KR20050025389A - Etching apparatus being capable of detecting residue of usashed photoresist at the cooldown and method of detecting residue of usashed photoresist using the same - Google Patents

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Abstract

A bit of etching equipment and a method of detecting residual photoresist using the same are provided to detect ashing failure of photoresist in real time before unloading a wafer from the equipment itself by using sensors of a cooling chamber. A bit of etching equipment includes an etching chamber, a photoresist strip chamber, and a cooling chamber. The cooling chamber(300) is used for cooling a wafer, wherein the wafer is transferred from the photoresist strip chamber. The cooling chamber includes a plurality of sensors(201,202,203) capable of detecting indirectly residual photoresist from the wafer.

Description

냉각 챔버에서 언애슁된 포토레지스트의 잔류를 감지할 수 있는 식각 장비 및 이를 이용한 포토레지스트의 잔류물 감지 방법.{Etching apparatus being capable of detecting residue of usashed photoresist at the cooldown and method of detecting residue of usashed photoresist using the same}Etching apparatus being capable of detecting residue of usashed photoresist at the cooldown and method of detecting residue of usashed photoresist using the same}

본 발명은 반도체 소자 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 다수의 챔버들로 구성되고 냉각 챔버(cooldown chamber)에서 이전 단계의 포토레지스트(PR:PhotoResist) 스트립(strip) 챔버에서 언애슁(unashing)된 포토레지스트의 잔류를 감지할 수 있는 식각 장비 및 이를 이용한 포토레지스트 잔류 감지 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to semiconductor device manufacturing equipment, and more particularly, to a photo consisting of a plurality of chambers and unashed in a previous photoresist (PR) strip chamber in a cooldown chamber. The present invention relates to an etching apparatus capable of detecting a residual of a resist and a photoresist residual sensing method using the same.

반도체 소자 제조 과정에서 사용되는 식각 장비들 중 금속층을 식각하는 금속 식각 장비는 알루미늄(Al) 막질이나 텅스텐(W) 막질 등과 같은 금속층을 패터닝하는 데 사용되며, 다수의 일련된 챔버들로 구성되고 있다. 이러한 일련된 챔버들은 각각 금속층 식각을 위한 금속 식각 챔버, 금속층 식각을 위해 도입된 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)을 제거하기 위한 포토레지스트 스트립(PR strip) 챔버, 및 냉각 챔버(cool down chamber)들이 웨이퍼(wafer)의 이송을 위한 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)를 중심으로 배치된 형태로 구성된다. Among the etching equipments used in the semiconductor device manufacturing process, the metal etching equipment is used to pattern a metal layer such as aluminum (Al) film or tungsten (W) film, and is composed of a plurality of series chambers. . Each of these series of chambers is a metal etching chamber for metal layer etching, a photoresist strip (PR strip) chamber for removing the photoresist pattern introduced for metal layer etching, and cool down chambers for wafers. It is configured in the form disposed around the transfer chamber (transfer chamber) for the transfer of (wafer).

도 1은 전형적인 금속 식각 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a schematic diagram illustrating a typical metal etching equipment.

도 1을 참조하면, 전형적인 금속 식각 장비는 트랜스퍼 챔버(10)를 중심으로 로드락 챔버(loadlock chamber:21, 25), 웨이퍼 오리엔터 챔버(wafer orienter chamber:30), 금속 식각 챔버(31, 35), PR 스트립 챔버(41, 45) 및 냉각 챔버(50)가 일련되게 설치되어 구성된다. Referring to FIG. 1, typical metal etching equipment includes loadlock chambers 21 and 25, wafer orienter chamber 30, and metal etching chambers 31 and 35 around the transfer chamber 10. ), The PR strip chambers 41 and 45 and the cooling chamber 50 are installed in series.

도 2a 및 도 2b는 도 1의 금속 식각 장비의 PR 스트립 챔버에서 PR 언애슁(unashing)이 발생하는 것을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다. 2A and 2B are schematic views illustrating PR unashing in the PR strip chamber of the metal etching equipment of FIG. 1.

도 2a 및 2b를 참조하면, 금속층의 식각이 금속 식각 챔버(도 1의 31, 35)에서 수행된 후, 공정 수행된 웨이퍼는 PR 스트립 챔버(41, 45)로 이송되어, PR 스트립(또는 PR 애슁(ashing)) 과정을 수행받게 된다. 2A and 2B, after etching of the metal layer is performed in the metal etching chamber (31, 35 of FIG. 1), the processed wafer is transferred to the PR strip chamber 41, 45, whereby the PR strip (or PR Ashing process is performed.

PR 스트립이 정상적으로 수행되기 위해서는, 도 2a에 제시된 바와 같이 PR 스트립 챔버(41 또는 45)의 웨이퍼 지지부(70), 즉, 척(chuck) 상에 웨이퍼(60)가 정확한 위치에 올려져야 한다. 이때, 척(70) 주위에는 가이드(guide:80)이 도입된 상태일 수 있다. In order for the PR strip to perform normally, the wafer 60 must be placed in the correct position on the wafer support 70, ie chuck, of the PR strip chamber 41 or 45 as shown in FIG. 2A. In this case, a guide 80 may be introduced around the chuck 70.

그런데, 웨이퍼 지지부(70) 상에 웨이퍼(60)가 도 2b에 제시된 바와 같이 비정상적으로 올려질 경우, 즉, 도 2a의"A" 부에 표시된 바와 같이 웨이퍼(60)가 웨이퍼 지지부(70)에서 이탈된 위치에 도입될 경우, PR 스트립이 정상적으로 수행되기 어렵다. 이러한 웨이퍼(60)의 오정렬(misalign) 불량은 식각 공정 후의 웨이퍼 스티킹(wafer sticking), 로봇 캘리브레이션(robot calibration) 불량 및 로봇 바이브레이션(robot vibration), PR 스트립 챔버(41 또는 45)에 웨이퍼(60)를 로딩할 때의 스티킹 및 슬라이딩(sliding) 등으로 발생될 수 있다. By the way, when the wafer 60 is abnormally raised on the wafer support 70 as shown in FIG. 2B, that is, the wafer 60 is removed from the wafer support 70 as indicated in the "A" section of FIG. 2A. When introduced into the displaced position, the PR strip is difficult to perform normally. Such misalignment of the wafer 60 may be caused by wafer sticking after the etching process, robot calibration failure and robot vibration, and the wafer 60 in the PR strip chamber 41 or 45. ) May occur due to sticking, sliding, and the like when loading.

이에 따라, 웨이퍼(60) 상에는 잔류 PR이 발생하게 된다. 즉, PR 스트립은 웨이퍼(60) 상에 산소 플라즈마(plasma) 및 질소 플라즈마를 도입하고, 웨이퍼(60)의 후면을 가열함으로써 수행되는 데, 도 2b에 제시된 바와 같이 웨이퍼(60)가 웨이퍼 지지부(70)인 척 상에서 벗어나면, 가열이 효과적으로 수행되지 않게 된다. 이에 따라, PR이 제거되기에 충분한 가열이 이루어지지 않아 잔류 PR이 웨이퍼(60) 상에 잔류되게 된다. As a result, residual PR is generated on the wafer 60. That is, the PR strip is performed by introducing an oxygen plasma and a nitrogen plasma onto the wafer 60 and heating the rear surface of the wafer 60. As shown in FIG. 70) off the chuck, the heating is not performed effectively. As a result, sufficient heating is not performed to remove the PR so that the remaining PR remains on the wafer 60.

이와 같이 PR 잔류가 발생하더라도 이를 감지하는 것은 웨이퍼를 금속 식각 장비로부터 언로딩(unloading)한 후에야 관찰할 수 있다. 금속 식각 장비 내에 웨이퍼가 장착된 상태에서도 이러한 PR 잔류를 감지하는 것이 이러한 PR 잔류 불량 발생에 대응하는 데 보다 유리하다. 이는 금속 식각 장비가 연속적으로 다수의 웨이퍼들을 계속 처리하기 때문에, 실시간으로 이러한 PR 잔류와 같은 PR 언애슁 불량을 발생하는 것이 후속 처리되는 웨이퍼에서의 불량 발생을 방지하는 데 효과적이기 때문이다. The detection of PR residuals as such may only be observed after unloading the wafer from the metal etching equipment. Even when the wafer is mounted in the metal etching equipment, it is more advantageous to detect such PR residual defects. This is because since the metal etching equipment continues to process multiple wafers in succession, generating PR tearing defects such as PR residuals in real time is effective in preventing the occurrence of defects in subsequent processed wafers.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 포토레지스트 애슁에 관한 불량 발생을 웨이퍼가 식각 장비에서 언로딩되기 이전에 실시간으로 감지할 수 있는 식각 장비를 제공하는 데 있다. An object of the present invention is to provide an etching apparatus capable of detecting a defect in a photoresist ashing in real time before the wafer is unloaded from the etching apparatus.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 관점에 따른 식각 장비는, 웨이퍼에 식각 공정이 수행되는 식각 챔버(etch chamber)와, 상기 식각 챔버에 일련되게 설치되고 포토레지스트 패턴을 제거하는 포토레지스트 스트립 챔버(photoresist strip chamber), 및 상기 포토레지스트 스트립 챔버로부터 웨이퍼의 이송을 받아 상기 웨이퍼의 온도를 냉각시키고 상기 이송된 웨이퍼의 정렬 상태로부터 상기 포토레지스트 스트립 챔버에서의 포토레지스트 제거 상태를 간접적으로 알려주기 위해 상기 웨이퍼의 정렬 상태를 감지하는 센서를 포함하는 냉각 챔버를 포함하여 구성될 수 있다.In order to achieve the above technical problem, an etching apparatus according to an aspect of the present invention, an etch chamber (etch chamber) in which an etching process is performed on a wafer, a photoresist that is installed in series in the etching chamber and removes the photoresist pattern A photoresist strip chamber and a wafer are transferred from the photoresist strip chamber to cool the temperature of the wafer and indirectly inform the photoresist removal state of the photoresist strip chamber from the alignment of the transferred wafer. It may be configured to include a cooling chamber including a sensor for sensing the alignment of the wafer to cycle.

여기서, 상기 냉각 챔버는 상기 웨이퍼가 이송되는 몸체와, 상기 몸체를 상부에 도입된 투명 리드(lid), 및 상기 리드 상에 도입되어 상기 웨이퍼의 정렬 상태를 감지하는 상기 센서를 포함하여 구성될 수 있다. Here, the cooling chamber may include a body to which the wafer is transferred, a transparent lid introduced to the body, and the sensor introduced on the lead to sense an alignment state of the wafer. have.

이때, 상기 센서는 상기 웨이퍼가 정상적으로 정렬 도입되었을 때 상기 웨이퍼의 테두리 바깥 인근 위치에 감지를 위한 레이저(laser) 광을 조사하는 레이저 센서일 수 있다. In this case, the sensor may be a laser sensor for irradiating a laser (laser) light for detection to a position near the outside of the edge of the wafer when the wafer is normally aligned introduced.

상기 레이저 센서는 상호 간에 대략 120° 각도로 도입된 것일 수 있다. The laser sensors may be introduced at approximately 120 ° angles to each other.

상기 식각 장비는 상기 센서의 감지 신호에 의해서 작동되는 인터락(interlock)을 더 포함하여 구성될 수 있다. The etching equipment may further include an interlock operated by the sensing signal of the sensor.

또한, 상기 식각 장비는 상기 리드의 열림을 감지하여 상기 인터락을 작동하도록 감지 신호를 전달하는 챔버 리드 열림 감지 센서를 더 포함하여 구성될 수 있다. In addition, the etching equipment may further comprise a chamber lid open detection sensor for transmitting a detection signal to detect the opening of the lid to operate the interlock.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 관점은 웨이퍼에 식각 공정이 수행되는 식각 챔버(etch chamber), 상기 식각 챔버에 일련되게 설치되고 포토레지스트 패턴을 제거하는 포토레지스트 스트립 챔버(photoresist strip chamber), 및 상기 포토레지스트 스트립 챔버로부터 웨이퍼의 이송을 받아 상기 웨이퍼의 온도를 냉각시키는 냉각 챔버를 포함하여 구성되는 식각 장비에서, 상기 냉각 챔버로 이송된 웨이퍼의 정렬 상태를 감지하여 상기 웨이퍼의 정렬 상태가 오정렬 상태일 경우 상기 포토레지스트 스트립 챔버에서의 포토레지스트 제거에 불량이 발생한 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 잔류물 감지 방법을 제공할 수 있다. Another aspect of the present invention for achieving the above technical problem is an etch chamber (etch chamber) in which an etching process is performed on a wafer, a photoresist strip chamber is installed in series in the etching chamber and remove the photoresist pattern And a cooling chamber receiving the transfer of the wafer from the photoresist strip chamber to cool the temperature of the wafer, wherein the alignment state of the wafer is detected by detecting an alignment state of the wafer transferred to the cooling chamber. When the misaligned state can provide a photoresist residue detection method, characterized in that it is determined that a defect has occurred in the removal of the photoresist in the photoresist strip chamber.

본 발명에 따르면, 포토레지스트 애슁에 관한 불량 발생을 웨이퍼가 식각 장비에서 언로딩되기 이전에 실시간으로 감지할 수 있는 식각 장비를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an etching apparatus capable of detecting a defect occurrence related to a photoresist ashing in real time before the wafer is unloaded from the etching apparatus.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시예에서는 식각 장비를 구성하는 일련의 챔버들 중에 웨이퍼의 냉각을 위한 냉각 챔버에 웨이퍼의 슬라이딩을 감지하는 슬라이딩 감지 센서(sliding detecting sensor)를 설치함으로써, 냉각 챔버 이전의 포토레지스트 스트립 챔버에서 웨이퍼가 오정렬된 상태를 감지함으로써, 간접적으로 웨이퍼 상에 PR 잔류가 발생하는 것을 웨이퍼가 식각 장비에서 언로딩되기 이전에 실시간으로 감지하는 바를 제시한다. In the embodiment of the present invention, by installing a sliding detecting sensor for detecting the sliding of the wafer in the cooling chamber for cooling the wafer among a series of chambers constituting the etching equipment, the photoresist strip chamber before the cooling chamber By detecting the misalignment state of the wafer, we present in real time the indirect occurrence of PR residues on the wafer before the wafer is unloaded from the etching equipment.

본 발명의 실시예에서의 식각 장비의 구성은 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 다수의 일련된 챔버들, 즉, 트랜스퍼 챔버(도 1의 10)를 중심으로 로드락 챔버(도 1의 21, 25), 웨이퍼 오리엔터 챔버(도 1의 30), 금속 식각 챔버(31, 35), PR 스트립 챔버(41, 45) 및 냉각 챔버가 일련되게 설치되어 기본적으로 구성된다. 그럼에도 불구하고, 냉각 챔버의 구성은 전형적인 챔버 구성과 달리 새로이 구성된다. The configuration of the etching equipment in the embodiment of the present invention is a load lock chamber (21, 25 of FIG. 1 around the plurality of series chambers, that is, the transfer chamber (10 in FIG. 1) as described with reference to FIG. ), The wafer orient chamber (30 in FIG. 1), the metal etching chambers 31 and 35, the PR strip chambers 41 and 45, and the cooling chambers are installed in series and basically constituted. Nevertheless, the configuration of the cooling chamber is newly constructed unlike the typical chamber configuration.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 의한 식각 장비의 냉각 챔버의 구성을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다. 3A to 3E are schematic views illustrating a configuration of a cooling chamber of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3a를 참조하면, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 일련된 다수의 챔버들, 즉, 트랜스퍼 챔버(도 1의 10)를 중심으로 로드락 챔버(도 1의 21, 25), 웨이퍼 오리엔터 챔버(도 1의 30), 금속 식각 챔버(31, 35), PR 스트립 챔버(41, 45) 및 냉각 챔버로 기본적으로 구성되는 식각 장비의 냉각 챔버(도 3a의 300)에 웨이퍼(100) 정렬 상태를 감지하는 센서(200)를 설치한다. Referring to FIG. 3A, a load lock chamber (21 and 25 in FIG. 1) and a wafer orient chamber are centered around a plurality of chambers as described with reference to FIG. 1, that is, the transfer chamber (10 in FIG. 1). (30 in FIG. 1), the wafer 100 is aligned with the cooling chamber (300 in FIG. 3A) of the etching equipment basically composed of the metal etching chambers 31 and 35, the PR strip chambers 41 and 45, and the cooling chamber. Install the sensor 200 to detect.

구체적으로, 냉각 챔버(300)는 도 1에 제시된 바와 같이 PR 스트립 챔버(도 1의 50)로부터 이송되는 웨이퍼(100)가 장착되어 웨이퍼(100)의 온도가 냉각되는 장소를 제공한다. 이때, 냉각 챔버(300)는 그 몸체 상에 상부 리드(310)가 투명하게 도입되고, 상부 리드(310) 상에 도 3a 및 도 3b, 도 3c에 제시된 바와 같이 웨이퍼(100)의 정렬 상태를 감지하기 위한 센서(200)들이 설치된다. 이러한 센서(200)는 제1, 제2 및 제3 센서들(201, 202, 203)의 세 개의 레이저 센서(laser sensor)로서 도입될 수 있고, 이러한 레이저 센서들(201, 202, 203) 각각은 웨이퍼(100)가 정상적으로 도입될 때의 웨이퍼(100) 테두리 바깥 인근에 정렬되게 도입된다. Specifically, the cooling chamber 300 is equipped with a wafer 100 transferred from the PR strip chamber (50 in FIG. 1) as shown in FIG. 1 to provide a place where the temperature of the wafer 100 is cooled. At this time, the upper chamber 310 is transparently introduced into the cooling chamber 300, and the alignment state of the wafer 100 is shown on the upper lid 310 as shown in FIGS. 3A, 3B, and 3C. Sensors 200 for sensing are installed. This sensor 200 may be introduced as three laser sensors of the first, second and third sensors 201, 202, 203, each of these laser sensors 201, 202, 203. The silver is introduced to be aligned near the outer edge of the wafer 100 when the wafer 100 is normally introduced.

이러한 레이저 센서들(201, 202, 203)들은 투명한 챔버 리드(310)를 통해 챔버(300) 내부에 장착되는 웨이퍼(300)의 정렬 상태를 레이저의 조사를 통해서 감지하게 된다. 이러한 레이저 센서들(201, 202, 203)들의 감지 작동은 도 3d 및 도 3e에 도시된 바와 같이 설명될 수 있다. These laser sensors 201, 202, and 203 detect the alignment of the wafer 300 mounted inside the chamber 300 through the transparent chamber lid 310 through irradiation of a laser. The sensing operation of these laser sensors 201, 202, 203 can be described as shown in FIGS. 3D and 3E.

즉, 레이저 센서(201, 202, 203)는 가이드(340)를 수반하여 도입되는 웨이퍼 지지부(330), 즉, 척 상에 웨이퍼(100)가 정상적으로 도입될 때, 웨이퍼(100)의 테두리에 인근하는 바깥 위치에 레이저가 조사되도록 설치된다. 따라서, 도 3d에 제시된 바와 같이 웨이퍼(100)가 정상적으로 도입된 경우에는 레이저 센서(201, 202, 203)에 의해 조사되는 레이저 광은 웨이퍼(100)에 의해서 반사되지 않으므로, 레이저 센서(201, 202, 203)는 정상 상태로 판단하게 된다. That is, the laser sensors 201, 202, and 203 are located near the edge of the wafer 100 when the wafer 100 is normally introduced onto the wafer support 330, that is, introduced with the guide 340. It is installed so that the laser is irradiated to the outside position. Therefore, when the wafer 100 is normally introduced as shown in FIG. 3D, the laser light irradiated by the laser sensors 201, 202, and 203 is not reflected by the wafer 100, and thus, the laser sensors 201 and 202. , 203 is determined to be in a normal state.

그런데, 도 4b에 제시된 바와 같이 웨이퍼(100)가 슬라이딩 되었을 때, 조사되는 레이저 광은 웨이퍼(100) 경면에 반사되게 되며, 이러한 반사광은 레이저 센서(201, 202, 203)가 감지하게 되어, 웨이퍼(100)가 슬라이딩 되었음을 감지하게 된다. However, as shown in FIG. 4B, when the wafer 100 is slid, the irradiated laser light is reflected on the mirror surface of the wafer 100, and the reflected light is detected by the laser sensors 201, 202, and 203, and the wafer It is detected that the 100 is sliding.

이러한 웨이퍼(100)의 슬라이드 발생의 감지로부터 웨이퍼(100) 상에 PR이 잔류함을 감지할 수 있다. 도 1을 다시 참조하면, 금속 식각 과정에서의 공정 단계에 따른 웨이퍼(100)의 이송은 금속 식각 챔버(31)로부터 PR 스트립 챔버(41)를 거쳐 냉각 챔버(50)로 이루어지게 된다. 즉, 냉각 챔버(300eh 3a)에 이송되는 웨이퍼(100)는 그 전에 PR 스트립 챔버(41 또는 45)를 거치게 된다. From the detection of the slide occurrence of the wafer 100, it is possible to detect that the PR remains on the wafer 100. Referring back to FIG. 1, the transfer of the wafer 100 according to the process step in the metal etching process is performed from the metal etching chamber 31 to the cooling chamber 50 via the PR strip chamber 41. That is, the wafer 100 transferred to the cooling chamber 300eh 3a passes through the PR strip chamber 41 or 45 before that.

한편, PR 스트립 챔버(41 또는 45)에서 PR 잔류가 발생한 웨이퍼(100)는 앞서 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이 웨이퍼(도 2b의 60)의 슬라이딩 현상(도 2b의 A)에 수반되게 된다. 그런데, 이러한 슬라이딩 현상(A)을 일으킨 웨이퍼(60)는 그 다음 단계인 냉각 챔버(도 3a의 300)에 장입될 때도 역시 슬라이딩된 상태로 장입되게 된다. 따라서, 도 3e에 제시된 바와 같이 웨이퍼(100)가 슬라이딩된 상태로 웨이퍼 지지부(330)에 장착되게 된다. 이는 웨이퍼(100)를 이송하는 로봇(도시되지 않음) 웨이퍼(100)의 위치 상태 그대로 다음 챔버들로 웨이퍼(100)를 이전시키기 때문이다. On the other hand, the wafer 100 in which PR residual occurs in the PR strip chamber 41 or 45 is accompanied by the sliding phenomenon (A in FIG. 2B) of the wafer (60 in FIG. 2B) as described above with reference to FIG. 2B. However, when the wafer 60 causing such a sliding phenomenon A is charged in the next step, the cooling chamber 300 (in FIG. 3A), the wafer 60 is loaded in the sliding state. Thus, as shown in FIG. 3E, the wafer 100 is mounted on the wafer support 330 in a sliding state. This is because the robot 100 (not shown) that transfers the wafer 100 transfers the wafer 100 to the following chambers as it is.

따라서, 냉각 챔버(300)에서 웨이퍼(100)가 장착되는 상태를 측정하면, 그 이전 단계에서의 웨이퍼(도 2b의 60)의 위치 상태를 알 수 있게 된다. 도 2b를 참조하여 설명한 바와 같이 PR 잔류물의 발생은 PR 스트립 챔버(도 1의 41)에서의 웨이퍼(도 2b의 60)의 상태에 크게 의존하고 있으므로, 상기한 바와 같은 이전 PR 스트립 챔버(41)에서의 웨이퍼(60) 위치를 판단함으로써, 웨이퍼(100) 상에 PR 잔류물이 발생하였는 지를 간접적으로 파악할 수 있게 된다. Therefore, when the state in which the wafer 100 is mounted in the cooling chamber 300 is measured, the position state of the wafer (60 in FIG. 2B) in the previous step can be known. As described with reference to FIG. 2B, the generation of PR residues is highly dependent on the state of the wafer (60 in FIG. 2B) in the PR strip chamber (41 in FIG. 1), and thus the previous PR strip chamber 41 as described above. By determining the position of the wafer 60 at, it is possible to indirectly determine whether a PR residue has occurred on the wafer 100.

한편, 이와 같이 냉각 챔버(도 3a의 310)에 장입된 웨이퍼(100)의 위치 상태로부터 PR 잔류물의 존재 여부를 감지하면, 이를 바로 작업자나 식각 장비 제어부에 알리도록 하여야 한다. 이를 위해서, 레이저 센서들(201, 202, 203)들의 감지 신호는 도 3a에 제시된 바와 같이 챔버 리드 열림 감지 센서(250)와 연동되게 연결시켜, 결국, 레이저 센서들(201, 202, 203)의 웨이퍼(100) 오정렬 감지로서 인터락(interlock:270)d이 작동되도록 유도한다. On the other hand, if it detects the presence of the PR residue from the position of the wafer 100 charged in the cooling chamber (310 of FIG. 3a) in this way, it should be notified immediately to the operator or the etching equipment controller. To this end, the detection signals of the laser sensors 201, 202, 203 are connected in cooperation with the chamber lid open detection sensor 250 as shown in FIG. 3A, which in turn results in the laser sensors 201, 202, 203 of the laser sensors 201, 202, 203. Interlock 270 d is triggered as wafer 100 misalignment detection.

한편, 챔버 리드 열림 감지 센서(250)는 구체적으로 도 3c에 제시된 바와 같이 챔버 리드 지지부(350)에 설치된다. 챔버 리드(310)는 챔버 리드 지지부(350)의 상하 이동에 의해서 열리거나 닫히게 되는 데, 이때, 챔버 리드 열림 감지 센서(250)가 이러한 챔버 리드 지지부(350)의 동작 상태를 감지하게 된다. 따라서, 챔버 리드 열림 감지 센서(250)는 챔버 리드(310)가 완전히 닫히는 위치를 감지하여, 이러한 위치 감지가 실패할 경우 인터락(270)에 감지 신호를 전달하여 인터락이 발생되게 한다. On the other hand, the chamber lid open detection sensor 250 is specifically installed in the chamber lid support 350 as shown in Figure 3c. The chamber lid 310 is opened or closed by the vertical movement of the chamber lid supporter 350. At this time, the chamber lid open detection sensor 250 detects the operation state of the chamber lid supporter 350. Therefore, the chamber lid open detection sensor 250 detects a position where the chamber lid 310 is completely closed, and when the position detection fails, the chamber lid open detection sensor 250 transmits a detection signal to the interlock 270 to generate an interlock.

이러한 인터락(270)에 레이저 센서들(201, 202, 203)의 감지 신호를 전달하게 함으로써, 레이저 센서들(201, 202, 203)들의 웨이퍼(100) 오정렬 감지 시에 인터락이 발생되도록 하여 웨이퍼(100)의 오정렬 발생을 실시간으로 작업자에게 알릴 수 있다. 인터락의 발생은 곧 전체 식각 장비의 가동 중단을 일으키고, 작업자는 이러한 인터락의 발생을 조사함으로써, PR 잔류물의 발생을 간접적으로 실시간으로 알 수 있게 된다. 작업자는 이에 따라 스트립 공정 중 웨이퍼(100) 오정렬을 감지하여 이에 실시간으로 대응할 수 있게 된다. By transmitting a detection signal of the laser sensors 201, 202, and 203 to the interlock 270, an interlock is generated when the wafer 100 misalignment of the laser sensors 201, 202, and 203 is detected. The occurrence of misalignment of 100 may be notified to the worker in real time. The occurrence of an interlock soon leads to the shutdown of the entire etching equipment, and the operator can indirectly know in real time the occurrence of PR residues by investigating the occurrence of this interlock. Accordingly, the operator can detect misalignment of the wafer 100 during the stripping process and respond in real time thereto.

한편, 레이저 센서들(201, 202, 203)은 적어도 세 개가 서로 일정한 각도, 예컨대, 120°의 각도로 도입되는 데, 이는 평면 상의 모든 방향으로의 웨이퍼(100)의 이탈, 즉, 슬라이딩을 감지하기 위해서이다. 따라서, 어느 하나의 레이저 센서(201, 202, 203) 로부터의 웨이퍼 오정렬 감지 신호는 바로 인터락(270)에 전달되어 인터락을 발생시키도록 경보 체계를 구성하는 것이 바람직하다. On the other hand, at least three laser sensors 201, 202, 203 are introduced at a constant angle, for example, at an angle of 120 °, which detects deviation of the wafer 100 in all directions on the plane, that is, sliding. To do that. Accordingly, it is desirable to configure an alerting system so that the wafer misalignment detection signal from any one of the laser sensors 201, 202, and 203 is transferred directly to the interlock 270 to generate an interlock.

도 4는 본 발명의 실시예에 의한 식각 장비에서의 인터락 구성을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 실시예에 의한 식각 장비에서의 인터락 구성을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 회로도이다. 4 is a view schematically illustrating an interlock configuration in an etching apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a schematic view illustrating an interlock configuration in an etching apparatus according to an embodiment of the present invention. The circuit diagram shown in FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제1센서(201), 제2센서(202)와 제3센서(203) OR 게이트(410)에 의해서 취합된다. 즉, 어느 하나의 센서로부터의 감지 신호에 의해서도 감지 신호는 인터락(270)에 전달되게 된다. 그리고, 이러한 센서들(201, 202, 203)로부터의 신호와 챔버 리드 열림 감지 센서(250), 즉, 리드 스위치(lid switch)는 직렬로 단락되게 된다. 따라서, 이러한 조건이 만족할 때 출력이 발생하도록 인터락(270)을 구성할 수 있다. 이러한 구성에는 AND 게이트(430)가 도입될 수 있다. 또한, 레이저 센서들(201, 202, 203)로부터 신호 전달을 위한 입력 인터페이스(input interface:450)dl 도입될 수 있다. 이러한 신호들은 파워(275)를 통제하는 인터락(270)에 전달되고, 인터락(270)은 인터락 릴레이(interlock relay:271)로서 파워(275)를 통제하게 된다. 인터락 릴레이(271)는 노멀 닫힘 릴레이(normal close relay)로 상태로 유지된다. 4 and 5, the first sensor 201, the second sensor 202, and the third sensor 203 are collected by the OR gate 410. That is, the sensing signal is transmitted to the interlock 270 by the sensing signal from any one sensor. In addition, the signals from the sensors 201, 202, and 203 and the chamber lid open detection sensor 250, that is, the lid switch are shorted in series. Therefore, the interlock 270 can be configured to generate an output when such a condition is satisfied. In this configuration, an AND gate 430 may be introduced. In addition, an input interface 450 may be introduced for signal transmission from the laser sensors 201, 202, and 203. These signals are passed to an interlock 270 that controls power 275, which interlock 270 controls power 275 as an interlock relay 271. Interlock relay 271 is maintained in a state as a normal close relay.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능한 것으로 이해되어야 함이 명백하다.As mentioned above, the present invention has been described in detail through specific embodiments, but the present invention is not limited thereto, and it should be understood that modifications and improvements are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention. This is obvious.

본 발명에 따르면, 냉각 챔버에 도입되는 웨이퍼의 정렬 상태를 감지함으로써, 냉각 챔버 이전의 포토레지스트 스트립 챔버에서의 웨이퍼의 정렬 상태를 감지할 수 있다. 이에 따라, 포토레지스트 스트립 챔버에서의 웨이퍼 오정렬에 의해서 포토레지스트 잔류물이 발생하는 것을 냉각 챔버에서의 웨이퍼 오정렬 감지로서 간접적으로 감지할 수 있다. 따라서, 포토레지스트 잔류가 발생할 때, 포토레지스트 잔류가 발생된 웨이퍼가 식각 장비로부터 언로딩되기 이전에 포토레지스트 잔류를 실시간으로 감지할 수 있다. 이에 따라, 작업자의 대응이 실시간으로 이루어질 수 있다. According to the present invention, by detecting the alignment state of the wafer introduced into the cooling chamber, it is possible to detect the alignment state of the wafer in the photoresist strip chamber before the cooling chamber. Accordingly, generation of photoresist residues due to wafer misalignment in the photoresist strip chamber can be indirectly detected as wafer misalignment detection in the cooling chamber. Thus, when photoresist residue occurs, the photoresist residue may be detected in real time before the wafer on which the photoresist residue occurs is unloaded from the etching equipment. Accordingly, the operator's response can be made in real time.

도 1은 전형적인 금속 식각 장비를 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a schematic diagram illustrating a typical metal etching equipment.

도 2a 및 도 2b는 도 1의 금속 식각 장비의 포토레지스트 스트립 챔버에서 포토레지스트 언애슁(unashing)이 발생하는 것을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다. 2A and 2B are schematic views illustrating a photoresist unashing occurring in the photoresist strip chamber of the metal etching apparatus of FIG. 1.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 의한 식각 장비의 냉각 챔버의 구성을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다. 3A to 3E are schematic views illustrating a configuration of a cooling chamber of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 의한 식각 장비에서의 인터락 구성을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 4 is a diagram schematically illustrating an interlock configuration in an etching apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 식각 장비에서의 인터락 구성을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 회로도이다. FIG. 5 is a circuit diagram schematically illustrating an interlock configuration in an etching apparatus according to an embodiment of the present invention.

Claims (7)

웨이퍼에 식각 공정이 수행되는 식각 챔버(etch chamber);An etch chamber in which an etching process is performed on the wafer; 상기 식각 챔버에 일련되게 설치되고 포토레지스트 패턴을 제거하는 포토레지스트 스트립 챔버(photoresist strip chamber); 및A photoresist strip chamber installed in the etching chamber in series and removing the photoresist pattern; And 상기 포토레지스트 스트립 챔버로부터 웨이퍼의 이송을 받아 상기 웨이퍼의 온도를 냉각시키고 상기 이송된 웨이퍼의 정렬 상태로부터 상기 포토레지스트 스트립 챔버에서의 포토레지스트 제거 상태를 간접적으로 알려주기 위해 상기 웨이퍼의 정렬 상태를 감지하는 센서를 포함하는 냉각 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장비. The wafer is transferred from the photoresist strip chamber to cool the temperature of the wafer and sense the alignment of the wafer to indirectly inform the photoresist removal status of the photoresist strip chamber from the alignment of the transferred wafer. Etching equipment comprising a cooling chamber comprising a sensor. 제1항에 있어서, 상기 냉각 챔버는 The method of claim 1, wherein the cooling chamber is 상기 웨이퍼가 이송되는 몸체;A body to which the wafer is transferred; 상기 몸체를 상부에 도입된 투명 리드(lid); 및A transparent lid introduced at the top of the body; And 상기 리드 상에 도입되어 상기 웨이퍼의 정렬 상태를 감지하는 상기 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장비.And the sensor introduced on the lead to sense an alignment of the wafer. 제2항에 있어서, 상기 센서는 The method of claim 2, wherein the sensor 상기 웨이퍼가 정상적으로 정렬 도입되었을 때 상기 웨이퍼의 테두리 바깥 인근 위치에 감지를 위한 레이저(laser) 광을 조사하는 레이저 센서인 것을 특징으로 하는 식각 장비.Etching equipment, characterized in that the laser sensor for irradiating a laser (laser) light for detection to a position near the outside of the edge of the wafer when the wafer is normally aligned introduced. 제3항에 있어서, 상기 레이저 센서는 The method of claim 3, wherein the laser sensor 상호 간에 대략 120° 각도로 도입된 것을 특징으로 하는 식각 장비.Etching equipment, characterized in that introduced at approximately 120 ° angle to each other. 제2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 센서의 감지 신호에 의해서 작동되는 인터락(interlock)을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장비.Etching equipment, characterized in that it comprises an interlock (operating) by the sensing signal of the sensor. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 리드의 열림을 감지하여 상기 인터락을 작동하도록 감지 신호를 전달하는 챔버 리드 열림 감지 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 장비.Etching equipment further comprises a chamber lid open detection sensor for detecting the opening of the lid to transmit a detection signal to operate the interlock. 웨이퍼에 식각 공정이 수행되는 식각 챔버(etch chamber), 상기 식각 챔버에 일련되게 설치되고 포토레지스트 패턴을 제거하는 포토레지스트 스트립 챔버(photoresist strip chamber), 및 상기 포토레지스트 스트립 챔버로부터 웨이퍼의 이송을 받아 상기 웨이퍼의 온도를 냉각시키는 냉각 챔버를 포함하여 구성되는 식각 장비에서,An etching chamber in which an etching process is performed on the wafer, a photoresist strip chamber installed in series in the etching chamber and removing a photoresist pattern, and receiving a wafer from the photoresist strip chamber In the etching equipment comprising a cooling chamber for cooling the temperature of the wafer, 상기 냉각 챔버로 이송된 웨이퍼의 정렬 상태를 감지하여 상기 웨이퍼의 정렬 상태가 오정렬 상태일 경우 상기 포토레지스트 스트립 챔버에서의 포토레지스트 제거에 불량이 발생한 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 잔류물 감지 방법. Detecting the alignment state of the wafer transferred to the cooling chamber and if the alignment state of the wafer is misaligned state Photoresist residue detection method characterized in that it is determined that a defect in the removal of the photoresist in the photoresist strip chamber .
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