JP2006294855A - 半導体ウエハのバックグラインディング加工方法と装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体ウエハの裏面を回転する研削具により研削しバックグラインディング加工するのに、研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはおよびパターンが2種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することにより、上記の目的を達することができる。
【選択図】図3
Description
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはおよびパターンが2種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することを特徴としている。
3 表面
4 半導体ウエハ
7 グラインダ
100 制御手段
101 研削加工ステーション
102 研削機構移動台
Claims (8)
- 半導体ウエハの裏面を回転する研削具により研削する半導体ウエハのバックグラインディング加工方法であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが2種以上複合するように接触条件を複数に変化、またはおよび、並行させて研削することを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。 - 回転する研削具を回転する半導体ウエハの片側に接触して半導体ウエハの中心から外周へ延びる円弧状で半導体ウエハの回転方向に対し同じ向きとなる研削痕を発生させる研削と、この研削痕の向きが半導体ウエハの回転方向に対して反転する接触条件に変化させての研削と、の2通りの研削を異時にあるいは並行して行い、半導体ウエハの回転方向に対して向きが反転した2種類の研削痕が複合するようにした請求項1に記載の半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
- 2通りの研削は、1つの研削具の半導体ウエハへの接触位置が、半導体ウエハの一方の片側から他方の片側へシフトすることで異時に行う請求項2に記載の半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
- 2通りの研削は、2つの研削具を半導体ウエハの異なった位置で、それぞれで半導体ウエハの回転方向に対して向きが反転した円弧状の研削痕を形成するように接触させて同時に行う請求項2に記載の半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
- 半導体ウエハに異なった向きまたはパターンの研削痕を形成するように接触して研削を行う研削具を複数同時または異時に接触させて研削し、向きまたはパターンの異なる複数の研削痕を複合して形成する半導体ウエハのバックグラインディング加工方法。
- 半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが2種以上複合するように、半導体ウエハと研削具との接触条件を複数に変化させる制御手段を備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置。 - 半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが2種以上複合するように、半導体ウエハと研削具との接触条件が異なる研削加工ステーションと研削手段との組を、同一の半導体ウエハにつき順次にバックグラインディング加工を行うように備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置。 - 半導体ウエハを表面側で保持して回転させ裏面側の研削加工に供する研削加工ステーションと、この研削加工ステーションにて回転される半導体ウエハの裏面に回転する研削具を接触させて研削しバックグラインディング加工する研削手段とを備えた半導体ウエハのバックグラインディング加工装置であって、
研削時の回転する研削具と回転する半導体ウエハとの接触条件に対応して生じる研削痕が、異なった向きまたはパターンが2種以上複合するように、1つの研削加工ステーションに、この研削加工ステーションにおける半導体ウエハに対する接触条件が異なる研削具を複数異時または並行して働かせるように組合せ備えたことを特徴とする半導体ウエハのバックグラインディング装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141176A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削方法 |
JP2010194680A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク加工方法およびワーク加工装置 |
KR20200033657A (ko) * | 2018-09-20 | 2020-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US10714443B2 (en) | 2015-09-28 | 2020-07-14 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
US20220262641A1 (en) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | Disco Corporation | Grinding apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09253992A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-09-30 | Hitachi Zosen Corp | 研磨装置 |
JP2000288881A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及び研削方法 |
JP2001030149A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-02-06 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | ワークの表面を研削するための方法 |
-
2005
- 2005-04-11 JP JP2005113314A patent/JP2006294855A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09253992A (ja) * | 1996-03-21 | 1997-09-30 | Hitachi Zosen Corp | 研磨装置 |
JP2000288881A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及び研削方法 |
JP2001030149A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-02-06 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | ワークの表面を研削するための方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141176A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの研削方法 |
JP2010194680A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク加工方法およびワーク加工装置 |
US10714443B2 (en) | 2015-09-28 | 2020-07-14 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
KR20200033657A (ko) * | 2018-09-20 | 2020-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102498148B1 (ko) | 2018-09-20 | 2023-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US20220262641A1 (en) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | Disco Corporation | Grinding apparatus |
US11967506B2 (en) * | 2021-02-12 | 2024-04-23 | Disco Corporation | Grinding apparatus |
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