JP2006294528A - 極細径同軸ケーブル及びその製造方法 - Google Patents
極細径同軸ケーブル及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006294528A JP2006294528A JP2005116555A JP2005116555A JP2006294528A JP 2006294528 A JP2006294528 A JP 2006294528A JP 2005116555 A JP2005116555 A JP 2005116555A JP 2005116555 A JP2005116555 A JP 2005116555A JP 2006294528 A JP2006294528 A JP 2006294528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- coaxial cable
- metal
- coating layer
- insulating coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Communication Cables (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
【課題】 層厚が10μm未満のシールド層を備えた極細径同軸ケーブル及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明に係る極細径同軸ケーブル10は、中心導体11の外周に、フッ素樹脂で構成された絶縁被覆層12を設け、その絶縁被覆層12の表面に、金属ナノ粒子の焼結体で構成され、層厚が10μm未満のシールド層13を設けたものである。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明に係る極細径同軸ケーブル10は、中心導体11の外周に、フッ素樹脂で構成された絶縁被覆層12を設け、その絶縁被覆層12の表面に、金属ナノ粒子の焼結体で構成され、層厚が10μm未満のシールド層13を設けたものである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、高周波信号の伝達線路に使用される極細径同軸ケーブル及びその製造方法に関するものである。
図5に示すように、一般的な同軸ケーブル50の構造として、中心導体51の外周に、順に低誘電率の絶縁被覆層52、金属細線53を横巻きしてなるシールド層(横巻シールド)54、樹脂(例えば、ポリ塩化ビニル(PVC))を押出被覆してなる保護被覆層(外被)55を設けたものがある。シールド層54は、この他にも、例えば、金属細線の編組からなる編組シールド、金属薄膜からなる薄膜シールドなどが挙げられる。薄膜シールドは、金属箔の巻回し、金属メッキ(例えば、特許文献1参照)などによって形成可能である。
超音波診断装置の診断プローブや内視鏡などの医療機器などに使用される同軸ケーブルとしては、外径が数十μmの極細径同軸ケーブルを数百本撚り合わせたものが使用される。
近年、医療機器用同軸ケーブルにおいては、高周波伝送特性の更なる向上が要求されており、外径は従来のものと同等のまま、線心数をより多くしたものが求められている。この要求を満足するには、シールド層の層厚を薄くする必要がある。
ところが、図5に示した横巻シールド54や編組シールドは、薄肉化が困難であり、最も薄いものでも10μm以上となってしまう。また、横巻シールド54や編組シールドは、シールド形成に手間と時間がかかるため、製造ラインの走行スピードが遅くなってしまう。その結果、絶縁被覆層52の製造ラインとシールド層54の製造ラインを、単一のタンデムラインとすることが困難であり、絶縁被覆層52の製造ラインとシールド層54の製造ラインを、別々のパラレルラインとする必要があった。
また、金属箔の巻回しやメッキによって薄膜シールドを形成する場合、薄膜化(例えば、膜厚を10μm未満に形成)が困難である。ここで、金属薄膜の形成が可能な方法として、ガラス基板、シリコン基板、プラスチックフィルムなどのデバイス用素材の薄膜形成に用いられるスパッタ法やCVD法などが挙げられる。しかしながら、これらの方法は、薄膜形成面が平面状である場合に適した方法であり、ケーブル被覆層の外周部などの曲面部に薄膜を形成するのには適していなかった。
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、層厚が10μm未満のシールド層を備えた極細径同軸ケーブル及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成すべく本発明に係る極細径同軸ケーブルは、中心導体の外周に、絶縁被覆層、シールド層を有する極細径同軸ケーブルにおいて、
フッ素樹脂で構成された絶縁被覆層の表面に、金属ナノ粒子の焼結体で構成され、層厚が10μm未満のシールド層を設けたものである。
フッ素樹脂で構成された絶縁被覆層の表面に、金属ナノ粒子の焼結体で構成され、層厚が10μm未満のシールド層を設けたものである。
絶縁被覆層の表層部に表面粗化層を設けてもよい。シールド層は、金属ナノ粒子及び金属粉末の焼結体で構成することが好ましい。
一方、本発明に係る極細径同軸ケーブルの製造方法は、中心導体の外周に、絶縁被覆層、シールド層を有する極細径同軸ケーブルの製造方法において、
中心導体の外周に絶縁被覆層を形成する工程と、
その絶縁被覆層の表層部に金属ナノ粒子、金属粉末、及びバインダ樹脂で構成される金属ペーストを塗布、付着させ、絶縁被覆層の外周に金属ペースト層を形成する工程と、
その金属ペースト層に焼結処理を施す工程と、
を備えたものである。
中心導体の外周に絶縁被覆層を形成する工程と、
その絶縁被覆層の表層部に金属ナノ粒子、金属粉末、及びバインダ樹脂で構成される金属ペーストを塗布、付着させ、絶縁被覆層の外周に金属ペースト層を形成する工程と、
その金属ペースト層に焼結処理を施す工程と、
を備えたものである。
金属ペーストを構成する各金属ナノ粒子の表面に保護膜を形成し、各金属ナノ粒子同士の凝集、融着を抑制させることが好ましい。
金属ナノ粒子は、Agナノ粒子であってもよい。
絶縁被覆層の表面に溝パターンを形成すると共に、その溝パターンを金属ペーストで埋め、その絶縁被覆層の外周に金属ペースト層を形成してもよい。絶縁被覆層の形成工程の後に、絶縁被覆層の表層部に表面粗化処理を施す工程を有していることが好ましい。
焼結工程は、170〜230℃の温度範囲で行う低温焼結処理であることが好ましい。
本発明によれば、シールド層の層厚が10μm未満の極細径同軸ケーブルを得ることができるという優れた効果を発揮する。
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
本発明の好適一実施の形態に係る極細径同軸ケーブルの横断面図を図1に示す。
図1に示すように、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10は、中心導体11の外周に、順に、フッ素樹脂で構成される絶縁被覆層12、金属ナノ粒子の焼結体で構成され、層厚が10μm未満、好ましくは5μm以下のシールド層13、及び外被14を設けたものである。
中心導体11は、素線16を複数本(図1中では7本を図示)撚り合わせてなるものであり、導体径が0.200mm以下、好ましくは0.127mm以下(又は導体断面積が0.01267mm2以下)とされる。
絶縁被覆層12の表層部には、表面処理による表面粗化層が形成される。シールド層13は、後述するように金属ナノ粒子及び金属粉末の各焼結体で構成され、金属粉末群の焼結体の隙間を埋める位置に金属ナノ粒子群の焼結体が配設される。
次に、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10の製造方法を、図2に基づいて説明する。図2中において、図1と同様の部材には同じ符号を付しており、これらの部材についての説明は省略する。
図2に示すように、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10の製造方法は、
中心導体11の外周に絶縁被覆層12を形成する工程S21と、
絶縁被覆層12の表層部(絶縁被覆層12の外周面)に表面粗化処理を施す表面粗化工程S22と、
絶縁被覆層12の表層部に金属ナノ粒子、金属粉末、及びバインダ樹脂で構成される金属ペーストを塗布、付着させ、絶縁被覆層12の外周に金属ペースト層を形成する工程S23と、
その金属ペースト層に焼結処理を施す工程S24と、
シールド層13の外周に外被14を形成する工程S25と、
を備える。図2中の破線で囲んだ工程、すなわち工程S23及び工程S24が、シールド層13の形成工程となる。
中心導体11の外周に絶縁被覆層12を形成する工程S21と、
絶縁被覆層12の表層部(絶縁被覆層12の外周面)に表面粗化処理を施す表面粗化工程S22と、
絶縁被覆層12の表層部に金属ナノ粒子、金属粉末、及びバインダ樹脂で構成される金属ペーストを塗布、付着させ、絶縁被覆層12の外周に金属ペースト層を形成する工程S23と、
その金属ペースト層に焼結処理を施す工程S24と、
シールド層13の外周に外被14を形成する工程S25と、
を備える。図2中の破線で囲んだ工程、すなわち工程S23及び工程S24が、シールド層13の形成工程となる。
表面粗化工程S22は、絶縁被覆層12と金属ペーストの密着性を高めるために行われるものであり、プラズマ処理などによって、絶縁被覆層12の表面に細かい凹凸が形成される。活性イオンを用いて表面アタックを行うことが可能な方法であれば、プラズマ処理以外の方法も適用可能である。ここで、表面粗化処理時に、サンドブラストのような固体物を用いた表面アタック処理を行うと、絶縁被覆層12の表面に異物が付着し、後段の工程の金属ペーストの塗布、付着性が悪化する要因となるため、好ましくない。
金属ペーストの塗布、付着は、絶縁被覆層12の表面に均一に行う必要がある。このため、例えば、絶縁被覆層12の周りに配置されたノズルから金属ペーストのミストを噴射させたり、絶縁被覆層12を有する中心導体11を金属ペースト浴中を通過させ、金属ペーストの表面張力を利用することで、金属ペーストの均一な塗布、付着が行われる。
焼結工程S24は、170〜230℃、好ましくは170〜200℃の温度範囲で行う低温焼結処理であり、例えば、電気炉を用いてなされる。この焼結処理によって、後述するバインダ樹脂が揮発すると共に、金属ナノ粒子群及び金属粉末群がそれぞれ焼結される。また、一部の金属ナノ粒子群と金属粉末群が焼結によって一体化され、これによって、シールド層13の全体が一体化される。
金属ナノ粒子の構成材としては、高導電性の金属又は合金が好ましく、例えば、Ag、Cu、Auなどが挙げられる。金属ナノ粒子の平均粒子径は、例えば、約5nmとされる。
金属ナノ粒子としては、各粒子の表面に分散剤などで保護膜を形成したものが好ましい。この保護膜によって、各金属ナノ粒子同士の凝集、融着を抑制させることができる。
金属粉末の構成材は、金属ナノ粒子の構成材と同種又は異種のいずれであってもよい。また、金属粉末の平均粒子径は、例えば、約5μmとされる。
バインダ樹脂としては、特に限定するものではなく、バインダとして慣用的に用いられている樹脂が全て適用可能であるが、熱硬化性樹脂、例えば、フッ素樹脂などが挙げられる。
次に、本実施の形態の作用を説明する。
本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10は、シールド層13を、金属ナノ粒子の焼結体で構成される層厚が10μm未満の金属薄膜で構成している。このシールド層13においては、金属ペーストの構成材の1つである金属粉末群の焼結体の隙間を、金属ナノ粒子群の焼結体が埋めている。このため、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10においては、従来の横巻シールドや編組シールドのようにシールド層表面に外部導体間の隙間が存在せず、その結果、シールド特性がより良好となる。
シールド層13の層厚が10μm未満と非常に薄いことから、極細径同軸ケーブル10の曲げ特性、すなわち巻取性が非常に良好となる。その結果、本実施の形態によれば、一条が1000m以上の長尺ケーブルを得ることができる。また、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10は、シールド層13の層厚が10μm未満と非常に薄いことから、外径が200μm以下の極細径同軸ケーブルを容易に得ることができる。よって、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10は、数百本のケーブルを撚り合わせてなるような医療用ケーブルなどの細径化に対して、非常に有効である。
本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10は、シールド層13を構成する金属ペースト層の、バインダ樹脂以外の構成材として、金属粉末だけではなく、金属ナノ粒子も用いている。金属ナノ粒子は、金属粉末と比べて粒子径が格段に小さいことから、金属ナノ粒子及び金属粉末を含む金属ペーストは、金属粉末だけを含む金属ペーストよりも、低温、短時間(又は高速)で焼結が可能となる。よって、焼結工程S24において、170〜230℃の温度範囲の低温焼結であっても、十分に金属ペースト層の焼結が可能である。また、焼結時に絶縁被覆層12の絶縁体が熱膨張して金属ペースト層から突き出たり、中心導体11にクラックが発生するのを防止することができる。
シールド層13の層厚は金属ペーストの塗布厚さの調整によって自在に調整できることから、高い寸法精度で、周方向に均一なシールド層13を形成することができ、延いては本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10の高周波伝送特性が安定となる。
シールド層13を構成する金属ペースト層の構成材である金属ナノ粒子及び金属粉末を、Agナノ粒子とCu粉末とした金属ペースト(Ag-Cuハイブリッド金属ペースト)は、Cuナノ粒子とCu粉末を用いて構成した金属ペースト(Cu-Cu金属ペースト)と比較して、酸化による影響が少なくなる(酸化皮膜が形成されにくい)。よって、Ag-Cuハイブリッド金属ペーストを用いることで、シールド層13の抵抗値がより安定すると共に、シールド効果がより高くなる。もちろん、ハイブリッド化することなく、Agナノ粒子とAg粉末を用いて構成した金属ペースト(Ag-Ag金属ペースト)であってもよい。このAg-Ag金属ペーストを用いた場合、原料コストはより高くなるものの、抵抗値はさらに安定し、かつ、シールド効果は最も高くなる。また、Agの代わりにAuを用いてもよい。この場合、原料コストはより高くなり、かつ、シールド効果は若干低くなるものの、酸化による影響がより少なくなる。
表面粗化工程S22、金属ペースト層の形成工程S23、及び焼結処理工程S24は、それぞれ連続処理に適しており、かつ、短時間で処理が可能である。よって、各工程S22,S23,S24のラインスピードを、絶縁被覆層12の被覆工程S21及び外被14の被覆工程S25のラインスピードとほとんど変わらない程度まで高めることができる。その結果、各工程S21〜S25を、それぞれ別々のパラレルラインとする必要はなく、単一のタンデムラインとすることができ、延いては、極細径同軸ケーブル10の生産性が向上する。
本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10は、情報通信機器、情報処理機器などの電子機器や超音波診断装置などの医療機器において、高周波信号の伝達線路として使用される信号線や電力供給線に適用することができる。
次に、本発明の他の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
本発明の他の好適一実施の形態に係る極細径同軸ケーブルの横断面図を図3に示す。尚、図1と同様の部材には同じ符号を付しており、これらの部材についての説明は省略する。
図3に示すように、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル30は、中心導体11の外周に、順に、フッ素樹脂で構成される絶縁被覆層12、層厚が10μm未満、好ましくは5μm以下のシールド層13、及び外被14を設けたものであり、かつ、絶縁被覆層12の表面に金属パターン32を有する。金属パターン32とシールド層13が、極細径同軸ケーブル30のシールドを構成する。
金属パターン32は、絶縁被覆層12の表面に形成された溝パターン31に埋込んだ金属ペーストを焼結してなるものである。溝パターン31のパターン形状は特に限定するものではなく、例えば、中心導体11の長手方向に延びる直線パターン、らせんパターン、波形パターンなどが挙げられる。また、溝パターン31の断面形状は特に限定するものではなく、例えば、矩形状、三角形状、半円状などが挙げられる。
次に、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル30の製造方法を、図4に基づいて説明する。図4中において、図1〜図3と同様の部材には同じ符号を付しており、これらの部材についての説明は省略する。
本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル30の製造方法は、基本的には前実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10の製造方法と同じであるが、溝パターン形成工程を有する点などが異なる。
具体的な製造方法は、図4に示すように、
絶縁被覆層12の形成工程S21と、
絶縁被覆層12の表面に溝パターン31を形成する工程S46と、
絶縁被覆層12の表層部(絶縁被覆層12の外周面及び溝パターン31の表面)に表面粗化処理を施す表面粗化工程S42と、
絶縁被覆層12の表層部(溝パターン31の内部及び絶縁被覆層12の外周面)に金属ナノ粒子、金属粉末、及びバインダ樹脂で構成される金属ペーストを塗布、付着させ、溝パターン31内及び絶縁被覆層12の外周に金属ペースト層を形成する工程S43と、
溝パターン31内及び絶縁被覆層12の外周の金属ペースト層に焼結処理を施し、金属パターン32及びシールド層13を形成する工程S44と、
シールド層13の外周に外被14を形成する工程S25と、
を備える。
絶縁被覆層12の形成工程S21と、
絶縁被覆層12の表面に溝パターン31を形成する工程S46と、
絶縁被覆層12の表層部(絶縁被覆層12の外周面及び溝パターン31の表面)に表面粗化処理を施す表面粗化工程S42と、
絶縁被覆層12の表層部(溝パターン31の内部及び絶縁被覆層12の外周面)に金属ナノ粒子、金属粉末、及びバインダ樹脂で構成される金属ペーストを塗布、付着させ、溝パターン31内及び絶縁被覆層12の外周に金属ペースト層を形成する工程S43と、
溝パターン31内及び絶縁被覆層12の外周の金属ペースト層に焼結処理を施し、金属パターン32及びシールド層13を形成する工程S44と、
シールド層13の外周に外被14を形成する工程S25と、
を備える。
本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル30においても、前実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10と同様の作用効果が得られる。
また、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル30においては、金属パターン32が絶縁被覆層12に埋設された構造、視点を変えると金属パターン32が絶縁被覆層12に食い込んだ(打ち込まれた)構造となっている。このため、金属パターン32を有する絶縁被覆層12の表面に、金属パターン32と同材質のシールド層13を形成することで、金属パターン32とシールド層13が強固に密着されると共に、金属パターン32がシールド層13のアンカーとして作用する。
よって、本実施の形態に係る極細径同軸ケーブル30は、前実施の形態に係る極細径同軸ケーブル10と比較して、絶縁被覆層12とシールド層13の密着性がより高まると共に、曲げ特性やシールド特性がより向上する。
以上、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
10 極細径同軸ケーブル
11 中心導体
12 絶縁被覆層
13 シールド層
11 中心導体
12 絶縁被覆層
13 シールド層
Claims (9)
- 中心導体の外周に、絶縁被覆層、シールド層を有する極細径同軸ケーブルにおいて、
フッ素樹脂で構成された上記絶縁被覆層の表面に、金属ナノ粒子の焼結体で構成され、層厚が10μm未満のシールド層を設けたことを特徴とする極細径同軸ケーブル。 - 上記絶縁被覆層の表層部に表面粗化層を設けた請求項1記載の極細径同軸ケーブル。
- 上記シールド層を、金属ナノ粒子及び金属粉末の焼結体で構成した請求項1又は2記載の極細径同軸ケーブル。
- 中心導体の外周に、絶縁被覆層、シールド層を有する極細径同軸ケーブルの製造方法において、
中心導体の外周に絶縁被覆層を形成する工程と、
その絶縁被覆層の表層部に金属ナノ粒子、金属粉末、及びバインダ樹脂で構成される金属ペーストを塗布、付着させ、絶縁被覆層の外周に金属ペースト層を形成する工程と、
その金属ペースト層に焼結処理を施す工程と、
を備えたことを特徴とする極細径同軸ケーブルの製造方法。 - 上記金属ペーストを構成する各金属ナノ粒子の表面に保護膜を形成し、各金属ナノ粒子同士の凝集、融着を抑制させた請求項4記載の極細径同軸ケーブルの製造方法。
- 上記金属ナノ粒子が、Agナノ粒子である請求項4又は5記載の極細径同軸ケーブルの製造方法。
- 上記絶縁被覆層の表面に溝パターンを形成すると共に、その溝パターンを上記金属ペーストで埋め、その絶縁被覆層の外周に上記金属ペースト層を形成した請求項4から6いずれかに記載の極細径同軸ケーブルの製造方法。
- 上記絶縁被覆層の形成工程の後に、絶縁被覆層の表層部に表面粗化処理を施す工程を有する請求項4から7いずれかに記載の極細径同軸ケーブルの製造方法。
- 上記焼結工程が、170〜230℃の温度範囲で行う低温焼結処理である請求項4から8いずれかに記載の極細径同軸ケーブルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116555A JP2006294528A (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 極細径同軸ケーブル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005116555A JP2006294528A (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 極細径同軸ケーブル及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006294528A true JP2006294528A (ja) | 2006-10-26 |
Family
ID=37414850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005116555A Pending JP2006294528A (ja) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | 極細径同軸ケーブル及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006294528A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009123490A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Hitachi Cable Ltd | 同軸ケーブル及びその製造方法 |
JP2010135205A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Hitachi Cable Ltd | 同軸ケーブル及びその製造方法 |
US8304654B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-11-06 | Hitachi Cable, Ltd. | Coaxial cable |
JP2014530458A (ja) * | 2011-09-19 | 2014-11-17 | エルジー・ケム・リミテッド | ケーブル型二次電池 |
KR101561639B1 (ko) | 2014-04-14 | 2015-10-20 | 전자부품연구원 | 그래핀 코팅층을 갖는 케이블 및 이의 제조방법 |
JP2017183232A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | タツタ電線株式会社 | 同軸ケーブル |
JP2020149793A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | ケーブルおよび超音波装置 |
-
2005
- 2005-04-14 JP JP2005116555A patent/JP2006294528A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009123490A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Hitachi Cable Ltd | 同軸ケーブル及びその製造方法 |
JP2010135205A (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Hitachi Cable Ltd | 同軸ケーブル及びその製造方法 |
US8816207B2 (en) | 2008-12-05 | 2014-08-26 | Hitachi Cable, Ltd. | Coaxial cable and manufacturing method of the same |
US8304654B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-11-06 | Hitachi Cable, Ltd. | Coaxial cable |
JP2014530458A (ja) * | 2011-09-19 | 2014-11-17 | エルジー・ケム・リミテッド | ケーブル型二次電池 |
KR101561639B1 (ko) | 2014-04-14 | 2015-10-20 | 전자부품연구원 | 그래핀 코팅층을 갖는 케이블 및 이의 제조방법 |
JP2017183232A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | タツタ電線株式会社 | 同軸ケーブル |
JP2020149793A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | ケーブルおよび超音波装置 |
JP7205313B2 (ja) | 2019-03-11 | 2023-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | ケーブルおよび超音波装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006294528A (ja) | 極細径同軸ケーブル及びその製造方法 | |
JP3671919B2 (ja) | 同軸ケーブル及び同軸多心ケーブル | |
JP2018170267A5 (ja) | ||
US6953888B2 (en) | Thin coaxial cable and method for its manufacture | |
JP2009245658A (ja) | 平角電線及びその製造方法 | |
JP2011187323A (ja) | 極細シールドケーブル及びこれを用いたハーネス | |
JP2015153497A (ja) | シールドケーブル | |
JP2017027730A (ja) | ノイズシールドケーブルの製造方法及びノイズシールドケーブル | |
JP2001101929A (ja) | フレキシブル高強度軽量導体 | |
JP2007280762A (ja) | ノンハロゲン同軸ケーブル及びこれを用いた多芯ケーブル | |
JP2009045907A (ja) | シームレスポリイミドチューブ及びその製造方法 | |
JP2011034906A (ja) | 同軸ケーブルの製造方法、及び同軸ケーブル | |
JP2009164039A (ja) | 2芯平行ケーブル | |
JP4640260B2 (ja) | フラットケーブルの製造方法 | |
JP5595754B2 (ja) | 超極細同軸ケーブル及びその製造方法 | |
JP2010027491A (ja) | 極細同軸ケーブルおよびその製造方法 | |
JP4137255B2 (ja) | 同軸ケーブル | |
JP2004111072A (ja) | 平角強磁性導体およびその製造方法、及び該導体を用いたエナメル被覆平角強磁性線、自己融着性エナメル被覆平角強磁性線および強磁性フラットケーブル | |
JP2010160970A (ja) | 同軸ケーブル | |
JP6075639B2 (ja) | 同軸ケーブル | |
JP5239304B2 (ja) | 同軸ケーブル及びその製造方法 | |
JP2006164754A (ja) | シールドケーブル | |
JP2003051219A (ja) | 超極細同軸ケーブル | |
JP2010073463A (ja) | 高速差動ケーブル | |
JP2010251567A (ja) | 電磁シールドチューブ |