JP2006278816A - 半導体素子特性改善方法 - Google Patents
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Abstract
【課 題】 半導体素子の漏れ電流特性を簡便な手法で改善することのできる半導体素子特性改善方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の漏れ電流特性を改善する方法であって、半導体素子(例:サイリスタ素子)10を恒温槽1内に装入し、該恒温槽に設定した所定温度に達するまでの時間以上保管し、その後放冷する
【選択図】 図1
Description
半導体素子の特性を簡便に改善できれば、漏れ電流に起因した、半導体素子を含む電気回路の誤動作或いは短絡事故の抑止が可能となり、又、特性劣化半導体素子の更新をも抑制することが可能となるであろう。しかしながら、そのような簡便な特性改善手段は従来技術に見当らない。
即ち本発明は、半導体素子の漏れ電流特性を改善する方法であって、半導体素子を恒温槽内に装入し、該恒温槽に設定した所定温度に達するまでの時間以上保管し、その後放冷することを特徴とする半導体素子特性改善方法である。
上記のような加温処理設備を用いた所謂加温処理により、半導体素子の漏れ電流特性が改善される理由は、未だ推定の域を出ないが、半導体素子の漏れ電流は、シリコン結晶部分ではなく該結晶部分の端部を覆う絶縁材を介して流れるものである(即ちこの絶縁材中のイオン化された不純物が電荷を運ぶ媒体となっている)とみられ、このイオン化された不純物が、半導体素子を無電圧状態で可能な限り高温状態にする加温処理により活性化されて、シリコン結晶部分の端部より離れた位置への移動を促進され、その結果、漏れ電流の減少がもたらされるのであるといえる。よって、本発明は、前記サイリスタ素子に限らず、不特定種類の半導体素子に適用可能であると判断できる。
2 恒温槽温度調整部
10 半導体素子(例:サイリスタ素子)
Claims (2)
- 半導体素子の漏れ電流特性を改善する方法であって、半導体素子を恒温槽内に装入し、該恒温槽に設定した所定温度に達するまでの時間以上保管し、その後放冷することを特徴とする半導体素子特性改善方法。
- 前記所定温度は、前記半導体素子の使用時接合部最高温度以下で且つこの使用時接合部最高温度にできるだけ近い温度とすることを特徴とする請求項1記載の半導体素子特性改善方法。
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2005
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