JP2006303422A - プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁膜の誘電率の変動や、絶縁膜への水分吸着を抑制することができるプラズマ処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板10上の絶縁膜100に、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。
【選択図】図3
【解決手段】被処理基板10上の絶縁膜100に、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う。
【選択図】図3
Description
本発明は、プラズマ処理方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、絶縁膜の表面を処理するためのプラズマ処理方法、および当該プラズマ処理方法を適用した半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体集積回路装置(LSI)の高集積化に伴い、LSIの高速動作に関して配線プロセス技術が益々重要視されてきている。これは半導体素子の微細化によるゲート遅延時間よりも、配線遅延時間の方が大きくなることが顕著になってきたためである。
この配線遅延時間を抑制するためには、配線間の容量の低減、また、配線抵抗の低抵抗化が必要である。また、半導体素子の微細化と共に電流密度が増大するため、エレクトロマイグレーション(EM:electro migration)対策の向上も必要である。そして、これらの課題を改善するためには、銅(Cu)配線、低誘電率層間膜を用いた多層配線技術の導入が重要であると考えられる。
このCu配線は従来方式のアルミニウム合金配線に比べて電気抵抗が約3分の2である。従って、Cuは配線抵抗の低減が実現できる材料である。また、Al合金配線よりも高いエレクトロマイグレーション耐性が期待される材料である。そのため、実際の製品への導入も始められている。
Cu配線の形成方法としては、一般的にダマシン法を用いている。以下にダマシン法を用いたCu配線の形成方法を述べる。まず、SiO2膜などの層間絶縁膜にフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を適用して溝(トレンチ)を形成する。その後、下層の配線とコンタクトを繋ぐストッパー層の開口を行う。その後、トレンチ内を含む層間絶縁膜中へのCuの拡散を防止するためのバリアメタル膜を成膜し、Cuを溝の中に埋め込む。その後、層間絶縁膜上の余剰のCu膜をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法等を用いて除去する。これにより、ダマシン法を用いたCu配線が完成する。
上述したようなCu配線においては、配線層間の容量を低減するために、層間絶縁膜として酸化シリコン(SiO2)膜よりも誘電率の低いSiOCH膜、SiOF膜、有機系絶縁膜等が次世代材料として開発および実用化されつつある。
上記のような低誘電率膜は材料の分極率を低下させることで得ることができるが、分極率の低下だけでは、ある程度限界がある。そこで、膜構造を多孔質化することで誘電率を低下させることが必要であると考えられている。近頃では、誘電率の低い材質の膜を多孔質化した低誘電率膜が開発され注目されている。
K.Yatsuda et al.,"Quantitative Control of Plasma-Surface Interactions for Highly Reliable Interconnects"
K.Yatsuda et al.,"Quantitative Control of Plasma-Surface Interactions for Highly Reliable Interconnects"
しかしながら、上記の層間絶縁膜として用いられるTEOSなどの酸化膜、低誘電率膜、および有機系絶縁膜などの絶縁膜に、溝や接続孔などを形成するための加工処理を施すと、加工表面が吸湿しやすい状態となるという問題があった(例えば、非特許文献1参照)。加工表面が吸湿しやすくなるのは、加工表面に未結合手(ダングリングボンド)が発生し、この未結合手に水分などが吸着すると考えられる。以下では、吸湿しやすい状態となった加工表面を変質層と称する。あるいは、酸化膜系絶縁膜の中には、未加工のものでも吸湿しやすい特性をもつものがある。
絶縁膜に水分が吸湿されると、その後にCu埋めこみ配線を形成する際に、残留した水分等がガス状態となって放出される。この結果、バリアメタル層の劣化や密着性の低下、Cuの埋めこみ不良等を引き起こし電気的特性を悪化させる問題に繋がる。上記の問題は、低誘電率膜として多孔質膜を使用する場合にはさらに顕著となる。多孔質膜は表面積が大きいことから、吸湿量が大きくなるからである。
また、絶縁膜の表面に未結合手が存在すると、絶縁膜の表面は本来の絶縁膜の誘電率とは異なってしまうこととなる。また、この絶縁膜の未結合手に水分が吸着すると、本来の絶縁膜よりも誘電率が高くなってしまう。この結果、低誘電率膜の特性を低下させることにも繋がる。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、絶縁膜の誘電率の変動や、絶縁膜への水分吸着を抑制することができるプラズマ処理方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、層間絶縁膜の表面をプラズマ処理することにより絶縁膜の誘電率の変動や絶縁膜への水分吸着を抑制することができ、信頼性の向上を図った半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明のプラズマ処理方法は、被処理基板上の絶縁膜に、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行うものである。
上記の本発明のプラズマ処理方法では、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を絶縁膜に施すことにより、絶縁膜の表面にCやHを供給する。
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、被処理基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記層間絶縁膜の表面に対して、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う工程とを有する。
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、被処理基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜の表面に対して、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程とを有する。
本発明のプラズマ処理方法によれば、絶縁膜の誘電率の変動や、絶縁膜への水分吸着を抑制することができる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、層間絶縁膜の表面をプラズマ処理することにより絶縁膜の誘電率の変動や絶縁膜への水分吸着を抑制することができ、信頼性の向上を図った半導体装置を製造することができる。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、層間絶縁膜の表面をプラズマ処理することにより絶縁膜の誘電率の変動や絶縁膜への水分吸着を抑制することができ、信頼性の向上を図った半導体装置を製造することができる。
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は、本実施形態に係るプラズマ処理を実施する装置の一例を示す図である。
図1は、本実施形態に係るプラズマ処理を実施する装置の一例を示す図である。
処理室1内には、被処理基板10を保持する電極2が設置されている。処理室1の上部には、後述する原料ガスを供給するガス供給部3が設置されている。ガス供給部3の周囲は、原料ガスのプラズマを生成するためのRFコイル4が巻かれている。RFコイル4は、高周波電圧(RFバイアス)を印加するRF電源5に接続されている。RF電源5は、例えば13.56MHzのRFバイアスを印加する。
処理室1の下部には、バルブ6を介して排気ポンプ7が設けられている。電極2は、RF電源8に接続されている。電極2にRFバイアスが印加されることで、生成されたプラズマ中のイオンが被処理基板10へ引き込まれる。RF電源8は、例えば13.56MHzのRFバイアスを印加する。
上記構成の装置では、プラズマ生成用のRF電源5と、被処理基板10へのプラズマ中のイオンの引き込みのためのRF電源8がそれぞれ独立に設けられている。この装置は、ICP(Inductively Coupled Plasma)方式のプラズマ処理装置であり、本実施形態に係るプラズマ処理の他、絶縁膜のエッチングや、レジストマスクのアッシングにも使用できる。
上記構成の装置の動作について説明する。RF電源5によりRFコイル4にRFバイアスが印加されることで、ガス供給部3内の原料ガスのプラズマが生成される。そして、RF電源8により電極2にRFバイアスが印加されると、生成されたプラズマ中のイオンが、被処理基板10に引き込まれて、被処理基板10に照射される。
次に、本実施形態に係るプラズマ処理方法について、図2を参照して説明する。
まず、図2(a)に示すように、被処理基板10上に絶縁膜100を形成する。絶縁膜100の材料としては、表面が吸湿しやすい状態となる絶縁膜であれば、特に限定はない。例えば、SiO2膜、SiOF膜、SiOCH膜、あるいはこれらの膜を多孔質化した多孔質膜や、有機系絶縁膜が挙げられる。
次に、図2(b)に示すように、絶縁膜100の表面にプラズマ処理を行う。プラズマ処理された部位を処理部(処理表面)101として図解している。処理部101は、絶縁膜100の表面に捕獲されたCやHを含む層である。このプラズマ処理では、原料ガスとして、CH系及びCO系を含有する混合ガスあるいは単一ガスを用いる。CH系及びCO系ガスとして、例えば、CO、CO2、C5H12、C5H10、C4H10、C4H8、C4H6、C3H9N、C3H8、C3H6、C3H4、C2N2、C2H7N、C2H6、C2H4、COS、CH4S、CH4、CHN、CH5NCHN、CH5Nを使用する。
絶縁膜100の表面にダングリングボンドが存在する場合には、CH系及びCO系を含有するガスを用いたプラズマ処理により、絶縁膜100の表面にC、Hが捕獲される。このため、シリコンダングリングボンドがなくなり、絶縁膜本来の誘電率が得られる。また、プラズマ処理を施した絶縁膜100の表面は、吸湿防止作用をもつ。このため、次工程までの間に水分が吸着することが防止される。
次に、図2(c)に示すように、絶縁膜100上にレジストマスク102を形成する。レジストマスク102は、レジスト塗布、露光および現像により形成される。
次に、図3(a)に示すように、レジストマスク102を用いて絶縁膜100をエッチングする。これにより、絶縁膜100に開口部100aが形成される。なお、図2(b)では、一例として、絶縁膜100の途中まで開口部100aを形成する例を示すが、被処理基板10に達する開口部100aを形成してもよい。また、レジストマスク102の代わりに、ハードマスクを用いても良い。
次に、図3(b)に示すように、レジストマスク102のアッシングを行う。上記の絶縁膜100の加工処理、レジストマスクのアッシング処理は、図1に示した装置において、原料ガスを変更することにより実施することができる。レジストマスク102のアッシングでは、酸素ガスが使用される。このアッシングにより、絶縁膜100の表面に捕獲されたC、Hは除かれて、再びシリコンダングリングボンドが発生する。
次に、図3(c)に示すように、絶縁膜100の加工表面にプラズマ処理を行う。プラズマ処理された部位を処理部(処理表面)101として図解している。処理部101は、絶縁膜100の表面に捕獲されたCやHを含む層である。このプラズマ処理では、原料ガスとして、CH系及びCO系を含有する混合ガスあるいは単一ガスを用いる。CH系及びCO系ガスとして、例えば、CO、CO2、C5H12、C5H10、C4H10、C4H8、C4H6、C3H9N、C3H8、C3H6、C3H4、C2N2、C2H7N、C2H6、C2H4、COS、CH4S、CH4、CHN、CH5NCHN、CH5Nを使用する。
上記した例では、加工前後の絶縁膜100にプラズマ処理を施す例について説明したが、使用する絶縁膜100の種類によっては、加工前あるいは加工後にのみプラズマ処理を施してもよい。
図4は、絶縁膜100からの水の脱ガス量をTDS装置で検出した結果を示す図である。当該測定では、大気中に被処理基板10を48時間放置した後に、被処理基板10に熱をかけて、絶縁膜100からのH2Oの脱ガス量を検出した。
試料Aは、被処理基板10上の絶縁膜100を加工しなかったものである。試料Bは、H2プラズマを用いて絶縁膜100を加工した後、本実施形態に係るプラズマ処理を行わなかったものである。試料Cは、H2プラズマを用いて絶縁膜100を加工した後、CH系ガスを用いたプラズマ処理を施したものである。
図4に示すように、プラズマ処理を施した試料Cでは、未処理の試料Bに比べて大幅に脱ガス量が減り、絶縁膜100を未加工の試料Aに脱ガス量が近づくことがわかる。
このことから、絶縁膜100の加工表面に対して本実施形態に係るプラズマ処理を施すことにより、絶縁膜100の吸湿量が大幅に低減されることがわかる。
図5は、絶縁膜100の表面に対する水の接触角を測定した結果を示す図である。各試料A〜Cについては、図4で説明した通りである。
図5に示すように、プラズマ処理を施した試料Cでは、未処理の試料Bに比べて接触角が大きくなり、絶縁膜100を未加工の試料Aに接触角が近づくことがわかる。
接触角が大きいため、プラズマ処理を施した絶縁膜100の表面は疎水性になっていることがわかる。絶縁膜100を加工しただけの試料Bでは接触角が小さくなることから、絶縁膜100の表面が親水性になっていることがわかる。このことから、絶縁膜100の加工表面に対して本実施形態に係るプラズマ処理を施すことにより、絶縁膜100の加工表面を疎水性に戻すことができ、吸湿量を大幅に低減できることがわかる。
以上説明したように、本実施形態に係るプラズマ処理方法によれば、絶縁膜100に上記した原料ガスを用いたプラズマ処理を施すことにより、絶縁膜100の未結合手にC,Hを捕獲させることができる。この結果、絶縁膜100の本来の特性(誘電率、接触角)に回復させることができる。また、絶縁膜100の未結合手をなくすことができることから、絶縁膜100への水分吸着を防止することができる。
これにより、絶縁膜100の開口部100a内に導電層を埋め込んで配線を形成する場合に、絶縁膜100に吸着された水分が放出されることに起因する配線の腐食や、密着性低下を抑制でき、配線不良を防止することができる。また、絶縁膜100が水分を吸湿することによる誘電率の上昇を抑制することができる。
上記したプラズマ処理では、プラズマ生成用のRF電源5とは別に、RF電源8によりRFバイアスを印加して、絶縁膜100の開口部100a内にプラズマ中のイオンを引き込むことで大きな効果を奏する。これは、所定のエネルギーでプラズマ中のイオンを絶縁膜100の加工表面に照射することで、絶縁膜100の未結合手への捕獲を促進できるからである。また、所定のエネルギーでイオンを照射することにより、高アスペクト比の開口部100aにもCやHを供給することができる。
さらに、本実施形態では、絶縁膜のエッチング加工、レジストマスクのアッシング、プラズマ処理を同一の装置内で実施することが可能となる。このため、被処理基板10は、絶縁膜100の加工後、プラズマ処理前に大気中での搬送工程を経ることがない。このため、この搬送工程における絶縁膜100の吸湿を防止することができる。
(第2実施形態)
第2実施形態では、半導体装置の製造におけるデュアルダマシン工程において、第1実施形態に係るプラズマ処理を適用した例について、図6〜図10を参照して説明する。本実施形態では、絶縁膜に形成する開口部の例として、接続孔および配線溝を形成する例について説明する。
第2実施形態では、半導体装置の製造におけるデュアルダマシン工程において、第1実施形態に係るプラズマ処理を適用した例について、図6〜図10を参照して説明する。本実施形態では、絶縁膜に形成する開口部の例として、接続孔および配線溝を形成する例について説明する。
図6(a)に示すように、被処理基板10上に、SiO2などからなる下層絶縁膜11を形成し、下層絶縁膜11中にバリアメタル層12を介して下層配線13を形成する。なお、図示はしないが、下層配線13と被処理基板10とはコンタクトを介して接続されている。
次に、図6(b)に示すように、下層配線13上に例えばSiC膜からなるエッチングストッパ層14を形成する。ここでは、エッチングストッパ層14としてSiC膜を用いることとしたが、特に膜種は問わない。その後、エッチングストッパ層14上に、例えばSiO2膜、SiOF膜、SiOC膜などの多孔質膜からなる第1層間絶縁膜15を形成し、続いて、例えば有機絶縁膜からなる第2層間絶縁膜16を形成する。第1層間絶縁膜15は接続孔形成用の絶縁膜であり、第2層間絶縁膜16は配線溝形成用の絶縁膜である。なお、層間絶縁膜として、多孔質膜(第1層間絶縁膜15)と有機絶縁膜(第2層間絶縁膜16)の2層構造とした例について説明するが、特に限定はない。
続いて、多孔質膜および有機絶縁膜からの脱ガス防止、CMPの段差低減の為に、第2層間絶縁膜16上にSiO2からなるキャップ層17を形成する。続いて、キャップ層17上に、配線加工時のハードマスクとして例えばSiNからなる第1ハードマスク18と、例えばSiO2からなる第2ハードマスク19を形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を経ることにより、第2ハードマスク19に配線溝T(Trench)のパターンを形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術を経ることにより、接続孔V(Via)のパターンをもつレジストマスク20を形成する。上記の構造体を作製した後、エッチングを開始する。
図7(a)に示すように、レジストマスク20をエッチングマスクとして、SiNからなる第1ハードマスク18、SiO2からなるキャップ層17、有機絶縁膜からなる第2層間絶縁膜16を順にエッチングして、接続孔Vを形成する。当該工程では、有機絶縁膜からなる第2層間絶縁膜16に接続孔Vを形成する際に、同時に有機膜からなるレジストマスク20もエッチングされるため、アッシング工程が不要となる。
次に、図7(b)に示すように、配線溝TのパターンをもつSiO2からなる第2ハードマスク19をエッチングマスクとして、第1ハードマスク18をエッチングして、第1ハードマスク18に配線溝Tを形成する。この際に、多孔質膜からなる第1層間絶縁膜15には、途中の深さまで接続孔Vが形成される。
次に、図8(a)に示すように、配線溝Tのパターンが形成された第1ハードマスク18をエッチングマスクとして、SiO2からなるキャップ層17をエッチングして、キャップ層17に配線溝Tを形成する。このとき、キャップ層17と同じSi系の膜からなる第1層間絶縁膜15もエッチングされて、第1層間絶縁膜15に接続孔Vが形成される。また、SiO2からなるキャップ層17のエッチングにより、SiO2からなる第2ハードマスク19が除去される。
次に、図8(b)に示すように、本実施形態に係るプラズマ処理を施す。第1層間絶縁膜15、第2層間絶縁膜16、キャップ層17、第1ハードマスク18の露出表面に、CやHが捕獲される。これを処理部101として図解している。
このプラズマ処理については、第1実施形態で説明した通りである。上記したように、イオンエネルギー制御が可能なRFバイアス印加型の装置でプラズマ処理する事が好ましい。また、高アスペクトな接続孔V内へ均一にC、Hを供給する為、温度は低温で、かつ低圧でのプラズマ処理が望ましい。プラズマ処理条件としては、例えば、圧力を2.7Pa(20mTorr)とし、RF電源5の出力電力を800(W)とし、RF電源8の出力電力を100(W)とし、原料ガスとしてCH4を200(sccm)の流量で流し、電極2の温度を25(℃)とした。
次に、図9(a)に示すように、接続孔Vの底部に露出したエッチングストッパ層14をエッチングして、エッチングストッパ層14に接続孔Vのパターンを形成する。このSiCからなるエッチングストッパ層14のエッチングと同時に、SiNからなる第1ハードマスク18がエッチング除去される。
次に、図9(b)に示すように、キャップ層17をエッチングマスクとして、第2層間絶縁膜16をエッチングすることにより、第2層間絶縁膜16に配線溝Tを形成する。
これにより、エッチングストッパ層14および第1層間絶縁膜15への接続孔Vの形成、並びに第2層間絶縁膜16およびキャップ層17への配線溝Tの形成のためのエッチングが終了する。
上記の図7(a)〜図9(b)に示すエッチング処理およびプラズマ処理は、全て同一の装置内で行うことができる。被処理基板10が大気中に晒されることがないため、第1層間絶縁膜15の吸湿を防止できる。図9(b)に示す工程を経た後に、プラズマ処理装置から被処理基板10が取り出され、大気中で搬送されて、次の工程を実施する装置に移される。このとき、既に第1層間絶縁膜15の加工表面はプラズマ処理がなされているため(処理部101参照)、搬送工程において第1層間絶縁膜15の吸湿を防止することができる。
その後、図10に示すように、配線溝Tおよび接続孔Vの内壁を被覆するように、層間絶縁膜15,16中へのCuの拡散を防止するためのバリアメタル21を成膜する。バリアメタル21は、例えばTaNとTaの積層膜である。続いて、配線溝Tおよび接続孔V内を例えばCuからなる導電層22で埋め込む。続いて、キャップ層17上の余剰のバリアメタル21および導電層22をCMP法等を用いて除去する。配線溝T内の導電層22により上層配線が構成され、接続孔V内の導電層22により上層配線と下層配線13とを繋ぐコンタクトが構成される。
半導体装置の製造方法では、必要に応じて、図6(b)〜図10に示す工程が繰り返し行われて、さらなる上層配線が形成される。以上により、半導体装置が完成する。
上記の本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、配線溝Tおよび接続孔Vの形成時に露出する例えば多孔質膜からなる第1層間絶縁膜15の側壁をプラズマ処理することにより、大気搬送時における水分吸着を抑制することができる。その結果、半導体装置の配線不良の発生を防止することができ、信頼性の向上を図った半導体装置を製造することができる。配線不良として、吸湿が引き起こすバリアメタル21の劣化に起因した密着性低下や、Cuの埋め込み不良の発生などを防止できる。また、第1層間絶縁膜15の吸湿を防止することにより、例えば低誘電率膜からなる層間絶縁膜の誘電率上昇を抑制することができる。
これによって、例えば第1層間絶縁膜15として多孔質膜からなる低誘電率膜を使用する場合に、低誘電率膜の本来の非常に低い誘電率を維持することができ、配線間容量を低減することができる。多孔質膜を使用しても半導体装置の信頼性を維持することが可能となるため、より高性能なデバイス特性を実現することができる。
(第3実施形態)
第3実施形態では、半導体装置の製造におけるデュアルダマシン工程において、第1実施形態に係るプラズマ処理を適用した他の例について説明する。
第3実施形態では、半導体装置の製造におけるデュアルダマシン工程において、第1実施形態に係るプラズマ処理を適用した他の例について説明する。
まず、第2実施形態と同様にして、図6〜図8(a)の工程を経る。
次に、図11(a)に示すように、接続孔Vの底部に露出したエッチングストッパ層14をエッチングして、エッチングストッパ層14に接続孔Vのパターンを形成する。このSiCからなるエッチングストッパ層14のエッチングと同時に、SiNからなる第1ハードマスク18がエッチング除去される。
次に、図11(b)に示すように、キャップ層17をエッチングマスクとして、第2層間絶縁膜16をエッチングすることにより、第2層間絶縁膜16に配線溝Tを形成する。
次に、図12(a)に示すように、第1実施形態で説明したプラズマ処理を施す。これにより、エッチングストッパ層14、第1層間絶縁膜15、第2層間絶縁膜16、キャップ層17の露出表面に、CやHが捕獲される。これを処理部101として図解する。
このプラズマ処理の条件は、第2実施形態と同様である。
このプラズマ処理の条件は、第2実施形態と同様である。
次に、図12(b)に示すように、プラズマ処理により、接続孔Vの底部に堆積したCやH(処理部101)を除去する異方性エッチングを行う。この異方性エッチングにより、層間絶縁膜15,16の側壁には処理部101を残存させ、第1層間絶縁膜15およびキャップ層17の上面に形成された処理部101はなくなる。この処理により接続孔Vの底部にCが残ることがないことから、下層配線との電気的接続を良好にすることができる。
上記の図12(b)に示す工程までのエッチング処理およびプラズマ処理は、全て同一の装置内で行うことができる。被処理基板10が大気中に晒されることがないため、層間絶縁膜15,16の吸湿を防止できる。図12(b)に示す工程を経た後に、プラズマ装置から被処理基板10が取り出され、大気中で搬送されて、次の工程を実施する装置に移される。このとき、既に層間絶縁膜15、16の加工表面はプラズマ処理が施された処理部101となっていることから、搬送工程において層間絶縁膜15,16の吸湿を防止することができる。
その後、図13に示すように、配線溝Tおよび接続孔Vの内壁を被覆するように、層間絶縁膜15,16中へのCuの拡散を防止するためのバリアメタル21を成膜する。バリアメタル21は、例えばTaNとTaの積層膜である。続いて、配線溝Tおよび接続孔V内を例えばCuからなる導電層22で埋め込む。続いて、キャップ層17上の余剰のバリアメタル21および導電層22をCMP法等を用いて除去する。配線溝T内の導電層22により上層配線が構成され、接続孔V内の導電層22により上層配線と下層配線13とを繋ぐコンタクトが構成される。
半導体装置の製造方法では、必要に応じて、図6(b)〜図13に示す工程が繰り返し行われて、さらなる上層配線が形成される。以上により、半導体装置が完成する。
上記の本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第1実施形態と異なり、下層配線13を露出させる接続孔Vを形成した後に、プラズマ処理を行う。この結果、配線溝Tおよび接続孔Vの形成時に露出する全ての膜、例えばエッチングストッパ層14、第1層間絶縁膜15、第2層間絶縁膜16およびキャップ層17の側壁に処理部101が残る。
このため、第1実施形態よりも、大気搬送時における水分吸着をさらに抑制することができる。絶縁膜の吸湿を防止できることによる効果については、第1実施形態で説明した通りである。ただし、本実施形態では、接続孔Vの底部に存在する処理部101を除去するプラズマ処理を必要とするため、第1実施形態よりも工程数が増加する。
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、半導体装置の製造におけるデュアルダマシン工程以外にも、本実施形態に係るプラズマ処理を適用することが可能である。また、デュアルダマシン工程において、どの時点でプラズマ処理を施すかについては、種々の変更が可能である。また、本実施形態では、プラズマ処理の条件の一例を挙げて説明したが、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
例えば、半導体装置の製造におけるデュアルダマシン工程以外にも、本実施形態に係るプラズマ処理を適用することが可能である。また、デュアルダマシン工程において、どの時点でプラズマ処理を施すかについては、種々の変更が可能である。また、本実施形態では、プラズマ処理の条件の一例を挙げて説明したが、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
1…処理室、2…電極、3…ガス供給部、4…RFコイル、5…RF電源、6…バルブ、7…排気ポンプ、8…RF電源、10…被処理基板、11…下層絶縁膜、12…バリアメタル層、13…下層配線、14…エッチングストッパ層、15…第1層間絶縁膜、16…第2層間絶縁膜、17…キャップ層、18…第1ハードマスク、19…第2ハードマスク、20…レジストマスク、21…バリアメタル、22…導電層、100…絶縁膜、100a…開口部、101…処理部、102…レジストマスク、T…配線溝、V…接続孔
Claims (6)
- 被処理基板上の絶縁膜に、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う
プラズマ処理方法。 - RFバイアスを印加して、生成されたプラズマ中のイオンを前記被処理基板へ引き込んで前記プラズマ処理を行う
請求項1記載のプラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理は、前記絶縁膜の加工処理後に行う
請求項1記載のプラズマ処理方法。 - 前記絶縁膜の加工処理および前記絶縁膜のプラズマ処理を同一の装置内で行う
請求項3記載のプラズマ処理方法。 - 被処理基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の表面に対して、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 被処理基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の表面に対して、少なくともCH系ガス、CO系ガスのいずれかを含むガスを用いたプラズマ処理を行う工程と、
前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
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