JP2006287160A

JP2006287160A - Exposure device and manufacturing method therefor

Info

Publication number: JP2006287160A
Application number: JP2005108538A
Authority: JP
Inventors: Ryochi Nagahashi; 良智長橋; Satonami Hayashiyama; 才斗南林山; Shigeru Hagiwara; 茂萩原; Yosuke Shirata; 陽介白田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2005-04-05
Filing date: 2005-04-05
Publication date: 2006-10-19

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an exposure device which supplies a gas of almost uniform current to a space in which a stage device is housed, and is easy to maintain. <P>SOLUTION: The exposure device EX comprises a stage 22 which can move while holding an object W; and a sheet member 100 which partitions a space in which the stage 22 is arranged into a first space 46b for housing the stage 22, and a second space 46a into which a gas A flows from a gas supply source 70. The sheet member 100 comprises a plurality of air holes by which the first space 46b and the second space 46a are communicated with each other, forms a gas supply surface for supplying the gas A to the first space 46b, and is made of a flexible material. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、露光装置及びデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method.

半導体素子、液晶表示素子等を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、ステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などの露光装置が用いられている。
これらの露光装置では、半導体素子等の高集積化に伴って、感光基板上に形成する回路パターンの微細化が要請されている。回路パターンの微細化を実現するためには、非常に精密な装置である露光装置の温度状態を一定に制御して、所望の性能を発揮させる必要がある。
このため、例えば、特許文献１に示すように、露光装置では、露光装置本体をチャンバ内に収容し、そのチャンバ内部の空間が均一な温度分布となるように制御している。
国際公開第０２／１０１８０４号パンフレット In lithography processes for manufacturing semiconductor elements, liquid crystal display elements, etc., step-and-repeat reduction projection exposure apparatuses (so-called steppers), step-and-scan scanning projection exposure apparatuses (so-called scanning steppers), etc. The exposure apparatus is used.
In these exposure apparatuses, miniaturization of circuit patterns formed on a photosensitive substrate is demanded as semiconductor elements and the like are highly integrated. In order to realize miniaturization of circuit patterns, it is necessary to control the temperature state of an exposure apparatus, which is a very precise apparatus, to be constant and to exhibit desired performance.
For this reason, for example, as shown in Patent Document 1, in an exposure apparatus, the exposure apparatus main body is accommodated in a chamber, and the space inside the chamber is controlled to have a uniform temperature distribution.
International Publication No. 02/101804 Pamphlet

上述した技術では、感光基板を載置する基板ステージが収容された空間に温調気体を供給するために、温調気体が流入するアルミニウム製のダクトをその空間の天井部分等に配置している。このため、基板ステージ等のメンテナンス時には、作業空間を確保するため、ダクトを取り外す必要があり、メンテナンス性に劣るという問題がある。特に、基板ステージが収容された空間の略全体に温調された気体をダウンフローにて供給させる場合には、ダクトが占有する空間が増大して、メンテナンス性が悪化するという問題がある。
また、上述した技術等では、基板ステージが収容された空間の底部や側部の複数箇所に気体を排出する排気部を設けることにより、この空間の略全面に均一なダウンフローを発生させしようとしているが、基板ステージ等が空気の流れの障害物となるため、均一なダウンフローの実現は必ずしも実現されていない。したがって、基板ステージの位置を測定するレーザ干渉計の光路空間から空気の揺らぎ等が発生して、測定誤差の原因となってしまうという問題がある。 In the above-described technique, in order to supply the temperature control gas to the space in which the substrate stage on which the photosensitive substrate is placed is accommodated, an aluminum duct into which the temperature control gas flows is disposed in the ceiling portion of the space. . For this reason, at the time of maintenance of the substrate stage or the like, it is necessary to remove the duct in order to secure a work space, and there is a problem that the maintainability is inferior. In particular, when the temperature-controlled gas is supplied to almost the entire space in which the substrate stage is accommodated by downflow, there is a problem that the space occupied by the duct increases and the maintainability deteriorates.
Further, in the above-described technology and the like, it is intended to generate a uniform downflow on substantially the entire surface of the space by providing exhaust portions that exhaust gas at a plurality of locations on the bottom and sides of the space in which the substrate stage is accommodated. However, since the substrate stage or the like becomes an obstacle to the air flow, a uniform downflow is not necessarily realized. Therefore, there is a problem that air fluctuations occur from the optical path space of the laser interferometer that measures the position of the substrate stage, causing measurement errors.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、ステージ装置が収容された空間に略均一な流れの気体を供給することができると共に、そのメンテナンスが容易な露光装置を提供することを目的とする。
また、ステージ装置が収容された空間に供給された気体を同一方向に送気することができる露光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide an exposure apparatus that can supply a substantially uniform flow of gas to a space in which a stage apparatus is accommodated and that can be easily maintained. And
It is another object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of supplying the gas supplied to the space in which the stage apparatus is accommodated in the same direction.

本発明に係る露光装置及びデバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、露光装置（ＥＸ）は、物体（Ｗ）を保持して移動可能なステージ（２２）と、前記ステージが配置された空間（４６）を、前記ステージが収容される第一空間（４６ｂ）と、気体供給源（７０）から気体（Ａ）が流入する第二空間（４６ａ）とに仕切るシート部材（１００）とを有し、前記シート部材は、前記第一空間と前記第二空間とを連通する複数の通気孔（１０２）を備え、前記第一空間に対して気体を供給する気体供給面（１００ａ）を形成すると共に、柔軟性のある素材で形成されるようにした。
この発明によれば、シート部材が柔軟性のある素材に複数の通気孔を有して形成されると共に、ステージが収容される第一空間に気体を流入させる気体供給面を形成するので、金属製ダクト等に比べて簡易な構造で第一空間に均一な流れの気体を供給できる。 The exposure apparatus and the device manufacturing method according to the present invention employ the following means in order to solve the above-described problems.
According to a first aspect of the present invention, an exposure apparatus (EX) includes a stage (22) capable of holding and moving an object (W), and a space (46) in which the stage is disposed, and a first stage in which the stage is accommodated. A sheet member (100) that partitions into a space (46b) and a second space (46a) into which gas (A) flows from a gas supply source (70), wherein the sheet member includes the first space and the Provided with a plurality of vent holes (102) communicating with the second space, forming a gas supply surface (100a) for supplying gas to the first space, and made of a flexible material did.
According to the present invention, the sheet member is formed with a plurality of vent holes in a flexible material and forms a gas supply surface that allows gas to flow into the first space in which the stage is accommodated. Compared to ducts and the like, it is possible to supply a uniform flow of gas to the first space with a simple structure.

また、シート部材（１００）が、脱着可能に構成されているものでは、第一空間に配置されたステージのメンテナンス等の際に、柔軟性のある素材からなるシート部材を取り外すだけで、作業空間を確保することができるので、メンテナンスを効率的に行うことが可能となる。
また、通気孔（１０２）の少なくとも一部は、シート部材（１００）の表面に対して傾斜して形成されているものでは、容易に第一空間に供給される気体の送気方向を調整することができる。
また、通気孔（１０２）が、ステージ（２２）の移動軌跡に基づいて、傾斜角、孔径、数、分布のうちの少なくとも一つが規定されているものでは、気体の流れの障害物となりうるステージの移動軌跡を考慮して、第一空間に供給する気体の送気方向、流量等を調整することにより、第一空間内の気体のよどみや揺らぎを排除することができる。 Further, in the case where the sheet member (100) is configured to be detachable, the work space can be simply removed by removing the sheet member made of a flexible material during maintenance of the stage disposed in the first space. Therefore, maintenance can be performed efficiently.
In addition, if at least a part of the vent hole (102) is formed to be inclined with respect to the surface of the sheet member (100), the air supply direction of the gas supplied to the first space is easily adjusted. be able to.
Further, if the vent hole (102) has at least one of an inclination angle, a hole diameter, a number, and a distribution based on the movement locus of the stage (22), the stage can be an obstacle to the flow of gas. By adjusting the gas supply direction and flow rate of the gas supplied to the first space in consideration of the movement trajectory, the stagnation and fluctuation of the gas in the first space can be eliminated.

また、ステージ（２２）を移動可能に支持する定盤（２４）を備え、前記定盤が、シート部材（１００）と対向して設けられ、第一空間（４６ｂ）の気体（Ａ）を排気する排気部（１１０）を備えるものでは、定盤上の気体のよどみを排除すると共に、第一空間に安定した気体の流れを発生させることができる。
また、排気部（１１０）が、ステージ（２２）の位置に応じて、定盤（２４）上での排気位置を変更可能であるものでは、ステージの位置に関わらず、排気口を確保できるので、ステージの位置を測定するレーザ干渉計の光路空間における気体の流れをステージの位置に関わらず略一定に維持することができる。
また、排気部（１１０）が、排気位置の変更に関わらず、排気面積が略一定となるように調整可能であるものでは、ステージの周辺における排気量が略一定に維持されるので、ステージの位置を測定するレーザ干渉計の光路空間における気体の流れをステージの位置に関わらず安定化することができる。 Moreover, the surface plate (24) which supports a stage (22) so that a movement is possible is provided, the said surface plate is provided facing a sheet | seat member (100), and exhausts the gas (A) of a 1st space (46b). With the exhaust part (110) which performs, it is possible to eliminate gas stagnation on the surface plate and to generate a stable gas flow in the first space.
Further, if the exhaust part (110) can change the exhaust position on the surface plate (24) according to the position of the stage (22), an exhaust port can be secured regardless of the position of the stage. The gas flow in the optical path space of the laser interferometer that measures the position of the stage can be maintained substantially constant regardless of the position of the stage.
In addition, if the exhaust section (110) can be adjusted so that the exhaust area is substantially constant regardless of the change in the exhaust position, the exhaust amount around the stage is maintained substantially constant. The gas flow in the optical path space of the laser interferometer for measuring the position can be stabilized regardless of the position of the stage.

第２の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程において第１の発明の露光装置（ＥＸ）を用いるようにした。
この発明によれば、ステージ等が収容される第一空間に略均一な流れの気体が供給されるので、微細な回路パターンを有するデバイスを高精度に製造することができる。
なお、上記各発明をわかりやすく説明するために一実施例を表す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。 According to a second invention, in the device manufacturing method including the lithography process, the exposure apparatus (EX) of the first invention is used in the lithography process.
According to the present invention, since the gas having a substantially uniform flow is supplied to the first space in which the stage or the like is accommodated, a device having a fine circuit pattern can be manufactured with high accuracy.
In addition, in order to explain each said invention clearly, it demonstrated corresponding to the code | symbol of drawing showing one Example, but it cannot be overemphasized that this invention is not limited to an Example.

本発明によれば以下の効果を得ることができる。
ステージが収容される第一空間に均一な流れの気体が供給され、更に、ステージの位置を測定するレーザ干渉計の光路空間における気体の流れを安定化することができるので、ステージを高精度に位置決め等することが可能となり、また、均一な流れの気体の下で露光処理を行うことが可能となる。したがって、微細な回路パターン等を感光基板上に高精度に露光することが可能となる。
これにより、効率よく高精度なデバイスを製造することが可能となる。 According to the present invention, the following effects can be obtained.
A uniform flow of gas is supplied to the first space in which the stage is housed, and furthermore, the gas flow in the optical path space of the laser interferometer that measures the position of the stage can be stabilized. Positioning and the like can be performed, and exposure processing can be performed under a uniform flow of gas. Therefore, a fine circuit pattern or the like can be exposed on the photosensitive substrate with high accuracy.
Thereby, it becomes possible to manufacture a highly accurate device efficiently.

以下、本発明の露光装置及びデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの構成を示す模式図である。
露光装置ＥＸは、レチクルＲとウエハＷとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルＲに形成されたパターンを投影光学系１６を介してウエハＷ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわち、いわゆるスキャニング・ステッパである。
露光装置ＥＸは、露光装置本体１０と、クリーンルーム内の床面Ｆ上に設置されると共に露光装置本体１０を収容する本体チャンバ４０と、本体チャンバ４０に隣接して配置された機械室７０とを備える。 Embodiments of an exposure apparatus and a device manufacturing method according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an exposure apparatus EX according to the present embodiment.
The exposure apparatus EX transfers the pattern formed on the reticle R to each shot area on the wafer W via the projection optical system 16 while moving the reticle R and the wafer W synchronously in a one-dimensional direction. This is a scanning type exposure apparatus, that is, a so-called scanning stepper.
The exposure apparatus EX includes an exposure apparatus main body 10, a main body chamber 40 that is installed on the floor surface F in the clean room and accommodates the exposure apparatus main body 10, and a machine room 70 disposed adjacent to the main body chamber 40. Prepare.

露光装置本体１０は、露光光ＥＬによりレチクルＲを照明する照明光学系１２、レチクルＲを保持して移動可能なレチクルステージ１４、レチクルＲから射出される露光光ＥＬをウエハＷ上に投射する投影光学系１６、ウエハＷを保持して移動可能なウエハステージ２０と、投影光学系１６等を保持すると共にウエハステージ２０が搭載される本体コラム３０、露光装置ＥＸを統括的に制御する不図示の制御装置等を備える。 The exposure apparatus main body 10 includes an illumination optical system 12 that illuminates the reticle R with exposure light EL, a reticle stage 14 that is movable while holding the reticle R, and a projection that projects the exposure light EL emitted from the reticle R onto the wafer W. An optical system 16, a wafer stage 20 that can move while holding the wafer W, a projection optical system 16, etc., and a main body column 30 on which the wafer stage 20 is mounted and an exposure apparatus EX are controlled in an integrated manner (not shown). A control device and the like are provided.

照明光学系１２は、レチクルステージ１４に支持されているレチクルＲを露光光ＥＬで照明するものであり、不図示の露光用光源から射出された露光光ＥＬの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、コンデンサレンズ、リレーレンズ系、レチクルＲ上の露光光ＥＬによる照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等（いずれも不図示）を有している。
このような構成により、照明光学系１２は、レチクルＲ上の所定の照明領域を、より均一な照度分布の露光光ＥＬで照明可能となっている。
なお、露光用光源から射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等の紫外光が用いられる。 The illumination optical system 12 illuminates the reticle R supported by the reticle stage 14 with the exposure light EL, and an optical integrator and a condenser that uniformize the illuminance of the exposure light EL emitted from an exposure light source (not shown). A lens, a relay lens system, and a variable field stop for setting the illumination area by the exposure light EL on the reticle R in a slit shape (all not shown) are included.
With such a configuration, the illumination optical system 12 can illuminate a predetermined illumination area on the reticle R with the exposure light EL having a more uniform illuminance distribution.
The exposure light EL emitted from the exposure light source is, for example, an ultraviolet emission line (g line, h line, i line) emitted from a mercury lamp, KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF excimer laser light. Ultraviolet light such as (wavelength 193 nm) is used.

レチクルステージ１４は、レチクルＲを支持しつつ、投影光学系１６の光軸ＡＸに垂直な平面内の２次元移動及び微小回転を行うものである。なお、レチクルＲは、レチクルステージ１４に形成された矩形開口の周囲に設けられたレチクル吸着機構により真空吸着等される。
レチクルステージ１４上のレチクルＲの２次元方向の位置及び回転角は、不図示のレーザ干渉計によりリアルタイムで測定され、その測定結果は制御装置に出力される。そして、制御装置がレーザ干渉計の測定結果に基づいてリニアモータ等を駆動することで、レチクルステージ１４に支持されているレチクルＲの位置決めが行われる。
なお、レチクルステージ１４は、サポートコラム３６により支持される。 The reticle stage 14 performs two-dimensional movement and minute rotation in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system 16 while supporting the reticle R. The reticle R is vacuum-sucked by a reticle suction mechanism provided around a rectangular opening formed in the reticle stage 14.
The position and rotation angle of the reticle R on the reticle stage 14 in a two-dimensional direction are measured in real time by a laser interferometer (not shown), and the measurement result is output to the control device. Then, the controller R drives a linear motor or the like based on the measurement result of the laser interferometer, thereby positioning the reticle R supported by the reticle stage 14.
The reticle stage 14 is supported by a support column 36.

投影光学系１６は、レチクルＲに形成されたパターンを所定の投影倍率でウエハＷに投影露光するものであって、複数の光学素子で構成される。本実施形態において、投影光学系１６は、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系１６は等倍系及び拡大系のいずれでもよい。
そして、投影光学系１６は、メインコラム３４の天板に設けられた穴部３４ａに、センサコラム３５を介して挿入、支持される。なお、センサコラム３５には、不図示のＦＡセンサ等が設置される。 The projection optical system 16 projects and exposes the pattern formed on the reticle R onto the wafer W at a predetermined projection magnification, and is composed of a plurality of optical elements. In the present embodiment, the projection optical system 16 is a reduction system having a projection magnification β of, for example, 1/4 or 1/5. Note that the projection optical system 16 may be either an equal magnification system or an enlargement system.
The projection optical system 16 is inserted into and supported by a hole 34 a provided in the top plate of the main column 34 via a sensor column 35. The sensor column 35 is provided with an FA sensor (not shown).

ウエハステージ２０は、ウエハＷを保持しつつ、Ｘ方向，Ｙ方向，及びθＺ方向の３自由度方向に移動可能なＸＹテーブル２２と、ＸＹテーブル２２をＸＹ平面内で移動可能に支持するウエハ定盤２４とを備えている。更に、ＸＹテーブル２２上に載置したウエハＷの露光処理中に他のウエハＷを載置してアライメント処理等を行う計測テーブル２３を備える。
そして、ウエハステージ２０上には移動鏡２６が設けられ、これに対向する位置にはレーザ干渉計２８が設けられる。そして、ウエハステージ２０の２次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計２８によりリアルタイムで測定され、測定結果が制御装置に出力される。そして、制御装置がレーザ干渉計２８の測定結果に基づいてリニアモータ等を駆動することで、ウエハステージ２０に保持されているウエハＷの位置、移動速度等が制御される。
なお、ウエハ定盤２４には、空気Ａを回収し、機械室７０に戻すステージ排気部１１０が形成される。詳細については、後述する。 The wafer stage 20 holds the wafer W, and can move in three directions of freedom in the X direction, the Y direction, and the θZ direction, and a wafer surface that supports the XY table 22 to be movable in the XY plane. A board 24 is provided. Further, a measurement table 23 is provided that performs alignment processing by placing another wafer W during the exposure processing of the wafer W placed on the XY table 22.
A movable mirror 26 is provided on the wafer stage 20, and a laser interferometer 28 is provided at a position facing the movable mirror 26. The position and rotation angle of the wafer stage 20 in the two-dimensional direction are measured in real time by the laser interferometer 28, and the measurement result is output to the control device. The controller drives the linear motor or the like based on the measurement result of the laser interferometer 28, thereby controlling the position, moving speed, and the like of the wafer W held on the wafer stage 20.
The wafer surface plate 24 is formed with a stage exhaust unit 110 that collects air A and returns it to the machine chamber 70. Details will be described later.

本体コラム３０は、本体チャンバ４０の底面上に設置されたベースプレート３８の上方に、複数の防振台３２を介して支持されている。本体コラム３０は、防振台３２によって支持されたメインコラム３４と、このメインコラム３４上部に立設されたサポートコラム３６とを有している。
そして、メインコラム３４の天井部となるメインフレームには、投影光学系１６が支持されている。また、サポートコラム３６には、レチクルステージ１４、照明光学系１２が支持されている。 The main body column 30 is supported above a base plate 38 installed on the bottom surface of the main body chamber 40 via a plurality of vibration isolation tables 32. The main body column 30 includes a main column 34 supported by a vibration isolation table 32 and a support column 36 provided upright on the main column 34.
The projection optical system 16 is supported on the main frame that is the ceiling of the main column 34. The support column 36 supports the reticle stage 14 and the illumination optical system 12.

本体チャンバ４０は、環境条件（清浄度、温度、圧力等）がほぼ一定に維持された露光室４２と、この露光室４２の側部に配置された不図示のレチクルローダ室及びウエハローダ室とを有するように形成されている。なお、露光室４２は、その内部に露光装置本体１０が配置される。
露光室４２の上部側面には、本体チャンバ４０内に温調した空気（気体）Ａを供給する機械室７０に接続される噴出口５０が設けられる。そして、機械室７０から送気される温調された空気Ａが噴出口５０からサイドフローにて露光室４２の上部空間４４に送り込まれるようになっている。
また、露光室４２の底部には、リターン部５２が設けられ、このリターン部５２の下方には、リターンダクト５４の一端が接続される。そして、リターンダクト５４の他端は、機械室７０に接続される。
また、メインコラム３４の下端側面及び底面の複数箇所には、リターンダクト５６が接続され、このリターンダクト５６の他端は機械室７０に接続される。つまり、図示は省略されているが、リターンダクト５６は、複数の分岐路を備え、それぞれの分岐路がメインコラム３４の下端側面及び底面の複数箇所に接続される。
すなわち、露光室４２内の空気Ａがリターン部５２等からリターンダクト５４，５６を介して機械室７０に戻されるようになっている。 The main body chamber 40 includes an exposure chamber 42 in which environmental conditions (cleanness, temperature, pressure, etc.) are maintained substantially constant, and a reticle loader chamber and a wafer loader chamber (not shown) arranged on the side of the exposure chamber 42. It is formed to have. In the exposure chamber 42, the exposure apparatus main body 10 is disposed.
On the upper side surface of the exposure chamber 42, a jet port 50 connected to a machine chamber 70 that supplies temperature-controlled air (gas) A into the main body chamber 40 is provided. The temperature-controlled air A sent from the machine chamber 70 is sent from the jet outlet 50 into the upper space 44 of the exposure chamber 42 by side flow.
A return portion 52 is provided at the bottom of the exposure chamber 42, and one end of a return duct 54 is connected to the lower portion of the return portion 52. The other end of the return duct 54 is connected to the machine room 70.
In addition, a return duct 56 is connected to a plurality of locations on the lower side surface and the bottom surface of the main column 34, and the other end of the return duct 56 is connected to the machine room 70. That is, although not shown, the return duct 56 includes a plurality of branch paths, and each branch path is connected to a plurality of locations on the lower side surface and the bottom surface of the main column 34.
That is, the air A in the exposure chamber 42 is returned from the return portion 52 and the like to the machine chamber 70 via the return ducts 54 and 56.

露光室４２の側面には、機械室７０に接続された給気管路６０が接続され、更に、露光室４２内に延設されている。その内部には、ヒータ６２、送風機６４、ケミカルフィルタＣＦ、フィルタボックスＡＦが順次配置されている。
更に、給気管路６０は、２つの分岐路６６ａ，６６ｂに分岐される。一方の分岐路６６ａは、温度安定化流路装置８０ａを介して、メインコラム３４の内側空間４６に接続されている。他方の分岐路６６ｂは、温度安定化流路装置８０ｂを介して、メインコラム３４の内側空間４６に接続されている。
なお、温度安定化流路装置８０ａ，８０ｂは、給気管路６０から送気された空気Ａとの間で熱交換を行うことにより、更に空気Ａを高精度に温調する装置である。具体的には、特表２００２−１０１８０４号公報に開示された温度安定化流路装置を用いられる。
そして、温度安定化流路装置８０ａ，８０ｂのそれぞれには、供給管９２及び排出管９４を介して温調装置９０が接続されている。これにより、温調装置９０、供給管９２、温度安定化流路装置８０ａ，８０ｂ、排出管９４とからなる温調用媒体Ｃの循環経路が構成される。
また、温調用媒体Ｃとしては、例えばフロリナート（登録商標）が用いられ、温調装置９０により略一定温度に温度調整される。これにより、温度安定化流路装置８０ａ，８０ｂは、その温度が一定に維持される。温調用媒体Ｃとしては他に、ハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）や水を用いることもできる。 An air supply line 60 connected to the machine chamber 70 is connected to the side surface of the exposure chamber 42 and further extends into the exposure chamber 42. Inside, a heater 62, a blower 64, a chemical filter CF, and a filter box AF are sequentially arranged.
Further, the air supply line 60 is branched into two branch paths 66a and 66b. One branch path 66a is connected to the inner space 46 of the main column 34 via the temperature stabilization flow path device 80a. The other branch path 66b is connected to the inner space 46 of the main column 34 via the temperature stabilization flow path device 80b.
The temperature stabilization flow path devices 80a and 80b are devices that further accurately regulate the temperature of the air A by performing heat exchange with the air A sent from the air supply pipe 60. Specifically, the temperature stabilization flow path device disclosed in JP-T-2002-101804 is used.
And the temperature control apparatus 90 is connected to each of the temperature stabilization flow path apparatus 80a, 80b via the supply pipe | tube 92 and the discharge pipe 94. FIG. Thereby, a circulation path of the temperature adjusting medium C including the temperature adjusting device 90, the supply pipe 92, the temperature stabilizing flow path devices 80a and 80b, and the discharge pipe 94 is configured.
Further, as the temperature adjustment medium C, for example, Fluorinert (registered trademark) is used, and the temperature is adjusted to a substantially constant temperature by the temperature adjustment device 90. As a result, the temperature of the temperature stabilization flow path devices 80a and 80b is kept constant. As the temperature control medium C, hydrofluoroether (HFE) or water can also be used.

メインコラム３４の内側空間４６の天井近傍には、シート部材１００が略水平方向に張設され、これにより内側空間４６が、２つの分岐路６６ａ，６６ｂから空気Ａが導入される気体導入空間４６ａと、ウエハステージ２０が配置されるステージ空間４６ｂとに、上下に仕切られる。なお、シート部材１００の略中央部は、投影光学系１６（鏡筒）及び投影光学系１６の外周に配置されたセンサコラム３５と干渉しないように、開口が設けられる。
シート部材１００は、フッ素樹脂(４フッ化エチレン樹脂)等からなり、その表面には、微細な通気孔１０２が多数形成されている。これにより、機械室７０から送気される温調された空気Ａは、メインコラム３４の内側空間４６の気体導入空間４６ａを経由した後に、シート部材１００の多数の通気孔１０２（図２参照）からダウンフローにて内側空間４６のステージ空間４６ｂに送り込まれるようになっている。つまり、シート部材１００は、ステージ空間４６ｂに温調された空気Ａをダウンフローで供給する気体供給面１００ａを形成している。なお、シート部材１００とメインコラム４３、及びシート部材１００とセンサコラム３５とは、例えばジッパーにより脱着可能に接合されている。これにより、気体導入空間４６ａの内圧を確保して圧力を均一化することができ、ステージ空間４６ｂの広い範囲に温調された空気Ａを供給することができる。また、シート部材１００は構造物とは異なり、柔軟性のあるシート状の部材なので、容易に取り外すことができる。したがって、気体導入空間４６ａに配置された光学ユニット、例えば、ウエハアライメント光学系やオートフォーカス光学系のメンテナンスを行う際に、容易にメンテナンスエリアを確保することができる。なお、シート部材１００は、必ずしも一枚で構成する必要はなく、互いに分離・接合可能な複数の分割シートで構成してもよい。 In the vicinity of the ceiling of the inner space 46 of the main column 34, the sheet member 100 is stretched in a substantially horizontal direction, whereby the inner space 46 is introduced into the gas introduction space 46a into which the air A is introduced from the two branch paths 66a and 66b. And a stage space 46b in which the wafer stage 20 is arranged. The substantially central portion of the sheet member 100 is provided with an opening so as not to interfere with the projection optical system 16 (lens barrel) and the sensor column 35 disposed on the outer periphery of the projection optical system 16.
The sheet member 100 is made of a fluororesin (tetrafluoroethylene resin) or the like, and a large number of fine air holes 102 are formed on the surface thereof. Thus, the temperature-controlled air A supplied from the machine room 70 passes through the gas introduction space 46a of the inner space 46 of the main column 34, and then the numerous vent holes 102 (see FIG. 2) of the seat member 100. Is sent to the stage space 46b of the inner space 46 by a down flow. That is, the sheet member 100 forms a gas supply surface 100a that supplies the temperature-controlled air A to the stage space 46b by downflow. The sheet member 100 and the main column 43, and the sheet member 100 and the sensor column 35 are detachably joined by, for example, a zipper. Thereby, the internal pressure of the gas introduction space 46a can be secured and the pressure can be made uniform, and the temperature-controlled air A can be supplied to a wide range of the stage space 46b. Further, unlike the structure, the sheet member 100 is a flexible sheet-like member and can be easily removed. Therefore, a maintenance area can be easily secured when performing maintenance of an optical unit disposed in the gas introduction space 46a, for example, a wafer alignment optical system or an autofocus optical system. Note that the sheet member 100 is not necessarily configured by a single sheet, and may be configured by a plurality of divided sheets that can be separated and joined to each other.

図２は、シート部材１００を示す断面図である。
シート部材１００に形成される通気孔１０２は、レーザ加工を用いて形成されたものであって、例えば、直径１０μｍ程度である。レーザ加工法を用いるのは、通気孔１０２の孔径、傾斜角度、数、分布等を任意に設定することが容易だからである。なお、傾斜角度とは、シート部材１００の表面（気体供給面）１００ａに対する通気孔１０２の傾斜角度であって、シート部材１００に対してレーザビームを斜め方向から投射することにより形成される。この場合には、通気孔１０２からステージ空間４６ｂに、斜め下方に向けて空気Ａが送り込まれるようになる。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing the sheet member 100.
The vent hole 102 formed in the sheet member 100 is formed using laser processing, and has a diameter of about 10 μm, for example. The laser processing method is used because it is easy to arbitrarily set the hole diameter, inclination angle, number, distribution and the like of the vent holes 102. The inclination angle is an inclination angle of the air hole 102 with respect to the surface (gas supply surface) 100a of the sheet member 100, and is formed by projecting a laser beam to the sheet member 100 from an oblique direction. In this case, the air A is sent obliquely downward from the vent hole 102 to the stage space 46b.

通気孔１０２の孔径、傾斜角度、数、分布等は、ステージ空間４６ｂに配置されるウエハステージ２０のＸＹテーブル２２の移動軌跡等によって規定される。例えば、ＸＹテーブル２２の位置を測定するレーザ干渉計２８の計測ビームが通過する光路空間には、測定誤差の発生を防止するために、一定温度の空気Ａを均一な風速でダウンフローにて供給する必要がある。したがって、光路空間の上方に位置するシート部材１００の、計測ビームに沿った領域には、傾斜角度のない通気孔１０２が均一な分布で形成されている。そして、この計測ビームに沿った領域の両脇に隣接する領域には、計測ビームから離れる方向に向かって空気Ａを供給するような傾斜した通気孔１０２が形成されている。温度の異なる空気が光路空間に流入するのを防止するためである。 The hole diameter, inclination angle, number, distribution and the like of the vent holes 102 are defined by the movement locus of the XY table 22 of the wafer stage 20 arranged in the stage space 46b. For example, in the optical path space through which the measurement beam of the laser interferometer 28 that measures the position of the XY table 22 passes, air A at a constant temperature is supplied in a downflow with a uniform wind speed in order to prevent measurement errors. There is a need to. Therefore, in the region along the measurement beam of the sheet member 100 located above the optical path space, the air holes 102 having no inclination angle are formed with a uniform distribution. And in the area | region adjacent to the both sides of the area | region along this measurement beam, the inclined ventilation hole 102 which supplies the air A toward the direction away from a measurement beam is formed. This is to prevent air having different temperatures from flowing into the optical path space.

また、上記の計測ビームに沿った領域以外の領域であって、露光動作中にＸＹテーブル２２が通過する領域では、ＸＹテーブル２２上の空気Ａが光路空間に流入しないようにするため、計測ビームから離れる方向に空気Ａが送られるような傾斜角度を持った通気孔１０２が形成される。この領域に形成される通気孔１０２の孔径は、光路空間上の孔径よりも小さく形成される。また、上記以外の領域は、傾斜角度を持たない通気孔１０２が、上記それぞれの領域の通気孔１０２よりも小さい孔径かつ粗い分布で形成されている。更に、各領域の間に、孔径、傾斜角度、分布を連続的に変化させる中間領域を設けるようにしてもよい。このように、シート部材１００上に形成された複数種類の領域の組み合わせによって、気体供給面１００ａ全体が形成されている。なお、通気孔１０２の形成にあたっては、計測ケーブル２３の位置を測定するレーザ干渉計（不図示）の配置及び計測テーブル２３の移動軌跡やＸＹテーブル２２との位置関係も考慮される。 Further, in a region other than the region along the measurement beam and through which the XY table 22 passes during the exposure operation, the measurement beam is used to prevent the air A on the XY table 22 from flowing into the optical path space. A vent hole 102 having an inclination angle so that air A is sent in a direction away from the air is formed. The hole diameter of the vent hole 102 formed in this region is smaller than the hole diameter in the optical path space. Further, in the regions other than the above, the air holes 102 having no inclination angle are formed with a smaller hole diameter and a coarse distribution than the air holes 102 in the respective regions. Furthermore, an intermediate region that continuously changes the hole diameter, the inclination angle, and the distribution may be provided between the regions. Thus, the entire gas supply surface 100a is formed by a combination of a plurality of types of regions formed on the sheet member 100. In forming the vent hole 102, the arrangement of a laser interferometer (not shown) that measures the position of the measurement cable 23, the movement locus of the measurement table 23, and the positional relationship with the XY table 22 are also taken into consideration.

以上、説明した通り、通気孔１０２の孔径、傾斜角度、数、分布等は、ＸＹテーブル２２の位置を計測するレーザ干渉計２８の光路空間、及び計測テーブル２３の位置を計測するレーザ干渉計の光路空間に温度の異なる空気Ａが流入しないように、それぞれのテーブル２２，２３の移動経路、位置関係、待機位置等に基づいて決定されている。これにより、ステージ空間４６ｂ内の空気Ａのよどみや揺らぎを排除して、レーザ干渉計２８の測定誤差の発生等を防止することが可能となる。 As described above, the hole diameter, the inclination angle, the number, the distribution, and the like of the vent hole 102 are the optical path space of the laser interferometer 28 that measures the position of the XY table 22 and the laser interferometer that measures the position of the measurement table 23. In order to prevent the air A having different temperatures from flowing into the optical path space, it is determined on the basis of the movement route, the positional relationship, the standby position, etc. of the respective tables 22 and 23. As a result, it is possible to eliminate the stagnation and fluctuation of the air A in the stage space 46b and prevent the measurement error of the laser interferometer 28 from occurring.

図３は、ウエハステージ２０に設けられたステージ排気部１１０の構成を示す概念図である。
上述したように、ウエハステージ２０は、ＸＹテーブル２２とウエハ定盤２４を備え、ウエハ定盤２４上にＸＹテーブル２２が不図示のエアベアリングを介して非接触に支持される。
そして、ＸＹテーブル２２の側面には、Ｙ方向に貫通する開口が設けられ、その開口にはＹリニアモータを兼ねるＹガイドバー１２２が延設される。すなわち、ＸＹテーブル２２は、Ｙガイドバー１２２に沿って、Ｙ方向に案内可能に構成される。
また、ウエハステージ２０のＹ方向の両端には、ＸＹテーブル２２をＸ方向に大きく移動させる一対のリニアモータ１２４が配置される。リニアモータ１２４は、Ｙガイドバー１２２の両端に配置されてコイル巻き線を収納した可動子１２４Ａと、可動子１２４ＡのＺ方向の面に対向し、かつＸ方向に積層配置された板状の永久磁石からなる固定子１２４Ｂとを組み合わせて構成される。 FIG. 3 is a conceptual diagram showing the configuration of the stage exhaust unit 110 provided on the wafer stage 20.
As described above, the wafer stage 20 includes the XY table 22 and the wafer surface plate 24, and the XY table 22 is supported on the wafer surface plate 24 in a non-contact manner via an air bearing (not shown).
An opening penetrating in the Y direction is provided on the side surface of the XY table 22, and a Y guide bar 122 that also serves as a Y linear motor extends from the opening. That is, the XY table 22 is configured to be guided in the Y direction along the Y guide bar 122.
A pair of linear motors 124 that move the XY table 22 greatly in the X direction are disposed at both ends of the wafer stage 20 in the Y direction. The linear motor 124 is disposed at both ends of the Y guide bar 122 and has a movable element 124A that houses a coil winding, and a plate-shaped permanent element that is opposed to the Z-direction surface of the movable element 124A and is stacked in the X direction. It is configured by combining with a stator 124B made of a magnet.

ウエハ定盤２４上には、図３に示すように、複数の排気口１１２を有する一対のステージ排気部１１０が配置される。
ステージ排気部１１０は、ウエハ定盤２４上のリニアモータ１２４の内側に、Ｘ方向に沿って形成された凹形に溝（不図示）に挿入されるようにして配置されている。すなわち、ステージ排気部１１０は、ウエハ定盤２４上におけるＸＹテーブル２２の移動領域とリニアモータ９４の配置領域を除く領域に配置される。
各ステージ排気部１１０のＸ方向の側面には、それぞれリターンダクト５８が接続される。このリターンダクト５８は、リターンダクト５６に接続される（図１参照）。これにより、ウエハステージ２０の近傍の空気Ａは、ウエハ定盤２４上に形成された複数の排気口１１２からステージ排気部１１０内に送気され、リターンダクト５８，５６を介して、機械室７０に戻されるようになっている。
また、ステージ排気部１１０における各排気口１１２は、不図示の電磁弁等により開閉可能に構成されている。このように、排気口１１２を開閉可能に構成するのは、ＸＹテーブル２２の移動に合わせて開口させる排気口１１２を選択可能とするためである。言い換えれば、ＸＹテーブル２２が移動したとしても、周辺の空気Ａの流れが乱されないようにするためである。なお、ステージ排気部１１０の排気口１１２の開閉方法については、後述する。 As shown in FIG. 3, a pair of stage exhaust parts 110 having a plurality of exhaust ports 112 are disposed on the wafer surface plate 24.
The stage exhaust unit 110 is disposed inside the linear motor 124 on the wafer surface plate 24 so as to be inserted into a groove (not shown) in a concave shape formed along the X direction. That is, the stage exhaust unit 110 is arranged in an area excluding the moving area of the XY table 22 and the arrangement area of the linear motor 94 on the wafer surface plate 24.
A return duct 58 is connected to each side surface of each stage exhaust unit 110 in the X direction. The return duct 58 is connected to the return duct 56 (see FIG. 1). As a result, the air A in the vicinity of the wafer stage 20 is fed into the stage exhaust unit 110 from a plurality of exhaust ports 112 formed on the wafer surface plate 24, and the machine room 70 is passed through the return ducts 58 and 56. It is supposed to be returned to.
In addition, each exhaust port 112 in the stage exhaust unit 110 is configured to be openable and closable by an unillustrated electromagnetic valve or the like. The reason why the exhaust port 112 is configured to be openable and closable as described above is to enable selection of the exhaust port 112 to be opened in accordance with the movement of the XY table 22. In other words, even if the XY table 22 moves, the flow of the surrounding air A is not disturbed. A method for opening and closing the exhaust port 112 of the stage exhaust unit 110 will be described later.

次に、露光装置ＥＸの作用、特に空調方法について説明する。
まず、制御装置により機械室７０が作動され、温調された空気Ａが、露光室４２に向けて送気される。これにより、露光室４２内では、噴出口５０から露光室４２の上部空間４４に、温調された空気Ａが均一なサイドフローにて送り込まれる。
また、分岐路６６ａ，６６ｂを介して、メインコラム３４の内側空間４６のうち、シート部材１００で仕切られた気体導入空間４６ａに、温調された空気Ａが送り込まれる。そして、気体導入空間４６ａに送り込まれた空気Ａは、シート部材１００に形成された複数の通気孔１０２を通過して、ステージ空間４６ｂに送り込まれる。この際、気体導入空間４６ａに送り込まれた空気Ａは、気体導入空間４６ａ内において略一定の圧力状態となった後に、通気孔１０２を通過して送気される。したがって、ステージ空間４６ｂには、略一定圧力の空気Ａが送り込まれる。
また、シート部材１００に形成された複数の通気孔１０２は、ステージ空間４６ｂに配置されたウエハステージ２０のＸＹテーブル２２の移動軌跡等によって規定されているので、ステージ空間４６ｂに送り込まれた空気Ａは、ステージ空間４６ｂにおいてよどみや揺らぎを発生させることなく、略下方に向けて円滑に流れる。これにより、レーザ干渉計２８等の測定誤差の発生が防止される。また、ステージ空間４６ｂに配置されたウエハステージ２０が略均一に温調されるので、ウエハステージ２０を高精度に機能（駆動）させることができる。 Next, the operation of the exposure apparatus EX, particularly the air conditioning method will be described.
First, the machine room 70 is operated by the control device, and the temperature-controlled air A is supplied toward the exposure room 42. Thereby, in the exposure chamber 42, the temperature-controlled air A is sent from the jet nozzle 50 to the upper space 44 of the exposure chamber 42 with a uniform side flow.
In addition, the temperature-controlled air A is fed into the gas introduction space 46 a partitioned by the sheet member 100 in the inner space 46 of the main column 34 through the branch paths 66 a and 66 b. The air A sent into the gas introduction space 46a passes through the plurality of vent holes 102 formed in the sheet member 100 and is sent into the stage space 46b. At this time, the air A sent into the gas introduction space 46a is sent through the vent hole 102 after being in a substantially constant pressure state in the gas introduction space 46a. Therefore, the air A having a substantially constant pressure is sent into the stage space 46b.
Further, since the plurality of vent holes 102 formed in the sheet member 100 are defined by the movement locus of the XY table 22 of the wafer stage 20 disposed in the stage space 46b, the air A sent into the stage space 46b. Flows smoothly downward substantially without causing stagnation or fluctuation in the stage space 46b. This prevents the occurrence of measurement errors in the laser interferometer 28 and the like. In addition, since the temperature of the wafer stage 20 disposed in the stage space 46b is controlled almost uniformly, the wafer stage 20 can be functioned (driven) with high accuracy.

また、ウエハ定盤２４上に一対のステージ排気部１１０を設けたことにより、気体供給面１００ａから供給された空気Ａは、ウエハ定盤２４にぶつかって流れが乱れてよどむことなく排気される。そのため、ステージ空間４６ｂに安定した空気Ａの流れを発生させることができる。
また、ステージ排気部１１０における各排気口１１２の開閉を制御することにより、ＸＹテーブル２２が移動している場合であっても、ウエハステージ２０に向けて送気された空気Ａが円滑に流れるよう調整される。
図４，５は、ウエハステージ２０上における空気Ａの流れの変化を説明する図である。なお、図４，５においては、計測テーブル２３は省略してある。
図４に示すように、ステージ排気部１１０の全ての排気口１１２を常に開放した場合には、ＸＹテーブル２２が＋Ｘ方向に移動すると、ウエハ定盤２４の−Ｘ方向側では、空気Ａを排気する排気口１１２の数が多くなるので、ステージ空間４６ｂの空気Ａが急速に排気され、空気Ａの圧力低下と流速上昇が生じる。一方、ウエハ定盤２４の＋Ｘ方向側では、空気Ａを排気する排気口１１２の数が少なくなるので、空気Ａを排気しづらくなり、空気Ａの圧力上昇と流速低下が生じる。すなわち、ＸＹテーブル２２の移動に伴って、ＸＹテーブル２２のＸ方向の両側において、空気Ａを排気する排気口１１２の開口面積が変化してしまうので、空気Ａの流れの状態が乱れてしまう。このため、ステージ排気部１１０の全ての排気口１１２を常に開放したとしても、ＸＹテーブル２２が移動することにより、ステージ空間４６ｂに空気Ａのよどみや揺らぎが発生する。
一方、図５に示すように、ステージ排気部１１０の各排気口１１２をＸＹテーブル２２の移動に応じて開閉させた場合には、ウエハ定盤２４のＸ方向の両側において、空気Ａの圧力や流速に差異が発生することが防止されるので、ステージ空間４６ｂから空気Ａのよどみや揺らぎを排除することが可能となる。
すなわち、ＸＹテーブル２２の移動に追従するように、ステージ排気部１１０の各排気口１１２の開閉を制御する。言い換えれば、ＸＹテーブル２２のＸ方向の両側において、開口する排気口１１２の位置（排気位置）及び面積（排気面積）が略一定となるように、各排気口１１２を開閉させる。これにより、ＸＹテーブル２２のＸ方向の両側において、空気Ａの流れの方向は多少変化するものの、空気Ａの圧力や流速に差異が発生することは確実に防止される。したがって、ＸＹテーブル２２の位置を測定するレーザ干渉計２８の光路空間等の空気Ａが乱されることなく、略一定に維持されるので、測定誤差の発生が防止される。 Further, by providing the pair of stage exhaust parts 110 on the wafer surface plate 24, the air A supplied from the gas supply surface 100a is exhausted without colliding with the wafer surface plate 24 and disturbing the flow. Therefore, a stable flow of air A can be generated in the stage space 46b.
In addition, by controlling the opening and closing of each exhaust port 112 in the stage exhaust unit 110, the air A sent toward the wafer stage 20 flows smoothly even when the XY table 22 is moving. Adjusted.
4 and 5 are diagrams for explaining a change in the flow of air A on the wafer stage 20. 4 and 5, the measurement table 23 is omitted.
As shown in FIG. 4, when all the exhaust ports 112 of the stage exhaust unit 110 are always opened, the air A is exhausted on the −X direction side of the wafer surface plate 24 when the XY table 22 moves in the + X direction. Since the number of exhaust ports 112 to be increased increases, the air A in the stage space 46b is rapidly exhausted, and the pressure drop and the flow velocity increase of the air A occur. On the other hand, on the + X direction side of the wafer surface plate 24, since the number of the exhaust ports 112 for exhausting the air A decreases, it becomes difficult to exhaust the air A, and the pressure of the air A increases and the flow velocity decreases. That is, as the XY table 22 moves, the opening area of the exhaust port 112 that exhausts the air A changes on both sides in the X direction of the XY table 22, so that the flow state of the air A is disturbed. For this reason, even if all the exhaust ports 112 of the stage exhaust unit 110 are always opened, stagnation and fluctuation of the air A occur in the stage space 46b due to the movement of the XY table 22.
On the other hand, as shown in FIG. 5, when each exhaust port 112 of the stage exhaust unit 110 is opened and closed according to the movement of the XY table 22, Since a difference in flow velocity is prevented, it is possible to eliminate stagnation and fluctuation of the air A from the stage space 46b.
That is, the opening / closing of each exhaust port 112 of the stage exhaust unit 110 is controlled so as to follow the movement of the XY table 22. In other words, each exhaust port 112 is opened and closed so that the position (exhaust position) and area (exhaust area) of the exhaust port 112 that opens are substantially constant on both sides in the X direction of the XY table 22. Thereby, although the direction of the flow of the air A slightly changes on both sides of the XY table 22 in the X direction, it is reliably prevented that a difference in the pressure or flow velocity of the air A occurs. Therefore, the air A such as the optical path space of the laser interferometer 28 that measures the position of the XY table 22 is maintained substantially constant without being disturbed, thereby preventing measurement errors.

そして、ステージ空間４６ｂに送り込まれた空気Ａは、ステージ排気部１１０からリターンダクト５８に排気され、また、メインコラム３４の下端側面等からリターンダクト５６に排気され、機械室７０に戻される。
また、露光室４２に送り込まれた空気Ａは、リターンダクト５４に排気され、機械室７０に戻される。
このようにして、露光室４２及びメインコラム３４の内側空間４６が空調される。 The air A sent into the stage space 46 b is exhausted from the stage exhaust part 110 to the return duct 58, exhausted from the lower end side surface of the main column 34, etc. to the return duct 56, and returned to the machine room 70.
Further, the air A sent into the exposure chamber 42 is exhausted to the return duct 54 and returned to the machine chamber 70.
Thus, the exposure chamber 42 and the inner space 46 of the main column 34 are air-conditioned.

そして、このような温調を行った状態で、露光装置本体１０による露光処理が行われる。具体的には、不図示の露光用光源から射出された露光光ＥＬが、各種レンズやミラー等からなる照明光学系１２において、必要な大きさ及び照度均一性に整形された後にパターンが形成されたレチクルＲを照明し、このレチクルＲに形成されたパターンが投影光学系１６を介して、ウエハステージ２０上に保持されたウエハＷ上の各ショット領域に、縮小転写される。
これにより、微細なパターンがウエハＷ上に高精度に形成される。 Then, exposure processing by the exposure apparatus main body 10 is performed in a state where such temperature control is performed. Specifically, a pattern is formed after exposure light EL emitted from an exposure light source (not shown) is shaped to a required size and illuminance uniformity in the illumination optical system 12 including various lenses and mirrors. The reticle R is illuminated, and the pattern formed on the reticle R is reduced and transferred to each shot area on the wafer W held on the wafer stage 20 via the projection optical system 16.
Thereby, a fine pattern is formed on the wafer W with high accuracy.

以上、説明したように、本発明の露光装置ＥＸによれば、メインコラム３４の内側空間４６に、柔軟性のある素材に複数の通気孔１０２を有して形成されたシート部材１００を張設して、気体導入空間４６ａとステージ空間４６ｂとに仕切ると共に、通気孔１０２を介してステージ空間４６ｂに空気Ａを供給するようにしたので、金属製ダクト等に比べて簡易な構造で、ステージ空間４６ｂに均一な流れの空気Ａを供給できようになる。特に、柔軟性のある素材からなるシート部材１００を取り外すだけで、ウエハステージ２０等の保守を行うための作業空間を確保することができるので、メンテナンスを効率的に行うことが可能となる。
また、通気孔１０２がウエハステージ２０のＸＹテーブル２２の移動軌跡等に基づいて、傾斜角度、孔径、数（配置）等が規定されているので、ステージ空間４６ｂの略全面で空気Ａのよどみや揺らぎを効果的に排除することができる。
更に、ウエハ定盤２４に複数の排気口１１２を有するステージ排気部１１０を設けると共に、排気口１１２をＸＹテーブル２２の移動に応じて開閉させるようにしたので、ＸＹテーブル２２位置を測定するレーザ干渉計２８の光路空間における空気Ａの流れを略一定に維持することができる。これにより、空気Ａの揺らぎなどに起因するレーザ干渉計２８の測定誤差の発生を防止することができる。 As described above, according to the exposure apparatus EX of the present invention, in the inner space 46 of the main column 34, the sheet member 100 formed with a plurality of vent holes 102 in a flexible material is stretched. Since the gas A is partitioned into the gas introduction space 46a and the stage space 46b and the air A is supplied to the stage space 46b through the vent hole 102, the stage space has a simple structure compared to a metal duct or the like. The air A having a uniform flow can be supplied to 46b. In particular, it is possible to secure a work space for performing maintenance of the wafer stage 20 and the like simply by removing the sheet member 100 made of a flexible material, so that maintenance can be performed efficiently.
In addition, since the inclination angle, hole diameter, number (arrangement), and the like of the vent hole 102 are defined based on the movement trajectory of the XY table 22 of the wafer stage 20, the stagnation of the air A over almost the entire surface of the stage space 46b. Fluctuations can be effectively eliminated.
Furthermore, since the stage exhaust unit 110 having a plurality of exhaust ports 112 is provided on the wafer surface plate 24 and the exhaust ports 112 are opened and closed in accordance with the movement of the XY table 22, laser interference for measuring the position of the XY table 22 is achieved. The flow of the air A in the optical path space of the total 28 can be maintained substantially constant. As a result, it is possible to prevent the measurement error of the laser interferometer 28 caused by the fluctuation of the air A or the like.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
本発明は、例えば、以下のような変更をも含むものとする。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the operation procedure shown in the above-described embodiment, or the shapes and combinations of the constituent members are examples, and the design is made without departing from the gist of the present invention. Various changes can be made based on the requirements.
For example, the present invention includes the following modifications.

例えば、気体導入空間４６ａに空気Ａを導入する分岐路６６ａ，６６ｂとしては、２つに限らない。更に多くの分岐路が連結されることが望ましい。これにより、気体導入空間４６ａに導入された空気Ａが確実に略均一な圧力となるからである。 For example, the branch paths 66a and 66b for introducing the air A into the gas introduction space 46a are not limited to two. It is desirable that more branch paths are connected. This is because the air A introduced into the gas introduction space 46a surely has a substantially uniform pressure.

シート部材１００をメインコラム３４の内側空間４６に張設するために、シート部材１００とメインコラム３４とをマグネットシートで接合するように構成してもよいし、粘着シールで接合するようにしてもよい。また、予めシート部材１００を枠部材に張設し、該枠部材をメインコラム３４内に嵌め込むようにしても構わない。 In order to stretch the sheet member 100 in the inner space 46 of the main column 34, the sheet member 100 and the main column 34 may be joined by a magnetic sheet, or may be joined by an adhesive seal. Good. Alternatively, the sheet member 100 may be stretched in advance on the frame member, and the frame member may be fitted into the main column 34.

また、通気孔１０２の形成方法として、レーザ加工法について説明したが、他の方法であってもよい。また、シート部材１００の材質は、フッ素樹脂に限られず、他の樹脂材料、柔軟性を有する金属製の薄肉シート、或いはこれらの複合材を用いることもできる。
更に、金属繊維を編んだメッシュシートを用いてもよい。この場合、空気Ａの噴き出し方向を規定することはできないが、編み込みの密度を調整することにより、空気Ａの風量分布を規定することは可能である。 Further, although the laser processing method has been described as the method for forming the air holes 102, other methods may be used. Further, the material of the sheet member 100 is not limited to the fluororesin, and other resin materials, a thin metal sheet having flexibility, or a composite material thereof can also be used.
Furthermore, a mesh sheet knitted with metal fibers may be used. In this case, the air A ejection direction cannot be defined, but the air volume distribution of the air A can be defined by adjusting the braiding density.

ステージ排気部１１０の各排気口１１２を開閉する方法として、電磁弁を用いる場合について説明したが、これに限らない。例えば、図６に示すように、複数の排気口が形成された帯形のシート部材をモータ等で移動させる形態であってもよい。すなわち、複数の排気口を開閉させるのではなく、複数の排気口をＸＹテーブル２２と共に移動さえてもよい。この場合、モータ等に代えて、リニアモータ１２４を用いてもよい。 As a method for opening and closing each exhaust port 112 of the stage exhaust unit 110, the case where an electromagnetic valve is used has been described, but the method is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 6, a strip-shaped sheet member in which a plurality of exhaust ports are formed may be moved by a motor or the like. That is, the plurality of exhaust ports may be moved together with the XY table 22 instead of opening and closing the plurality of exhaust ports. In this case, a linear motor 124 may be used instead of the motor or the like.

上記実施形態では、光源としてＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ等を用いる場合について説明したが、これに限らず、光源としてＦ２レーザ、Ａｒ２レーザを用いても良く、あるいは金属蒸気レーザやＹＡＧレーザを用い、これらの高調波を露光用照明光としても良い。あるいは、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（Ｅｒ）（又はエルビウムとイッテルビウム（Ｙｂ）の両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を、露光用照明光として用いても良い。 In the above embodiment, the case where a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, or the like is used as a light source has been described. However, the present invention is not limited to this, and an F2 laser or Ar2 laser may be used as a light source, or a metal vapor laser or a YAG laser is used. These harmonics may be used as exposure illumination light. Alternatively, infrared or visible single wavelength laser light oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser is amplified by a fiber amplifier doped with, for example, erbium (Er) (or both erbium and ytterbium (Yb)). Then, a harmonic wave converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used as illumination light for exposure.

また、上記実施形態ではステップ・アンド・リピート方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置にも本発明を適用することができる。更に、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウエハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。
また、投影光学系１６は、屈折系、反射屈折系、及び反射系のいずれでも良いし、縮小系、等倍系、及び拡大系のいずれでも良い。
更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。 In the above embodiment, the step-and-repeat type exposure apparatus has been described as an example. However, the present invention can also be applied to a step-and-scan type exposure apparatus. Furthermore, the present invention is not limited to an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor element, but also used for manufacturing a display including a liquid crystal display element (LCD) and the like. An exposure apparatus for transferring a device pattern onto a glass plate, and a thin film magnetic head. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that is used for manufacturing and transfers a device pattern onto a ceramic wafer, and an exposure apparatus that is used to manufacture an image sensor such as a CCD.
The projection optical system 16 may be any of a refraction system, a catadioptric system, and a reflection system, and may be any one of a reduction system, an equal magnification system, and an enlargement system.
Furthermore, in an exposure apparatus that transfers a circuit pattern onto a glass substrate or a silicon wafer in order to manufacture a reticle or mask used in an optical exposure apparatus, EUV exposure apparatus, X-ray exposure apparatus, electron beam exposure apparatus, or the like. The present invention can also be applied. Here, in an exposure apparatus using DUV (far ultraviolet) light, VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. Further, in a proximity type X-ray exposure apparatus or an electron beam exposure apparatus, a transmission mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate.
Such an exposure apparatus is disclosed in WO99 / 34255, WO99 / 50712, WO99 / 66370, JP-A-11-194479, JP-A2000-12453, JP-A-2000-29202, and the like. .

また、本発明は、投影光学系と基板（ウエハ）との間に供給された液体を介して基板上に所定のパターンを形成する液浸露光装置にも、必要な液体対策を適宜施したうえで適用可能である。液浸露光装置の構造及び露光動作は、例えば、国際公開第９９／４９５０４号パンフレット、特開平６−１２４８７３号、及び特開平１０−３０３号に開示されている。また、本発明は、ツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば、特開平１０−１６３０９９号、特開平１０−２１４７８３号、特表２０００−５０５９５８号或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。また、本発明は、特開平１１−１３５４００号に開示されているように、ウエハ等の被処理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種計測部材やセンサを備えた計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。 In addition, the present invention appropriately applies necessary liquid countermeasures to an immersion exposure apparatus that forms a predetermined pattern on a substrate via a liquid supplied between the projection optical system and the substrate (wafer). Is applicable. The structure and exposure operation of the immersion exposure apparatus are disclosed in, for example, WO99 / 49504 pamphlet, JP-A-6-124873, and JP-A-10-303. The present invention can also be applied to a twin stage type exposure apparatus. The structure and exposure operation of a twin stage type exposure apparatus are disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-163099, 10-214783, 2000-505958, or US Pat. No. 6,208,407. In addition, as disclosed in JP-A-11-135400, the present invention includes an exposure stage that can move while holding a substrate to be processed such as a wafer, and a measurement stage that includes various measurement members and sensors. The present invention can also be applied to other exposure apparatuses.

また、本発明が適用される露光装置は、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（または位相パターン・減光パターン）が形成された光透過型マスク、或いは光反射性の基板上に所定の反射パターンが形成された光反射型マスクを用いるものに限らず、例えば、米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているような、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、或いは発光パターンを形成する電子マスクを用いる露光装置であってもよい。 An exposure apparatus to which the present invention is applied is a light transmissive mask in which a predetermined light-shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light transmissive substrate, or a light transmissive substrate. For example, a transmission pattern based on electronic data of a pattern to be exposed, such as disclosed in US Pat. No. 6,778,257, is not limited to the one using a light reflection type mask on which a reflection pattern is formed. Alternatively, it may be an exposure apparatus using an electronic mask that forms a reflection pattern or a light emission pattern.

レチクルステージの移動により発生する反力は、投影光学系に伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（対応ＵＳＰ５，８７４，８２０）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
また、ウエハステージの移動により発生する反力は、投影光学系に伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（対応ＵＳＰ５，５２８，１２６）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。 As described in JP-A-8-330224 (corresponding to US Pat. No. 5,874,820), the reaction force generated by the movement of the reticle stage is not mechanically transmitted to the projection optical system using a frame member. You may escape to the floor (ground).
Further, the reaction force generated by the movement of the wafer stage is not transmitted to the projection optical system by using a frame member as described in JP-A-8-166475 (corresponding USP 5,528, 126). You may mechanically escape to the floor (ground).

次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。 Next, an embodiment of a manufacturing method of a micro device using the exposure apparatus and the exposure method according to the embodiment of the present invention in the lithography process will be described.
FIG. 7 is a flowchart showing a manufacturing example of a micro device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micro machine, etc.).
First, in step S10 (design step), function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) of a micro device is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step S11 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step S12 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.

次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。 Next, in step S13 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in steps S10 to S12, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography or the like, as will be described later. Next, in step S14 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step S13. This step S14 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary. Finally, in step S15 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice manufactured in step S14 are performed. After these steps, the microdevice is completed and shipped.

図８は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a detailed process of step S13 in the case of a semiconductor device.
In step S21 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step S22 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step S23 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step S24 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps S21 to S24 constitutes a pre-processing process at each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process at each stage.

ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。 At each stage of the wafer process, when the above pre-process is completed, the post-process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step S25 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step S26 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer by the lithography system (exposure apparatus) and the exposure method described above. Next, in step S27 (development step), the exposed wafer is developed, and in step S28 (etching step), the exposed members other than the portion where the resist remains are removed by etching. In step S29 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed. By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクの製造にも本発明を適用できる。 Further, the present invention can be applied not only to microdevices such as semiconductor elements but also to the production of reticles or masks used in optical exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, and the like.

本実施形態に係る露光装置ＥＸの構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the exposure apparatus EX which concerns on this embodiment. シート部材１００を示す拡大断面図である。2 is an enlarged cross-sectional view showing a sheet member 100. FIG. ステージ排気部１１０の構成を示す概念図である。2 is a conceptual diagram showing a configuration of a stage exhaust unit 110. FIG. ウエハステージ２０上における空気Ａの流れの変化を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a change in the flow of air A on the wafer stage 20. ウエハステージ２０上における空気Ａの流れの変化を説明する図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a change in the flow of air A on the wafer stage 20. ステージ排気部１１０の変形例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the modification of the stage exhaust part 110. FIG. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a microdevice. 図７におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the detailed process of step S13 in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

ＥＸ…露光装置
Ｗ…ウエハ
Ａ…空気
２２…ＸＹテーブル
２４…ウエハ定盤
４６…内側空間
４６ａ…気体導入空間
４６ｂ…ステージ空間
７０…機械室
１００…シート部材
１００ａ…表面
１０２…通気孔
１１０…ステージ排気部
１１２…排気口

EX ... Exposure apparatus W ... Wafer A ... Air 22 ... XY table 24 ... Wafer surface plate 46 ... Inner space 46a ... Gas introduction space 46b ... Stage space 70 ... Machine room 100 ... Sheet member 100a ... Surface 102 ... Vent 110 ... Stage Exhaust part 112 ... Exhaust port

Claims

物体を保持して移動可能なステージと、
前記ステージが配置された空間を、前記ステージが収容される第一空間と、気体供給源から気体が流入する第二空間とに仕切るシート部材とを有し、
前記シート部材は、前記第一空間と前記第二空間とを連通する複数の通気孔を備え、前記第一空間に対して気体を供給する気体供給面を形成すると共に、柔軟性のある素材で形成されていることを特徴とする露光装置。 A stage capable of holding and moving an object;
A sheet member that partitions the space in which the stage is disposed into a first space in which the stage is accommodated and a second space into which gas flows from a gas supply source;
The sheet member includes a plurality of vent holes communicating the first space and the second space, and forms a gas supply surface for supplying gas to the first space, and is a flexible material. An exposure apparatus characterized by being formed.

前記シート部材は、脱着可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1, wherein the sheet member is configured to be detachable.

前記通気孔の少なくとも一部は、前記シート部材の表面に対して傾斜して形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 1, wherein at least a part of the vent hole is formed to be inclined with respect to a surface of the sheet member.

前記通気孔は、前記ステージの移動軌跡に基づいて、傾斜角、孔径、数、分布のうちの少なくとも一つが規定されていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。 4. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the vent hole has at least one of an inclination angle, a hole diameter, a number, and a distribution defined based on a movement locus of the stage.

前記ステージを移動可能に支持する定盤を備え、
前記定盤は、前記シート部材と対向して設けられ、前記第一空間の気体を排気する排気部を備えることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の露光装置。 A surface plate that movably supports the stage,
5. The exposure according to claim 1, wherein the surface plate is provided to face the sheet member and includes an exhaust unit that exhausts the gas in the first space. apparatus.

前記排気部は、前記ステージの位置に応じて、前記定盤上での排気位置を変更可能であることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。 6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exhaust unit is capable of changing an exhaust position on the surface plate in accordance with the position of the stage.

前記排気部は、排気位置の変更に関わらず、排気面積が略一定となるように調整可能であることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。 6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the exhaust unit is adjustable so that an exhaust area is substantially constant regardless of a change in an exhaust position.

リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、前記リソグラフィ工程において請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。

A device manufacturing method including a lithography step, wherein the exposure apparatus according to claim 1 is used in the lithography step.