印刷法によって銀ペーストを印刷して金属電極を形成し、乾燥させた。そして、シリコン基板の裏面側に露出したアルミニウム含有電極５の表面の一部に図１１に示すように銀ペーストを印刷して金属電極６を形成し、乾燥させた。   Next, a silver paste was printed by a screen printing method on the antireflection film on the light receiving surface side of the silicon substrate to form a metal electrode and dried. Then, as shown in FIG. 11, a silver paste was printed on a part of the surface of the aluminum-containing electrode 5 exposed on the back side of the silicon substrate to form the metal electrode 6 and dried.

その後、シリコン基板をたとえば５００℃〜８００℃の温度で、かつ、上記の絶縁膜の形成後の熱処理温度よりも低い温度で熱処理することによって、シリコン基板の受光面側の反射防止膜上に形成された金属電極が反射防止膜を突き抜けてシリコン基板の受光面側の表面と接触して、シリコン基板の受光面側となる表面および裏面側となる表面にそれぞれ厚さ数十μｍの金属電極を形成した。その後、シリコン基板を冷却して、実施例３の太陽電池を作製した。   Thereafter, the silicon substrate is heat-treated at a temperature of, for example, 500 ° C. to 800 ° C. and at a temperature lower than the heat treatment temperature after forming the insulating film, thereby forming the silicon substrate on the antireflection film on the light receiving surface side of the silicon substrate. The formed metal electrode penetrates the antireflection film and comes into contact with the surface on the light receiving surface side of the silicon substrate, and a metal electrode with a thickness of several tens of μm is formed on the surface on the light receiving surface side and the surface on the back side of the silicon substrate Formed. Then, the silicon substrate was cooled, and the solar cell of Example 3 was produced.

また、比較として、絶縁膜を全く形成せずシリコン基板の裏面側となる表面の全面にアルミニウム含有電極を形成したこと以外は実施例３と同一の方法および同一の条件で比較例３の太陽電池を作製した。   For comparison, a solar cell of Comparative Example 3 was formed in the same manner and under the same conditions as in Example 3 except that an insulating film was not formed at all and an aluminum-containing electrode was formed on the entire surface on the back side of the silicon substrate. Was made.

実施例３の太陽電池と比較例３の太陽電池とを比較したところ、実施例３の太陽電池は比較例３の太陽電池と比べて反りが低減されていた。また、比較例３の太陽電池は、太陽電池の搬送およびモジュール化工程において割れが多発したのに対して、実施例３の太陽電池は比較例２の太陽電池と比べて大幅に割れの発生を低減することができた。さらに、実施例３の太陽電池の出力は比較例３の太陽電池の出力と略同等の値が得られた。   When the solar cell of Example 3 and the solar cell of Comparative Example 3 were compared, the warpage of the solar cell of Example 3 was reduced compared to the solar cell of Comparative Example 3. Further, the solar cell of Comparative Example 3 was frequently cracked in the solar cell transport and modularization process, whereas the solar cell of Example 3 was significantly cracked compared to the solar cell of Comparative Example 2. It was possible to reduce. Furthermore, the output of the solar cell of Example 3 was substantially equal to the output of the solar cell of Comparative Example 3.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明によれば、半導体基板の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷してアルミニウム含有電極を形成するため、金属電極を形成したシリコン基板の熱処理後の冷却過程においてアルミニウム含有電極とシリコン基板との間の熱膨張係数差により発生する太陽電池の反りを抑制することができる。これにより、太陽電池の割れを抑制し、歩留りを大幅に抑制することができることから、低コストで太陽電池を作製することが可能になる。   According to the present invention, in order to form an aluminum-containing electrode by partially printing an aluminum-containing paste on the surface of a semiconductor substrate, the aluminum-containing electrode and the silicon substrate are cooled in the cooling process after the heat treatment of the silicon substrate on which the metal electrode is formed. The curvature of the solar cell which generate | occur | produces by the difference in thermal expansion coefficient between can be suppressed. Thereby, since the crack of a solar cell can be suppressed and a yield can be suppressed significantly, it becomes possible to produce a solar cell at low cost.

本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of a preferable example of the solar cell manufactured by the manufacturing method of the solar cell of this invention. 図１に示す太陽電池の製造工程の好ましい一例を示す模式的な断面図である。It is typical sectional drawing which shows a preferable example of the manufacturing process of the solar cell shown in FIG. 本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another preferable example of the solar cell manufactured by the manufacturing method of the solar cell of this invention. 本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another preferable example of the solar cell manufactured by the manufacturing method of the solar cell of this invention. 本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の好ましい他の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of another preferable example of the solar cell manufactured by the manufacturing method of the solar cell of this invention. 本発明の実施例１において形成されたアルミニウム含有電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。It is the typical top view which looked at the pattern of the aluminum containing electrode formed in Example 1 of this invention from the back surface side of the silicon substrate. 本発明の実施例１において形成されたアルミニウム含有電極および金属電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。It is the typical top view which looked at the pattern of the aluminum containing electrode and metal electrode which were formed in Example 1 of this invention from the back surface side of the silicon substrate. 本発明の実施例２において形成されたアルミニウム含有電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。It is the typical top view which looked at the pattern of the aluminum containing electrode formed in Example 2 of this invention from the back surface side of the silicon substrate. 本発明の実施例２において形成されたアルミニウム含有電極および金属電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。It is the typical top view which looked at the pattern of the aluminum containing electrode and metal electrode which were formed in Example 2 of this invention from the back surface side of the silicon substrate. 本発明の実施例３において形成されたアルミニウム含有電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。It is the typical top view which looked at the pattern of the aluminum containing electrode formed in Example 3 of this invention from the back surface side of the silicon substrate. 本発明の実施例３において形成されたアルミニウム含有電極および金属電極のパターンをシリコン基板の裏面側から見た模式的な平面図である。It is the typical top view which looked at the pattern of the aluminum containing electrode and metal electrode which were formed in Example 3 of this invention from the back surface side of the silicon substrate. 従来の太陽電池の一例の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of an example of the conventional solar cell. 図１２に示す従来の太陽電池の製造工程の模式的な断面図である。It is typical sectional drawing of the manufacturing process of the conventional solar cell shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１ シリコン基板、２ ｎ+層、３ 反射防止膜、４ ｐ+層、５ アルミニウム含有電極、６，７ 金属電極、８ 絶縁膜。   1 silicon substrate, 2 n + layer, 3 antireflection film, 4 p + layer, 5 aluminum-containing electrode, 6, 7 metal electrode, 8 insulating film.

Claims (3)

半導体基板の表面に部分的にアルミニウム含有ペーストを印刷することによってアルミニウム含有電極を形成する第１工程と、アルミニウム含有電極が形成された半導体基板の表面上に絶縁膜を形成する第２工程と、アルミニウム含有電極および絶縁膜を形成した後に半導体基板を熱処理することによってアルミニウム含有電極が絶縁膜を突き抜けて絶縁膜にアルミニウム含有電極の表面が露出する第３工程と、露出したアルミニウム含有電極の表面の少なくとも一部に金属ペーストを印刷することによって金属電極を形成する第４工程と、金属電極を形成した後に半導体基板を熱処理する第５工程と、を含む、太陽電池の製造方法。   A first step of forming an aluminum-containing electrode by partially printing an aluminum-containing paste on the surface of the semiconductor substrate; a second step of forming an insulating film on the surface of the semiconductor substrate on which the aluminum-containing electrode is formed; A third step in which the aluminum-containing electrode penetrates the insulating film by heat-treating the semiconductor substrate after forming the aluminum-containing electrode and the insulating film, and the surface of the aluminum-containing electrode is exposed to the insulating film; A method for manufacturing a solar cell, comprising: a fourth step of forming a metal electrode by printing a metal paste at least in part; and a fifth step of heat-treating the semiconductor substrate after forming the metal electrode. 第３工程における熱処理温度が５００℃以上９００℃以下であることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。   The method for manufacturing a solar cell according to claim 1, wherein the heat treatment temperature in the third step is 500 ° C. or higher and 900 ° C. or lower. 第５工程における熱処理温度が第３工程における熱処理温度よりも低いことを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池の製造方法。   The method for manufacturing a solar cell according to claim 1 or 2, wherein the heat treatment temperature in the fifth step is lower than the heat treatment temperature in the third step.
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