JP2006278388A - 実装構造体、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】
電気的接続が難しいとされる酸化膜が形成された端子を導電粒子により容易に電子部品等に電気的接続が図れるようにし、その電気的接続の信頼性を向上させた実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】
異方性導電膜２３の導電粒子２４が第１の端子としての電極用端子１８等の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコア２６と、該コア２６を覆う導電層２７とを有することとしたので、当該電極用端子表面に例えば空気中の酸素により酸化膜２９が形成されていても、ＸドライバＩＣ１６等を第１基板５に圧着する際に当該酸化膜２９を含め電極用端子１８等に導電粒子２４がめり込むことができ、電極用端子１８等とバンプ２２との良好な電気的接続を図ることができる。
【選択図】 図４

Description

本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器に関する。

従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として液晶装置等の電気光学装置が用いられている。しかし、近年、パーソナルコンピュータや携帯電話機等も高機能化しており、用いられる液晶装置等の電気光学装置も高精度化・高機能化が求められている。

そこで、例えば電気光学装置の基板の端子と半導体等の電子部品の端子との電気的接続や基板同士の端子の電気的接続に用いられている異方性導電膜の電気的接続の信頼性を向上させる方法として、ＩＣチップと基板との間に接着用材料を介在させ、加圧ヘッドの押圧中心がＩＣ側端子列間の中心線にほぼ一致する状態でその加圧ヘッドによってＩＣチップを押圧する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２０００−３４０６１３号公報（段落[０００７]から[０００８]、図３）。

しかしながら、上述の方法により接続の信頼性は向上したが基板等の端子がモリブデンやアルミニウム等のように酸化されやすい材料で形成されていると、基板側の端子に例えば異方性導電膜を介して電子部品を実装する前に当該基板側の端子表面が酸化されて酸化膜が形成されることがある。

こうなると、異方性導電膜中の導電粒子が酸化膜に邪魔されて基板側端子と電子部品側端子との電気的接続がうまく図れず、基板と電子部品との電気的接続の信頼性が損なわれるという問題が生じる。

本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、電気的接続が難しいとされる酸化膜が形成された端子を導電粒子により容易に電子部品等に電気的接続が図れるようにし、その電気的接続の信頼性を向上させた実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る実装構造体は、第１の端子を有する基板と、前記第１の端子の表面に形成された酸化膜と、前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜とを具備し、前記導電粒子は、前記第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする。

ここで、「電子部品」とは、例えば液晶駆動用ＩＣや抵抗等のことである。

本発明は、異方性導電膜の導電粒子が第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することとしたので、当該第１の端子表面に例えば空気中の酸素により酸化膜が形成されていても、電子部品を基板に圧着する際に当該酸化膜を含め第１の端子に導電粒子がめり込むことができる。これにより、酸化膜は導電粒子に接触する領域で引き伸ばされ、破断するので酸化膜から露出した第１の端子に導電粒子の導電層が接触でき、第１の端子と第２の端子との良好な電気的接続を図ることができる。

本発明の他の観点に係る実装構造体は、第１の端子を有する基板と、前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、前記第２の端子の表面に形成された酸化膜と、前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜とを具備し、前記導電粒子は、前記第２の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする。

本発明は、異方性導電膜の導電粒子が第２の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することとしたので、当該第２の端子表面に例えば空気中の酸素により酸化膜が形成されていても、電子部品を基板に圧着する際に当該酸化膜を含め第２の端子に導電粒子がめり込むことができる。これにより、第２の端子表面の酸化膜は導電粒子に接触する領域で引き伸ばされ、破断するので酸化膜から露出した第２の端子に導電粒子の導電層が接触でき、第１の端子と第２の端子との良好な電気的接続を図ることができる。

本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電気光学物質を保持し第１の端子を有する基板と、前記第１の端子の表面に形成された酸化膜と、前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜とを具備し、前記導電粒子は、前記第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする。

本発明は、異方性導電膜の導電粒子が第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することとしたので、当該第１の端子表面に例えば空気中の酸素により酸化膜が形成されていても、電子部品を基板に圧着する際に当該酸化膜を含め第１の端子に導電粒子がめり込むことができる。これにより、酸化膜は導電粒子に接触する領域で引き伸ばされ、破断するので酸化膜から露出した第１の端子に導電粒子の導電層が接触でき、第１の端子と第２の端子との良好な電気的接続を図ることができる。

本発明の一の形態によれば、前記コアの硬度は、押圧方向の該コアの長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるものであることを特徴とする。これにより、例えば電子部品の第２の端子を基板の第１の端子に異方性導電膜を介して熱圧着するときに、導電粒子のコアのばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて第１の端子と第２の端子とに挟まれた導電粒子が所定の圧力では十分変形せず、酸化膜が破断して露出した第１の端子と当該導電粒子の導電層との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続の導通信頼性を向上させることができる。

また、逆に導電粒子のコアのばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電粒子が十分第１の端子にめり込まず、酸化膜の破断も不十分となり、第１の端子と第２の端子との電気的接続が不十分となることを防ぐことができる。

本発明の一の形態によれば、前記酸化膜は、該酸化膜と前記第２の端子との間で挟まれる前記導電粒子に接触する領域が内側に凹んでいることを特徴とする。これにより、酸化膜は引張り応力が働き、この応力が大きくなると酸化膜は一部破断が始まり更に導電粒子がめり込むことにより凹みが大きくなると酸化膜の下の第１の端子表面が現れ、露出することとなる。その結果、露出した第１の端子と導電粒子の導電層とが接触して、第１の端子と第２の端子との電気的接続が良好に図られることとなる。

本発明の一の形態によれば、前記酸化膜は、前記導電粒子に接触する領域の少なくとも一部で破断しており、前記第１の端子は、前記破断している領域で前記導電層に接触していることを特徴とする。これにより、酸化膜が表面に形成されていた第１の端子と第２の端子との電気的接続を良好に図ることが可能となる。

本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電気光学物質を保持し第１の配線を有する第１の基板と、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線とその第２の配線に電気的に接続された第１の端子とを有する第２の基板と、前記第１の端子の表面に形成された酸化膜と、前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記第２の基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜とを具備し、前記導電粒子は、前記第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする。

ここで、「第２の基板」とは例えばＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）等をいい、第１の基板に直接接続されたものやフレキシブル基板等を介して第１の基板に接続されたものも含むものとする。

本発明は、異方性導電膜の導電粒子が第２の基板に有する第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することとしたので、当該第１の端子表面に例えば空気中の酸素により酸化膜が形成されていても、電子部品を第２の基板に圧着する際に当該酸化膜を含め第１の端子に導電粒子がめり込むことができる。これにより、酸化膜は導電粒子に接触する領域で引き伸ばされ、破断するので酸化膜から露出した第１の端子に導電粒子の導電層が接触でき、第１の端子と第２の端子との良好な電気的接続を図ることができる。

本発明の一の形態によれば、前記コアの硬度は、押圧方向の該コアの長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるものであることを特徴とする。これにより、例えば電子部品の第２の端子を第２の基板の第１の端子に異方性導電膜を介して熱圧着するときに、導電粒子のコアのばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて第１の端子と第２の端子とに挟まれた導電粒子が所定の圧力では十分変形せず、酸化膜が破断して露出した第１の端子と当該導電粒子の導電層との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、第１の端子と第２の端子との電気的接続の導通信頼性を向上させることができる。

また、逆に導電粒子のコアのばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電粒子が十分第１の端子にめり込まず、酸化膜の破断も不十分となり、第１の端子と第２の端子との電気的接続が不十分となることを防ぐことができる。

本発明の一の形態によれば、前記酸化膜は、該酸化膜と前記第２の端子との間で挟まれる前記導電粒子に接触する領域が内側に凹んでいることを特徴とする。これにより、酸化膜は引張り応力が働き、この応力が大きくなると酸化膜は一部破断が始まり更に導電粒子がめり込むことにより凹みが大きくなると酸化膜の下の第１の端子表面が現れ、露出することとなる。その結果、露出した第１の端子と導電粒子の導電層とが接触して、第１の端子と第２の端子との電気的接続が良好に図られることとなる。

本発明の一の形態によれば、前記酸化膜は、前記導電粒子に接触する領域の少なくとも一部で破断しており、前記第１の端子は、前記破断している領域で前記導電層に接触していることを特徴とする。これにより、酸化膜が表面に形成されていた第１の端子と第２の端子との電気的接続を良好に図ることが可能となる。

本発明の他の観点に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。

本発明は、電気的接続が難しいとされる酸化膜が形成された端子を導電粒子により容易に電気的接続が図れるようにし、その電気的接続の信頼性を向上させることができる電気光学装置を備えることとしたので、より高精度化・高機能化した電子機器を提供できる。

以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、実装構造体及び電気光学装置の例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス型の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。更に以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。

（第１の実施形態）

図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図（ＸドライバＩＣは切断していない）、図３はＸ、ＹドライバＩＣ付近の部分拡大図、図４は熱圧着による酸化膜の変化の説明図、図５はコンタクト抵抗比較グラフ図、図６はバンプを端子に熱圧着する状態の説明図及び図７は液晶パネルとフレキシブル基板との電気的接続の説明図である。

（液晶装置の構成）

液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、その液晶パネル２に接続されたフレキシブル基板３を有する。ここで、液晶パネル２には、フレキシブル基板３の他にもバックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない。）。

ここで、液晶パネル２は例えば図２に示すようにシール材４を介して貼り合わされた実装構造体及び基板としての第１基板５及び第２基板６、その第１及び第２基板５，６の間に封止された電気光学物質としての液晶、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶７とを有する。

第１及び第２基板５，６は例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材であり、図２に示すように第１及び第２基板５，６の外側（液晶７とは反対側）には、入射光を偏光させるための夫々偏光板８，９が貼着されている。

また、第１基板５はその内側（液晶側）に図１及び図２に示すようにＹ軸方向にゲート電極１０が形成され、Ｘ軸方向にソース電極１１が形成されており、更にそのゲート電極１０及びソース電極１１等の液晶側には配向膜１２が形成されている。

ゲート電極１０及びソース電極１１は、例えばモリブデンやアルミニウム等の金属材料等によって形成されており、図示しないＴＦＴに電気的に接続されている。また、ＴＦＴはやはり図示しない画素電極に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極１０に電圧を印加したときにソース電極１１から画素電極に、またはその逆に電流が流れるように構成されている。

更に第１基板５は、第２基板６の外周縁から張り出した張出し部１３を有し、当該張出し部１３には、例えばゲート電極１０及びソース電極１１がシール材４で囲まれる領域から当該張出し部１３に延びたゲート電極用配線１４及びソース電極用配線１５、その各電極用配線に電気的に接続された液晶駆動用のＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７が実装されている。

張出し部１３は、例えば図３に示すようにＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装面に対応する領域内にゲート電極用配線１４及びソース電極用配線１５に電気的に接続された第１の端子としての電極用端子１８、更にフレキシブル基板３等からの電流をＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７に入力する同じく第１の端子としての入力用端子１９を有する。

また、張出し部１３は例えば図７に示すようにフレキシブル基板３等から電流を受取る外部用端子２０、その外部からの電流を入力用端子１９に供給する第１の配線としての入力用配線２１等を有する。

更にＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７は、例えば図２及び図３に示すようにその張出し部１３に実装する実装面に電極用端子１８及び入力用端子１９に電気的に接続する第２の端子としての複数のバンプ２２を有する。この電気的接続は、電極用端子１８及び入力用端子１９とバンプ２２との間に接着剤でもある異方性導電膜２３を介して行なわれる。

また、バンプ２２はＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装面に複数配列されており、例えば略直方体に形成されているがこれに限られるものではなく、円柱形等の形状であってもよく、ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等で形成されている。

更に異方性導電膜２３は、導電粒子２４が接着剤であるエポキシまたはアクリルを主成分とするフィルム状の樹脂２５中に分散されている。

導電粒子２４は、例えば図３及び図４に示すように球状の樹脂で形成されたコア２６の周りにニッケル等で鍍金された導電層２７、更にその表面に絶縁層２８が形成されている。

また、コア２６はエポキシ樹脂やアクリル樹脂等により形成されており、直径が約4μｍの球状を有し、硬度は例えば押圧方向の径を３０％縮めたときのコア２６のばね定数が約４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるように形成されている。

例えば縦軸に接続抵抗値（Ω）を取り、横軸に温度サイクル試験（ＨＳ）及び耐湿試験（ＤＨ）が何サイクル目であるかを示し、異なるばね定数、例えば１．７ＧＰａ，４．４ＧＰａ，４．７ＧＰａ，８ＧＰａによるコンタクト抵抗比較の結果を図５に示した。

当該図５の例えば３サイクル目のＨＳ，ＤＨを見ると、ばね定数８ＧＰａのときが一番接続抵抗値が小さく、二番目に接続抵抗値が小さかったのは４．７ＧＰａであり、三番目に接続抵抗値が小さかったのは４．４ＧＰａであった。結局、４つのばね定数の中で一番接続抵抗値が大きかったのが１．７ＧＰａであった。

また、夫々のばね定数のときのサイクルを重ねることによる接続抵抗値の上昇を見ると一番上昇が小さいのはばね定数８ＧＰａのときであり、次に小さいのが４．７ＧＰａであった。更にばね定数４．４ＧＰａのときは三番目に上昇が小さく、一番上昇が大きかったのはばね定数が１．７ＧＰａのときであった。

また、図示しないが縦軸に接続抵抗値（Ω）、横軸に経過時間（Ｈ）を取り、異なるばね定数、例えば４．４ＧＰａ，８ＧＰａ及び１１ＧＰａによる信頼性試験を試みた結果、８ＧＰａのときが、一番接続抵抗値が小さくしかも時間が経過してもその接続抵抗値の上昇は他のばね定数の場合より少なかった。

二番目に接続抵抗値が小さかったのは、４．４ＧＰａであり時間経過による上昇も二番目に少ない結果となった。３つのばね定数の中で一番接続抵抗値が大きかったのが１１ＧＰａであった。

以上の結果を検討すると、コンタクト抵抗比較においてよい結果、すなわち最も接続抵抗値が小さく（例えば３サイクル目のＨＳ，ＤＨ）、かつ、その上昇も一番小さくほとんど変化しなかったのは、ばね定数８ＧＰａであることが判明した。

一方、ばね定数が４．７ＧＰａでは接続抵抗値及びその上昇ともまだ８ＧＰａの場合に近いが、ばね定数４．４ＧＰａになると一番結果の悪かった、すなわち接続抵抗値が４つのなかで一番大きかった（例えば３サイクル目のＨＳ，ＤＨ）１．７ＧＰａに近い成績となった点等から、ばね定数の下限は４．４ＧＰａ付近であることが判明した。

一方、信頼性試験では１１ＧＰａのばね定数の場合が、８ＧＰａのばね定数の場合に比べて接続抵抗値がかなり大きく、かつ、４．４ＧＰａのばね定数の場合に比べても接続抵抗値が大きかったことから、ばね定数８ＧＰａから１１ＧＰａの間に上限が存在することが判明した。

以上よりコア２６の硬度は、例えば押圧方向の径を３０％縮めたときのコア２６のばね定数が約４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるように形成することで接続抵抗値が少なくなり好ましいことがわかった。

これは、電極用端子１８等にバンプ２２を異方性導電膜２３を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａより大きいと電極用端子１８等とバンプ２２とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形できず、該導電粒子２４の導電層２７と端子との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなったものと考えられる。

また、逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数が４ＧＰａより小さくすると後述するように酸化膜や電極用端子１８等が十分凹まず、酸化膜２９の破断が不十分となり接続抵抗が大きくなったものと考えられる。

次に、電極用端子１８及び入力用端子１９は例えばモリブデンやアルミニウムのように酸化されやすい材料により形成されており、図３に示すように導電粒子２４を介してバンプ２２に電気的に接続されているが、図４に示すように電極用端子１８及び入力用端子１９にはその表面（バンプ２２側）に空気中の酸素により形成された酸化膜２９を有する。

従って、概略的には電極用端子１８及び入力用端子１９の上に酸化膜２９が形成されており、その電極用端子１８及び入力用端子１９とバンプ２２との間に異方性導電膜２３が配置されていることとなる。その状態で異方性導電膜２３は、ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバ１７により押圧されており、異方性導電膜２３中の導電粒子２４は例えば図４に示すように少し押圧方向（図４中Ｚ軸方向）に潰され変形している。

更に導電粒子２４の絶縁層２８は、例えば図４に示すようにコア２６の反発力によりバンプ２２や電極用端子１８等との接触面から図６の矢印Ｅ方向に押し出されるように導電層２７の表面から取り除かれており、導電粒子２４とバンプ２２や電極用端子１８等との接続抵抗をより減少させることとなる。

また、導電粒子２４の表面を覆う絶縁層２８は例えば図４に示すように電極用端子等の酸化膜２９との接触する領域Ｂ（図４中のＢ）やバンプ２２との接触領域以外はそのまま残るので、狭ピッチ化により端子同士の間隔が狭くなっても隣同士で短絡することもなく、より高い導通信頼性を確保できる。

これにより、導電粒子２４は例えばＸドライバＩＣ１６及びＹドライバ１７のバンプ２２を張出し部１３の電極用端子１８及び入力用端子１９にのみ夫々電気的に接続させることができることとなる。

また、電極用端子１８、入力用端子１９及び酸化膜２９は例えば図４に示すように内側（第１基板側）に導電粒子２４がめり込むように凹んでいる。

例えば酸化膜２９は、酸化膜２９とバンプ２２とに挟まれる導電粒子２４に接触する領域Ｂ（図４中に示す領域）が、丁度内側に食い込んだ導電粒子２４を包むように内側に凹んでいる。

更にその酸化膜２９は、例えば図４に示すように導電粒子２４と接触する領域Ｂの少なくとも一部で破断しており、その破断した領域Ｃ（図４中に示す領域）では下の電極用端子１８、入力用端子１９が露出して導電粒子２４の導電層２７に直接接触している。これにより、電極用端子１８、入力用端子１９とバンプ２２との電気的接続が良好に図られることとなる。また、導電粒子２４が潰され変形しているため電極用端子１８、入力用端子１９とバンプ２２との接触面積も増加して接続抵抗を少なくさせている。

これは、コア２６の硬度が電極用端子１８、入力用端子１９の硬度より硬いか、または略同じ程度であるため、ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバ１７の押圧により酸化膜２９及び電極用端子１８、入力用端子１９に導電粒子２４がめり込んで、酸化膜２９は導電粒子２４との接触する領域Ｂを中心に引っ張り応力が働き、その限界以上の応力により破断したものである。

尚、電極用端子１８、入力用端子１９自体は酸化膜２９に比べ厚さが厚く（例えば電極用端子１８、入力用端子１９は０．５μｍ、酸化膜２９は０．０１μｍ）、しかも電極用端子１８及び入力用端子１９の下の第１基板５は硬く酸化膜２９のように凹んだところに大きな引っ張り応力が働くことはなく、破断することはない。

また、図４では説明の都合***付近で破断するものとして説明したが無論これに限られるものではなく、例えば複数箇所で破断してもよいし、破断箇所も凹みの中央から外れたところであってもよい。

次に、配向膜１２は例えばポリイミド等の有機薄膜であり電圧が印加されていないときの液晶７の配向状態を規定するためのラビング処理が施されている。

一方、第２基板６はその内側（液晶側）表面に共通電極３０が形成されており、その共通電極３０の液晶側には配向膜３１が形成されている。

尚、第１及び第２基板５，６のいずれか一方の内側には図示しないが必要に応じて下地層、反射層、着色層及び光遮蔽層等を形成されている。

次に、フレキシブル基板３は例えば図１に示すようにベース基材３２の上に配線パターン３３等が形成、実装されている。

ここで、ベース基材３２は可撓性を有するフィルム状の部材であり、配線パターン３３は例えば銅等から形成されている。また、配線パターン３３は張出し部側の端に接続用端子（図示しない）が形成されている。その接続用端子は、例えば図７に示すように外部用端子２０に異方性導電膜２３と材質及び形状等が同様な異方性導電膜３４を介して電気的に接続されている。

すなわち、フレキシブル基板３の接続用端子と液晶パネル２の例えば外部用端子２０との電気的接続も、ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７のバンプ２２と張出し部１３の電極用端子１８及び入力用端子１９との電気的接続と同様、導電粒子２４のコア２６の硬度を外部用端子２０の硬度より硬いか、または略同じ硬度として当該外部用端子２０が酸化膜で覆われていても、導電粒子２４をその酸化膜及び外部用端子２０にめり込ませて、当該酸化膜を少なくとも一部破断させ、フレキシブル基板３の接続用端子と第１基板５の外部用端子２０との良好な電気的接続を図ることが可能となる。

また、導電粒子２４のコア２６の硬度を押圧方向の径（長さ）を３０％縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるように形成された異方性導電膜３４により、例えばモリブデンやアルミニウムのように酸化されやすい材料により端子が形成されていても接続抵抗を減少させ、より導通信頼性を向上させることができる。

例えば図７に示すようにフレキシブル基板３の接続用端子を第１基板上の外部用端子２０に当該異方性導電膜３４を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該接続用端子と外部用端子２０とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子２４の導電層２７と端子との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。

また、逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて酸化膜や外部用端子２０が十分凹まず、酸化膜の破断が不十分となり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。

尚、異方性導電膜３４は異方性導電膜２３と導電粒子の大きさやコアの硬度等を必要に応じて変えてもよい。

また、上述の説明ではニッケルによる導電層２７の上に直接絶縁層２８を形成したが、該導電層２７と絶縁層２８との間に金の薄膜を形成してもよい。これにより、より導電性を向上させることができる。

（液晶装置の製造方法）

次に、以上のように構成された液晶装置１の製造方法について簡単に説明する。

まず、例えば第１基板５上（液晶側）にＴＦＴ、ゲート電極１０、ソース電極１１、画素電極等を形成し、その上（液晶側）に配向膜１２を形成してラビング処理を施して第１基板側を製造する。

尚、ゲート電極やソース電極等を形成する際にゲート電極用配線１４、ソース電極用配線１５、電極用端子１８及び入力用端子１９も同時に形成してもよい。

また、第２基板６上（液晶側）に必要に応じて下地層や反射膜、着色層を夫々形成すると共にその上（液晶側）に共通電極３０を形成し、更に配向膜３１を形成し、ラビング処理を施して第２基板側を製造する。

そして、第２基板上にギャップ材３５をドライ散布等により散布し、シール材４を介して第１基板側と第２基板側とを貼り合わせる。その後、シール材４の図示しない開口部から液晶を注入し、シール材４の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。

更に偏光板８，９等を第１及び第２基板５，６の各外面（液晶側と反対側）に貼着する。

また、例えばＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の内部に形成された集積回路の電極である図示しないパッド上にそのパッドと電気的に接続したバンプ２２を無電解鍍金等により所定の形、例えば直方体に形成する。

次に異方性導電膜２３を張出し部１３のＸドライバＩＣ１６及びＹドライバ１７の実装領域に電極用端子１８及び入力用端子１９等を覆うようにアライメントして配置するが、このときまでに電極用端子１８及び入力用端子１９は、その表面が酸化され酸化膜２９が形成されている。

その後、該異方性導電膜２３の上に該電極用端子等に対応してバンプ２２が位置するようにＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を配置し、該ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を押圧し加熱する。すると、導電粒子２４がバンプ２２と電極用端子１８及び入力用端子１９の表面に形成された酸化膜２９との間に挟まれ、例えば図６に示すように押圧方向（図６中の矢印Ｄの方向）に潰れるように変形する。

その結果、導電粒子２４はバンプ２２や電極用端子１８及び入力用端子１９との接触面積が増加し、更に導電粒子２４の絶縁層２８は、例えば図６に示すようにコア２６の反発力によりバンプ２２や電極用端子１８等との接触面から図６の矢印Ｅ方向に押し出されるように導電層２７の表面から取り除かれ、導電粒子２４とバンプ２２や電極用端子１８等との接続抵抗をより減少させることとなる。

また、例えば図６に示すように導電粒子２４は酸化膜２９及び電極用端子１８、入力用端子１９の内側（第１基板５側）にめり込み、当該酸化膜２９をその導電粒子２４との接触する領域Ｂで内側に凹ませることとなる。

これにより、酸化膜２９には例えば図６に示す矢印Ｆのように引っ張り応力が働き、その応力が限度を超えると該酸化膜２９は例えば図４に示すように少なくともその一部が破断することとなる。

その結果、酸化膜２９が破断した領域Ｃ（図４中の領域Ｃ）でその下の電極用端子１８、入力用端子１９の表面が露出し、導電粒子２４の導電層２７と電極用端子１８、入力用端子１９とが直接接触して電極用端子１８、入力用端子１９とバンプ２２との良好な電気的接続が図れることとなる。

次に、フレキシブル基板３に必要な電子部品等を実装し、そのフレキシブル基板３の配線パターン３３に電気的に接続された接続用端子を例えば図７に示すように異方性導電膜３４を介して液晶パネル２の外部用端子２０に電気的に接続させる。

そして、必要に応じてバックライトやケース体等を取り付けて液晶装置１が完成する。

以上で液晶装置１の製造方法の説明を終了する。

このように本実施形態によれば、異方性導電膜２３の導電粒子２４が第１の端子としての電極用端子１８等の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコア２６と、該コア２６を覆う導電層２７とを有することとしたので、当該電極用端子表面に例えば空気中の酸素により酸化膜２９が形成されていても、ＸドライバＩＣ１６等を第１基板５に圧着する際に当該酸化膜２９を含め電極用端子１８等に導電粒子２４がめり込むことができる。これにより、酸化膜２９は導電粒子２４に接触する領域Ｂで引き伸ばされ、破断するので酸化膜２９から露出した電極用端子１８等に導電粒子２４の導電層２７が接触でき、電極用端子１８等とバンプ２２との良好な電気的接続を図ることができる。

また、コア２６の硬度は、押圧方向の該コア２６の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるものであることとしたので、例えば電子部品の第２の端子としてのバンプ２２を第１基板５の電極用端子１８等に異方性導電膜２３を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて電極用端子１８等とバンプ２２とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形せず、酸化膜２９が破断して露出した電極用端子１８等と当該導電粒子２４の導電層２７との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電極用端子１８等とバンプ２２との電気的接続の導通信頼性を向上させることができる。

逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電粒子２４が十分電極用端子１８等にめり込まず、酸化膜２９の破断も不十分となり、電極用端子１８等とバンプ２２との電気的接続が不十分となることを防ぐことができる。

更に酸化膜２９は、該酸化膜２９とバンプ２２との間で挟まれる導電粒子２４に接触する領域Ｂが内側に凹んでいることとしたので、酸化膜２９には引張り応力が働き、この応力が大きくなると酸化膜２９は一部破断が始まり更に導電粒子２４がめり込むことにより凹みが大きくなると酸化膜２９の下の電極用端子等の表面が現れ、露出することとなる。その結果、露出した電極用端子１８等と導電粒子２４の導電層２７とが接触して、電極用端子１８等とバンプ２２との電気的接続が良好に図られることとなる。

また、酸化膜２９は、導電粒子２４に接触する領域Ｂの少なくとも一部で破断しており、電極用端子１８等は、破断している領域Ｃで導電層２７に接触していることとしたので、酸化膜２９が表面に形成されていた電極用端子１８等とバンプ２２との電気的接続を良好に図ることが可能となる。

（変形例１）

次に、本発明に係る液晶装置の変形例１について説明する。本変形例１においては、第２の基板としてのプリント基板の例えば配線パターンに電気的に接続された出力用端子等と、電子部品の端子とが異方性導電膜により電気的に接続されている点が第１の実施形態と異なっているのでその点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。

（液晶装置の構成）

図８は本変形例１の液晶装置の概略斜視図である。

液晶装置１０１は、例えば図８に示すように液晶パネル２、その液晶パネル２に接続されたフレキシブル基板３及びそのフレキシブル基板３に接続された第２の基板としてのプリント基板１０３を有する。ここで、液晶パネル２には、プリント基板１０３の他にもバックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない。）。

プリント基板１０３は、例えば図８に示すようにベース基材１３２の上に第２の配線としての配線パターン１３３及びその配線パターン１３３に電気的に接続された電子部品としての電源用ＩＣ１１６等が形成、実装されている。

ここで、ベース基材１３２は硬質の板状の部材であり、配線パターン１３３は例えばモリブデンやアルミニウム等から形成されている。また、配線パターン１３３はフレキシブル基板側の端に接続用端子（図示しない）が形成されており、その接続用端子は例えばフレキシブル基板３に形成された接続用端子に異方性導電膜３４と材質及び形状等が同様な図示しない異方性導電膜１３４を介して電気的に接続されている。尚、プリント基板１０３側の接続用端子には図示しない酸化膜２９が形成されている。

また、ベース基材１３２は例えば電源用ＩＣ１１６の実装面に対応する領域内に配線パターン１３３に電気的に接続された第１の端子としての例えばモリブデンやアルミニウム等から形成された出力用端子１１８及び入力用端子１１９を有し、その出力用端子１１８及び入力用端子１１９の表面には第１の実施形態と同様に酸化膜２９が形成されている。

更に電源用ＩＣ１１６は、例えば図３に示すようにその実装面に出力用端子１１８及び入力用端子１１９に電気的に接続する第２の端子としての複数のバンプ１２２を有する。この電気的接続には出力用端子１１８及び入力用端子１１９とバンプ１２２との間に接着剤でもある異方性導電膜２３と材質及び形状等が同様な異方性導電膜１２３を介して行なわれている。

また、バンプ１２２は電源用ＩＣ１１６の実装面に複数配列されており、例えば略直方体に形成されているがこれに限られるものではなく、円柱形等の形状であってもよく、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等で形成されている。

（液晶装置の製造方法）

次に、以上のように構成された液晶装置１０１の製造方法については、第１の実施形態と電子部品が実装されたプリント基板１０３がフレキシブル基板３に接続されている点等を除けば略同様であり、その説明を省略する。

このように本変形例によれば、異方性導電膜１２３の導電粒子２４がプリント基板１０３の第１の端子としての出力用端子１１８等の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコア２６と、該コア２６を覆う導電層２７とを有することとしたので、当該出力用端子１１８等の表面に例えば空気中の酸素により酸化膜２９が形成されていても、例えば電源用ＩＣ１１６をプリント基板１０３に圧着する際に当該酸化膜２９を含め出力用端子１１８等に導電粒子２４がめり込むことができる。これにより、酸化膜２９は導電粒子２４に接触する領域Ｂ（図４中のＢ）で引き伸ばされ、破断するので酸化膜２９から露出した出力用端子１１８等に導電粒子２４の導電層２７が接触でき、良好な電気的接続を図ることができる。

また、導電粒子２４のコア２６の硬度は、押圧方向の該コア２６の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるものであることとしたので、例えば電子部品の第２の端子であるバンプ１２２をプリント基板１０３の出力用端子１１８等に異方性導電膜１２３を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて出力用端子１１８等とバンプ１２２とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形せず、酸化膜２９が破断して露出した出力用端子１１８等と当該導電粒子２４の導電層２７との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続の導通信頼性を向上させることができる。

逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電粒子２４が十分に出力用端子１１８等にめり込まず、酸化膜２９の破断も不十分となり、出力用端子１１８等とバンプ１２２との電気的接続が不十分となることを防ぐことができる。

更に酸化膜２９は、該酸化膜２９と例えば電源用ＩＣ１１６のバンプ１２２との間で挟まれる導電粒子２４に接触する領域Ｂ（図４中のＢ）が内側に凹んでいることとしたので、酸化膜２９は引張り応力が働き、この応力が大きくなると酸化膜２９は一部破断が始まり更に導電粒子２４がめり込むことにより凹みが大きくなると酸化膜２９の下の出力用端子１１８等の表面が現れ、露出することとなる。その結果、露出した出力用端子１１８等と導電粒子２４の導電層２７とが接触して、出力用端子１１８等とバンプ１２２との電気的接続が良好に図られることとなる。

また、酸化膜２９は、導電粒子２４に接触する領域Ｂ（図４中のＢ）の少なくとも一部で破断しており、出力用端子１１８等は、破断している領域Ｃ（図４中のＣ）で導電層２７に接触していることとしたので、酸化膜２９が表面に形成されていた出力用端子１１８等とバンプ１２２との電気的接続を良好に図ることが可能となる。

（第２の実施形態・電子機器）

次に、上述した液晶装置１，１０１を備えた本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。

図９は本発明の第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。

電子機器３００は、表示制御系として例えば図９に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。

また、液晶パネル２には表示領域Ｌを駆動する駆動回路３６１を有する。

表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。

また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。

このように本実施形態によれば、電子機器３００に用いられる液晶装置１で異方性導電膜２３の導電粒子２４が第１の端子としての電極用端子１８等の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコア２６と、該コア２６を覆う導電層２７とを有することとしたので、当該電極用端子表面に例えば空気中の酸素により酸化膜２９が形成されていても、ＸドライバＩＣ１６等を第１基板５に圧着する際に当該酸化膜２９を含め電極用端子１８等に導電粒子２４がめり込むことができる。これにより、酸化膜２９は導電粒子２４に接触する領域Ｂで引き伸ばされ、破断するので酸化膜２９から露出した電極用端子１８等に導電粒子２４の導電層２７が接触でき、電極用端子１８等とバンプ２２との良好な電気的接続を図ることができる。

特に最近の電子機器にあっては、より高精度化・高機能化された電子機器であることが要求されており、係る導通信頼性の高い電子機器を提供する本発明の意義は大きいといえる。

具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶表示装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１，１０１が適用可能なのは言うまでもない。

なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態や変形例を組み合わせても良い。

以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。

例えば、上述の実施形態及び変形例では薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。更には反射半透過型に限らず例えば反射型や透過型であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、電気的接続が難しいとされる酸化膜が形成された端子を導電粒子により容易に電子部品等に電気的接続が図れるようにし、その電気的接続の信頼性を向上させることができる。

また、上述の実施形態及び変形例では異方性導電膜を用いて実装するものとしてＩＣについて説明したがこれに限られるものではなく、例えば抵抗やコンデンサ等の電子部品であってもよい。これにより、より多種多様な電子部品の電気的接続の信頼性を向上させ、液晶装置をより高機能化・高精度化できる。

更に上述の実施形態及び変形例では、Ｘ，ＹドライバＩＣ実装をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）として説明したがこれに限られるものではなく、例えばフレキシブル基板３に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、電気的接続が難しいとされる酸化膜が形成された端子を導電粒子により容易に電子部品に電気的接続が図れるようにし、その電気的接続の信頼性を向上させることができる。

また、上述の実施形態及び変形例では第１の端子である基板側の端子表面に酸化膜が形成されている場合について説明したがこれに限られるものではなく、第２の端子表面、例えば該基板に実装される電子部品の端子表面に酸化膜が形成されている場合であってもよい。

例えばＸドライバＩＣ１６等のバンプ２２に酸化しやすい金属を用いて、その表面に空気中の酸素により酸化膜２９が形成されても、異方性導電膜２３の導電粒子２４が、当該バンプ２２の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有するので、当該ＸドライバＩＣ１６等を第１基板５の電極用端子１８等に圧着する際に当該酸化膜２９を含めバンプ２２に導電粒子２４がめり込むことができる。これにより、バンプ表面の酸化膜２９は導電粒子２４に接触する領域で引き伸ばされ、破断するので酸化膜２９から露出したバンプ２２に導電粒子２４の導電層２７が接触でき、第１の端子と第２の端子との良好な電気的接続を図ることができる。

更に上述の実施形態及び変形例では、異方性導電膜２３の導電粒子２４は導電層２７の表面に絶縁層２８が設けられるものとして説明したがこれに限られるものではなく、例えば隣の端子同士で短絡する心配がないなどの場合は導電層２７の表面に絶縁層２８が設けられていなくてもよい。これにより、導電粒子２４の製造が容易になりコストを軽減でき、端子における電気的接続抵抗をより少なくすることができる。

第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。 図１のＡ−Ａ線概略断面図（ＸドライバＩＣは切断していない）である。 第１の実施形態に係るＸ、ＹドライバＩＣ付近の部分拡大図である。 第１の実施形態に係る熱圧着による酸化膜の変化の説明図である。 第１の実施形態に係るコンタクト抵抗比較グラフ図である。 第１の実施形態に係るバンプを端子に熱圧着する状態の説明図である。 液晶パネルとフレキシブル基板との電気的接続の説明図である。 変形例１に係る液晶装置の概略斜視図である。 第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の概略構成図である。

符号の説明

１，１０１ 液晶装置、 ２ 液晶パネル、 ３ フレキシブル基板、 ４ シール材、 ５ 第１基板、 ６ 第２基板、 ７ 液晶、 ８，９ 偏光板、 １０ ゲート電極、 １１ ソース電極、 １２，３１ 配向膜、 １３ 張出し部、 １４ ゲート電極用配線、 １５ ソース電極用配線、 １６ ＸドライバＩＣ、 １７ ＹドライバＩＣ、 １８ 電極用端子、 １９，１１９ 入力用端子、 ２０ 外部用端子、 ２１ 入力用配線、 ２２，１２２ バンプ、 ２３，３４，１２３，１３４ 異方性導電膜、 ２４ 導電粒子、 ２５ 樹脂、 ２６ コア、 ２７ 導電層、 ２８ 絶縁層、 ２９ 酸化膜、 ３０ 共通電極、 ３２，１３２ ベース基材、 ３３，１３３ 配線パターン、 ３５ ギャップ材、 １０３ プリント基板、 １１６ 電源用ＩＣ、 １１８ 出力用端子、 ３００ 電子機器、 ３６１ 駆動回路、 ３９０ 表示制御回路、 Ｂ 接触する領域、 Ｃ 破断している領域

Claims (11)

1. 第１の端子を有する基板と、
   前記第１の端子の表面に形成された酸化膜と、
   前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、
   前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜と
   を具備し、
   前記導電粒子は、前記第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする実装構造体。
2. 第１の端子を有する基板と、
   前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、
   前記第２の端子の表面に形成された酸化膜と、
   前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜と
   を具備し、
   前記導電粒子は、前記第２の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする実装構造体。
3. 電気光学物質を保持し第１の端子を有する基板と、
   前記第１の端子の表面に形成された酸化膜と、
   前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、
   前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜と
   を具備し、
   前記導電粒子は、前記第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする電気光学装置。
4. 前記コアの硬度は、押圧方向の該コアの長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるものであることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記酸化膜は、該酸化膜と前記第２の端子との間で挟まれる前記導電粒子に接触する領域が内側に凹んでいることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記酸化膜は、前記導電粒子に接触する領域の少なくとも一部で破断しており、
   前記第１の端子は、前記破断している領域で前記導電層に接触していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 電気光学物質を保持し第１の配線を有する第１の基板と、
   前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線とその第２の配線に電気的に接続された第１の端子とを有する第２の基板と、
   前記第１の端子の表面に形成された酸化膜と、
   前記第１の端子に電気的に接続された第２の端子を有する電子部品と、
   前記第１の端子と前記第２の端子との間に配置され、前記第２の基板に前記電子部品を接着させる接着剤と、前記接着剤中に分散され、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜と
   を具備し、
   前記導電粒子は、前記第１の端子の硬度より硬いか、または略同じ硬度であるコアと、該コアを覆う導電層とを有することを特徴とする電気光学装置。
8. 前記コアの硬度は、押圧方向の該コアの長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるものであることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 前記酸化膜は、該酸化膜と前記第２の端子との間で挟まれる前記導電粒子に接触する領域が内側に凹んでいることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の電気光学装置。
10. 前記酸化膜は、前記導電粒子に接触する領域の少なくとも一部で破断しており、
    前記第１の端子は、前記破断している領域で前記導電層に接触していることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 請求項３から請求項１０のうちいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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