JP2006278505A - カーボンナノチューブの製造方法及びトランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板101の上に配列された金属電極102の間に、金属的なカーボンナノチューブ103a,103b,103cと半導体的なカーボンナノチューブ104とが混在して形成された状態とする。次に、半導体的な状態とするカーボンナノチューブ103a,103b及び半導体特性の変更対象であるカーボンナノチューブ104に電子線が照射された状態とする。照射する電子線は、例えば、加速電圧1kV,照射線量1×10-2以下とすればよい。この電子線照射により、半導体的なカーボンナノチューブ113a,113bと、半導体特性が変更されたカーボンナノチューブ114とが得られる。
【選択図】 図1
Description
Claims (6)
- 基板の上にカーボンナノチューブが配置された状態とする工程と、
前記カーボンナノチューブに電子線が照射された状態として前記カーボンナノチューブのバンドギャップが電子線の照射前より広くされた状態とする工程と
を少なくとも備えることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法において、
前記カーボンナノチューブは、金属的な電気伝導性を備えている
ことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1又は2記載のカーボンナノチューブの製造方法において、
前記カーボンナノチューブは、半導体的な電気伝導性を備えている
ことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの製造方法において、
前記電子線の照射の量により前記カーボンナノチューブのバンドギャップの状態を制御する
ことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 基板の上にチャネルとなるカーボンナノチューブが配置された状態とする工程と、
前記基板の上に前記カーボンナノチューブに接続するソース電極及びドレイン電極が形成された状態とする工程と、
前記カーボンナノチューブに電界を印加するゲート電極が形成された状態とする工程と、
前記カーボンナノチューブに電子線が照射された状態として前記カーボンナノチューブのバンドギャップが電子線の照射前より広くされた状態とする工程と
を少なくとも備えることを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 請求項5記載のトランジスタの製造方法において、
電子線が照射された前記カーボンナノチューブは、両極性伝導形を備えることを特徴とするトランジスタの製造方法。
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