JP2006294773A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板104に形成されたセンサ部100及びセンサ周辺回路部102の上に層間絶縁膜を介して形成される多層配線層において、センサ部100の直上は2層配線とし、センサ周辺回路部102の直上は3層配線とすることにより、センサ部100の直上にある3層目の層間絶縁膜128の上に積層されるパッシベーション膜136の形成の際に平坦化プロセスを使用する必要を省略して、センサ部100の直上領域の層間絶縁膜128の平坦性のバラツキをなくし、これにより、この上に形成されるパッシベーション膜136表面の平坦化程度を極めて良好にし、このパッシベーション膜136の上にオンチップレンズ140を形成する。
【選択図】図1
Description
Claims (11)
- 光電変換動作を行う光センサ部及びこの光センサ部の光電変換信号を処理するセンサ周辺回路部が上部に形成された半導体基板と、
前記光センサ部と前記センサ周辺回路部の上に積層される複数の層間絶縁膜と、
前記複数の層間絶縁膜の各層の上に形成され、前記光センサ部及び前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される複数の配線層と、
前記複数の層間絶縁膜の最上層の層間絶縁膜及び前記複数の配線層の最上層の配線層の上に積層されるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上で前記光センサ部の直上領域に形成される集光用のオンチップレンズとを具備し、
前記最上層の配線層は、前記最上層の層間絶縁膜の上で前記センサ周辺回路部の直上領域のみに形成されることを特徴とする固体撮像素子。 - 光電変換動作を行う光センサ部及びこの光センサ部の光電変換信号を処理するセンサ周辺回路部が上部に形成された半導体基板と、
前記光センサ部と前記センサ周辺回路部の上に積層される第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の上に形成され、前記光センサ部及び前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される第1の配線層と、
前記第1の層間絶縁膜及び前記第1の配線層の上に積層される第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜の上に形成され、前記光センサ部及び前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される第2の配線層と、
前記第2の層間絶縁膜及び前記第2の配線層の上に積層される前記第3の層間絶縁膜と、
前記第3の層間絶縁膜の上で前記センサ周辺回路部の直上領域のみに形成され、前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される第3の配線層と、
前記第3の層間絶縁膜及び前記第3の配線層の上に積層されるパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の上で前記光センサ部の直上領域に形成されるカラーフィルターと、
前記カラーフィルターの上に形成され、前記センサ部に光を集光するオンチップレンズと、
を具備することを特徴とする固体撮像素子。 - 前記パッシベーション膜はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の2層構造を有することを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像素子。
- 前記パッシベーション膜と前記オンチップレンズの間に形成されたカラーフィルターを備えることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記複数の層間絶縁膜および前記複数の配線層はそれぞれ3層で構成され、
前記センサ周辺回路部の直上には前記3層の配線層が存在し、前記光センサ部の直上には前記3層のうちの最上層を除く2層の配線層が存在することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 - 前記センサ周辺回路部の直上には前記第1、第2および第3の配線層が存在し、光センサ部の直上には前記第1および第2の配線層が存在することを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
- 半導体基板上に光電変換動作を行う光センサ部及びこの光センサ部の光電変換信号を処理するセンサ周辺回路部が上部に形成された半導体基板と、前記光センサ部と前記センサ周辺回路部の上に積層される複数の層間絶縁膜と、前記複数の層間絶縁膜の各層の上に形成される複数の配線層とを有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記複数の層間絶縁膜の最上層の層間絶縁膜の上で前記センサ周辺回路部の直上領域のみに前記センサ周辺回路部の信号伝送に使用される前記複数の配線層の最上層の配線層を形成する工程と、
前記最上層の層間絶縁膜及び前記最上層の配線層の上にパッシベーション膜を積層する工程と、
前記パッシベーション膜の上で前記光センサ部の直上領域に集光用のオンチップレンズを形成する工程と、
を具備することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記パッシベーション膜と前記オンチップレンズの間にカラーフィルターを形成する工程を備えることを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記パッシベーション膜はシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の2層構造を有することを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記最上層の配線層は前記センサ周辺回路部の信号伝送用の配線層であることを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記複数の層間絶縁膜および前記複数の配線層はそれぞれ3層で構成されることを特徴とする請求項7記載の固体撮像素子の製造方法。
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