JP2006299099A - 光半導体素子封止用樹脂組成物及び光半導体素子 - Google Patents
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Abstract
(R1SiO3/2)a(R2R3SiO)b(R4R5R6SiO1/2)c(SiO4/2)d (1)
(R1〜R6は一価炭化水素基で1〜50モル%は非共有結合性二重結合含有基、a+b+c+d=X=1.0、a/X=0.40〜0.95、b/X=0.05〜0.60、c/X=0〜0.05、d/X=0〜0.10)
で示されるオルガノポリシロキサンを含有する、非共有結合性二重結合基を有する有機ケイ素化合物、
(B)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)白金系触媒
を必須成分とする付加硬化型シリコーン樹脂組成物において、(A)及び(B)成分のオルガノポリシロキサンがシラノールを含有しない光半導体素子封止用樹脂組成物。
【効果】 本発明の樹脂組成物は、高透明、高硬度、金属への腐食性がなく、樹脂の保存安定性に優れるため、光半導体封止材料に有効である。
【選択図】 なし
Description
また、本発明はこの樹脂組成物の硬化物によって封止された光半導体素子、LEDに関するものである。
しかし、かかる透明エポキシ樹脂においても、樹脂の吸水率が高いために耐湿耐久性が低い、特に短波長の光に対する光線透過性が低いために耐光耐久性が低い、あるいは光劣化により着色するという欠点を有していた。
そのため、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を一分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、及び一分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、ヒドロシリル化触媒からなる光半導体素子の被覆保護用樹脂組成物も提案されている(特許文献3:特開2002−327126号公報、特許文献4:特開2002−338833号公報参照)。
しかし、このようなシリコーン系の硬化物は耐クラック性を改良しようとすると、一般に硬化物表面にタックが残り、埃が容易に付着し光の透過性を損なう欠点がある。
そのため、硬度を上げたシリコーン樹脂を保護被覆用に使用したものが提案されている(特許文献5:特開2002−314139号公報、特許文献6:特開2002−314143号公報参照)。
しかし、これらのシリコーン樹脂では、まだ接着性が乏しく、セラミック及び/又はプラスチック筐体内に発光素子が配置され、その筐体内部をシリコーン樹脂で充填したケース型の発光半導体装置では、−40℃〜120℃での熱衝撃試験で、シリコーン樹脂が筐体のセラミックやプラスチックから剥離してしまう問題点が生じていた。
(A)下記平均組成式(1)
(R1SiO3/2)a(R2R3SiO)b(R4R5R6SiO1/2)c(SiO4/2)d (1)
(式中、R1〜R6はそれぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示し、その全一価炭化水素基の1〜50モル%は非共有結合性二重結合含有基であり、a、b、c及びdは各シロキサン単位のモル比を示す正数であり、a/(a+b+c+d)=0.40〜0.95、b/(a+b+c+d)=0.05〜0.60、c/(a+b+c+d)=0〜0.05、d/(a+b+c+d)=0〜0.10、a+b+c+d=1.0である。)
で示されるオルガノポリシロキサンを(A)成分全体の30〜100質量%含有する、一分子中に2個以上の非共有結合性二重結合基を有する有機ケイ素化合物、
(B)一分子中に珪素原子に結合した水素原子を2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)触媒量の白金系触媒
を必須成分とする付加硬化型シリコーン樹脂組成物において、(A)成分及び(B)成分のオルガノポリシロキサンがシラノールを含有しないことを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物を提供する。
R7R8R9SiO−(R10R11SiO)e−(R12R13SiO)f−SiR7R8R9 (2)
(式中、R7は非共有結合性二重結合基含有一価炭化水素基を示し、R8〜R13はそれぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示し、このうちR12及び/又はR13は芳香族一価炭化水素基を示し、0≦e+f≦500の整数であり、0≦e≦500、0≦f≦250の整数である。)
で示されるオルガノシロキサンを(A)成分全体の0〜70質量%含有し、(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンが、(A)成分中の二重結合基一個当たり(B)成分中の珪素原子結合水素原子を0.75〜2.0個与えるに十分な量を含むことが好ましい。
(R1SiO3/2)a(R2R3SiO)b(R4R5R6SiO1/2)c(SiO4/2)d (1)
(式中、R1〜R6はそれぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示し、その全一価炭化水素基の1〜50モル%、好ましくは2〜40モル%、より好ましくは5〜30モル%は非共有結合性二重結合含有基であり、a、b、c及びdは各シロキサン単位のモル比を示す正数であり、a/(a+b+c+d)=0.40〜0.95、好ましくは0.50〜0.90、b/(a+b+c+d)=0.05〜0.60、好ましくは0.10〜0.50、c/(a+b+c+d)=0〜0.05、好ましくは0〜0.03、d/(a+b+c+d)=0〜0.10、好ましくは0〜0.05、a+b+c+d=1.0である。)
具体的には、R1〜R6において、非共有結合性二重結合含有基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基などが代表的なものとして挙げられ、アクリロキシ基、メタクリロキシ基で置換されたアルキル基(例えば(メタ)アクリロキシプロピル基)等も挙げられる。また、R1〜R6の少なくとも一つは同一又は異種の芳香族一価炭化水素基であることが、光半導体用途における屈折率の制御という観点から好ましいが、芳香族基としては、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基などが代表的なものとして挙げられる。また、その他の代表的な一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基等のアルキル基などが挙げられる。また、これらの基の水素原子の1個又は2個以上がフッ素原子等のハロゲン原子で置換されたものであってもよい。
R1Si(OR14)3 (3)
R2R3Si(OR14)2 (4)
R4R5R6SiOR14 (5)
Si(OR14)4 (6)
R1SiCl3 (7)
R2R3SiCl2 (8)
R4R5R6SiCl (9)
SiCl4 (10)
(式中、R1〜R6は上記の通り。R14は好ましくは炭素数1〜6の一価炭化水素基、特にアルキル基を示す。)
R7R8R9SiO−(R10R11SiO)e−(R12R13SiO)f−SiR7R8R9 (2)
(式中、R7は非共有結合性二重結合基含有一価炭化水素基を示し、R8〜R13はそれぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示し、このうちR10〜R13は、好ましくは脂肪族不飽和結合を除く一価炭化水素基を示し、また、R12及び/又はR13は芳香族一価炭化水素基を示し、0≦e+f≦500、好ましくは10≦e+f≦500の整数であり、0≦e≦500、好ましくは10≦e≦500、0≦f≦250、好ましくは0≦f≦150の整数である。)
この場合、R7は炭素数2〜8、特に2〜6のアルケニル基で代表される脂肪族不飽和結合を有し、R8〜R13は炭素数が1〜20、特に1〜10の範囲にあるものが好適であり、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基などが挙げられるが、このうちR10〜R13は好適にはアルケニル基等の脂肪族不飽和結合を除くアルキル基、アリール基、アラルキル基などが挙げられる。また、R12及び/又R13はフェニル基やトリル基などの炭素数が6〜12のアリール基等の芳香族一価炭化水素基であることが望ましいものである。
その配合量は触媒量であり、通常、白金金属として(A)成分に対し1〜1,000ppmである。
フェニルトリクロロシラン54.0g(55mol%)、ジメチルジクロロシラン24.7g(15mol%)及びメチルビニルジクロロシラン148.4g(30mol%)の混合物を、80℃に加熱した水250g及びトルエン100gの混合溶媒中に撹拌しながら1時間かけて滴下した。滴下終了後、2時間還流させることにより、共加水分解縮合物のトルエン溶液を得た。この溶液を静置して室温まで冷却し、水層を除去した後、トルエン層の水洗を抽出水が中性になるまで行った。得られたポリオルガノシロキサンのトルエン溶液(有機層1)にKOHをクロル分の20倍量加え、2時間還流した。反応後、トリメチルクロロシランで中和し、水洗をトルエン層が中性になるまで行った(有機層2)。有機層2を脱水した後、ろ過して不純物を除去した。このろ液からトルエンを除去(減圧下)し、目的の(A)成分のポリオルガノシロキサン(分子量;3,300)を得た(樹脂1)。
フェニルトリメトキシシラン108.9g(55mol%)、ジメチルジメトキシシラン18.0g(15mol%)及びメチルビニルジメトキシシラン39.6g(30mol%)の混合物を、80℃に加熱した20%HCl水溶液80g及びトルエン160gの混合溶媒中に撹拌しながら1時間かけて滴下した。滴下終了後、2時間還流させることにより、共加水分解縮合物のトルエン溶液を得た。この溶液を静置して室温まで冷却し、水層を除去した後、トルエン層の水洗を抽出水が中性になるまで行った。得られたポリオルガノシロキサンのトルエン溶液にKOHを0.05g加え、2時間還流した。反応後、トリメチルクロロシランで中和し、トルエン層が中性になるまで水洗を行った。水層を除去し、トルエン層を脱水した後、ろ過して不純物を除去した。このろ液からトルエンを除去(減圧下)し、目的の(A)成分のポリオルガノシロキサン(分子量;3,000)を得た(樹脂2)。
フェニルトリクロロシラン54.0g(55mol%)、ジメチルジクロロシラン24.7g(15mol%)及びメチルビニルジクロロシラン148.4g(30mol%)の混合物を、フラスコ内で予め80℃に加熱した水500g及びトルエン200gの混合溶媒に撹拌しながら1時間かけて滴下し、滴下終了後、更に2時間還流させて共加水分解縮合物のトルエン溶液を得た。この溶液を静置して室温まで冷却した後、分離した水層を除去し、引き続き水を混合して撹拌後静置し、水層を除去するという水洗浄操作をトルエン層が中性になるまで行い、反応を停止させた。得られたポリオルガノシロキサンのトルエン溶液をろ過して、不純物を除去した後、更に、減圧蒸留によってトルエンを除去し、ポリオルガノシロキサン(分子量;5,100)を得た(比較樹脂1)。
比較合成例1と同様の手順で、フェニルトリクロロシラン55mol%、フェニルメチルジクロロシラン15mol%、メチルビニルジクロロシラン30mol%の共加水分解によってポリオルガノシロキサン(分子量;4,500)を得た(比較樹脂2)。
比較合成例1と同様の手順で、フェニルトリクロロシラン45mol%、ジメチルジクロロシラン15mol%、メチルビニルジクロロシラン15mol%、トリメチルクロロシラン25mol%の共加水分解によって、ポリオルガノシロキサン(分子量;2,900)を得た(比較樹脂3)。
1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン53.6g(22mol%)、ジフェニルジメトキシシラン195.2g(45mol%)及び1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン144.0g(33mol%)を仕込んだフラスコに10℃にて濃硫酸17.8g、純水15.4gを順次添加し、12時間撹拌して、加水分解及び平衡化反応をさせた。この反応液に、水5.9g、トルエン195.8gを加えて撹拌し、反応を停止させた後、水を混合して撹拌後静置し、水層を除去するという水洗浄操作をトルエン層が中性になるまで行った。更に、減圧蒸留によってトルエンを除去し得られたオルガノハイドロジェンポリシロキサンをろ過し、不純物を除去してポリオルガノシロキサン(分子量;800)を得た(比較樹脂4)。
比較合成例4と同様の手順で、1,1,1,3,3,3−ヘキサメチルジシロキサン30mol%、ジフェニルジメトキシシラン40mol%、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン30mol%の加水分解及び平衡化反応によって、ポリオルガノシロキサン(分子量;600)を得た(比較樹脂5)。
比較合成例1と同様の手順で、フェニルトリクロロシラン45mol%、メチルジクロロシラン15mol%、メチルビニルジクロロシラン15mol%、トリメチルクロロシラン25mol%の共加水分解によって、ポリオルガノシロキサン(分子量;3,800)を得た(比較樹脂6)。
合成例1記載の有機層1にクロル分相当のナトリウムエトキシドを加えて中和を行った後、水洗浄操作をトルエン層が中性になるまで行った。ろ過して、不純物を除去した後、減圧下でトルエンを除去し、ポリオルガノシロキサン(分子量;2,700)を得た(比較樹脂7)。
(A)成分として樹脂1を、(B)成分としてb−1を、H−Si(B成分中)/Vi−Si(A成分中)=1.2となるように、また、(C)成分として白金触媒200ppmを均一に混合した(Viはビニル基を示す。以下、同様。)。
(A)成分として樹脂2を、(B)成分としてb−1を、H−Si(B成分中)/Vi−Si(A成分中)=1.2となるように、また、(C)成分として白金触媒200ppmを均一に混合した。
(A)成分として樹脂1と樹脂aを質量比100:20の混合物で、(B)成分としてb−1を、H−Si(B成分中)/Vi−Si(A成分中)=1.2となるように、また、(C)成分として白金触媒200ppmを均一に混合した。
(A)成分として樹脂2と樹脂aを質量比100:20の混合物で、(B)成分としてb−1を、H−Si(B成分中)/Vi−Si(A成分中)=1.2となるように、また、(C)成分として白金触媒200ppmを均一に混合した。
(A)成分として樹脂1を、(B)成分としてb−1とb−2との質量比6:4の混合物を、H−Si(B成分中)/Vi−Si(A成分中)=1.2となるように、また、(C)成分として白金触媒200ppmを均一に混合した。
(A)成分として樹脂2を、(B)成分としてb−1とb−2との質量比6:4の混合物を、H−Si((B)成分中)/Vi−Si((A)成分中)=1.2となるように、また、(C)成分として白金触媒200ppmを均一に混合した。
比較樹脂1と比較樹脂4を、質量比80:20となるように、また、白金触媒200ppmを均一に混合した。
比較樹脂2と比較樹脂5を、質量比75:25となるように、また、白金触媒200ppmを均一に混合した。
比較樹脂1と比較樹脂5を、質量比75:25となるように、また、白金触媒200ppmを均一に混合した。
比較樹脂3と比較樹脂6を、質量比10:90となるように、また、白金触媒200ppmを均一に混合した。
(水酸基及びクロル分の定量)
封止樹脂調製例1〜6及び比較封止樹脂例1〜4で調製した各組成物において、(C)成分(白金触媒)を加える前の(A)成分と(B)成分の混合組成物について、含有クロル分及び水酸基量の定量を行った。結果を表1に示す。
(腐食試験)
封止樹脂調製例1〜6及び比較封止樹脂調製例1〜4で調製した樹脂組成物を3cm×3cm×1mmの大きさに150℃,4時間で硬化させた。この硬化物(試験片)をアルミシャーレ上におき、150℃雰囲気下に24時間放置した。その後、試験片に接していたアルミシャーレの表面状態を観察し、アルミが腐食し、白く変色しているか否かを調べた。結果を表2に示す。
(保存安定性試験)
封止樹脂調製例1〜6及び比較封止樹脂調製例1〜4で調製した各樹脂組成物において、(C)成分(白金触媒)を加える前の(A)成分と(B)成分の混合組成物について、30℃で10日間放置し、変化を観察した。
LEDパッケージによる封止樹脂の評価を行った。
(評価方法)
発光半導体パッケージ
発光素子として、InGaNからなる発光層を有し、主発光ピークが470nmのLEDチップを搭載した、図1に示すような発光半導体装置を使用した。ここで、1が筐体、2が発光素子、3,4がリード電極、5がダイボンド材、6が金線、7が封止樹脂である。封止樹脂7の硬化条件は150℃,4時間である。
耐湿及び赤外線リフローの試験方法
作製した発光半導体装置10個を、85℃,85%の恒温恒湿室に24時間入れた後、赤外線リフロー装置(260℃)を3回通し、外観の変化を観察した。結果を表4に示す。なお、樹脂のクラックやLEDパッケージからの剥離が確認されたものをNGとしてカウントした。
2 発光素子
3,4 リード電極
5 ダイボンド材
6 金線
7 封止樹脂
Claims (9)
- (A)下記平均組成式(1)
(R1SiO3/2)a(R2R3SiO)b(R4R5R6SiO1/2)c(SiO4/2)d (1)
(式中、R1〜R6はそれぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示し、その全一価炭化水素基の1〜50モル%は非共有結合性二重結合含有基であり、a、b、c及びdは各シロキサン単位のモル比を示す正数であり、a/(a+b+c+d)=0.40〜0.95、b/(a+b+c+d)=0.05〜0.60、c/(a+b+c+d)=0〜0.05、d/(a+b+c+d)=0〜0.10、a+b+c+d=1.0である。)
で示されるオルガノポリシロキサンを(A)成分全体の30〜100質量%含有する、一分子中に2個以上の非共有結合性二重結合基を有する有機ケイ素化合物、
(B)一分子中に珪素原子に結合した水素原子を2個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(C)触媒量の白金系触媒
を必須成分とする付加硬化型シリコーン樹脂組成物において、(A)成分及び(B)成分のオルガノポリシロキサンがシラノールを含有しないことを特徴とする光半導体素子封止用樹脂組成物。 - (C)成分を除く組成物中の全クロル量が30ppm以下である請求項1記載の光半導体素子封止用樹脂組成物。
- 下記一般式(2)
R7R8R9SiO−(R10R11SiO)e−(R12R13SiO)f−SiR7R8R9 (2)
(式中、R7は非共有結合性二重結合基含有一価炭化水素基を示し、R8〜R13はそれぞれ同一もしくは異種の一価炭化水素基を示し、このうちR12及び/又はR13は芳香族一価炭化水素基を示し、0≦e+f≦500の整数であり、0≦e≦500、0≦f≦250の整数である。)
で示されるオルガノシロキサンを(A)成分全体の0〜70質量%含有し、(B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンが、(A)成分中の二重結合基一個当たり(B)成分中の珪素原子結合水素原子を0.75〜2.0個与えるに十分な量を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の光半導体素子封止用樹脂組成物。 - (A)成分の式(1)で示されるオルガノポリシロキサンにおいて、R1〜R6の少なくとも一つは同一もしくは異種の芳香族一価炭化水素基である請求項1〜3のいずれか1項記載の光半導体素子封止用樹脂組成物。
- (A)成分の式(1)で示されるオルガノポリシロキサンが、下記式(3)〜(6)で示されるオルガノキシシランをそれぞれ0.40〜0.95、0.05〜0.60、0〜0.05、0〜0.10のモル比で使用するか、又は下記式(7)〜(10)で示されるクロロシランをそれぞれ0.40〜0.95、0.05〜0.60、0〜0.05、0〜0.10のモル比で使用して、これらシランを酸加水分解し、続いてアルカリ縮合することにより得られるものである請求項1〜4のいずれか1項記載の光半導体素子封止用樹脂組成物。
R1Si(OR14)3 (3)
R2R3Si(OR14)2 (4)
R4R5R6SiOR14 (5)
Si(OR14)4 (6)
R1SiCl3 (7)
R2R3SiCl2 (8)
R4R5R6SiCl (9)
SiCl4 (10)
(式中、R1〜R6は上記の通り。R14は一価炭化水素基を示す。) - (B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンにおいて、芳香族一価炭化水素基を持ったオルガノハイドロジェンポリシロキサンを、(B)成分の一部又は全部として含む請求項1〜5のいずれか1項記載の光半導体素子封止用樹脂組成物。
- (B)成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンにおいて、グリシジル構造を持ったオルガノハイドロジェンポリシロキサンを、(B)成分の一部又は全部として含む請求項1〜6のいずれか1項記載の光半導体素子封止用樹脂組成物。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載の光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化物により封止された光半導体素子。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載の光半導体素子封止用樹脂組成物の硬化物により封止された発光ダイオード。
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