JP2006275896A - 半導体加速度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ダイアフラムの面の中心から互いに直交するX軸方向及びY軸方向に沿って、ウェハ外周枠部12aへそれぞれ延びている各ダイアフラム片13a〜13dからなり、その上面にピエゾ抵抗体Rx1〜Rx4,Ry1〜Ry4,Rz1〜Rz4が形成されている半導体加速度センサ10を構成する。X軸方向に沿って一直線上に配置されたダイアフラム片13a及びダイアフラム片13bと、Y軸方向に沿って一直線上に配置されたダイアフラム片13c及びダイアフラム片13dにおいて、その軸に直交する断面の面積がそれぞれX軸方向又はY軸方向の加速度の最大値にあわせて設定されている。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、上記構成の半導体加速度センサにおいて、前記X軸方向に沿う梁及び前記Y軸方向に沿う梁の少なくとも一方において、前記中心から前記ウェハ外周枠部に向かって前記断面積が大きくなる半導体加速度センサを提案する。
図20に示すように、ダイアフラム13の面に垂直な方向の力成分を含む力43が働くような加速度が加わった場合、ダイアフラム13の他方の面の側に所定値以上の力が加わったとき、ダイアフラム13は力43の働く方向に歪んで伸びるが、その変位は突起部164の先端164aによって支持されて制限されるため、ダイアフラム片13c及びダイアフラム片13dが最大限に伸びきることがない。また、図19において下方向の力成分を含む力が働くような加速度が加わった場合、重錘15の底面の側に所定値以上の力が加わったときも同様に、その変位は突起部504の先端504aによって支持されて制限されるため、ダイアフラム片13c及びダイアフラム片13dが最大限に伸びきることがない。
Claims (9)
- ウェハ外周枠部内にダイアフラム部が形成されたシリコンウェハと、前記ウェハ外周枠部を固定する台座と、前記ダイアフラム部の一方の面の中央部に設けられた重錘とを備えた半導体加速度センサにおいて、
前記ダイアフラムの面に対して平行で且つ互いに直交するX軸方向及びY軸方向に沿って、前記ダイアフラムの面の中心から前記ウェハ外周枠部へそれぞれ延びている複数の梁を備え、
該複数の梁の所定位置における各軸に直交する断面の面積が、前記X軸方向及びY軸方向のそれぞれの加速度の最大値にあわせてそれぞれ設定されている
ことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記X軸方向に沿う梁及び前記Y軸方向に沿う梁において、前記中心に関し対称な2点の前記断面積がぞれぞれ同じである
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体加速度センサ。 - 前記X軸方向に沿う梁及び前記Y軸方向に沿う梁の少なくとも一方において、前記中心から前記ウェハ外周枠部に向かって前記断面積が大きくなる
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体加速度センサ。 - 前記X軸方向及びY軸方向並びに前記ダイアフラムの面に対して垂直なZ軸方向のそれぞれの加速度を検出可能なように、前記複数の梁のそれぞれに拡散抵抗体が配置されていると共に、前記複数の梁のそれぞれに対応する前記ウェハ外周枠部上に前記拡散抵抗体に接続された接続用の電極を備えている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3に記載の半導体加速度センサ。 - 前記ダイアフラムはシリコンピエゾ型のダイアフラムである
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4に記載の半導体加速度センサ。 - 前記ダイアフラムの一面側或いは他面側のうちの少なくとも何れか一方の側に、ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面から所定の間隔をあけた位置に固定され、該中央部に対向して突出する突起部が設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5に記載の半導体加速度センサ。 - 前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に固定されて支持され、前記ダイアフラムの他方の面の中央部に対向して突出するように、前記ダイアフラムの他方の面の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体加速度センサ。 - 前記突起部は、前記ウェハ外周枠部または前記台座のうちの少なくとも何れか一方に連結固定されて支持され、前記重錘の表面に対向して突出するように、該重錘の中央部から所定の間隔をあけた位置に設けられている
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体加速度センサ。 - 前記ダイアフラムの中央部表面若しくは該中央部に対応する前記重錘の表面に対応する前記突起部の先端は錐形の先端形状をなしている
ことを特徴とする請求項6乃至請求項8に記載の半導体加速度センサ。
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