JP2006313785A - 薄膜抵抗体およびその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006313785A JP2006313785A JP2005135208A JP2005135208A JP2006313785A JP 2006313785 A JP2006313785 A JP 2006313785A JP 2005135208 A JP2005135208 A JP 2005135208A JP 2005135208 A JP2005135208 A JP 2005135208A JP 2006313785 A JP2006313785 A JP 2006313785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film resistor
- resistance
- heat treatment
- temperature coefficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
【解決手段】ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1である薄膜に熱処理を施し、比抵抗が500〜3000μΩ・cmであり、かつ、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃である薄膜抵抗体を得る。前記熱処理の温度は、400〜800℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される。
【選択図】 図1
Description
薄膜抵抗体はNi−Cr合金スパッタリングターゲットとSiCスパッタリングターゲットの同時スパッタリングにより作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を0.98Aとし、SiおよびCの成膜速度を実施例1よりも小さくした以外は、実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.3A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.36Aとし、SiCスパッタリングターゲットの出力に対するNi−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を実施例1よりも小さくした以外は、実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
CrのNiに対する質量比が0.15になるようにNi−Cr合金を作製し、これを用いてNi−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.45Aとした以外は、実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
CrのNiに対する質量比が1.1になるようにNi−Cr合金を作製し、これを用いてNi−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.46Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を1.0A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.05Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.2A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.14Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
CrのNiに対する質量比が0.1になるようにNi−Cr合金を作製し、これを用いてNi−Cr合金スパッタリングターゲットを作製した。そして、Ni−Cr合金スパッタリングターゲットの出力を0.6A、SiCスパッタリングターゲットの出力を1.45Aとした以外は実施例1と同様にして薄膜抵抗体を作製した。
2 薄膜抵抗体
3 Ni電極
4 Au電極
Claims (7)
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1であることを特徴とする薄膜抵抗体。
- 比抵抗が500〜3000μΩ・cmであり、かつ、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜抵抗体。
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1である薄膜を、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃となるように熱処理して得られた薄膜抵抗体。
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなるスパッタリングターゲット、またはニッケル−クロム合金からなるスパッタリングターゲットと炭化珪素からなるスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に装着し、スパッタリング法により、ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1である薄膜を形成し、その後該薄膜を熱処理して、比抵抗が500〜3000μΩ・cmであり、かつ、抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃である薄膜抵抗体を形成することを特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
- 前記熱処理の温度が、400〜800℃の範囲内で前記薄膜の組成に応じて選択される温度であることを特徴とする請求項4に記載の薄膜抵抗体の製造方法。
- 抵抗温度係数が−25〜+25ppm/℃となるように熱処理することを特徴とする請求項5に記載の薄膜抵抗体の製造方法。
- ニッケル、クロム、珪素および炭素からなり、珪素および炭素の含有量が40〜65質量%であり、かつ、クロムのニッケルに対する質量比が0.15〜1.1であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005135208A JP4380586B2 (ja) | 2005-05-06 | 2005-05-06 | 薄膜抵抗体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005135208A JP4380586B2 (ja) | 2005-05-06 | 2005-05-06 | 薄膜抵抗体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006313785A true JP2006313785A (ja) | 2006-11-16 |
JP4380586B2 JP4380586B2 (ja) | 2009-12-09 |
Family
ID=37535161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005135208A Active JP4380586B2 (ja) | 2005-05-06 | 2005-05-06 | 薄膜抵抗体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4380586B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594212A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-02-19 | 三星电机株式会社 | 片式电阻器及其制造方法 |
CN103643085A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-03-19 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 埋入式薄膜电阻材料及其制备方法 |
WO2016027692A1 (ja) * | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
WO2020001982A1 (de) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Vishay Electronic Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von widerstandsbaueinheiten über ein keramiksubstrat |
CN112185637A (zh) * | 2020-09-02 | 2021-01-05 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种直插型精密网络电阻器的制造方法及电阻器 |
WO2022025033A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 東ソー株式会社 | Cr-Si-C系焼結体 |
US11992921B2 (en) | 2011-04-05 | 2024-05-28 | Ingersoll-Rand Industrial U.S., Inc. | Impact wrench having dynamically tuned drive components and method thereof |
-
2005
- 2005-05-06 JP JP2005135208A patent/JP4380586B2/ja active Active
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11992921B2 (en) | 2011-04-05 | 2024-05-28 | Ingersoll-Rand Industrial U.S., Inc. | Impact wrench having dynamically tuned drive components and method thereof |
CN103594212A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-02-19 | 三星电机株式会社 | 片式电阻器及其制造方法 |
CN103643085A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-03-19 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 埋入式薄膜电阻材料及其制备方法 |
CN103643085B (zh) * | 2013-11-13 | 2015-09-30 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 埋入式薄膜电阻材料及其制备方法 |
WO2016027692A1 (ja) * | 2014-08-18 | 2016-02-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
CN106575555A (zh) * | 2014-08-18 | 2017-04-19 | 株式会社村田制作所 | 电子部件以及电子部件的制造方法 |
US9633795B2 (en) | 2014-08-18 | 2017-04-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing electronic component |
JPWO2016027692A1 (ja) * | 2014-08-18 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品の製造方法 |
WO2020001982A1 (de) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Vishay Electronic Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von widerstandsbaueinheiten über ein keramiksubstrat |
US11302462B2 (en) | 2018-06-25 | 2022-04-12 | Vishay Electronic Gmbh | Method for producing a plurality of resistance modular units over a ceramic substrate |
WO2022025033A1 (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | 東ソー株式会社 | Cr-Si-C系焼結体 |
CN112185637A (zh) * | 2020-09-02 | 2021-01-05 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种直插型精密网络电阻器的制造方法及电阻器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4380586B2 (ja) | 2009-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4380586B2 (ja) | 薄膜抵抗体およびその製造方法 | |
JP2004319737A (ja) | サーミスタ用材料及びその製造方法 | |
JP6783528B2 (ja) | セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材 | |
TW200907119A (en) | Sintered silicon wafer | |
TW201622998A (zh) | 陶瓷構造體、基板保持裝置用元件以及陶瓷構造體之製法 | |
JPH06158272A (ja) | 抵抗膜および抵抗膜の製造方法 | |
JP4622946B2 (ja) | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 | |
JP4622522B2 (ja) | 金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 | |
Lukose et al. | Thin film resistive materials: past, present and future | |
US8482375B2 (en) | Sputter deposition of cermet resistor films with low temperature coefficient of resistance | |
JP4243943B2 (ja) | 窒化アルミニウム材料および半導体製造用部材 | |
Lin et al. | A study on the NiCrMnZr thin film resistors prepared using the magnetron sputtering technique | |
JP4775140B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JPS634321B2 (ja) | ||
JP4742758B2 (ja) | 薄膜抵抗体及びその製造方法 | |
JP3852446B2 (ja) | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 | |
JP2021075749A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP4042714B2 (ja) | 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 | |
JP2009301796A (ja) | セラミックスヒーター及びその製造方法 | |
JP4895481B2 (ja) | 抵抗薄膜および抵抗薄膜形成用のスパッタリングターゲット | |
KR20230132862A (ko) | Cr-Si 계 막 | |
JP2006005104A (ja) | 薄膜抵抗体、薄膜抵抗体の製造方法および薄膜抵抗体製造用スパッタリングターゲット | |
CN106435478A (zh) | 一种低电阻温度系数镍铬硅薄膜的制备方法 | |
JPS59157282A (ja) | 高シリコンニクロム系スパツタリング用タ−ゲツト | |
JP6627993B2 (ja) | Cu−Ni合金スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090901 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121002 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4380586 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131002 Year of fee payment: 4 |