JP2006333276A - バルク弾性波共振器、バルク弾性波共振器を用いたフィルタ、それを用いた高周波モジュール、並びにバルク弾性波共振器を用いた発振器 - Google Patents
バルク弾性波共振器、バルク弾性波共振器を用いたフィルタ、それを用いた高周波モジュール、並びにバルク弾性波共振器を用いた発振器 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】バルク弾性波共振器は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された中間層と、中間層3上に形成された圧電層と、圧電層上に形成された上部電極層とを具備する。更に、中間層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺と圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺とで決まる第1の格子不整合と、中間層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺と圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺とで決まる第2の格子不整合とが、7%以下であり、下部電極層は、弾性スティフネスC33の値が、300GN/m2以上の材料である。
【選択図】図1
Description
ここで、frおよびfaはそれぞれ、共振器の共振周波数および***振周波数である。すなわち、共振器のkが大きくなると、共振周波数と***振周波数の差も大きくなる。共振周波数と***振周波数の差は、その共振器でフィルタを構成したときに実現可能な最大帯域幅に対応するため、広帯域なフィルタを得るためには、電気機械エネルギー変換効率の良いBAW共振器が求められる。BAW共振器の電気機械エネルギー変換効率を決定する支配的な要因は、圧電層材料の結晶配向性である。結晶配向性の良い圧電層を形成することは、高性能なBAW共振器を得るための重要な条件の一つである。
B=|bA-bM|/bA×100×aA/bA …(式3)
ここで、aAおよびbAはそれぞれ、AlNの格子の短辺および長辺、また、aMおよびbMはそれぞれ、金属の格子の短辺および長辺である。式3では、正規化のためにaA/bAが乗じられる。格子の短辺の方向の格子不整合Aと、格子の長辺の方向の格子不整合Bとがともに0に近いほど、その金属材料は配向性の良いAlNを得るのに適していると見なすことが出来る。式2および式3ではaおよびbを格子の短辺および長辺と定義したが、aとbとが等しい材料の場合も含む。
2…下部電極層、
3…中間層、
4…圧電層、
5…上部電極層、
6…空洞部、
7…音響絶縁構造、
8…送信フィルタ、
9…受信フィルタ、
10…積層共振体、
11…開口部、
12…移送器、
13〜26、34…BAW共振器、
27…圧電層、
37…引き出し部分、
t1…下部電極層の膜厚、
t2…中間層の膜厚、
P1、P11…入力配線用パッド、
P2、P22…出力配線用パッド、
BW…ボンディングワイヤ。
Claims (20)
- 基板と、
前記基板の一つの面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成された第1の層と、
前記第1の層上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された第2の電極層と
を具備して成り、
前記第1の層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺と前記圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺とで決まる第1の格子不整合と、前記第1の層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺と前記圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺とで決まる第2の格子不整合とが、7%以下であり、
前記第1の電極層を構成する材料の弾性スティフネスC33の値が、300GN/m2以上であることを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 請求項1において、
前記圧電層は窒化アルミニウムを含んで成り、
前記第1の層はチタン、窒化チタン、金、銀、ジルコニウムおよびハフニウムのうちの少なくとも一つを含んで成ることを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 請求項2において、
前記第1の電極層は、タングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含んでなることを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 基板と、
前記基板の一つの面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成された第1の層と、
前記第1の層上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された第2の電極層と
を具備して成り、
前記圧電層は、窒化アルミニウムを含んで成り、
前記第1の層はチタン、窒化チタン、金、銀、ジルコニウムおよびハフニウムのうちの少なくとも一つを含んで成り、
前記第1の電極層は、タングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含んでなることを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記第1の層の厚さは、前記第1の電極層の厚さよりも薄いことを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記基板は、前記一つの面にて開口する開口部を有する空洞部を有し、
前記第1の電極層は、前記開口部と重なる部分を有してなることを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 請求項6において、
前記基板と前記第1の電極層との間に、第2の層を有することを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記基板と前記第1の電極層との間に、音響絶縁構造を有する第2の層を有することを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 請求項8において、
前記音響絶縁構造は、音響インピーダンスの異なる2種類以上の層を周期的に積み重ねて形成された音響反射器であることを特徴とするバルク弾性波共振器。 - 単一の基板に形成された複数のバルク弾性波共振器と、前記複数のバルク弾性波共振器を介して互いに接続されている入力端子および出力端子とを有するバルク弾性波共振器フィルタであって、
前記複数のバルク弾性波共振器の少なくとも1つは、
前記基板の一つの面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成された第1の層と、
前記第1の層上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された第2の電極層と
を具備して成り、
前記第1の層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺と前記圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺とで決まる第1の格子不整合と、前記第1の層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺と前記圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺とで決まる第2の格子不整合とが、7%以下であり、
前記第1の電極層を構成する材料の弾性スティフネスC33の値が、300GN/m2以上であることを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項10において、
前記圧電層は窒化アルミニウムを含んで成り、
前記第1の層はチタン、窒化チタン、金、銀、ジルコニウムおよびハフニウムのうちの少なくとも一つを含んで成ることを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項11において、
前記第1の電極層は、タングステンおよびモリブデンの少なくとも一方を含んでなることを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項10ないし12のいずれかにおいて、
前記第1の層の厚さは、前記第1の電極層の厚さよりも薄いことを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項10ないし12のいずれかにおいて、
前記基板は、前記一つの面にて開口する開口部を有する空洞部を有し、
前記第1の電極層は、前記開口部と重なる部分を有してなることを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項14において、
前記基板と前記第1の電極層との間に、第2の層を有することを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項10ないし12のいずれかにおいて、
前記基板と前記第1の電極層との間に、音響絶縁構造を有する第2の層を有することを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項16において、
前記音響絶縁構造は、音響インピーダンスの異なる2種類以上の層を周期的に積み重ねて形成された音響反射器であることを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 請求項10ないし12のいずれかにおいて、
前記複数のバルク弾性波共振器は、
直列共振器を構成する第1の複数の圧電バルク共振器と、
並列共振器を構成する第2の複数の圧電バルク共振器と
を含んで成ることを特徴とするバルク弾性波共振器フィルタ。 - 第1の端子と、前記第1の端子にその入力端子が接続された第1のバルク弾性波共振器フィルタと、前記第1の端子にその出力端子が接続された第2のバルク弾性波共振器フィルタと、前記第1のバルク弾性波共振器フィルタの出力端子に接続された第2の端子と、前記第2のバルク弾性波共振器フィルタの入力端子に接続された第3の端子と、を具備して成る高周波モジュールであって、
前記第1および前記第2のバルク弾性波共振器フィルタの少なくとも一方は、
基板と、
前記基板の一つの面上に形成された第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成された第1の層と、
前記第1の層上に形成された圧電層と、
前記圧電層上に形成された第2の電極層と
を具備して成り、
前記第1の層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺と前記圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の短辺とで決まる第1の格子不整合と、前記第1の層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺と前記圧電層を構成する材料の最密充填面を構成する格子の長辺とで決まる第2の格子不整合とが、7%以下であり、
前記第1の電極層を構成する材料の弾性スティフネスC33の値が、300GN/m2以上であることを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項19において、
第4の端子と、高周波回路部とを更に具備して成り、
前記高周波回路部は、前記第2の端子と前記第4の端子との間に接続されていることを特徴とする高周波モジュール。
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