JP2006286168A - フラッシュメモリ装置のページバッファ回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のビットラインBLe1〜,BLo1〜対の各々に1つずつ対応するよう連結され、ビットライン制御信号、ビットライン選択信号、および制御信号に応答して、前記メモリセルに対する読み出し動作またはプログラム動作を同時に実行するページバッファPB1〜PB2Kを有する。また、複数のビットライン対の各々に1つずつ対応するように連結され、それぞれが同時に読み出し動作の際にビットラインプリチャージ信号に応答して、自分に連結された一対のビットラインのいずれか一方を基準電圧レベルに印加するビットラインプリチャージ回路を有している。
【選択図】図1
Description
BLP1〜BLP2K ビットプリチャージ回路
PB1〜PB2K ページバッファ
110、130 ビットライン選択回路
120、140 レジスタ回路
121、141 検出回路
122、142 ラッチ回路
Claims (17)
- 複数のビットライン対に連結されるメモリセルを含むフラッシュメモリ装置のページバッファ回路において、
前記複数のビットライン対それぞれに1つずつ対応するように連結され、ビットライン制御信号、ビットライン選択信号および制御信号に応答して前記メモリセルに対する読み出し動作またはプログラム動作を同時に実行するページバッファと、
前記複数のビットライン対それぞれに1つずつ対応するように連結され、それぞれが同時に、前記読み出し動作の際、ビットラインプリチャージ信号に応答して、自分に連結された一対のビットラインのいずれか一方を基準電圧レベルに印加するビットラインプリチャージ回路とを含み、
前記基準電圧は、温度および電圧の変化に関係なく安定的な電圧であることを特徴とするフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 前記基準電圧を発生する基準電圧発生器をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。
- 前記複数のページバッファそれぞれは、
前記読み出し動作の際、前記ビットライン制御信号と前記ビットライン選択信号に応答して、自分に連結された一対のビットラインのいずれか一方を選択し、その選択されたビットラインを検出ノードに連結し、前記一対のビットラインの他方を前記検出ノードから分離すると同時に前記他方にグラウンド電圧を供給するビットライン選択回路と、
前記読み出し動作の際、前記制御信号に応答して、前記選択されたビットラインから受信される読み出しデータを検出してその検出データを格納するレジスタ回路とを含み、
前記ビットラインプリチャージ回路それぞれが、前記選択されたビットラインを前記基準電圧レベルにプリチャージすることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 前記制御信号は、プリチャージ制御信号、ラッチ制御信号、プログラム制御信号、入出力制御信号、およびリセット制御信号を含み、
前記レジスタ回路は、
前記プリチャージ制御信号に応答して、前記検出ノードを設定の電圧レベルに印加するプリチャージ回路と、
前記読み出し動作の際、前記ラッチ制御信号に応答して、前記読み出しデータを検出し、前記検出データを発生する検出回路と、
前記読み出しの際に前記検出データをラッチし、前記プログラム動作の際にプログラムデータをラッチするラッチ回路と、
前記ラッチ回路と前記検出ノードとの間に連結され、前記プログラム動作の際、前記プログラム制御信号に応答して、前記ラッチ回路から受信される前記プログラムデータを前記検出ノードに出力する第1パス回路と、
前記読み出し動作の際、前記入出力制御信号に応答して、前記ラッチ回路から受信される前記検出データの反転されたデータをYゲートのいずれか1つに出力し、前記プログラム動作の際、前記入出力制御信号に応答して、前記Yゲートのいずれか1つから受信される前記プログラムデータを前記ラッチ回路に出力する第2パス回路と、
前記リセット制御信号に応答して前記ラッチ回路を初期化させるラッチリセット回路とを含むことを特徴とする請求項3記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 前記ビットラインプリチャージ回路それぞれは、
自分に対応する一対のビットラインのいずれか一方と前記基準電圧との間に連結され、前記ビットラインプリチャージ信号のいずれか1つに応答してオンオフされる第1スイッチと、
前記一対のビットラインの他方と前記基準電圧との間に連結され、前記ビットラインプリチャージ信号の他方に応答してターンオンまたはオフされる第2スイッチとを含むことを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 第1ビットライン対にそれぞれ連結される第1メモリセルと、第2ビットライン対にそれぞれ連結される第2メモリセルとを含むフラッシュメモリ装置のページバッファ回路において、
第1ビットライン対それぞれに一つずつ対応するように連結され、第1ビットライン制御信号、第1ビットライン選択信号および第1制御信号に応答して、前記第1メモリセルに対する読み出し動作またはプログラム動作を同時に実行する第1ページバッファと、
前記第2ビットライン対それぞれに一つずつ対応するように連結され、第2ビットライン制御信号、第2ビットライン選択信号および第2制御信号に応答して、前記第2メモリセルに対する読み出し動作またはプログラム動作を同時に実行する第2ページバッファと、
前記第1ビットライン対それぞれに一つずつ対応するように連結され、それぞれが同時に、前記第1ページバッファの読み出し動作の際、第1ビットラインプリチャージ信号に応答して、自分に連結された一対の第1ビットラインのいずれか一方を基準電圧レベルに印加する第1ビットラインプリチャージ回路と、
前記第2ビットライン対それぞれに一つずつ対応するように連結され、それぞれが同時に、前記第2ページバッファの読み出し動作の際、第2ビットラインプリチャージ信号に応答して、自分に連結された一対の第2ビットラインのいずれか一方を前記基準電圧レベルに印加する第2ビットラインプリチャージ回路とを含み、
前記基準電圧は、温度および電圧の変化に関係なく安定的な電圧であることを特徴とするフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 前記基準電圧を発生する基準電圧発生器をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。
- 前記第1ページバッファと前記第2ページバッファは、お互い一つずつ交互に配置されることを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。
- 前記第1ページバッファそれぞれは、
前記読み出し動作の際、前記第1ビットライン制御信号と前記第1ビットライン選択信号に応答して、自分に連結された一対の前記第1ビットラインのいずれか一方を選択し、その選択されたビットラインを検出ノードに連結し、前記一対の第1ビットラインの他方を前記検出ノードから分離すると同時に、前記他方にグラウンド電圧を供給するビットライン選択回路と、
前記読み出し動作の際、前記第1制御信号に応答して、前記選択されたビットラインから受信される読み出しデータを検出してその検出データを格納するレジスタ回路とを含み、
前記第1ビットラインプリチャージ回路それぞれが、前記選択されたビットラインを前記基準電圧レベルに印加することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 前記第2ページバッファそれぞれは、
前記読み出し動作の際、前記第2ビットライン制御信号と前記第2ビットライン選択信号に応答して、自分に連結された一対の前記第2ビットラインのいずれか一方を選択し、その選択されたビットラインを検出ノードに連結し、前記一対の第2ビットラインの他方を前記検出ノードから分離すると同時に前記他方にグラウンド電圧を供給するビットライン選択回路と、
前記読み出し動作の際、前記第2制御信号に応答して、前記選択されたビットラインから受信される読み出しデータを検出してその検出データを格納するレジスタ回路とを含み、
前記第2ビットラインプリチャージ回路それぞれが、前記選択されたビットラインを前記基準電圧レベルに印加することを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 前記第1ビットラインプリチャージ回路それぞれは、
自分に対応する一対の第1ビットラインのいずれか一方と前記基準電圧との間に連結され、前記第1ビットラインプリチャージ信号のいずれか1つに応答してオンオフされる第1スイッチと、
前記一対の第1ビットラインの他方と前記基準電圧との間に連結され、前記第1ビットラインプリチャージ信号の他方に応答してオンオフされる第2スイッチとを含むことを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - 前記第2ビットラインプリチャージ回路それぞれは、
自分に対応する一対の第2ビットラインのいずれか一方と前記基準電圧との間に連結され、前記第2ビットラインプリチャージ信号のいずれか1つに応答してオンオフされる第1スイッチと、
前記一対の第2ビットラインの他方と前記基準電圧との間に連結され、前記第2ビットラインプリチャージ信号の他方に応答してオンオフされる第2スイッチとを含むことを特徴とする請求項6に記載のフラッシュメモリ装置のページバッファ回路。 - プリチャージ制御信号に応答して、一対のビットラインごとに1つずつ対応するようにそれぞれ連結するページバッファそれぞれのプリチャージ回路によって、検出ノードを設定の電圧に印加する工程と、
ビットラインプリチャージ信号に応答して、前記一対のビットラインごとに一つずつ対応するようにそれぞれ連結されるビットラインプリチャージ回路それぞれによって、前記一対のビットラインのいずれか一方を基準電圧レベルに印加する工程と、
ビットライン制御信号とビットライン選択信号に応答して、前記ページバッファそれぞれのビットライン選択回路によって、前記一対のビットラインのいずれか一方を選択し、その選択されたビットラインを前記検出ノードに連結する工程と、
ラッチ制御信号に応答して、前記ページバッファそれぞれのレジスタ回路によって、前記検出ノードの電圧を検出してその検出データを格納し、その格納されたデータを読み出しデータとして出力する工程とを含み、
前記基準電圧レベルに印加されるビットラインは、前記選択されたビットラインであり、前記基準電圧は、温度および電圧の変化に関係なく安定的な電圧であることを特徴とするページバッファ回路の読み出し動作制御方法。 - 第1プリチャージ制御信号に応答して、一対の第1ビットラインごとに1つずつ対応するようにそれぞれ連結される第1ページバッファそれぞれの第1プリチャージ回路によって、第1検出ノードを設定の電圧に印加する工程と、
第2プリチャージ制御信号に応答して、一対の第2ビットラインごとに一つずつ対応するようにそれぞれ連結される第2ページバッファそれぞれの第2プリチャージ回路によって、第2検出ノードを前記設定の電圧にプリチャージする工程と、
第1ビットラインプリチャージ信号に応答して、前記一対の第1ビットラインごとに一つずつ対応するようにそれぞれ連結される第1ビットラインプリチャージ回路それぞれによって、前記一対の第1ビットラインのいずれか一方を基準電圧レベルにプリチャージする工程と、
第2ビットラインプリチャージ信号に応答して、前記一対の第2ビットラインごとに一つずつ対応するようにそれぞれ連結される第2ビットラインプリチャージ回路それぞれによって、前記一対の第2ビットラインのいずれか一方を前記基準電圧レベルにプリチャージする工程と、
第1ビットライン制御信号と第1ビットライン選択信号に応答して、前記第1ページバッファそれぞれの第1ビットライン選択回路によって、前記一対の第1ビットラインのいずれか一方を選択し、その選択された第1ビットラインを前記第1検出ノードに連結する工程と、
第2ビットライン制御信号と第2ビットライン選択信号に応答して、前記第2ページバッファそれぞれの第2ビットライン選択回路によって、前記一対の第2ビットラインのいずれか一方を選択し、その選択された第2ビットラインを前記第2検出ノードに連結する工程と、
第1ラッチ制御信号に応答して、前記第1ページバッファそれぞれの第1レジスタ回路によって、前記第1検出ノードの電圧を検出して第1検出データを格納し、その格納されたデータを第1読み出しデータとして出力する工程と、
第2ラッチ制御信号に応答して、前記第2ページバッファそれぞれの第2レジスタ回路によって、前記第2検出ノードの電圧を検出して第2検出データを格納し、その格納されたデータを第2読み出しデータとして出力する工程とをさらに含み、
前記基準電圧レベルにプリチャージされる第1または第2ビットラインは、前記選択された第1または第2ビットラインであり、前記基準電圧は、温度および電圧の変化に関係なく安定的な電圧であることを特徴とするページバッファ回路の読み出し動作制御方法。 - 第1ビットラインプリチャージ信号に応答して、一対の第1ビットラインごとに一つずつ対応するようにそれぞれ連結される第1ページバッファそれぞれの第1ビットラインプリチャージ回路によって、一対の第1ビットラインのいずれか一方を基準電圧レベルに印加する工程と、
第2ビットラインプリチャージ信号に応答して、一対の第2ビットラインごとに一つずつ対応するようにそれぞれ連結される第2ページバッファそれぞれの第2ビットラインプリチャージ回路によって、前記一対の第2ビットラインのいずれか一方を前記基準電圧レベルに印加する工程と、
第1プリチャージ制御信号に応答して、第1ページバッファそれぞれの第1プリチャージ回路によって、第1検出ノードを設定の電圧に印加する工程と、
第1ビットライン制御信号と第1ビットライン選択信号に応答して、第1ページバッファそれぞれの第1ビットライン選択回路によって、前記一対の第1ビットラインのいずれか一方を選択し、その選択された第1ビットラインを第1検出ノードに連結する工程と、
前記選択された第1ビットラインが前記第1検出ノードに連結されるとき、第1ラッチ制御信号に応答して、第1ページバッファそれぞれの第1レジスタ回路によって、第1検出ノードの電圧を検出して第1検出データを格納し、その格納されたデータを第1読み出しデータとして出力する工程と、
第2プリチャージ制御信号に応答して、前記第2ページバッファそれぞれの第2プリチャージ回路によって、第2検出ノードを前記設定の電圧に印加する工程と、
第2ビットライン制御信号と第2ビットライン選択信号に応答して、前記第2ページバッファそれぞれの第2ビットライン選択回路によって、前記一対の第2ビットラインのいずれか一方を選択し、その選択された第2ビットラインを第2検出ノードに連結する工程と、
前記選択された第2ビットラインが前記第2検出ノードに連結されるとき、第2ラッチ制御信号に応答して、前記第2ページバッファそれぞれの第2レジスタ回路によって、前記第2検出ノードの電圧を検出して第2検出データを格納し、その格納されたデータを第2読み出しデータとして出力する工程と、
を含み、
前記第1ページバッファと前記第2ページバッファは、それぞれお互い1つずつ交互に配置され、前記第1ビットライン選択回路が前記選択された第1ビットラインを前記第1検出ノードに連結するとき、前記第2ビットライン選択回路は、前記選択された第2ビットラインを前記第2検出ノードから分離することを特徴とするページバッファ回路の読み出し動作制御方法。 - 前記基準電圧は、温度および電圧の変化に関係なく安定的な電圧であり、
前記第1ビットラインプリチャージ回路それぞれは、前記選択された第1ビットラインを前記基準電圧レベルに印加し、前記第2ビットラインプリチャージ回路それぞれは、前記選択された第2ビットラインを前記基準電圧レベルに印加することを特徴とする請求項15に記載のページバッファ回路の読み出し動作制御方法。 - 前記第1プリチャージ回路は、前記第1ビットライン選択回路が、前記選択された第1ビットラインを前記第1検出ノードに連結する前に、設定の時間前記第1検出ノードを前記設定の電圧に印加し、
前記第2プリチャージ回路は、前記第2ビットライン選択回路が、前記選択された第2ビットラインを前記第2検出ノードに連結する前に、前記設定の時間前記第1検出ノードを前記設定の電圧に印加し、
前記第1プリチャージ回路が前記第1検出ノードを印加するときと、前記第1ビットライン選択回路が前記選択された第1ビットラインを前記第1検出ノードに連結するとき、前記第2プリチャージ回路は、前記第2検出ノードのプリチャージ動作を停止することを特徴とする請求項15に記載のページバッファ回路の読み出し動作制御方法。
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