JP2006310349A - System and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造システム及び製造方法に関し、特に、ウエハ搬送時の異常を検知するシステムに適用して有効な技術に関する。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing system and a manufacturing method, and more particularly to a technique effective when applied to a system for detecting an abnormality during wafer transfer.
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハの大型化に伴い、ウエハ搬送部の調整ずれ、ウエハ衝突によるウエハ割れが発生している。 In the manufacturing process of a semiconductor device, along with an increase in the size of a semiconductor wafer, misalignment of a wafer transfer unit and wafer cracking due to wafer collision have occurred.
従来、ウエハ搬送時の異常を検知するには、目視、音での確認が行われていた。また、更に詳細に調べる時は、ウエハに振動計を取付け、製造装置内のロボットでウエハを搬送させ、振動計で測定したデータをレコーダのメモリに記録し、その記録されたデータの波形を、後で人が確認し、振動の大小、搬送系の正常・異常等を判断していた。 Conventionally, visual and sound confirmations have been performed to detect abnormalities during wafer transfer. When examining in more detail, attach a vibration meter to the wafer, transport the wafer with a robot in the manufacturing apparatus, record the data measured by the vibration meter in the memory of the recorder, and record the waveform of the recorded data. Later, a person checked to determine whether the vibration was normal or abnormal.
ところで、前記のようなウエハ搬送時の異常を検知する技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。 By the way, as a result of examination by the present inventor on the technique for detecting an abnormality during wafer conveyance as described above, the following has been clarified.
例えば、ウエハに取付けられた振動計とレコーダとの間には配線が存在し、真空チャンバー等の中までは確認することが出来ない。また、振動計による測定後、人による正常・異常の判断が必要であり、その後、製造装置を止める等するため、短時間で処理することが出来ない。また、振動測定するまでのセットアップ、測定後のデータ確認に時間・手間を要する。 For example, wiring exists between the vibrometer attached to the wafer and the recorder, and the inside of the vacuum chamber or the like cannot be confirmed. In addition, after measurement with the vibrometer, it is necessary to determine whether the person is normal or abnormal, and then the manufacturing apparatus is stopped, so that processing cannot be performed in a short time. In addition, it takes time and effort to set up vibration measurement and check the data after measurement.
そこで、本発明の目的は、半導体装置の製造工程において、ウエハ搬送時の異常を自動で検知し、短時間で処理することができる技術を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a technique capable of automatically detecting an abnormality during wafer transfer and processing in a short time in a semiconductor device manufacturing process.
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
すなわち、本発明による半導体装置の製造システムは、振動センサと、その振動センサで検知したデータを保持するメモリと、そのメモリに保持されたデータを送信する通信回路とを備えた測定用ウエハと、送信されたデータを受信する通信回路と、受信したデータと基準データとを比較する比較回路とを備えたコントローラと、測定用ウエハを収容するウエハ容器とを有するものである。 That is, a semiconductor device manufacturing system according to the present invention includes a vibration sensor, a memory that holds data detected by the vibration sensor, and a measurement wafer that includes a communication circuit that transmits the data held in the memory, The controller includes a communication circuit that receives transmitted data, a comparison circuit that compares the received data with reference data, and a wafer container that houses a measurement wafer.
また、本発明による半導体装置の製造方法は、振動センサと、その振動センサで検知したデータを保持するメモリとを備えた測定用ウエハを使用し、振動センサで検知したデータを測定用ウエハ内のメモリに保存しながら、ウエハ容器内から処理室内へ搬送して戻す搬送し、搬送中の振動データを、無線通信によりコントローラに取り込み、取り込んだ搬送中の振動データと基準データとを比較し、所定のしきい値を超えた場合にアラームを発生するものである。 In addition, the semiconductor device manufacturing method according to the present invention uses a measurement wafer including a vibration sensor and a memory for holding data detected by the vibration sensor, and the data detected by the vibration sensor is stored in the measurement wafer. Transfer to the processing chamber from the wafer container and return to the processing chamber while storing in the memory, capture the vibration data being transferred to the controller via wireless communication, compare the acquired vibration data during transfer with the reference data, An alarm is generated when the threshold value is exceeded.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
（１）ウエハ搬送系の調子について問題が無いか否かを、簡便に確認することができる。 (1) It is possible to easily confirm whether or not there is a problem with the condition of the wafer transfer system.
（２）ウエハ搬送系の位置ずれによるウエハへの衝撃が定期的に、簡単に測定することができ、異常な状態で製品ウエハを処理する事が無くなるため、歩留向上、ウエハ割れ防止に有効である。 (2) Impact on the wafer due to wafer transfer system misalignment can be measured easily and regularly, eliminating the need to process product wafers in abnormal conditions, which is effective in improving yield and preventing wafer cracking. It is.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.
図１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造システムの概略構成を示す図、図２は図１の製造装置内におけるウエハ搬送経路の一例を示す図、図３は図１のＦＯＵＰ（ウエハ用密閉型容器）のＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｈｏｉｓｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）による自動搬送機構の一例を示す図、図４は図１のＦＯＵＰの外観構成を示す図、図５は図１の測定用ウエハの外観構成を示す図、図６は図５のチップの構成を示すブロック図、図７は図１のコントローラの構成を示すブロック図、図８は図５の測定用ウエハで測定したウエハ搬送時の振動測定例を示す波形図、図９は図７のコントローラによるウエハ搬送時の異常検出方法を示す図である。 1 is a diagram showing a schematic configuration of a semiconductor device manufacturing system according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an example of a wafer transfer path in the manufacturing device of FIG. 1, and FIG. 3 is a FOUP of FIG. FIG. 4 is a view showing an example of an automatic transfer mechanism by OHT (Overhead Hoist Transfer) of (sealed container for wafer), FIG. 4 is a view showing an external structure of the FOUP of FIG. 1, and FIG. 5 is an external structure of the measurement wafer of FIG. FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the chip of FIG. 5, FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the controller of FIG. 1, and FIG. 8 is a vibration measurement during wafer transfer measured with the measurement wafer of FIG. FIG. 9 is a waveform diagram showing an example, and FIG. 9 is a diagram showing an abnormality detection method during wafer transfer by the controller of FIG.
まず、図１により、本実施の形態に係る半導体装置の製造システムの構成の一例を説明する。本実施の形態に係る半導体装置の製造システムは、例えば、製造装置１０、ＦＯＵＰ１６、測定用ウエハ１７、コントローラ１８などから構成される。この製造システムは、測定用ウエハ１７、コントローラ１８をＦＯＵＰ１６内に収納し、自動で測定用ウエハ１７の搬送・振動測定、正常・異常の判断を行うシステムである。 First, an example of the configuration of a semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment includes, for example, a manufacturing apparatus 10, a FOUP 16, a measurement wafer 17, a controller 18, and the like. This manufacturing system is a system in which the measurement wafer 17 and the controller 18 are accommodated in the FOUP 16 and the conveyance / vibration measurement of the measurement wafer 17 and the determination of normality / abnormality are automatically performed.
製造装置１０は、半導体装置の製造に利用されるエッチング装置や成膜装置などの製造装置とされ、例えば、ロードポート１１、ファクトリーインターフェイス（ＦＩ）ロボット１２、ロードロック（Ｌ／Ｌ）１３、内部ロボット１４、チャンバ（処理室）１５などから構成される。 The manufacturing apparatus 10 is a manufacturing apparatus such as an etching apparatus or a film forming apparatus used for manufacturing a semiconductor device. For example, a load port 11, a factory interface (FI) robot 12, a load lock (L / L) 13, an internal The robot 14 and the chamber (processing chamber) 15 are configured.
ロードポート１１は、製造装置１０の入口及び出口であり、処理されるウエハを収容したＦＯＵＰ１６などのウエハ容器が載せられるものである。 The load port 11 is an inlet and an outlet of the manufacturing apparatus 10 and is used for placing a wafer container such as a FOUP 16 containing a wafer to be processed.
ＦＩロボット１２は、処理されるウエハをＦＯＵＰ１６から取り出し、Ｌ／Ｌ１３を介して内部ロボット１４へと搬送するものである。 The FI robot 12 takes out a wafer to be processed from the FOUP 16 and transfers it to the internal robot 14 via the L / L 13.
Ｌ／Ｌ１３は、チャンバ１５内の真空を保つための入り口である。 L / L 13 is an entrance for maintaining a vacuum in the chamber 15.
内部ロボット１４は、処理されるウエハをチャンバ１５内へと搬送するものであり、この領域は真空となっている。 The internal robot 14 carries the wafer to be processed into the chamber 15 and this area is in a vacuum.
チャンバ１５は、ウエハを処理する処理室であり、真空が保たれている。 The chamber 15 is a processing chamber for processing a wafer, and a vacuum is maintained.
図１では、ウエハ搬送時の振動を測定するため、コントローラ１８が内部に設けられているＦＯＵＰ１６がロードポート１１上に置かれている。また、ＦＯＵＰ１６は、測定用ウエハ１７を収容しており、この測定用ウエハ１７をロボットで搬送することにより、搬送時の振動を測定する。なお、図１は、ＦＯＵＰ１６のドアが開いた状態を示している。 In FIG. 1, a FOUP 16 in which a controller 18 is provided is placed on the load port 11 in order to measure vibration during wafer transfer. Further, the FOUP 16 accommodates a measurement wafer 17, and the measurement wafer 17 is transferred by a robot to measure vibration during transfer. FIG. 1 shows a state where the door of the FOUP 16 is opened.
図２により、製造装置１０内のウエハ搬送経路の一例を説明する。図２に示す製造装置１０は、処理効率を上げるため、２つのパス（Ａ，Ｂ）を有する装置となっている。この製造装置１０は、ロードポート１１ａ，１１ｂ、ＦＩロボット１２ａ，１２ｂ、Ｌ／Ｌ１３ａ，１３ｂ、内部ロボット１４、チャンバ１５ａ，１５ｂなどから構成される。 An example of the wafer transfer path in the manufacturing apparatus 10 will be described with reference to FIG. The manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 2 is an apparatus having two paths (A, B) in order to increase processing efficiency. The manufacturing apparatus 10 includes load ports 11a and 11b, FI robots 12a and 12b, L / L 13a and 13b, an internal robot 14, and chambers 15a and 15b.
図２に示したウエハ搬送経路の例では、ＦＩロボット１２ｂがロードポート１１ｂからＬ／Ｌ１３ｂを介して内部ロボット１４へウエハを搬送し、内部ロボット１４がチャンバ１５ａ又はチャンバ１５ｂへとウエハを搬送する。処理が終了したウエハは、チャンバ１５ａ又はチャンバ１５ｂから内部ロボット１４により取り出され、ＦＩロボット１２ａによりＬ／Ｌ１３ａを介して取り出され、ロードポート１１ｂ上のＦＯＵＰ１６に収容される。 In the example of the wafer transfer path shown in FIG. 2, the FI robot 12b transfers the wafer from the load port 11b to the internal robot 14 via the L / L 13b, and the internal robot 14 transfers the wafer to the chamber 15a or the chamber 15b. . The processed wafer is taken out of the chamber 15a or the chamber 15b by the internal robot 14, taken out by the FI robot 12a via the L / L 13a, and stored in the FOUP 16 on the load port 11b.
図３により、本実施の形態による半導体装置の製造システムにおけるＦＯＵＰ１６の自動搬送機構の一例を説明する。図３では、複数台の製造装置１０が示されており、その複数台の製造装置１０の間にＯＨＴ３１が設置されている。ＯＨＴ３１によりＦＯＵＰ１６を各製造装置１０へ搬送し、ホイスト機構３２によりＦＯＵＰ１６をロードポート１１上に載せる。 An example of the automatic transport mechanism of the FOUP 16 in the semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 3, a plurality of manufacturing apparatuses 10 are shown, and an OHT 31 is installed between the plurality of manufacturing apparatuses 10. The FOUP 16 is conveyed to each manufacturing apparatus 10 by the OHT 31, and the FOUP 16 is placed on the load port 11 by the hoist mechanism 32.
図４により、ＦＯＵＰ１６の外観構成を説明する。ＦＯＵＰ１６は、処理ウエハ及び測定用ウエハ１７を収容する密閉型のウエハ容器である。図４に示すように、ＦＯＵＰ１６は、ＦＯＵＰシェル４１、ＦＯＵＰドア４２、マッシュルーム４３、レジストレーションピン穴４４、ラッチキー穴４５、マニュアルハンド４６、サイドレール４７などから構成されている。 The external configuration of the FOUP 16 will be described with reference to FIG. The FOUP 16 is a sealed wafer container that accommodates a processing wafer and a measurement wafer 17. As shown in FIG. 4, the FOUP 16 includes a FOUP shell 41, a FOUP door 42, a mushroom 43, a registration pin hole 44, a latch key hole 45, a manual hand 46, a side rail 47, and the like.
図５により、測定用ウエハ１７の外観構成を説明する。測定用ウエハ１７の材質は何でもよいが、処理ウエハ（シリコン）と同じ重さのものがよい。図５に示すように、測定用ウエハ１７には、振動センサを備えたチップ５１が取り付けられている。 The external configuration of the measurement wafer 17 will be described with reference to FIG. The measurement wafer 17 may be made of any material, but preferably has the same weight as the processing wafer (silicon). As shown in FIG. 5, a chip 51 having a vibration sensor is attached to the measurement wafer 17.
図６により、チップ５１の構成の一例を説明する。図６に示すように、チップ５１は、例えば、振動センサ６１、振動波形記録用メモリ６２、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）通信回路（第１の通信回路）６３、制御回路６４、電源６５などから構成されている。 An example of the configuration of the chip 51 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 6, the chip 51 includes, for example, a vibration sensor 61, a vibration waveform recording memory 62, an RF (Radio Frequency) communication circuit (first communication circuit) 63, a control circuit 64, a power supply 65, and the like. ing.
振動センサ６１は、振動を検知するセンサである。 The vibration sensor 61 is a sensor that detects vibration.
振動波形記録用メモリ６２は、振動センサ６１で検知した振動波形データなどを保持するメモリである。 The vibration waveform recording memory 62 is a memory that holds vibration waveform data detected by the vibration sensor 61.
ＲＦ通信回路６３は、無線通信を行うための回路であり、振動センサ６１で検知され振動波形記録用メモリ６２に保存されたデータなどを無線で送信するものである。 The RF communication circuit 63 is a circuit for performing wireless communication, and wirelessly transmits data detected by the vibration sensor 61 and stored in the vibration waveform recording memory 62.
制御回路６４は、振動測定の開始・終了や通信機能などチップ５１の制御を行うものである。 The control circuit 64 controls the chip 51 such as the start / end of vibration measurement and the communication function.
電源６５は、チップ５１の各回路に電源を供給するものであり、バッテリ（電池）などを含む。 The power supply 65 supplies power to each circuit of the chip 51, and includes a battery (battery).
図７により、コントローラ１８の構成を説明する。コントローラ１８は、チップ５１から搬送中の振動波形データを無線通信で取り込み、基準データと比較して異常を検知するものである。図７に示すように、コントローラ１８は、ＲＦ通信回路（第２の通信回路）７１、振動波形記録用メモリ７２、基準波形記録用メモリ７３、比較回路７４、制御回路７５、電源７６などから構成されている。 The configuration of the controller 18 will be described with reference to FIG. The controller 18 captures vibration waveform data being transferred from the chip 51 by wireless communication, and compares it with reference data to detect an abnormality. As shown in FIG. 7, the controller 18 includes an RF communication circuit (second communication circuit) 71, a vibration waveform recording memory 72, a reference waveform recording memory 73, a comparison circuit 74, a control circuit 75, a power supply 76, and the like. Has been.
ＲＦ通信回路７１は、無線通信を行うための回路であり、チップ５１から送信された振動波形データを無線で受信するものである。 The RF communication circuit 71 is a circuit for performing wireless communication, and receives the vibration waveform data transmitted from the chip 51 wirelessly.
振動波形記録用メモリ７２は、受信した振動波形データを保持するメモリである。 The vibration waveform recording memory 72 is a memory that holds received vibration waveform data.
基準波形記録用メモリ７３は、基準となる正常時の振動波形データを保持するメモリである。 The reference waveform recording memory 73 is a memory for holding normal vibration waveform data as a reference.
比較回路７４は、振動波形記録用メモリ７２に保存されている振動波形データと、基準波形記録用メモリ７３に保存されている基準振動波形データとを比較し、所定のしきい値を超えた場合にアラーム信号を発生する回路である。 The comparison circuit 74 compares the vibration waveform data stored in the vibration waveform recording memory 72 with the reference vibration waveform data stored in the reference waveform recording memory 73, and exceeds a predetermined threshold value. This circuit generates an alarm signal.
制御回路７５は、波形データの受信、波形データ比較の開始・終了、アラーム信号の発生などコントローラ１８全体の制御を行う回路である。 The control circuit 75 is a circuit that controls the entire controller 18 such as reception of waveform data, start / end of waveform data comparison, and generation of an alarm signal.
電源７６は、コントローラ１８の各回路に電源を供給するものであり、バッテリ（電池）などを含む。 The power supply 76 supplies power to each circuit of the controller 18, and includes a battery (battery).
また、コントローラ１８は、製造装置１０のロードポート１１上で、製造装置１０と情報の遣り取りを行う。例えば、測定された振動波形がしきい値を超えた値となった場合、アラーム信号を製造装置１０に送り、製造装置１０側でもアラームが表示される。 Further, the controller 18 exchanges information with the manufacturing apparatus 10 on the load port 11 of the manufacturing apparatus 10. For example, when the measured vibration waveform exceeds the threshold value, an alarm signal is sent to the manufacturing apparatus 10 and an alarm is also displayed on the manufacturing apparatus 10 side.
図８により、測定用ウエハ１７で測定したウエハ搬送時の振動波形データの一例を説明する。図８は、正常時の振動波形データである。横軸は時間、縦軸は振動の強さ（加速度）を示す。 With reference to FIG. 8, an example of vibration waveform data during wafer transfer measured with the measurement wafer 17 will be described. FIG. 8 shows normal vibration waveform data. The horizontal axis represents time, and the vertical axis represents vibration intensity (acceleration).
次に、図１及び図９により、本実施の形態による半導体装置の製造システムを利用した半導体装置の製造方法を説明する。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、自動で測定用ウエハ１７の搬送・振動測定、正常・異常の判断を行うものである。 Next, a semiconductor device manufacturing method using the semiconductor device manufacturing system according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment automatically carries the measurement wafer 17 for conveyance / vibration measurement and determines normality / abnormality.
まず、測定用ウエハ１７及びコントローラ１８を内蔵したＦＯＵＰ１６の着工指示をする。具体的には、端末装置を用いて入力してＩＤを指定する。 First, an instruction to start the FOUP 16 including the measurement wafer 17 and the controller 18 is given. Specifically, the ID is specified by inputting using the terminal device.
続いて、ＦＯＵＰ１６がロードポート１１に運ばれ、振動測定開始のスイッチがオンされる。 Subsequently, the FOUP 16 is carried to the load port 11 and the vibration measurement start switch is turned on.
搬送のみを行うレシピで、測定用ウエハ１７をＦＯＵＰ１６から取り出して、チャンバ１５へ搬送する。その際、振動センサ６１で検知した振動波形データを振動波形記録用メモリ６２に保存しながら搬送を行う。 In a recipe for carrying only, the measurement wafer 17 is taken out from the FOUP 16 and carried to the chamber 15. At that time, the vibration waveform data detected by the vibration sensor 61 is transported while being stored in the vibration waveform recording memory 62.
同様にして、測定用ウエハ１７をチャンバ１５から取り出して、ＦＯＵＰ１６内へ搬送する。製造装置１０内を搬送された測定用ウエハ１７がＦＯＵＰ１６内に戻る。 Similarly, the measurement wafer 17 is taken out from the chamber 15 and transferred into the FOUP 16. The measurement wafer 17 conveyed in the manufacturing apparatus 10 returns to the FOUP 16.
続いて、搬送中の振動データをコントローラ１８に取り込み振動波形記録用メモリ７２に保存する。コントローラ１８において、基準波形記録用メモリ７３内の基準波形データと比較を行い、測定した振動データがしきい値を超えている場合は、アラーム信号を製造装置１０に出す。コントローラ１８と製造装置１０との間の信号のやりとりは、ロードポート１１で行ってもよい。その場合、通信手段は、無線でも接触式でも光通信でもよい。 Subsequently, the vibration data being conveyed is taken into the controller 18 and stored in the vibration waveform recording memory 72. The controller 18 compares the reference waveform data in the reference waveform recording memory 73 and outputs an alarm signal to the manufacturing apparatus 10 when the measured vibration data exceeds the threshold value. Signal exchange between the controller 18 and the manufacturing apparatus 10 may be performed by the load port 11. In that case, the communication means may be wireless, contact type, or optical communication.
製造装置１０は、アラーム信号を受け、製造装置１０側でもアラームを出し自動的に停止する。停止は、人が確認してからでもよい。以上の搬送時の振動測定は、例えば、１日に１回行い、搬送機構のチェックを行う。そして、通常の半導体プロセスを実施し、半導体装置を製造する。 The manufacturing apparatus 10 receives the alarm signal and issues an alarm also on the manufacturing apparatus 10 side to automatically stop. The stop may be made after confirmation by a person. The above vibration measurement at the time of conveyance is performed once a day, for example, and the conveyance mechanism is checked. Then, a normal semiconductor process is performed to manufacture a semiconductor device.
図９により、コントローラ１８によるウエハ搬送時の異常検出方法を説明する。図９において、横軸は時間（秒）、縦軸は振動の強さ、すなわち加速度（Ｇ）を示す。また、一点鎖線及び実線は振動波形データを示し、一点鎖線は正常時の波形、実線は異常時の波形を示す。点線は、しきい値を示し、測定データがこのしきい値を超えた場合に、アラームを発生する。 With reference to FIG. 9, a method for detecting an abnormality during wafer transfer by the controller 18 will be described. In FIG. 9, the horizontal axis represents time (seconds), and the vertical axis represents the strength of vibration, that is, acceleration (G). Also, the alternate long and short dash line and the solid line indicate vibration waveform data, the alternate long and short dash line indicates a waveform when normal, and the solid line indicates a waveform when abnormal. The dotted line indicates a threshold value, and an alarm is generated when the measured data exceeds this threshold value.
したがって、本実施の形態に係る半導体装置の製造システム及び製造方法によれば、振動測定を簡便に行え、その結果をリアルタイムで製造装置にアラームとして挙げる事が可能となる。また、搬送系の調子が問題無いかを、簡便に確認できる。また、搬送系の位置ずれによるウエハへの衝撃が定期的に、簡単に測定でき、異常な状態で製品ウエハを処理する事が無くなるため、歩留向上、ウエハ割れ防止に有効である。 Therefore, according to the semiconductor device manufacturing system and the manufacturing method according to the present embodiment, vibration measurement can be easily performed, and the result can be given as an alarm to the manufacturing apparatus in real time. Further, it can be easily confirmed whether there is no problem in the condition of the transport system. Further, the impact on the wafer due to the displacement of the transfer system can be measured easily and regularly, and it is not necessary to process the product wafer in an abnormal state, which is effective in improving yield and preventing wafer cracking.
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
例えば、前記実施の形態においては、コントローラ１８をＦＯＵＰ１６内に設けた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ＦＯＵＰ１６の外、すなわち製造装置１０内、又は製造装置１０の外の端末装置に設けてもよい。 For example, in the above-described embodiment, the case where the controller 18 is provided in the FOUP 16 has been described. However, the present invention is not limited to this. The terminal is outside the FOUP 16, that is, inside the manufacturing apparatus 10 or outside the manufacturing apparatus 10. You may provide in an apparatus.
また、前記実施の形態においては、振動センサ６１を含むチップ５１を測定用ウエハ１７に取り付けた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、ロボットのハンドにチップ５１を取り付けて、搬送時の異常を検知してもよい。 In the above-described embodiment, the case where the chip 51 including the vibration sensor 61 is attached to the measurement wafer 17 has been described. However, the present invention is not limited to this. An abnormality in time may be detected.
以上の説明では、主として本発明者によってなされた発明を、その属する技術分野である半導体装置の製造工程におけるウエハに適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、液晶パネルなどに適用することも可能である。 In the above description, the case where the invention mainly made by the present inventor is applied to a wafer in a manufacturing process of a semiconductor device which is a technical field to which the present invention is applied has been described. However, the present invention is not limited to this. It is also possible to apply to.
本発明は、半導体装置の製造ラインについて適用可能である。 The present invention is applicable to a semiconductor device production line.
１０ 製造装置
１１，１１ａ，１１ｂ ロードポート
１２，１２ａ，１２ｂ ファクトリーインターフェイス（ＦＩ）ロボット
１３，１３ａ，１３ｂ ロードロック（Ｌ／Ｌ）
１４ 内部ロボット
１５，１５ａ，１５ｂ チャンバ
１７ 測定用ウエハ
１８ コントローラ
３２ ホイスト機構
４１ ＦＯＵＰシェル
４２ ＦＯＵＰドア
４３ マッシュルーム
４４ レジストレーションピン穴
４５ ラッチキー穴
４６ マニュアルハンド
４７ サイドレール
５１ チップ
６１ 振動センサ
６２，７２ 振動波形記録用メモリ
６３，７１ ＲＦ通信回路
６４，７５ 制御回路
６５，７６ 電源
７３ 基準波形記録用メモリ
７４ 比較回路
10 Manufacturing Equipment 11, 11a, 11b Load Ports 12, 12a, 12b Factory Interface (FI) Robots 13, 13a, 13b Load Lock (L / L)
14 Internal robot 15, 15 a, 15 b Chamber 17 Measuring wafer 18 Controller 32 Hoist mechanism 41 FOUP shell 42 FOUP door 43 Mushroom 44 Registration pin hole 45 Latch key hole 46 Manual hand 47 Side rail 51 Chip 61 Vibration sensor 62, 72 Vibration waveform Recording memory 63, 71 RF communication circuit 64, 75 Control circuit 65, 76 Power supply 73 Reference waveform recording memory 74 Comparison circuit
Claims (5)
前記第１の通信回路から送信されたデータを受信する第２の通信回路と、前記第２の通信回路で受信したデータと基準データとを比較する比較回路とを備えたコントローラと、
前記測定用ウエハを収容するウエハ容器とを有することを特徴とする半導体装置の製造システム。 A measurement wafer comprising a vibration sensor, a memory for holding data detected by the vibration sensor, and a first communication circuit for transmitting the data held in the memory;
A controller comprising: a second communication circuit that receives data transmitted from the first communication circuit; and a comparison circuit that compares the data received by the second communication circuit with reference data;
A semiconductor device manufacturing system comprising a wafer container for storing the measurement wafer.
前記第１の通信回路から前記第２の通信回路へのデータ送信は無線で行われることを特徴とする半導体装置の製造システム。 In the semiconductor device manufacturing system according to claim 1,
A system for manufacturing a semiconductor device, wherein data transmission from the first communication circuit to the second communication circuit is performed wirelessly.
前記コントローラは、前記比較回路による比較の結果、所定のしきい値を超えた場合にアラーム信号を発生することを特徴とする半導体装置の製造システム。 In the semiconductor device manufacturing system according to claim 1,
The semiconductor device manufacturing system, wherein the controller generates an alarm signal when a predetermined threshold value is exceeded as a result of the comparison by the comparison circuit.
前記コントローラは、前記ウエハ容器の内部に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造システム。 In the semiconductor device manufacturing system according to claim 1,
The semiconductor device manufacturing system, wherein the controller is provided inside the wafer container.
前記測定用ウエハを、前記振動センサで検知したデータを前記メモリに保存しながら、前記処理室内から前記ウエハ容器内へ搬送する第２の搬送工程と、
前記メモリに保存された搬送中の振動データを、無線通信により、前記ウエハ容器内に設けられたコントローラに取り込む工程と、
前記コントローラが取り込んだ前記搬送中の振動データと基準データとを比較する工程とを有し、
前記比較の結果、所定のしきい値を超えた場合にアラームを発生することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A measurement wafer having a vibration sensor and a memory for holding data detected by the vibration sensor is first transferred from the wafer container to the processing chamber while storing the data detected by the vibration sensor in the memory. The transport process of
A second transfer step of transferring the measurement wafer from the processing chamber into the wafer container while storing the data detected by the vibration sensor in the memory;
Capturing vibration data during transfer stored in the memory into a controller provided in the wafer container by wireless communication;
A step of comparing the vibration data being transferred and the reference data captured by the controller;
As a result of the comparison, an alarm is generated when a predetermined threshold value is exceeded.
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