JP2006303188A - 強誘電体キャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に第1の導電膜、導電膜上に強誘電体膜、強誘電体膜上に第2の導電膜を順次形成し、第2の導電膜をエッチングして上部電極を形成する。上部電極上にレジスト膜を形成した後、レジスト膜をパターニングし、レジスト膜をマスクとして、記強誘電体膜及び前記第1の導電膜を一括エッチングし第1の導電膜より下部電極を形成する。そして、下部電極及び強誘電体膜の底面と側壁部が成すテーパー角が30〜40度となるようにするした強誘電体キャパシタの製造方法である。
【選択図】 図2
Description
2 第1の層間絶縁膜
3 コンタクトホール
4 タングステンプラグ
5 酸化防止膜
6 第1の導電膜
7 強誘電体膜
8 第2の導電膜
9 上部電極
10 レジスト膜
11,13 テーパー角
12 下部電極
14 プラズマ流
15 プラズマ流に平行な膜表面
16 プラズマ流に垂直な膜表面
Claims (13)
- 下部電極、強誘電体膜及び上部電極が積層された強誘電体キャパシタにおいて、前記強誘電体膜及び前記上部電極の底面と側壁部が成すテーパー角が30〜40度となっていることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
- 前記強誘電体膜はSBT膜であることを特徴とする請求項1記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記上部電極及び下部電極は白金であることを特徴とする請求項2記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 下部電極、強誘電体膜及び上部電極が積層された強誘電体キャパシタの製造方法において、半導体基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に強誘電体膜を形成し、前記強誘電体膜上に第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜をエッチングして上部電極を形成し、前記第2の導電膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をパターニングし、前記強誘電体膜及び前記第1の導電膜を一括エッチングし前記第1の導電膜より下部電極を形成し、前記下部電極及び前記強誘電体膜の底面と側壁部が成すテーパー角が30〜40度となるようにすることを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記レジスト膜は底面と側面のテーパー角が60〜70度であることを特徴とする請求項4記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記レジスト膜は熱処理によりフローされることを特徴とする請求項4記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記強誘電体膜はSBT膜であることを特徴とする請求項4記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記上部電極及び下部電極は白金であることを特徴とする請求項7記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 下部電極、強誘電体膜及び上部電極が積層された強誘電体キャパシタの製造方法において、半導体基板上に第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜上に強誘電体膜を形成し、前記強誘電体膜上に第2の導電膜を形成し、前記第2の導電膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をパターニングし、前記第2の導電膜、前記強誘電体膜及び前記第1の導電膜を一括エッチングし、前記第2の導電膜より上部電極、前記第1の導電膜より下部電極を形成し、前記下部電極、前記強誘電体膜及び前記上部電極の底面と側壁部が成すテーパー角が30〜40度となるようにすることを特徴とする強誘電体キャパシタの形成方法。
- 前記レジスト膜は底面と側面のテーパー角が60〜70度であることを特徴とする請求項9記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記レジスト膜は熱処理によりフローされることを特徴とする請求項9記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記強誘電体膜はSBT膜であることを特徴とする請求項9記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
- 前記上部電極及び下部電極は白金であることを特徴とする請求項12記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
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