JP2006332394A - 電子部品の放熱構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 熱伝導効率を良好にし、また実装部周囲を小型化する。
【解決手段】 配線基板１の樹脂からなるコア層４の両面に銅箔５を設け、コア層４、銅箔５からなる銅張積層板に穴１３を設け、穴１３の内面および銅箔５の表面に銅めっき層６を設けることにより、配線基板１の中間層の穴１３部にＩＶＨ７を形成し、ＩＶＨ７の内部および銅めっき層６の外側に樹脂層８を設け、樹脂層８の両面に銅箔９を設け、銅箔９および樹脂層８に接続用穴１０を設け、接続用穴１０内および銅箔９の表面に銅めっき層１４を設けることにより、配線基板１の最外層に銅めっき層１４からなりかつＩＶＨ７と接続したフィルドビア１１を形成し、配線基板１のフィルドビア１１が形成された部分にはんだ３により電子部品２を実装する。
【選択図】 図１

Description

本発明は配線基板に実装した電子部品（発熱電子部品）から発生する熱を放熱する電子部品の放熱構造に関するものである。

配線基板に放熱が必要となる電子部品を実装する場合、伝熱経路を確保し、放熱効率を向上させる１つの方法として、配線基板にサーマルビアを加工する方法がとられていた。サーマルビアとは、電子部品が実装される直下、または周囲の配線基板にスルーホールを加工することで、熱伝導率の良い銅めっきにより、電子部品から発生した熱を配線基板の反対面に備えた放熱板等に伝達するための熱伝導経路である。従来例では、熱伝導効率を更に向上させるために、サーマルビアの中にはんだを充填する構造（特許文献１）がとられていた。

しかし、配線基板の実装ランドのスルーホールにはんだを充填させる構造をとっているため、サーマルビアの中のはんだの充填度合いははんだの印刷状態や濡れ広がり性に左右され、制御することは困難であり、安定した充填率を確保しづらい。

さらに、はんだ付け部（ランド部）にスルーホールが形成されているため、はんだリフロー時にスルーホールの周囲にボイドが発生しやすく、はんだの接続面積がばらつく（減少する）可能性が高い。このため、サーマルビアの熱伝導効率にばらつきが生じるという問題があった。また、電子部品と配線基板との間にボイドが介在していると、繰り返し熱応力が加わることにより、クラックの起点となる可能性も高く、長期信頼的には熱伝導効率の低下につながる。

このような問題点を避けるため、はんだ付け部にスルーホールを加工するのではなく、配線基板の実装ランド部をはんだ付け部とサーマルビア部とに分割する構造がとられている。

特開平２００３−３１８５７９号公報 特開平１０−２６１７３１号公報

しかし、配線基板の実装ランド部をはんだ付け部とサーマルビア部とに分割する構造をとったときには、電子部品とのはんだ接続面積と、熱伝導経路として使用されるサーマルビアの銅の断面積とがトレードオフとなり、はんだ付け部の面積を減少させずに伝熱容量を確保するためには、配線基板の実装ランド部の周囲にもサーマルビアを設けなければならず、配線基板の内外層ともにパターンレイアウト上大きな制約が生じるという問題があった。

本発明は上述の課題を解決するためになされたもので、熱伝導効率が良好であり、また実装部周囲を小型化することができる電子部品の放熱構造を提供することを目的とする。

この目的を達成するため、本発明においては、配線基板の中間層にＩＶＨを形成し、配線基板の最外層にフィルドビアを形成し、ＩＶＨとフィルドビアとを接続し、配線基板のフィルドビアが形成された部分に電子部品を実装する。

本発明に係る電子部品の放熱構造においては、電子部品が実装される直下に熱伝導経路を確保することができるから、熱伝導効率が良好であり、また電子部品の周囲にサーマルビアを設ける必要がなくなるから、実装部周囲を小型化することができる。

（第１の実施の形態）
図１は本発明に係る電子部品の放熱構造を示す断面図、図２は図１に示した電子部品の放熱構造に使用する配線基板を示す斜視図、図３は図１に示した電子部品の放熱構造のＩＶＨとフィルドビアとの位置関係を示す図である。図に示すように、配線基板１の樹脂からなるコア層４の両面に銅箔５が設けられている。また、コア層４、銅箔５からなる銅張積層板（配線基板１の中間層、内層）に穴１３が設けられ、穴１３の内面および銅箔５の表面には銅めっき層６が設けられ、穴１３部にＩＶＨ（Interstitial Via Hole）７が形成されている。すなわち、配線基板１の中間層にＩＶＨ７が形成されている。また、ＩＶＨ７の内部および銅めっき層６の外側には樹脂層８が設けられ、樹脂層８の両面には銅箔９が設けられ、銅箔９および樹脂層８には接続用穴１０が設けられ、接続用穴１０内および銅箔９の表面に銅めっき層１４が設けられて、配線基板１の最外層に銅めっき層１４からなりかつＩＶＨ７（銅めっき層６）と接続したフィルドビア１１が形成されている。また、配線基板１のフィルドビア１１が形成された部分の表面にはんだ３により電子部品２が実装されている。そして、ＩＶＨ７の径としては、通常のＮＣ穴あけ加工が可能な最小径例えば３００μｍ程度が望ましい。また、ＩＶＨ７の配置位置は、最稠密にするために正三角形を隙間無く敷き詰めた格子（平面六方格子）の頂点に配置する。すなわち、ＩＶＨ７を平面六方格子状に配置する。この際、正三角形の一辺の長さはドリル加工が可能な最小ピッチ長とする。たとえば、ＩＶＨ７の径を３００μｍとした場合、正三角形の一辺の長さを６００μｍ程度とする。また、フィルドビア１１の中心は隣接するＩＶＨ７の中心を結ぶ線の中央に位置している。また、フィルドビア１１の径は１００〜２００μｍであり、レーザー加工を容易にするとともに、他の信号配線の径と統一している。また、電子部品２が表面実装型のＦＥＴであるときには、図４に示す配線基板のＦＥＴドレインランド１２内にフィルドビア１１を設ける。

つぎに、図１〜図３に示した配線基板の製造方法を説明する。まず、図５(ａ)に示すように、コア層４、銅箔５からなる銅張積層板にＮＣ穴あけにより穴１３を設ける。つぎに、図５(ｂ)に示すように、穴１３の内面および銅箔５の表面に銅めっき層６を設け、ＩＶＨ７を形成する。つぎに、図５(ｃ)に示すように、ＩＶＨ７の内部および銅めっき層６の外側に樹脂層８を設け、樹脂層８の両面に銅箔９を設ける。つぎに、図６(ａ)に示すように、レーザーにより接続用穴１０を設ける。つぎに、図６(ｂ)に示すように、銅めっき層１４を設けて、フィルドビア１１を形成する。

また、配線基板１に電子部品２を実装するには、配線基板１の上にクリームはんだを印刷し、電子部品２をリフローはんだで実装する。

この電子部品の放熱構造においては、電子部品２から発生した熱がフィルドビア１１、ＩＶＨ７を介して外部に放熱される。

このような電子部品の放熱構造においては、サーマルビアとして配線基板１の中間層にＩＶＨ７を形成し、また配線基板１の最外層にフィルドビア１１を形成しているから、電子部品２が実装される直下に熱伝導経路を確保することができるので、熱伝導効率が良好であり、また電子部品２の周囲にサーマルビアを設ける必要がなくなるから、実装部周囲を小型化することができる。また、レーザーにより接続用穴１０を設けたのち、接続用穴１０内に銅めっき層１４を充填してフィルドビア１１を形成しているから、フィルドビア１１の銅充填度合いは安定しており、熱伝導効率のばらつきを低減することができる。また、配線基板１の最外層のサーマルビアはフィルドビア１１であるから、配線基板１の実装ランドの表面はフラットであるので、研磨工程が不要であるため、加工費が増加することがなく、またはんだリフロー時にボイドが発生しにくく、はんだ３の接続面積を安定して確保することができる。また、配線基板１の中間層のＩＶＨ７はフィルドビア１１に重ならない限り、穴径、穴数を自由に選択することができる。また、ＩＶＨ７を電子部品２の実装部分の周囲に配置しても、配線基板１の最外層パターンへの制約をもたないため、発熱量に応じた熱伝導経路を確保することができる。また、ＩＶＨ７、フィルドビア１１は通常のビルドアップ配線基板の製造工程で形成することができるから、新たなコストアップ要因はない。また、ＩＶＨ７を平面六方格子状に配置し、ＩＶＨ７の穴径を通常のドリル加工が可能な最小径とし、ＩＶＨ７の中心間の距離（格子定数）をドリル加工が可能な最小ピッチ長とし、フィルドビア１１の中心を隣接するＩＶＨ７の中心を結ぶ線の中央に位置させているから、フィルドビア１１を最稠密になるように配置することができるので、電子部品２から発生する熱を効率よく放熱することができる。

なお、図７に示すように、ＩＶＨ７を平面六方格子状に配置し、フィルドビア１１の中心を、図７紙面左右方向に並ぶＩＶＨ７の中心を結ぶ線の中央および隣接する３つのＩＶＨ７の中心を結ぶ線からなる正三角形の重心に位置させてもよい。すなわち、フィルドビア１１の中心を隣接する３つのＩＶＨ７の中心を結ぶ線からなる正三角形の重心および所定の方向（図７紙面上下方向）に並ぶ重心を結ぶ線の中央に位置させてもよい。そして、この場合にも、フィルドビア１１を最稠密になるように配置することができるから、電子部品２から発生する熱を効率よく放熱することができる。

（第２の実施の形態）
図８は本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。図に示すように、配線基板２１の樹脂からなるコア層２４の両面に銅箔２５が設けられている。また、コア層２４、銅箔２５からなる銅張積層板（配線基板２１の中間層、内層）に穴３４が設けられ、穴３４の内面および銅箔２５の表面には銅めっき層２６が設けられ、穴３４部にＩＶＨ２７が形成されている。すなわち、配線基板２１の中間層にＩＶＨ２７が形成されている。また、ＩＶＨ２７の内部に導電性ペースト等の良熱伝導材２８が充填されている。また、銅めっき層２６の表面および研磨されて平面となった良熱伝導材２８の表面に銅めっき層２９が設けられ、銅めっき層２９の外側に樹脂層３０および銅箔３１が設けられ、銅箔３１および樹脂層３０には接続用穴３２が設けられ、接続用穴３２内および銅箔３１の表面に銅めっき層３５が設けられて、配線基板２１の最外層に銅めっき層３５からなりかつＩＶＨ２７（銅めっき層２９）と接続したフィルドビア３３が形成されている。また、配線基板２１のフィルドビア３３が形成された部分の表面にはんだ２３により電子部品２２が実装されている。そして、ＩＶＨ２７は平面六方格子状に配置されている。また、フィルドビア３３の中心はＩＶＨ２７の中心および隣接するＩＶＨ２７の中心を結ぶ線の中央に位置している。また、ＩＶＨ２７の径は３００μｍ、隣接するＩＶＨ２７の中心間の距離は６００μｍ、フィルドビア３３の径は１００〜２００μｍである。

この電子部品の放熱構造においては、電子部品２２から発生した熱がフィルドビア３３、ＩＶＨ２７、良熱伝導材２８を介して外部に放熱される。

このような電子部品の放熱構造においては、サーマルビアとして配線基板２１の中間層にはＩＶＨ２７を形成し、また配線基板２１の最外層にはフィルドビア３３を形成しているから、電子部品２２が実装される直下に熱伝導経路を確保することができるので、熱伝導効率が良好であり、また電子部品２２の周囲にサーマルビアを設ける必要がなくなるので、実装部周囲を小型化することができる。また、レーザーにより接続用穴３２を設けたのち、接続用穴３２内に銅めっき層３５を充填してフィルドビア３３を形成しているから、フィルドビア３３の銅充填度合いは安定しており、熱伝導効率のばらつきを低減することができる。また、配線基板２１の最外層のサーマルビアはフィルドビア３３であるから、配線基板２１の実装ランド表面はフラットであるので、研磨工程が不要であるため、加工費が増加することがなく、またはんだリフロー時にボイドが発生しにくく、はんだ２３の接続面積を安定して確保することができる。また、ＩＶＨ２７を電子部品２２の実装部分の周囲に配置しても、配線基板２１の最外層パターンへの制約をもたないため、発熱量に応じた熱伝導経路を確保することができる。また、ＩＶＨ２７、フィルドビア３３は通常のビルドアップ配線基板の製造工程で形成することができるから、新たなコストアップ要因はない。また、ＩＶＨ２７を平面六方格子状に配置しているから、電子部品２２から発生する熱を効率よく放熱することができる。また、ＩＶＨ２７内に充填した良熱伝導材２８の表面を銅めっき層２９でコーティングしているので、ＩＶＨ２７の中心位置とフィルドビア３３の中心位置とを一致させることができ、フィルドビア３３のレイアウト制約が無くなり、可能な限り最稠密に配置でき、さらに多くの熱伝導経路ができ、熱伝導効率が向上する。また、中間層に良熱伝導材２８を充填するため、通常のＩＶＨ基板のようにエポキシ系樹脂が充填されるよりも熱伝導効率が向上する。

（第３の実施の形態）
図９は本発明に係る他の電子部品の放熱構造に使用する配線基板を示す斜視図、図１０は図９に示した配線基板のＩＶＨとフィルドビアとの位置関係を示す図である。図に示すように、基本的な構造は図８に示した電子部品の放熱構造と同様であるが、フィルドビア３３の中心はＩＶＨ２７の中心、隣接するＩＶＨ２７の中心を結ぶ線を３等分する点および隣接する３つのＩＶＨ７の中心を結ぶ線からなる正三角形の重心に位置している。

このような電子部品の放熱構造においては、図８に示した電子部品の放熱構造と同様の効果を奏するとともに、フィルドビア３３の数を多くすることができるから、熱伝導効率が極めて良好である。

（第４の実施の形態）
図１１は本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。図に示すように、配線基板４１の樹脂からなるコア層４４の両面に銅箔４５が設けられている。また、コア層４４、銅箔４５からなる銅張積層板（配線基板４１の中間層、内層）に貫通穴４６が設けられ、貫通穴４６の内部に導電性ペースト等の良熱伝導材４７が充填されている。また、銅箔４５の表面および研磨されて平面となった良熱伝導材４７の表面に銅めっき層４８が設けられ、銅めっき層４８の外側に樹脂層４９および銅箔５０が設けられ、銅箔５０および樹脂層４９には接続用穴５１が設けられ、接続用穴５１内および銅箔５０の表面に銅めっき層５３が設けられて、配線基板４１の最外層に銅めっき層５３からなりかつ良熱伝導材４７（銅めっき層４８）と接続したフィルドビア５２が形成されている。また、配線基板４１のフィルドビア５２が形成された部分の表面にはんだ４３により電子部品４２が実装されている。そして、貫通穴４６は平面六方格子状に配置されている。また、フィルドビア５２の中心は貫通穴４６の中心および隣接する貫通穴４６の中心を結ぶ線の中央に位置している。また、貫通穴４６の径は３００μｍ、隣接する貫通穴４６の中心間の距離は６００μｍ、フィルドビア５２の径は１００〜２００μｍである。

この電子部品の放熱構造においては、電子部品４２から発生した熱がフィルドビア５２、良熱伝導材４７を介して外部に放熱される。

このような電子部品の放熱構造においては、サーマルビアとして配線基板４１の中間層には良熱伝導材４７が充填された貫通穴４６を形成し、また配線基板４１の最外層にはフィルドビア５２を形成しているから、電子部品４２が実装される直下に熱伝導経路を確保することができるので、熱伝導効率が良好であり、また電子部品４２の周囲にサーマルビアを設ける必要がなくなるので、実装部周囲を小型化することができる。また、レーザーにより接続用穴５１を設けたのち、接続用穴５１内に銅めっき層５３を充填してフィルドビア５２を形成しているから、フィルドビア５２の銅充填度合いは安定しており、熱伝導効率のばらつきを低減することができる。また、配線基板４１の最外層のサーマルビアはフィルドビア５２であるから、配線基板４１の実装ランド表面はフラットであるので、研磨工程が不要であるから、加工費が増加することがなく、またはんだリフロー時にボイドが発生しにくく、はんだ４３の接続面積を安定して確保することができる。また、良熱伝導材４７が充填された貫通穴４６を電子部品４２の実装部分の周囲に配置しても、配線基板４１の最外層パターンへの制約をもたないため、発熱量に応じた熱伝導経路を確保することができる。また、貫通穴４６、フィルドビア５２は通常のビルドアップ配線基板の製造工程で形成することができるから、新たなコストアップ要因はない。また、内層めっき工程が１回なので、リードタイム短縮、コストダウンが可能となる。また、貫通穴４６が平面六方格子状に配置されているから、電子部品４２から発生する熱を効率よく放熱することができる。

（第５の実施の形態）
図１２は本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。図に示すように、配線基板６１の樹脂からなるコア層６４の両面に銅箔６５が設けられ、銅箔６５の外側に樹脂層６６および銅箔６７が設けられている。また、コア層６４、銅箔６５、樹脂層６６、銅箔６７からなる基体に穴７２が設けられ、穴７２の内面および銅箔６７の表面には銅めっき層６８が設けられ、穴７２部にスルーホール６９が形成されている。また、スルーホール６９の内部に導電性ペースト等の良熱伝導材７０が充填されている。また、銅めっき層６８、良熱伝導材７０の表面に銅めっき層７１が設けられている。また、配線基板６１のスルーホール６９が形成された部分の表面にはんだ６３により電子部品６２が実装されている。そして、スルーホール６９は平面六方格子状に配置されている。また、スルーホール６９の径は３００μｍ、隣接するスルーホール６９の中心間の距離は６００μｍである。

つぎに、図１２に示した配線基板の製造方法を説明する。まず、図１３(ａ)に示すように、コア層６４の両面に銅箔６５を設け、銅箔６５の外側に樹脂層６６および銅箔６７を設け、コア層６４、銅箔６５、樹脂層６６、銅箔６７からなる基体にＮＣ穴あけにより穴７２を設ける。つぎに、図１３(ｂ)に示すように、穴７２の内面および銅箔６７の表面には銅めっき層６８を設け、穴７２部にスルーホール６９を形成する。つぎに、図１４(ａ)に示すように、スルーホール６９の内部に導電性ペースト等を充填し、導電性ペースト等を乾燥させることにより、スルーホール６９の内部に良熱伝導材７０を設ける。つぎに、図１４(ｂ)に示すように、研磨により良熱伝導材７０の表面を平坦にしたのちに、銅めっき層６８、良熱伝導材７０の表面に銅めっき層７１を設ける。

この電子部品の放熱構造においては、電子部品６２から発生した熱がスルーホール６９、良熱伝導材７０を介して外部に放熱される。

このような電子部品の放熱構造においては、配線基板６１に良熱伝導材６７が充填されたスルーホール６９を形成しているから、電子部品６２が実装される直下に熱伝導経路を確保することができるので、熱伝導効率が良好であり、また電子部品２２の周囲にサーマルビアを設ける必要がなくなるから、実装部周囲を小型化することができる。また、配線基板６１の表面には銅めっき層７１が設けられているから、配線基板６１の実装ランド表面はフラットであり、研磨工程が不要であるから、加工費が増加することがなく、またはんだリフロー時にボイドが発生しにくく、はんだ６３の接続面積を安定して確保することができる。また、スルーホール６９が平面六方格子状に配置されているから、電子部品６２から発生する熱を効率よく放熱することができる。

（第６の実施の形態）
図１５は本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。図に示すように、配線基板８１の樹脂からなるコア層８４の両面に銅箔８５が設けられ、銅箔８５の外側に樹脂層８６および銅箔８７が設けられている。また、コア層８４、銅箔８５、樹脂層８６、銅箔８７からなる基体に貫通穴８８が設けられ、貫通穴８８の内部に導電性ペースト等の良熱伝導材８９が充填されている。また、銅箔８７、良熱伝導材８９の表面に銅めっき層９０が設けられている。また、配線基板８１の貫通穴８８が設けられた部分の表面にはんだ８３により電子部品８２が実装されている。そして、貫通穴８８は平面六方格子状に配置されている。また、貫通穴８８の径は３００μｍ、隣接する貫通穴８８の中心間の距離は６００μｍである。

この電子部品の放熱構造においては、電子部品８２から発生した熱が良熱伝導材８９を介して外部に放熱される。

このような電子部品の放熱構造においては、配線基板８１に良熱伝導材８９が充填された貫通穴８８を形成しているから、電子部品８２が実装される直下に熱伝導経路を確保することができるので、熱伝導効率が良好であり、また電子部品８２の周囲にサーマルビアを設ける必要がなくなるから、実装部周囲を小型化することができる。また、配線基板８１の表面には銅めっき層９０が設けられているから、配線基板８１の実装ランド表面はフラットであり、研磨工程が不要であるので、加工費が増加することがなく、はんだリフロー時にボイドが発生しにくく、はんだ８３の接続面積を安定して確保することができる。また、内層めっき工程が１回なので、リードタイム短縮、コストダウンが可能となる。また、貫通穴８８が平面六方格子状に配置されているから、電子部品８２から発生する熱を効率よく放熱することができる。

なお、Ｘ枚の銅箔を積層した構造を持つ配線基板において、１枚目の銅箔をＬ１，Ｘ枚目の銅箔をＬＸとした場合、Ｌ１−Ｌ２およびＬ(Ｘ−１)−ＬＸを最外層といい、Ｌ２−Ｌ(Ｘ−１)を中間層という。たとえば、図１に示した配線基板１においては、銅箔５と銅箔９との間を最外層といい、銅箔５と銅箔５との間を中間層という。

また、充填する良熱伝導材２８、４７、７０、８９には、例えばエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の樹脂をバインダとし、銀フィラーや銅フィラー等の熱伝導率の良い材料を混入した物を用いることが望ましい。

また、上述実施の形態においては、めっき層として銅めっき層６、１４、２６、２９、３５、４８、５３、６８、７１、９０を用いたが、他のめっき層を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、箔として銅箔５、９、２５、３１、４５、５０、６５、６７、８５、８７を用いたが、他の箔を用いてもよい。

本発明に係る電子部品の放熱構造を示す断面図である。 図１に示した電子部品の放熱構造に使用する配線基板を示す斜視図である。 図１に示した電子部品の放熱構造のＩＶＨとフィルドビアとの位置関係を示す図である。 本発明に係る電子部品の放熱構造の配線基板のＦＥＴドレインランドを示す図である。 図１〜図３に示した配線基板の製造方法の説明図である。 図１〜図３に示した配線基板の製造方法の説明図である。 本発明に係る電子部品の放熱構造のＩＶＨとフィルドビアとの位置関係を示す図である。 本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。 本発明に係る他の電子部品の放熱構造に使用する配線基板を示す斜視図である。 図９に示した配線基板のＩＶＨとフィルドビアとの位置関係を示す図である。 本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。 本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。 図１２に示した配線基板の製造方法の説明図である。 図１２に示した配線基板の製造方法の説明図である。 本発明に係る他の電子部品の放熱構造を示す断面図である。

符号の説明

１…配線基板 ２…電子部品
４…コア層 ７…ＩＶＨ
８…樹脂層 １１…フィルドビア
２１…配線基板 ２２…電子部品
２４…コア層 ２７…ＩＶＨ
２８…良熱伝導材 ３０…樹脂層
３３…フィルドビア ４１…配線基板
４２…電子部品 ４４…コア層
４６…貫通穴 ４７…良熱伝導材
４９…樹脂層 ５２…フィルドビア
６１…配線基板 ６２…電子部品
６４…コア層 ６６…樹脂層
６９…スルーホール ７０…良熱伝導材
８１…配線基板 ８２…電子部品
８４…コア層 ８６…樹脂層
８８…貫通穴 ８９…良熱伝導材

Claims (11)

1. 配線基板に実装した電子部品から発生する熱を放熱する電子部品の放熱構造において、
   上記配線基板の中間層にＩＶＨを形成し、上記配線基板の最外層にフィルドビを形成し、上記ＩＶＨと上記フィルドビアとを接続し、上記配線基板の上記フィルドビアが形成された部分に上記電子部品を実装した
   ことを特徴とする電子部品の放熱構造。
2. 上記ＩＶＨを平面六方格子状に配置し、上記フィルドビアの中心を隣接する上記ＩＶＨの中心を結ぶ線の中央に位置させたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の放熱構造。
3. 上記ＩＶＨを平面六方格子状に配置し、上記フィルドビアの中心を隣接する３つの上記ＩＶＨの中心を結ぶ線からなる正三角形の重心および所定の方向に並ぶ上記重心を結ぶ線の中央に位置させたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の放熱構造。
4. 上記ＩＶＨ内に良熱伝導材を充填し、上記良熱伝導材の表面にめっき層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の放熱構造。
5. 上記ＩＶＨを平面六方格子状に配置したことを特徴とする請求項４に記載の電子部品の放熱構造。
6. 配線基板に実装した電子部品から発生する熱を放熱する電子部品の放熱構造において、
   上記配線基板の中間層に貫通穴を設け、上記貫通穴内に良熱伝導材を充填し、上記良熱伝導材の表面にめっき層を設け、上記配線基板の最外層にフィルドビアを形成し、上記良熱伝導材と上記フィルドビアとを接続し、上記配線基板の上記フィルドビアが形成された部分に上記電子部品を実装した
   ことを特徴とする電子部品の放熱構造。
7. 上記貫通穴を平面六方格子状に配置したことを特徴とする請求項６に記載の電子部品の放熱構造。
8. 配線基板に実装した電子部品から発生する熱を放熱する電子部品の放熱構造において、
   上記配線基板にスルーホールを形成し、上記スルーホール内に良熱伝導材を充填し、上記良熱伝導材の表面にめっき層を設け、上記配線基板の上記スルーホールが形成された部分に上記電子部品を実装した
   ことを特徴とする電子部品の放熱構造。
9. 上記スルーホールを平面六方格子状に配置したことを特徴とする請求項８に記載の電子部品の放熱構造。
10. 配線基板に実装した電子部品から発生する熱を放熱する電子部品の放熱構造において、
    上記配線基板に貫通穴を形成し、上記貫通穴内に良熱伝導材を充填し、上記良熱伝導材の表面にめっき層を設け、上記配線基板の上記貫通穴が形成された部分に上記電子部品を実装した
    ことを特徴とする電子部品の放熱構造。
11. 上記貫通穴を平面六方格子状に配置したことを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の放熱構造。

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