JP2006311446A - 送信装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 コモンモード電位の変動を抑制して高速・長距離の信号伝送をすることができる送信装置を提供する。
【解決手段】 送信装置はメインバッファ回路およびプリエンファシスバッファ回路20を備える。プリエンファシスバッファ回路20は、スイッチ回路21,第1電流源22および第2電流源23を備え、スイッチ回路21により、送信すべきデータのレベルが変化した時刻からの一定期間では、メインバッファ回路10の出力電流と同方向の電流信号を出力する一方、その一定期間が経過した後のレベル一定期間では、出力端子201,202をHigh-Z状態とする。プリエンファシスバッファ回路20の出力は、メインバッファ回路の出力のコモンモード電位に影響を与えず、差動伝送線路へ出力される電流信号の振幅のみに影響を与える。これにより、送信装置はコモンモード電位の変動を抑制して高速・長距離の信号伝送をすることができる。
【選択図】 図3

Description

本発明は、抵抗終端された一対の差動伝送線路における電流方向を変えることによってデジタル信号を送受信する小振幅差動信号方式(LVDS:Low-Voltage Differential Signaling)において好適に用いられ得る送信装置に関するものである。
LVDSは、抵抗終端された一対の差動伝送線路における電流方向を変えることによってデジタル信号を送受信するものであって、IEEE P1596,3 として規格化されており、一般に高速・低消費電力・低ノイズでデジタル信号を送受信することができるとされている。
LVDSにおいて用いられる送信装置は、一対の差動伝送線路に接続される第1出力端子および第2出力端子を有しており、送信すべきデジタル信号がHレベルであるときに第1出力端子から一対の差動伝送線路を経て第2出力端子へ流れる電流信号を出力し、送信すべきデジタル信号がLレベルであるときに第2出力端子から一対の差動伝送線路を経て第1出力端子へ流れる電流信号を出力する。
ところで、高速・長距離の信号伝送をする場合、差動伝送線路における信号のAC成分の減衰に因り、受信時のビット誤り率が大きくなるという問題点がある。すなわち、送信すべきデジタル信号のレベルが反転して、送信装置の第1出力端子および第2出力端子から出力される電流信号の流れる方向が反転する際に、その反転後に電流信号の大きさが所定値になるまで時間を要し、その結果、受信装置の側で受信誤りが生じ易くなる。
特許文献1には、このような問題点を解決するための発明が開示されている。この文献に開示された発明の送信装置は、第1出力端子および第2出力端子から出力される電流信号の流れる方向を反転した後の一定期間においては電流信号を所定値より大きくすることで、反転後に電流信号の大きさが所定値になるまでに要する時間を短縮しようとしている。
特開2002−368600号公報
上記特許文献1に開示された発明の送信装置は、電流信号の流れる方向を反転した後の一定期間において電流信号を所定値より大きくするために、電流ソース側に電流制御を行う為のアクティブな素子を有するとともに、電流シンク側に電圧制御を行う為のパッシブな素子を有している。このように送信装置において電流制御および電圧制御の双方を行うことから、電流信号が差動伝送線路および終端抵抗を介してループバックする現象に因り、コモンモード電位が変動し易くなり、EMI(electromagneticinterference)ノイズが増大するという問題がある。
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、コモンモード電位の変動を抑制して高速・長距離の信号伝送をすることができる送信装置を提供することを目的とする。
本発明に係る送信装置は、抵抗終端された一対の差動伝送線路へ出力する電流信号の流れる方向を変えることによってデジタル信号を送信する送信装置であって、(1) 差動伝送線路に接続される第1メイン出力端子および第2メイン出力端子を有し、送信すべきデジタル信号がHレベルであるときに第1メイン出力端子から差動伝送線路を経て第2メイン出力端子へ流れる電流信号を出力し、送信すべきデジタル信号がLレベルであるときに第2メイン出力端子から差動伝送線路を経て第1メイン出力端子へ流れる電流信号を出力するメインバッファ回路と、(2) 第1メイン出力端子に接続される第1出力端子と、第2メイン出力端子に接続される第2出力端子と、各々一定電流を発生する第1電流源および第2電流源と、第1電流源,第2電流源,第1出力端子および第2出力端子の間の接続関係を切り替えるスイッチ回路とを含むプリエンファシスバッファ回路と、を備えることを特徴とする。さらに、この送信装置に含まれるプリエンファシスバッファ回路は、(a) スイッチ回路により、第1電流源と第1出力端子とを互いに接続するとともに、第2電流源と第2出力端子とを互いに接続することで、第1出力端子から差動伝送線路を経て第2出力端子へ流れる電流信号を出力し、(b) スイッチ回路により、第1電流源と第2出力端子とを互いに接続するとともに、第2電流源と第1出力端子とを互いに接続することで、第2出力端子から差動伝送線路を経て第1出力端子へ流れる電流信号を出力することを特徴とする。
この送信装置では、メインバッファ回路の第1メイン出力端子とプリエンファシスバッファ回路の第1出力端子とは互いに接続され、また、メインバッファ回路の第2メイン出力端子とプリエンファシスバッファ回路の第2出力端子とは互いに接続されており、これらは、抵抗終端された一対の差動伝送線路に接続される。メインバッファ回路では、送信すべきデジタル信号がHレベルであるときに、第1メイン出力端子から差動伝送線路を経て第2メイン出力端子へ流れる電流信号が出力され、また、送信すべきデジタル信号がLレベルであるときに、第2メイン出力端子から差動伝送線路を経て第1メイン出力端子へ流れる電流信号が出力される。プリエンファシスバッファ回路では、スイッチ回路により、第1電流源と第1出力端子とが互いに接続されるとともに、第2電流源と第2出力端子とが互いに接続されることで、第1出力端子から差動伝送線路を経て第2出力端子へ流れる電流信号が出力される。また、プリエンファシスバッファ回路では、スイッチ回路により、第1電流源と第2出力端子とが互いに接続されるとともに、第2電流源と第1出力端子とが互いに接続されることで、第2出力端子から差動伝送線路を経て第1出力端子へ流れる電流信号が出力される。
プリエンファシスバッファ回路は、(a) 送信すべきデジタル信号がLレベルからHレベルに転じた時刻からの一定期間(以下「第1期間」という。)に、スイッチ回路により、第1電流源と第1出力端子とを互いに接続するとともに、第2電流源と第2出力端子とを互いに接続して、第1出力端子から差動伝送線路を経て第2出力端子へ流れる電流信号を出力し、(b) 送信すべきデジタル信号がHレベルからLレベルに転じた時刻からの一定期間(以下「第2期間」という。)に、スイッチ回路により、第1電流源と第2出力端子とを互いに接続するとともに、第2電流源と第1出力端子とを互いに接続して、第2出力端子から差動伝送線路を経て第1出力端子へ流れる電流信号を出力し、(c) 第1期間および第2期間の何れでもない期間(以下「第3期間」という。)に、スイッチ回路により、第1電流源を第1出力端子および第2出力端子の何れとも切り離すとともに、第2電流源を第1出力端子および第2出力端子の何れとも切り離すのが好適である。
この場合には、送信すべきデジタル信号のレベルが転じた時刻からの一定期間(第1期間または第2期間)においては、送信装置から差動伝送線路へ出力される電流信号は、メインバッファ回路から出力される電流信号に、プリエンファシスバッファ回路から出力される電流信号が加えられたものとなって、強度が大きくなる。したがって、レベル反転後に電流信号の大きさが所定値になるまでに要する時間が短縮される。一方、第1期間および第2期間の何れでもない第3期間においては、プリエンファシスバッファ回路の第1出力端子および第2出力端子それぞれがハイインピーダンス状態となって、送信装置から差動伝送線路へ出力される電流信号は、メインバッファ回路から出力される電流信号のみとなる。なお、プリエンファシスバッファ回路の第1出力端子および第2出力端子それぞれを常にハイインピーダンス状態としておくことにより、メインバッファ回路そのままの特性を利用することもできる。
プリエンファシスバッファ回路は、第3期間において、第1電流源とスイッチ回路との接続点(以下「第1接続点」という。)の電位を一定に維持するとともに、第2電流源とスイッチ回路との接続点(以下「第2接続点」という。)の電位を一定に維持する電圧保持回路を更に含むのが好適である。この場合には、プリエンファシスバッファ回路の出力がハイインピーダンス状態となる第3期間において、電圧保持回路により、第1電流源とスイッチ回路との接続点(第1接続点)の電位が一定に維持されるとともに、第2電流源とスイッチ回路との接続点(第2接続点)の電位が一定に維持されるので、コモンモード電位の安定化を図ることができる。
プリエンファシスバッファ回路に含まれるスイッチ回路は、第1接続点と第1出力端子との間に設けられた第1スイッチと、第1接続点と第2出力端子との間に設けられた第2スイッチと、第2接続点と第1出力端子との間に設けられた第3スイッチと、第2接続点と第2出力端子との間に設けられた第4スイッチとを有するのが好適である。また、プリエンファシスバッファ回路に含まれる電圧保持回路は、第1スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第5スイッチと、第2スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第6スイッチと、第3スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第7スイッチと、第4スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第8スイッチと、第5スイッチの第1端と第7スイッチの第1端との間に設けられた第1抵抗器と、第6スイッチの第1端と第8スイッチの第1端との間に設けられた第2抵抗器とを有し、第5スイッチの第2端および第6スイッチの第2端が第1接続点に接続され、第7スイッチの第2端および第8スイッチの第2端が第2接続点に接続されているのが好適である。この場合には、プリエンファシスバッファ回路の出力がハイインピーダンス状態となる第3期間のみ、電圧保持回路に含まれる第1抵抗器および第2抵抗器それぞれに電流が流れて、第1接続点および第2接続点それぞれの電位が固定される。なお、これら第1〜第8のスイッチそれぞれは例えばMOSトランジスタにより構成されるのが好適である。
電圧保持回路に含まれる第1抵抗器および第2抵抗器それぞれの抵抗値は、差動伝送線路の終端抵抗の値の2倍であるのが好適である。また、電圧保持回路に含まれる第5〜第8スイッチそれぞれのon状態における抵抗値は、第1〜第4スイッチそれぞれのon状態における抵抗値の2倍であるのが好適である。この場合には、プリエンファシスバッファ回路の出力が如何なる状態であるときにも、第1接続点および第2接続点それぞれの電位が略一定となるので、出力状態が変動した場合にも、コモンモード電位の変動を小さく抑えることができる。
本発明によれば、コモンモード電位の変動を抑制して高速・長距離の信号伝送をすることができる。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
先ず、図1〜図3を用いて、本実施形態に係る送信装置1の概略構成について説明する。図1は、本実施形態に係る送信装置1の概略構成図である。図2は、本実施形態に係る送信装置1に含まれるメインバッファ回路10の概念図である。また、図3は、本実施形態に係る送信装置1に含まれるプリエンファシスバッファ回路20の概念図である。なお、これらの図には、送信装置1が電流信号を出力する一対の差動伝送線路2、および、この一対の差動伝送線路2の終端にある抵抗器3も示されている。
図1に示されるように、本実施形態に係る送信装置1は、抵抗器3で抵抗終端された一対の差動伝送線路2へ出力する電流信号の流れる方向を変えることによってデジタル信号を送信するものであって、メインバッファ回路10、プリエンファシスバッファ回路20およびデータ変換回路30を備える。
メインバッファ回路10は、差動伝送線路2に接続される第1メイン出力端子101および第2メイン出力端子102を有する。メインバッファ回路10は、送信すべきデジタル信号がHレベルであるときに、第1メイン出力端子101から差動伝送線路2を経て第2メイン出力端子102へ流れる電流信号を出力する。また、メインバッファ回路10は、送信すべきデジタル信号がLレベルであるときに、第2メイン出力端子102から差動伝送線路2を経て第1メイン出力端子101へ流れる電流信号を出力する。
プリエンファシスバッファ回路20は、メインバッファ回路10の第1メイン出力端子101に接続される第1出力端子201と、メインバッファ回路10の第2メイン出力端子102に接続される第2出力端子202と、を有する。プリエンファシスバッファ回路20は、第1出力端子201から差動伝送線路2を経て第2出力端子202へ流れる電流信号を出力することができ、第2出力端子202から差動伝送線路2を経て第1出力端子201へ流れる電流信号を出力することができ、また、第1出力端子201および第2出力端子202それぞれをハイインピーダンス(High-Z)状態とすることもできる。
データ変換回路30は、送信すべきデジタル信号をパラレルデータとして入力し、このパラレルデータをシリアルデータに変換して、このシリアルデータをメインバッファ回路10へ出力する。このシリアルデータを入力したメインバッファ回路10は、該データがHレベルおよびLレベルの何れであるかに応じて、差動伝送線路2へ出力する電流信号の流れる方向を切り替える。
また、データ変換回路30は、上記シリアルデータのレベル変化に応じたデータを生成し、その生成したデータをプリエンファシスバッファ回路20へ出力する。このデータを入力したプリエンファシスバッファ回路20は、そのデータに応じて、差動伝送線路2へ出力する電流信号の流れる方向を切り替えたり、第1出力端子201および第2出力端子202それぞれをHigh-Z状態としたりすることができる。
図2に示されるように、メインバッファ回路10は、スイッチ回路11、電流源12および抵抗器13を備える。電流源12は高電位側の電源電位VDDとスイッチ回路11との間に設けられている。抵抗器13は低電位側の電源電位VSSとスイッチ回路11との間に設けられている。スイッチ回路11は、電流源12,抵抗器13,第1メイン出力端子101および第2メイン出力端子102の間の接続関係を切り替えるものであり、第1スイッチ111、第2スイッチ112、第3スイッチ113および第4スイッチ114を含む。なお、これら4つのスイッチ111〜114それぞれは例えばトランジスタにより実現することができる。
第1スイッチ111と第3スイッチ113とは互いに接続されていて、その接続点は第1メイン出力端子101に接続され、第1スイッチ111の他端は電流源12に接続され、第3スイッチ113の他端は抵抗器13に接続されている。また、第2スイッチ112と第4スイッチ114とは互いに接続されていて、その接続点は第2メイン出力端子102に接続され、第2スイッチ112の他端は電流源12に接続され、第4スイッチ114の他端は抵抗器13に接続されている。
このメインバッファ回路10では、第1スイッチ111および第4スイッチ114は同一タイミングで開閉動作する。第2スイッチ112および第3スイッチ113は同一タイミングで開閉動作する。第1スイッチ111および第4スイッチ114それぞれは、第2スイッチ112および第3スイッチ113それぞれの開閉動作と逆の開閉動作をする。
すなわち、送信すべきデジタル信号がHレベルであるときには、第1スイッチ111および第4スイッチ114が閉じるとともに、第2スイッチ112および第3スイッチ113が開くことで、電流源12が第1スイッチ111を介して第1メイン出力端子101と接続されるとともに、抵抗器13が第4スイッチ114を介して第2メイン出力端子102と接続される。そして、電流源12で発生した電流は、第1スイッチ111、第1メイン出力端子101、差動伝送線路2、第2メイン出力端子102および第4スイッチ114を順に経て、抵抗器13へと流れる。
一方、送信すべきデジタル信号がLレベルであるときには、第1スイッチ111および第4スイッチ114が開くとともに、第2スイッチ112および第3スイッチ113が閉じることで、電流源12が第2スイッチ112を介して第2メイン出力端子102と接続されるとともに、抵抗器13が第3スイッチ113を介して第1メイン出力端子101と接続される。そして、電流源12で発生した電流は、第2スイッチ112、第2メイン出力端子102、差動伝送線路2、第1メイン出力端子101および第3スイッチ113を順に経て、抵抗器13へと流れる。
図3に示されるように、プリエンファシスバッファ回路20は、スイッチ回路21、第1電流源22および第2電流源23を備える。第1電流源22および第2電流源23それぞれは一定電流Ipreを発生する。第1電流源22は高電位側の電源電位VDDとスイッチ回路21との間に設けられている。第2電流源23は低電位側の電源電位VSSとスイッチ回路21との間に設けられている。スイッチ回路21は、第1電流源22,第2電流源23,第1出力端子201および第2出力端子202の間の接続関係を切り替えるものであり、第1スイッチ211、第2スイッチ212、第3スイッチ213および第4スイッチ214を含む。なお、これら4つのスイッチ211〜214それぞれは例えばトランジスタにより実現することができる。
第1スイッチ211と第3スイッチ213とは互いに接続されていて、その接続点は第1出力端子201に接続され、第1スイッチ211の他端は第1電流源22に接続され、第3スイッチ213の他端は第2電流源23に接続されている。また、第2スイッチ212と第4スイッチ214とは互いに接続されていて、その接続点は第2出力端子202に接続され、第2スイッチ212の他端は第1電流源22に接続され、第4スイッチ214の他端は第2電流源23に接続されている。
すなわち、第1スイッチ211は第1接続点203と第1出力端子201との間に設けられ、第2スイッチ212は第1接続点203と第2出力端子202との間に設けられ、第3スイッチ213は第2接続点204と第1出力端子201との間に設けられ、また、第4スイッチ214は第2接続点204と第2出力端子202との間に設けられている。なお、第1接続点203は第1電流源22とスイッチ回路21との接続点であり、第2接続点204は第2電流源23とスイッチ回路21との接続点である。
このプリエンファシスバッファ回路20では、第1スイッチ211および第4スイッチ214は同一タイミングで開閉動作する。第2スイッチ212および第3スイッチ213は同一タイミングで開閉動作する。第1スイッチ211および第4スイッチ214それぞれは、第2スイッチ212および第3スイッチ213それぞれの開閉動作と逆の開閉動作をする。或いは、これら4つのスイッチ211〜214の全てが同時に開いている場合もある。
すなわち、第1スイッチ211および第4スイッチ214が閉じるとともに、第2スイッチ212および第3スイッチ213が開くことで、第1電流源22が第1スイッチ211を介して第1出力端子201と接続されるとともに、第2電流源23が第4スイッチ214を介して第2出力端子202と接続される。そして、電流源22,23により発生する電流Ipreは、第1スイッチ211、第1出力端子201、差動伝送線路2、第2出力端子202および第4スイッチ214を順に流れる。
一方、第1スイッチ211および第4スイッチ214が開くとともに、第2スイッチ212および第3スイッチ213が閉じることで、第1電流源22が第2スイッチ212を介して第2出力端子202と接続されるとともに、第2電流源23が第3スイッチ213を介して第1出力端子201と接続される。そして、電流源22,23により発生する電流Ipreは、第2スイッチ212、第2出力端子202、差動伝送線路2、第1出力端子201および第3スイッチ213を順に流れる。
また、4つのスイッチ211〜214の全てが同時に開くことで、第1出力端子201および第2出力端子202それぞれをHigh-Z状態とすることができる。
次に、図4および図5を用いて、本実施形態に係る送信装置1に含まれるプリエンファシスバッファ回路20の動作について説明する。図4および図5それぞれは、メインバッファ回路10およびプリエンファシスバッファ回路20それぞれから出力される電流信号のタイミングチャートである。図4および図5の何れにおいても、メインバッファ回路10は、送信すべきデジタル信号がHレベルであるときには、第1メイン出力端子101から差動伝送線路2を経て第2メイン出力端子102へ流れる電流信号を出力し(図中で「H」と表記)、一方、送信すべきデジタル信号がLレベルであるときには、第2メイン出力端子102から差動伝送線路2を経て第1メイン出力端子101へ流れる電流信号を出力する(図中で「L」と表記)。なお、メインバッファ回路10から出力される電流信号の流れる方向(HまたはL)は各サイクル期間で一定である。
また、図4および図5の何れにおいても、プリエンファシスバッファ回路20は、送信すべきデジタル信号がLレベルからHレベルに転じた時刻からの一定期間(第1期間)に、スイッチ回路21により、第1電流源22と第1出力端子201とを互いに接続するとともに、第2電流源23と第2出力端子202とを互いに接続して、第1出力端子201から差動伝送線路2を経て第2出力端子202へ流れる電流信号を出力する(図中で「H」と表記)。
一方、プリエンファシスバッファ回路20は、送信すべきデジタル信号がHレベルからLレベルに転じた時刻からの一定期間(第2期間)に、スイッチ回路21により、第1電流源22と第2出力端子202とを互いに接続するとともに、第2電流源23と第1出力端子201とを互いに接続して、第2出力端子202から差動伝送線路2を経て第1出力端子201へ流れる電流信号を出力する(図中で「L」と表記)。
また、プリエンファシスバッファ回路20は、上記の第1期間および第2期間の何れでもない期間(第3期間)に、スイッチ回路21により、第1電流源22を第1出力端子201および第2出力端子202の何れとも切り離すとともに、第2電流源23を第1出力端子201および第2出力端子202の何れとも切り離して、第1出力端子201および第2出力端子202それぞれをHigh-Z状態とする(図中で「Hi-Z」と表記)。第3期間の直前の第1期間または第2期間から当該第3期間にかけては、送信すべきデジタル信号のレベルの変化は無い。
ただし、図4に示される第1の態様では、上記の第1期間および第2期間それぞれはサイクル期間と等しいのに対して、図5に示される第2の態様では、上記の第1期間および第2期間それぞれはサイクル期間より短い期間(図中で「tPuls」と表記)となっている。
このように動作することにより、送信すべきデジタル信号のレベルが転じた時刻からの一定期間(第1期間または第2期間)においては、送信装置1から差動伝送線路2へ出力される電流信号は、メインバッファ回路10から出力される電流信号に、プリエンファシスバッファ回路20から出力される電流信号が加えられたものとなって、強度が大きくなる。したがって、レベル反転後に電流信号の大きさが所定値になるまでに要する時間が短縮される。
一方、第1期間および第2期間の何れでもない第3期間においては、プリエンファシスバッファ回路20の第1出力端子201および第2出力端子202それぞれがハイインピーダンス状態となって、送信装置1から差動伝送線路2へ出力される電流信号は、メインバッファ回路10から出力される電流信号のみとなる。
また、プリエンファシスバッファ回路20は、電流ソース側に第1電流源22を備えるとともに、電流シンク側に第2電流源23を備えることにより、出力インピーダンスが高く、第1接続点203および第2接続点204それぞれの電位が殆ど固定されないので、出力する電流信号の差動振幅が「Ipre×RL」に固定されるものの、コモンモード電位が殆ど決定されない。なお、RLは終端抵抗3の抵抗値である。
したがって、プリエンファシスバッファ回路20の出力は、メインバッファ回路10の出力のコモンモード電位に影響を与えず、差動伝送線路2へ出力される電流信号の振幅のみに影響を与える。このことから、本実施形態に係る送信装置1は、従来の構成のメインバッファ回路10を使用することができ、このメインバッファ回路10とともにプリエンファシスバッファ回路20を備えることにより、コモンモード電位の変動を抑制して高速・長距離の信号伝送をすることができる。
なお、本実施形態に係る送信装置1では、プリエンファシスバッファ回路20の第1出力端子201および第2出力端子202それぞれを常にHigh-Z状態としておくことにより、メインバッファ回路10そのままの特性を利用することもできる。また、信号伝送速度や差動伝送線路2の特性に応じて、受信時のビット誤り率が最適となるように、第1期間および第2期間それぞれにおいてプリエンファシスバッファ回路20から出力される電流信号の強度を調整することができるのが好適である。
次に、図6〜図11を用いて、プリエンファシスバッファ回路20の具体的な回路構成について説明する。図6は、本実施形態に係る送信装置1に含まれるプリエンファシスバッファ回路20の回路図である。この図では、プリエンファシスバッファ回路20は、スイッチ回路21、第1電流源22および第2電流源23を備え、加えて電圧保持回路24および基準電圧生成回路25をも備える。
スイッチ回路21は、第1スイッチとしてのPMOSトランジスタ211、第2スイッチとしてのPMOSトランジスタ212、第3スイッチとしてのNMOSトランジスタ213、および、第4スイッチとしてのNMOSトランジスタ214を含む。第1電流源としてPMOSトランジスタ22が設けられており、基準電圧生成回路25から出力される基準電圧BiaspがPMOSトランジスタ22のゲート端子に入力することで、このPMOSトランジスタ22は一定電流を発生する。また、第2電流源としてNMOSトランジスタ23が設けられており、基準電圧生成回路25から出力される基準電圧BiasnがNMOSトランジスタ23のゲート端子に入力することで、このNMOSトランジスタ23は一定電流を発生する。
PMOSトランジスタ22のソース端子は、高電位側の電源電位VDDと接続されている。NMOSトランジスタ23のソース端子は、低電位側の電源電位VSSと接続されている。PMOSトランジスタ22のドレイン端子、PMOSトランジスタ211のソース端子、および、PMOSトランジスタ212のソース端子は、互いに接続されていて、第1接続点203を構成している。NMOSトランジスタ23のドレイン端子、NMOSトランジスタ213のソース端子、および、NMOSトランジスタ214のソース端子は、互いに接続されていて、第2接続点204を構成している。PMOSトランジスタ211のドレイン端子とNMOSトランジスタ213のドレイン端子とは、互いに接続されていて、第1出力端子201と接続されている。PMOSトランジスタ212のドレイン端子とNMOSトランジスタ214のドレイン端子とは、互いに接続されていて、第2出力端子202と接続されている。
PMOSトランジスタ211のゲート端子にはINNp信号が入力し、PMOSトランジスタ212のゲート端子にはINPp信号が入力し、NMOSトランジスタ213のゲート端子にはINPn信号が入力し、NMOSトランジスタ214のゲート端子にはINNn信号が入力する。ここで、INPp信号とINPn信号とは常にレベルが互いに逆の関係にあり、INNp信号とINNn信号とは常にレベルが互いに逆の関係にある。これらINPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号は、データ変換回路30から与えられる。
図7は、プリエンファシスバッファ回路20の出力状態、ならびに、INPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号それぞれのレベルの関係を纏めた図表である。この図表には、トランジスタ211〜214それぞれの状態(「on」又は「off」)も示されている。「on」はスイッチとしてのトランジスタがon状態(閉状態)であることを示し、「off」はスイッチとしてのトランジスタがoff状態(開状態)であることを示す。
この図に示されるように、INPp信号がHレベルであり、INPn信号がLレベルであり、INNp信号がLレベルであり、INNn信号がHレベルであるとき、プリエンファシスバッファ回路20の出力はH状態(第1出力端子201から差動伝送線路2を経て第2出力端子202へ電流信号が流れる状態)となる。INPp信号がLレベルであり、INPn信号がHレベルであり、INNp信号がHレベルであり、INNn信号がLレベルであるとき、プリエンファシスバッファ回路20の出力はL状態(第2出力端子202から差動伝送線路2を経て第1出力端子201へ電流信号が流れる状態)となる。また、INPp信号がHレベルであり、INPn信号がLレベルであり、INNp信号がHレベルであり、INNn信号がLレベルであるとき、プリエンファシスバッファ回路20の出力はHigh-Z状態となる。
図8は、プリエンファシスバッファ回路20に含まれる電圧保持回路24の回路図である。電圧保持回路24は、第5スイッチとしてのPMOSトランジスタ241、第6スイッチとしてのPMOSトランジスタ242、第7スイッチとしてのNMOSトランジスタ243、第8スイッチとしてのNMOSトランジスタ244、第1抵抗器245および第2抵抗器246を含む。
PMOSトランジスタ241のソース端子とPMOSトランジスタ242のソース端子とは、互いに接続されていて、第1接続点203と接続されている。NMOSトランジスタ243のソース端子とNMOSトランジスタ244のソース端子とは、互いに接続されていて、第2接続点204と接続されている。PMOSトランジスタ241のドレイン端子とNMOSトランジスタ243のドレイン端子との間に抵抗器245が設けられている。PMOSトランジスタ242のドレイン端子とNMOSトランジスタ244のドレイン端子との間に抵抗器246が設けられている。
PMOSトランジスタ241のゲート端子にはINPn信号が入力し、PMOSトランジスタ242のゲート端子にはINNn信号が入力し、NMOSトランジスタ243のゲート端子にはINNp信号が入力し、NMOSトランジスタ244のゲート端子にはINPp信号が入力する。
図9は、プリエンファシスバッファ回路20の出力状態、INPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号それぞれのレベル、ならびに、電圧保持回路24の状態(抵抗器245,246に電流が流れるか否か)の関係を纏めた図表である。この図表には、トランジスタ241〜244それぞれの状態(「on」又は「off」)も示されている。「on」はスイッチとしてのトランジスタがon状態(閉状態)であることを示し、「off」はスイッチとしてのトランジスタがoff状態(開状態)であることを示す。
この図に示されるように、PMOSトランジスタ241は、PMOSトランジスタ211の開閉動作と逆の開閉動作をする。PMOSトランジスタ242は、PMOSトランジスタ212の開閉動作と逆の開閉動作をする。NMOSトランジスタ243は、NMOSトランジスタ213の開閉動作と逆の開閉動作をする。また、NMOSトランジスタ244は、NMOSトランジスタ214の開閉動作と逆の開閉動作をする。
INPp信号がHレベルであり、INPn信号がLレベルであり、INNp信号がLレベルであり、INNn信号がHレベルであるとき、プリエンファシスバッファ回路20の出力はH状態となり、抵抗器245,246に電流が流れない。INPp信号がLレベルであり、INPn信号がHレベルであり、INNp信号がHレベルであり、INNn信号がLレベルであるとき、プリエンファシスバッファ回路20の出力はL状態となり、抵抗器245,246に電流が流れない。また、INPp信号がHレベルであり、INPn信号がLレベルであり、INNp信号がHレベルであり、INNn信号がLレベルであるとき、プリエンファシスバッファ回路20の出力はHigh-Z状態となり、抵抗器245,246に電流が流れる。
このように、プリエンファシスバッファ回路20の出力がHigh-Z状態となるときのみ、抵抗器245,246に電流が流れて、第1接続点203の電位VHおよび第2接続点204の電位VLそれぞれが固定される。
特に、第1抵抗器245および第2抵抗器246それぞれの抵抗値は、終端抵抗の抵抗値RLの2倍であるのが好適である。また、電圧保持回路24に含まれるスイッチとしてのトランジスタ241〜244それぞれのon状態における抵抗値は、スイッチ回路21に含まれるスイッチとしてのトランジスタ211〜214それぞれのon状態における抵抗値の2倍であるのが好適である。このようにすることにより、プリエンファシスバッファ回路20の出力がH状態,L状態およびHigh-Z状態の何れであるときにも、第1接続点203の電位VHおよび第2接続点204の電位VLそれぞれが略一定となるので、出力状態が変動した場合にも、コモンモード電位の変動を小さく抑えることができる。
また、スイッチ回路21と電圧保持回路24とは、INPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号の対応がとれているので、差動の負荷が等価である点で好ましい。
以上のように、電圧保持回路24は、プリエンファシスバッファ回路20の出力がHigh-Z状態となる第3期間において、第1電流源22とスイッチ回路21との接続点(第1接続点203)の電位VHを一定に維持するとともに、第2電流源23とスイッチ回路21との接続点(第2接続点204)の電位VLを一定に維持するものである。
ただし、電圧保持回路24は設けられていなくてもよい。この場合には、プリエンファシスバッファ回路20の出力がHigh-Z状態となる第3期間において、第1接続点203は高電位側の電源電位VDDとなり、第2接続点204は低電位側の電源電位VSSとなる。プリエンファシスバッファ回路20の出力がH状態またはL状態からHigh-Z状態に遷移する際に、第1接続点203および第2接続点204それぞれの電位が安定するまで時間を要し、コモンモード電位が不安定になる可能性がある。その一方で、第3期間において電流が流れないので消費電力が小さく、また、回路面積が小さいという利点がある。
図10は、プリエンファシスバッファ回路20に含まれる基準電圧生成回路25の回路図である。この図に示される基準電圧生成回路25は、PMOSトランジスタ251、PMOSトランジスタ252、抵抗器253、抵抗器254、NMOSトランジスタ255、NMOSトランジスタ256、電流源257、NMOSトランジスタ258およびアンプ259を含む。
PMOSトランジスタ251のソース端子は、高電位側の電源電位VDDと接続されている。PMOSトランジスタ252のソース端子は、PMOSトランジスタ251のドレイン端子と接続され、PMOSトランジスタ252のゲート端子は、低電位側の電源電位VSSと接続されている。抵抗器253および抵抗器254は、互いに縦続接続されて、PMOSトランジスタ252のドレイン端子とNMOSトランジスタ255のドレイン端子との間に設けられている。NMOSトランジスタ255のソース端子は、NMOSトランジスタ256のドレイン端子と接続され、NMOSトランジスタ255のゲート端子は、高電位側の電源電位VDDと接続されている。NMOSトランジスタ256のソース端子は、低電位側の電源電位VSSと接続されている。
ここで、PMOSトランジスタ251のon状態における抵抗値は、PMOSトランジスタ22のon状態における抵抗値のn倍である。PMOSトランジスタ252のon状態における抵抗値は、PMOSトランジスタ211,212それぞれのon状態における抵抗値のn倍である。抵抗器253および抵抗器254それぞれの抵抗値は、終端抵抗3の抵抗値RLのn/2倍である。NMOSトランジスタ255のon状態における抵抗値は、NMOSトランジスタ213,214それぞれのon状態における抵抗値のn倍である。また、NMOSトランジスタ256のon状態における抵抗値は、NMOSトランジスタ23のon状態における抵抗値のn倍である。そして、PMOSトランジスタ251からNMOSトランジスタ256へ向う方向に流れる電流の大きさをIpre/nとする。このように、基準電圧生成回路25は、スイッチ回路21、PMOSトランジスタ22、NMOSトランジスタ23および終端抵抗3を含む構成に対して、1/nのサイズのミミックの構成となっている。なお、nは正の一定数である。nの値が大きいほど、基準電圧生成回路25の消費電力が小さい。例えばnは値10に設定される。
電流源257は、高電位側の電源電位VDDとNMOSトランジスタ258のドレイン端子との間に設けられている。NMOSトランジスタ258のソース端子は、低電位側の電源電位VSSと接続されている。NMOSトランジスタ258のゲート端子は、自己のドレイン端子と接続され、NMOSトランジスタ256のゲート端子とも接続され、また、NMOSトランジスタ23のゲート端子とも接続されており、この接続点の電位をBiasnとして出力する。これらはカレントミラー回路構成となっており、第2電流源としてのNMOSトランジスタ23で発生する電流はIpreとなる。
アンプ259の反転入力端子は、一定電圧値VOCを入力する。アンプ259の非反転入力端子は、抵抗器253と抵抗器254との接続点と接続されている。アンプ259の出力端子は、PMOSトランジスタ251のゲート端子と接続され、また、PMOSトランジスタ22のゲート端子とも接続されており、この接続点の電位をBiaspとして出力する。したがって、第1電流源としてのPMOSトランジスタ22で発生する電流はIpreとなる。また、アンプ259の非反転入力端子と接続された抵抗器253と抵抗器254との接続点の電位は、アンプ259の反転入力端子に入力する一定電圧値VOCと同じとなり、これにより、コモンモード電位がVOCとなる。
このように構成される基準電圧生成回路25は、コモンモード電位VOCと電流Ipreとを互いに独立に設定することができ、コモンモード電位VOCを一定のまま電流Ipreの大きさを変更することができる。
図11は、プリエンファシスバッファ回路20に含まれる基準電圧生成回路25の他の回路図である。この図11に示される基準電圧生成回路25は、図10に示した構成のものと比較すると、電流源257、NMOSトランジスタ258およびアンプ259の接続関係が相違している。
図11に示される構成では、電流源257は、低電位側の電源電位VSSとNMOSトランジスタ258のドレイン端子との間に設けられている。NMOSトランジスタ258のソース端子は、高電位側の電源電位VDDと接続されている。NMOSトランジスタ258のゲート端子は、自己のドレイン端子と接続され、PMOSトランジスタ251のゲート端子とも接続され、また、PMOSトランジスタ22のゲート端子とも接続されており、この接続点の電位をBiaspとして出力する。これらはカレントミラー回路構成となっており、第1電流源としてのPMOSトランジスタ22で発生する電流はIpreとなる。
アンプ259の反転入力端子は、一定電圧値VOCを入力する。アンプ259の非反転入力端子は、抵抗器253と抵抗器254との接続点と接続されている。アンプ259の出力端子は、NMOSトランジスタ256のゲート端子と接続され、また、NMOSトランジスタ23のゲート端子とも接続されており、この接続点の電位をBiasnとして出力する。したがって、第2電流源としてのNMOSトランジスタ23で発生する電流はIpreとなる。また、アンプ259の非反転入力端子と接続された抵抗器253と抵抗器254との接続点の電位は、アンプ259の反転入力端子に入力する一定電圧値VOCと同じとなり、これにより、コモンモード電位がVOCとなる。
このように構成される基準電圧生成回路25も、コモンモード電位VOCと電流Ipreとを互いに独立に設定することができ、コモンモード電位VOCを一定のまま電流Ipreの大きさを変更することができる。
次に、図12〜図15を用いて、データ変換回路30の具体的な回路構成について説明する。
図12は、本実施形態に係る送信装置1に含まれるデータ変換回路30の回路図である。この図に示されるデータ変換回路30は、メインバッファ回路10およびプリエンファシスバッファ回路20が図4に示した動作をする為の信号を生成し出力する。このデータ変換回路30は、マルチプレクサ31〜33を含む。マルチプレクサ31は、送信すべきデジタル信号をパラレルデータD<6:0>として入力し、そのパラレルデータの各ビットのデータD<0>〜D<6>および当該反転データを順次にMAINp信号およびMAINn信号として出力する。
マルチプレクサ32は、1つ前のデータD<6>の論理反転値とデータD<0>の値との論理和値P<0>、データD<0>の論理反転値とデータD<1>の値との論理和値P<1>、データD<1>の論理反転値とデータD<2>の値との論理和値P<2>、データD<2>の論理反転値とデータD<3>の値との論理和値P<3>、データD<3>の論理反転値とデータD<4>の値との論理和値P<4>、データD<4>の論理反転値とデータD<5>の値との論理和値P<5>、および、データD<5>の論理反転値とデータD<6>の値との論理和値P<6>を入力して、これらのデータP<0>〜P<6>および当該反転データを順次にINPp信号およびINPn信号として出力する。
マルチプレクサ33は、1つ前のデータD<6>の値とデータD<0>の論理反転値との論理和値P<0>、データD<0>の値とデータD<1>の論理反転値との論理和値N<1>、データD<1>の値とデータD<2>の論理反転値との論理和値N<2>、データD<2>の値とデータD<3>の論理反転値との論理和値N<3>、データD<3>の値とデータD<4>の論理反転値との論理和値N<4>、データD<4>の値とデータD<5>の論理反転値との論理和値N<5>、および、データD<5>の値とデータD<6>の論理反転値との論理和値N<6>を入力して、これらのデータN<0>〜N<6>および当該反転データを順次にINNp信号およびINNn信号として出力する。
マルチプレクサ31から出力されるMAINp信号およびMAINn信号は、メインバッファ回路10のスイッチ111〜114の開閉を制御する信号となる。また、マルチプレクサ32,33から出力されるINPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号は、プリエンファシスバッファ回路20のスイッチ211〜214の開閉を図4に示される如く制御する信号となる。
図13は、本実施形態に係る送信装置1に含まれるデータ変換回路30の他の回路図である。図14は、図13に示されるデータ変換回路30のエッジ検出回路34の回路図である。図15は、図13に示されるデータ変換回路30の動作を説明するタイミングチャートである。これらの図に示されるデータ変換回路30は、メインバッファ回路10およびプリエンファシスバッファ回路20が図5に示した動作をする為の信号を生成し出力する。このデータ変換回路30は、マルチプレクサ31およびエッジ検出回路34を含む。このマルチプレクサ31は、図12で説明したものと同様のものである。
エッジ検出回路34は、マルチプレクサ31から出力されるMAINp信号およびMAINn信号を入力し、これらに基づいてINPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号を生成し出力する。すなわち、エッジ検出回路34は、MAINp信号に対して4段のインバータ回路により遅延を与えたもの(MAINDp信号)の論理反転値とMAINp信号との論理積を、INNn信号として出力する。エッジ検出回路34は、MAINDp信号の論理反転値とMAINp信号との論理和を、INNp信号として出力する。エッジ検出回路34は、MAINn信号に対して4段のインバータ回路により遅延を与えたもの(MAINDn信号)の論理反転値とMAINn信号との論理積を、INPn信号として出力する。また、エッジ検出回路34は、MAINDn信号の論理反転値とMAINn信号との論理和を、INPp信号として出力する。
このエッジ検出回路34から出力されるINPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号は、図15に示されるように、プリエンファシスバッファ回路20のスイッチ211〜214の開閉を図5に示される如く制御する信号となる。
本実施形態に係る送信装置1の概略構成図である。 本実施形態に係る送信装置1に含まれるメインバッファ回路10の概念図である。 本実施形態に係る送信装置1に含まれるプリエンファシスバッファ回路20の概念図である。 メインバッファ回路10およびプリエンファシスバッファ回路20それぞれから出力される電流信号のタイミングチャートである。 メインバッファ回路10およびプリエンファシスバッファ回路20それぞれから出力される電流信号のタイミングチャートである。 本実施形態に係る送信装置1に含まれるプリエンファシスバッファ回路20の回路図である。 プリエンファシスバッファ回路20の出力状態、ならびに、INPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号それぞれのレベルの関係を纏めた図表である。 プリエンファシスバッファ回路20に含まれる電圧保持回路24の回路図である。 プリエンファシスバッファ回路20の出力状態、INPp信号,INPn信号,INNp信号およびINNn信号それぞれのレベル、ならびに、電圧保持回路24の状態(抵抗器245,246に電流が流れるか否か)の関係を纏めた図表である。 プリエンファシスバッファ回路20に含まれる基準電圧生成回路25の回路図である。 プリエンファシスバッファ回路20に含まれる基準電圧生成回路25の他の回路図である。 本実施形態に係る送信装置1に含まれるデータ変換回路30の回路図である。 本実施形態に係る送信装置1に含まれるデータ変換回路30の他の回路図である。 図13に示されるデータ変換回路30のエッジ検出回路34の回路図である。 図13に示されるデータ変換回路30の動作を説明するタイミングチャートである。
符号の説明
1…送信装置、2…一対の差動伝送線路、3…終端抵抗、10…メインバッファ回路、11…スイッチ回路、12…電流源、13…抵抗器、20…プリエンファシスバッファ回路、21…スイッチ回路、22…第1電流源、23…第2電流源、24…電圧保持回路、25…基準電圧生成回路、30…データ変換回路、31〜33…マルチプレクサ、34…エッジ検出回路。

Claims (5)

  1. 抵抗終端された一対の差動伝送線路へ出力する電流信号の流れる方向を変えることによってデジタル信号を送信する送信装置であって、
    前記差動伝送線路に接続される第1メイン出力端子および第2メイン出力端子を有し、送信すべきデジタル信号がHレベルであるときに前記第1メイン出力端子から前記差動伝送線路を経て前記第2メイン出力端子へ流れる電流信号を出力し、送信すべきデジタル信号がLレベルであるときに前記第2メイン出力端子から前記差動伝送線路を経て前記第1メイン出力端子へ流れる電流信号を出力するメインバッファ回路と、
    前記第1メイン出力端子に接続される第1出力端子と、前記第2メイン出力端子に接続される第2出力端子と、各々一定電流を発生する第1電流源および第2電流源と、前記第1電流源,前記第2電流源,前記第1出力端子および前記第2出力端子の間の接続関係を切り替えるスイッチ回路とを含むプリエンファシスバッファ回路と、
    を備え、
    前記プリエンファシスバッファ回路が、
    前記スイッチ回路により、前記第1電流源と前記第1出力端子とを互いに接続するとともに、前記第2電流源と前記第2出力端子とを互いに接続することで、前記第1出力端子から前記差動伝送線路を経て前記第2出力端子へ流れる電流信号を出力し、
    前記スイッチ回路により、前記第1電流源と前記第2出力端子とを互いに接続するとともに、前記第2電流源と前記第1出力端子とを互いに接続することで、前記第2出力端子から前記差動伝送線路を経て前記第1出力端子へ流れる電流信号を出力する、
    ことを特徴とする送信装置。
  2. 前記プリエンファシスバッファ回路は、
    送信すべきデジタル信号がLレベルからHレベルに転じた時刻からの一定期間(以下「第1期間」という。)に、前記スイッチ回路により、前記第1電流源と前記第1出力端子とを互いに接続するとともに、前記第2電流源と前記第2出力端子とを互いに接続して、前記第1出力端子から前記差動伝送線路を経て前記第2出力端子へ流れる電流信号を出力し、
    送信すべきデジタル信号がHレベルからLレベルに転じた時刻からの一定期間(以下「第2期間」という。)に、前記スイッチ回路により、前記第1電流源と前記第2出力端子とを互いに接続するとともに、前記第2電流源と前記第1出力端子とを互いに接続して、前記第2出力端子から前記差動伝送線路を経て前記第1出力端子へ流れる電流信号を出力し、
    前記第1期間および前記第2期間の何れでもない期間(以下「第3期間」という。)に、前記スイッチ回路により、前記第1電流源を前記第1出力端子および前記第2出力端子の何れとも切り離すとともに、前記第2電流源を前記第1出力端子および前記第2出力端子の何れとも切り離す、
    ことを特徴とする請求項1記載の送信装置。
  3. 前記プリエンファシスバッファ回路は、前記第3期間において、前記第1電流源と前記スイッチ回路との接続点(以下「第1接続点」という。)の電位を一定に維持するとともに、前記第2電流源と前記スイッチ回路との接続点(以下「第2接続点」という。)の電位を一定に維持する電圧保持回路を更に含む、ことを特徴とする請求項2記載の送信装置。
  4. 前記スイッチ回路は、前記第1接続点と前記第1出力端子との間に設けられた第1スイッチと、前記第1接続点と前記第2出力端子との間に設けられた第2スイッチと、前記第2接続点と前記第1出力端子との間に設けられた第3スイッチと、前記第2接続点と前記第2出力端子との間に設けられた第4スイッチとを有し、
    前記電圧保持回路は、前記第1スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第5スイッチと、前記第2スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第6スイッチと、前記第3スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第7スイッチと、前記第4スイッチの開閉動作と逆の開閉動作をする第8スイッチと、前記第5スイッチの第1端と前記第7スイッチの第1端との間に設けられた第1抵抗器と、前記第6スイッチの第1端と前記第8スイッチの第1端との間に設けられた第2抵抗器とを有し、前記第5スイッチの第2端および前記第6スイッチの第2端が前記第1接続点に接続され、前記第7スイッチの第2端および前記第8スイッチの第2端が前記第2接続点に接続されている、
    ことを特徴とする請求項3記載の送信装置。
  5. 前記第1抵抗器および前記第2抵抗器それぞれの抵抗値は、前記差動伝送線路の終端抵抗の値の2倍であり、
    前記第5〜第8スイッチそれぞれのon状態における抵抗値は、前記第1〜第4スイッチそれぞれのon状態における抵抗値の2倍である、
    ことを特徴とする請求項4記載の送信装置。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100913528B1 (ko) * 2008-08-26 2009-08-21 주식회사 실리콘웍스 차동전류구동방식의 송신부, 차동전류구동방식의 수신부 및상기 송신부와 상기 수신부를 구비하는 차동전류구동방식의 인터페이스 시스템
JP2010098590A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Kawasaki Microelectronics Inc 差動出力バッファ
JP2010283453A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Renesas Electronics Corp プリエンファシス機能を含む出力回路
KR101024817B1 (ko) * 2008-11-12 2011-03-24 주식회사 동부하이텍 차동 고대역 강조 구동장치
JP2011071798A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Hitachi Ltd シリアル出力回路、半導体装置およびシリアル伝送方法
JP2011166260A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Hitachi Ltd 出力ドライバ回路
JP2012514413A (ja) * 2008-12-29 2012-06-21 シリコン・ワークス・カンパニー・リミテッド Cogアプリケーションのためのインターフェースシステム
CN103095283A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 爱思开海力士有限公司 半导体器件
KR101405241B1 (ko) 2012-07-27 2014-06-10 고려대학교 산학협력단 데이터 통신용 송신기
KR20210087859A (ko) * 2020-01-03 2021-07-13 고려대학교 산학협력단 다중 레벨 브레이드 신호법을 이용한 송수신 장치 및 그 동작 방법
US11088878B2 (en) 2020-01-03 2021-08-10 Korea University Research And Business Foundation Transceiver using multi-level braid signaling and method of operating the same

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8106684B2 (en) * 2008-09-24 2012-01-31 Sony Corporation High-speed low-voltage differential signaling system
KR101000289B1 (ko) * 2008-12-29 2010-12-13 주식회사 실리콘웍스 차동전압구동방식의 송신부 및 차동전류구동방식과 차동전압구동방식을 선택적으로 적용할 수 있는 송신부와 수신부 및 인터페이스 시스템
US8269522B2 (en) * 2009-12-14 2012-09-18 St-Ericsson Sa Active eye opener for current-source driven, high-speed serial links
CN102457455B (zh) * 2010-10-26 2014-10-15 珠海全志科技股份有限公司 低压差分信号发送器
US8390314B2 (en) 2011-01-14 2013-03-05 Qualcomm Incorporated Method of half-bit pre-emphasis for multi-level signal
KR101958394B1 (ko) * 2011-11-08 2019-03-14 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
KR101874584B1 (ko) 2012-04-03 2018-07-04 삼성전자주식회사 전압 방식 구동기
US9148130B1 (en) * 2012-05-10 2015-09-29 Cadence Design Systems, Inc. System and method for boosting a selective portion of a drive signal for chip-to-chip transmission
US8964888B2 (en) * 2012-08-29 2015-02-24 Qualcomm Incorporated System and method of generating a pre-emphasis pulse
US8816726B1 (en) * 2013-05-07 2014-08-26 Via Technologies, Inc. Differential signaling driver
US9385718B1 (en) * 2013-10-18 2016-07-05 Altera Corporation Input-output buffer circuit with a gate bias generator
US9467303B2 (en) * 2014-09-26 2016-10-11 Linear Technology Corporation Controller area network bus transmitter with complementary source follower driver
US10733129B2 (en) * 2018-01-11 2020-08-04 Texas Instruments Incorporated Compensating DC loss in USB 2.0 high speed applications
US11388032B1 (en) * 2021-01-19 2022-07-12 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for pre-emphasis control
KR20220126364A (ko) * 2021-03-09 2022-09-16 에스케이하이닉스 주식회사 컴퓨터 시스템 및 이를 위한 인터페이스 회로
US11711080B1 (en) * 2022-01-27 2023-07-25 Nanya Technology Corporation Off-chip driving device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368600A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Mitsubishi Electric Corp プリエンファシス回路
JP2003318724A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Nec Micro Systems Ltd 差動出力回路
JP2004112453A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Ricoh Co Ltd 信号伝送装置
JP2004312614A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP2004357004A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nec Electronics Corp トランスミッタ回路、伝送回路及び駆動装置
JP2005217999A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Hitachi Ltd デジタルデータ伝送回路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19919140B4 (de) * 1998-04-29 2011-03-31 National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara Niederspannungs-Differenzsignaltreiber mit Vorverstärkerschaltung
EP1434347B1 (en) * 2002-12-23 2007-02-14 Alcatel Low voltage differential signaling (LVDS) driver with pre-emphasis
US6940302B1 (en) * 2003-01-07 2005-09-06 Altera Corporation Integrated circuit output driver circuitry with programmable preemphasis

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002368600A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Mitsubishi Electric Corp プリエンファシス回路
JP2003318724A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Nec Micro Systems Ltd 差動出力回路
JP2004112453A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Ricoh Co Ltd 信号伝送装置
JP2004312614A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Seiko Epson Corp 半導体装置
JP2004357004A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nec Electronics Corp トランスミッタ回路、伝送回路及び駆動装置
JP2005217999A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Hitachi Ltd デジタルデータ伝送回路

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8324936B2 (en) 2008-08-26 2012-12-04 Silicon Works Co., Ltd. Transmitter and receiver of differential current driving mode, and interface system of differential current driving mode including the same
WO2010024523A2 (ko) * 2008-08-26 2010-03-04 (주)실리콘웍스 차동전류구동방식의 송신부, 차동전류구동방식의 수신부 및 상기 송신부와 상기 수신부를 구비하는 차동전류구동방식의 인터페이스 시스템
WO2010024523A3 (ko) * 2008-08-26 2010-05-14 (주)실리콘웍스 차동전류구동방식의 송신부, 차동전류구동방식의 수신부 및 상기 송신부와 상기 수신부를 구비하는 차동전류구동방식의 인터페이스 시스템
KR100913528B1 (ko) * 2008-08-26 2009-08-21 주식회사 실리콘웍스 차동전류구동방식의 송신부, 차동전류구동방식의 수신부 및상기 송신부와 상기 수신부를 구비하는 차동전류구동방식의 인터페이스 시스템
JP2012501150A (ja) * 2008-08-26 2012-01-12 シリコン・ワークス・カンパニー・リミテッド 差動電流駆動方式の送信部、差動電流駆動方式の受信部及び前記送信部と前記受信部を具備する差動電流駆動方式のインターフェースシステム
JP2010098590A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Kawasaki Microelectronics Inc 差動出力バッファ
KR101024817B1 (ko) * 2008-11-12 2011-03-24 주식회사 동부하이텍 차동 고대역 강조 구동장치
US7940075B2 (en) 2008-11-12 2011-05-10 Dongbu Hitek Co., Ltd. Differential pre-emphasis driver
JP2012514413A (ja) * 2008-12-29 2012-06-21 シリコン・ワークス・カンパニー・リミテッド Cogアプリケーションのためのインターフェースシステム
JP2010283453A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Renesas Electronics Corp プリエンファシス機能を含む出力回路
JP2011071798A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Hitachi Ltd シリアル出力回路、半導体装置およびシリアル伝送方法
JP2011166260A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Hitachi Ltd 出力ドライバ回路
CN103095283A (zh) * 2011-11-08 2013-05-08 爱思开海力士有限公司 半导体器件
KR101405241B1 (ko) 2012-07-27 2014-06-10 고려대학교 산학협력단 데이터 통신용 송신기
KR20210087859A (ko) * 2020-01-03 2021-07-13 고려대학교 산학협력단 다중 레벨 브레이드 신호법을 이용한 송수신 장치 및 그 동작 방법
US11088878B2 (en) 2020-01-03 2021-08-10 Korea University Research And Business Foundation Transceiver using multi-level braid signaling and method of operating the same
KR102346845B1 (ko) * 2020-01-03 2022-01-04 고려대학교 산학협력단 다중 레벨 브레이드 신호법을 이용한 송수신 장치 및 그 동작 방법

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