JP2006256925A - 圧電セラミックス用焼結助剤および圧電セラミックス - Google Patents
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Abstract
【課題】 低温焼成を可能とし、かつ、駆動により温度が上昇した場合にも良好な圧電特性が得られる圧電セラミックスおよびその製造に用いられる圧電セラミックス用焼結助剤を提供する。
【解決手段】 圧電セラミックスの作製に、少なくとも酸化鉛と酸化亜鉛を有し、残部が酸化ホウ素からなり、これらの金属酸化物の金属組成比がモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40である助剤群、および、酸化銅から構成される焼結助剤を用いる。PZT系圧電セラミックス材料に対する前記助剤群の添加量を1.5重量%以上5重量%以下とし、かつ、これらPZT系圧電セラミックス材料と助剤群の合計量に対する酸化銅の添加量を0.01重量%以上0.5重量%以下とした。
【選択図】 なし
Description
本発明は圧電セラミックス用焼結助剤および圧電セラミックスに関する。
圧電トランスや超音波モータ等、圧電材料を用いたデバイスが種々開発されている。例えば、圧電トランスは、駆動部に入力した電気エネルギーを機械的振動エネルギーに変換し、発電部において再び電気エネルギーに変換することによって、入力電圧の昇圧または降圧を行うデバイスである。この圧電トランスは、近時、広く表示デバイスとして用いられるようになった液晶表示装置のバックライト(冷陰極管)用のインバータとして用いられている。
圧電トランスには、一般的にジルコン酸チタン酸鉛(PZT)系の圧電セラミックスが用いられているが、PZT系セラミックスは高温で焼成すると、鉛成分が蒸発して組成がずれ、所望の特性を得られなくなることや、蒸発する鉛による環境汚染が問題となるために、できるだけ低温で焼成を行うことが望まれており、そのために種々の焼結助剤が検討されている(例えば、特許文献1参照)。
このような焼結助剤の選択は、母材となるPZT系圧電セラミックスの組成に依存して、その組成と添加量を適切に選択する必要があるため、公知の焼結助剤がそのまま全てのPZT系圧電セラミックスに適用できるわけではない。つまり、その選択が不適切な場合には、焼結温度を下げることはできても、圧電特性が低下してしまうという問題を生ずる場合がある。また、圧電トランスは主に共振現象を利用して駆動するが、駆動中に圧電セラミックスが有する誘電損失に起因して発熱が起こり、これによって圧電特性が低下するという現象が起こるため、温度変化による特性低下の小さい材料が望まれており、そのような特性も焼結助剤の影響を大きく受ける。
特許第3406611号
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、低温焼成を可能とし、かつ、駆動により温度が上昇した場合にも良好な圧電特性が得られる圧電セラミックスを得るための圧電セラミックス用焼結助剤を提供することを目的とする。また本発明は、この焼結助剤を用いてなる圧電セラミックスを提供することを目的とする。
本発明によれば、PZT系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤であって、
少なくとも酸化鉛と酸化亜鉛を有し、残部が酸化ホウ素からなり、これらの金属酸化物の金属組成比がモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40である助剤群、および、酸化銅から構成されることを特徴とする圧電セラミックス用焼結助剤、が提供される。
少なくとも酸化鉛と酸化亜鉛を有し、残部が酸化ホウ素からなり、これらの金属酸化物の金属組成比がモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40である助剤群、および、酸化銅から構成されることを特徴とする圧電セラミックス用焼結助剤、が提供される。
また、本発明によれば上記焼結助剤を用いてなる圧電セラミックス、すなわち、PZT系圧電セラミックス材料に、少なくとも酸化鉛と酸化亜鉛を有し、残部が酸化ホウ素からなり、これらの金属酸化物の金属組成比がモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40である助剤群、および、酸化銅から構成される焼結助剤を添加し、所定温度で焼成して得られる圧電セラミックスであって、
前記PZT系圧電セラミックス材料に対する前記助剤群の添加量は1.5重量%以上5重量%以下であり、かつ、前記PZT系圧電セラミックス材料と前記助剤群の合計量に対する前記酸化銅の添加量は0.01重量%以上0.5重量%以下であることを特徴とする圧電セラミックス、が提供される。
前記PZT系圧電セラミックス材料に対する前記助剤群の添加量は1.5重量%以上5重量%以下であり、かつ、前記PZT系圧電セラミックス材料と前記助剤群の合計量に対する前記酸化銅の添加量は0.01重量%以上0.5重量%以下であることを特徴とする圧電セラミックス、が提供される。
本発明によれば、例えば950℃以下の焼成でも、密度が大きく、良好な圧電特性を示す圧電セラミックスを製造することができる。また、本発明に係る焼結助剤を用いてなる圧電セラミックスは、特に圧電トランスや超音波モータ(超音波振動子)等の共振駆動型の圧電素子に適した場合に、駆動によって温度が上昇した場合にも、良好な駆動特性が得られる。この場合において、PZT系圧電セラミックスと電極材料とを同時焼成して作製されるデバイスでは、電極材料として純銀(Ag)を用いることができるようになるため、製造コストを下げることができるという効果も得られる。
本発明に係る、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤(以下、単に「焼結助剤」という)は、少なくとも酸化鉛(PbO)と酸化亜鉛(ZnO)を有し、残部が酸化ホウ素(B2O3)からなり、これらの金属酸化物の金属組成比がモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40である助剤群、および、酸化銅(CuO)から構成される。なお、酸化鉛としてPb3O4を用いることもできる。
PZT系圧電セラミックス材料は、所謂、ソフト系,ハード系のどちらであってもよく、基本成分である鉛(Pb),ジルコニウム(Zr),(チタン)Tiに加えて、マンガン(Mn)、ストロンチウム(Sr)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)等の成分を含んでいてもよい。
焼結助剤を構成する助剤群の、PZT系圧電セラミックス材料の母材(つまり、焼結助剤を含まない組成の材料)に対する添加量は、1.5重量%以上5重量%以下とする。かつ、PZT系圧電セラミックス材料の母材と助剤群の合計量に対する酸化銅の添加量は、0.01重量%以上0.5重量%以下とする。
助剤群および酸化銅のPZT系圧電セラミックスの母材に対する添加量を上記範囲とすることにより、後述する実施例に示すように、圧電トランス等に適用した場合に駆動によって温度が上昇しても良好な圧電特性を示すPZT系圧電セラミックスが得られる。また、PZT系圧電セラミックスの製造工程においては、例えば950℃以下の焼成温度で製造することができる。このような低温焼成が可能となることにより、安価な炉を用いた製造が可能となり、炉の運転時の消費エネルギーを少なくすることができる。また、PZT系圧電セラミックスでは、焼成温度が高くなると、Pb成分が揮発し、所望の組成物を得ることが困難となって、特性がばらつきやすくなるという問題があるが、この問題を解決することができる。さらに、PZT系圧電セラミックスと電極材料とを同時焼成して作製されるデバイスでは、電極材料として純銀(Ag)を用いることができるようになるため、製品コストを下げることができる。
一方、焼結助剤の添加量が上記範囲から外れる場合において、その添加量が前記範囲よりも少ない場合には、焼結助剤としての効果が得られない。つまり、所望の密度や圧電特性を得ようとすると、焼成温度を下げることができない。また、焼結助剤の添加量が上記範囲よりも多くなると、低温での焼結は可能となるが、圧電特性が著しく低下してしまい、実用に供することが困難となる。特に、PZT系圧電セラミックス材料の母材と助剤群の合計量に対する酸化銅の添加量が0.5重量%超の場合には、導電性が発現してしまい、分極ができなくなるという問題が生じる。
PZT系圧電セラミックスの製造方法としては、母材を構成するPb,Zr,Ti等の各金属元素を含む化合物(例えば、酸化物、炭酸塩、硝酸塩等)を所定の比率で混合し、この混合物を850℃〜900℃で酸素の存在下(大気雰囲気でもよいし、強制的な酸素供給により酸素リッチな雰囲気としてもよい)で仮焼し、得られた仮焼粉末を必要に応じて再粉砕し、所定のメッシュに通す等して粒度調整(分級)し、これに焼結助剤を構成する各金属元素を含む化合物(例えば、酸化物、炭酸塩、硝酸塩等)を添加して再混合した後、プレス成形法、押出成形法、ドクターブレード法等の各種方法で成形し、900℃〜950℃で焼成する方法が好適に用いられる。
なお、仮焼粉末の調製条件は、90%以上のペロブスカイト相が生成するように、かつ、得られる仮焼粉末の粒成長が進みすぎないように、仮焼温度および仮焼時間を設定することが好ましい。ペロブスカイト相の生成量は、例えば、仮焼粉末のXRDパターンから判断することができる。なお、PZT系圧電セラミックスの母材の仮焼粉末と焼結助剤の仮焼粉末とを別々に調製し、こうして調製した各粉末を混合、成形、焼結する方法や、PZT系圧電セラミックスの母材原料と焼結助剤原料とを混合、仮焼、成形、焼成する方法を採ってもよい。
本発明の実施例および比較例について説明する。
出発原料として、MnCO3,PbO,SrCO3,ZrO2,TiO2,Nb2O5の各粉末を、組成が(Pb0.93Sr0.05)(Zr0.52Ti0.45Mn0.01Nb0.02)O3となるように秤量し、これに所定量のイオン交換水(または蒸留水、純水)を加えてボールミルにより粉砕混合し、その後110℃で乾燥した。得られた粉末を、大気中、900℃で2時間仮焼し、母材仮焼粉末を得た。
出発原料として、MnCO3,PbO,SrCO3,ZrO2,TiO2,Nb2O5の各粉末を、組成が(Pb0.93Sr0.05)(Zr0.52Ti0.45Mn0.01Nb0.02)O3となるように秤量し、これに所定量のイオン交換水(または蒸留水、純水)を加えてボールミルにより粉砕混合し、その後110℃で乾燥した。得られた粉末を、大気中、900℃で2時間仮焼し、母材仮焼粉末を得た。
次に、助剤群を構成するPbO,B2O3,ZnOの各粉末を図1(a)に示す組成ダイヤグラム中の番号1〜22の各組成となるように秤量し、先に作製した母材仮焼粉末に表1に示す添加量となるように添加し、これにCuOを表1に示す添加量となるように秤量して添加し、所定量のイオン交換水および可塑剤を加えてボールミルにより混合した。その後、得られたスラリーを110℃で乾燥し、メッシュパスすることで、顆粒粉末を得た。
なお、図1(b)に助剤群の必須組成比率、つまりモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40の領域Sを示す。図1(a)と図1(b)を比較することにより、試料1〜3,7,11,15,19〜22は、本発明の条件を満たさない比較例であり、その他の試料4〜6,8,10,12〜14,16〜18は本発明の条件を満足する実施例である。試料9a〜9eは、助剤群の組成の観点からは本発明の条件を満足するが、添加量の観点から実施例に属する9b〜9dと、比較例に属する9a,9eに分けられる。
こうして作製した各組成を有する粉末を、一軸プレス成形装置を用いて直径20mmφ、厚さ1.5mmに成形し、さらに120MPaで冷間静水圧成形(CIP)し、全ての成形体を大気中、900℃で2時間焼成した。得られた焼結体は全て直径が約16mmであった。各焼結体を厚さが1mmとなるようにラッピング処理し、アルキメデス法により嵩密度を求めた。その後、図2に示すように、焼結体10の一面全体にアース電極11が、他面に入力電極12と出力電極13がそれぞれ形成されるように銀ペーストを印刷し、850℃で10分間、焼き付け処理し、さらに120℃のシリコーンオイル中で、10分、2kV/mmの条件で焼結体を厚み方向に分極させ、圧電トランスを作製した。
この圧電トランスの出力特性は、圧電トランスの温度を測定しながら、出力電力を少しずつ増加させて、電力投入(周波数:共振周波数近傍(約150−170kHz)、負荷:整合負荷)をする前の温度(つまり、トランス駆動を始める前の温度)との温度差が20℃になった時点での出力を測定し、その出力が4.0W以上のものを合格とした。なお、焼結助剤を用いずに母剤仮焼粉末のみを用いて作製した焼結体(その焼成条件は1100℃、2時間)で圧電トランスを作製した場合の出力値は4.2Wであった。前記基準出力の値(=4.0W)はこの値よりも小さいが、十分に実用に供することができる特性であると判断し、基準値とした。
測定結果を表1に併記する。表1に示されるように、焼結助剤を構成する助剤群の組成が図1(b)に示される領域Sの範囲内にあり、かつ、助剤群の圧電セラミックス母材に対する添加率が1.5wt%以上5wt%以下の試料(CuOの添加率は一律で本発明で規定する範囲内)では、4.0W以上の高い出力が得られており、作動温度が上昇しても良好な特性を示すことが確認された。
また試料9aでは、助剤群の圧電セラミックス母材に対する添加率が1.5wt%未満で少なかったために密度が上がらず、これに起因して出力特性が低下したと考えられた。試料9a以外の比較例に係る試料では、7.6g/cm3以上の高い密度が得られているにもかかわらず出力特性が低くなった。これは焼結助剤が焼結温度の低下にのみ作用することなく、圧電セラミックス母材の組成変動を引き起こす等して、圧電特性を低下させたと推測された。
なお、CuOの添加率が0wt%の場合には、900℃での焼成では密度が上がらず、4.0W以上の出力が得られる圧電トランスを作製するためには、950℃超の焼成温度が必要であった。また、CuOの添加率が5wt%超の場合には、900℃での焼成で7.6〜7.7g/cm3の密度が得られたが、導電率が高くなってしまい、分極処理ができなかった。
本発明は、圧電トランス、超音波モータ等の電気エネルギーを機械振動エネルギーに変換する圧電デバイスに用いられる圧電セラミックスに好適である。
10;円板型焼結体
11;アース電極
12;入力電極
13;出力電極
11;アース電極
12;入力電極
13;出力電極
Claims (2)
- PZT系圧電セラミックスの製造に用いられる焼結助剤であって、
少なくとも酸化鉛と酸化亜鉛を有し、残部が酸化ホウ素からなり、これらの金属酸化物の金属組成比がモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40である助剤群、および、酸化銅から構成されることを特徴とする圧電セラミックス用焼結助剤。 - PZT系圧電セラミックス材料に、少なくとも酸化鉛と酸化亜鉛を有し、残部が酸化ホウ素からなり、これらの金属酸化物の金属組成比がモル%で、10≦Pb≦40,20≦Zn≦90,0≦B≦40である助剤群、および、酸化銅から構成される焼結助剤を添加し、所定温度で焼成して得られる圧電セラミックスであって、
前記PZT系圧電セラミックス材料に対する前記助剤群の添加量は1.5重量%以上5重量%以下であり、かつ、前記PZT系圧電セラミックス材料と前記助剤群の合計量に対する前記酸化銅の添加量は0.01重量%以上0.5重量%以下であることを特徴とする圧電セラミックス。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008100887A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Fujifilm Corp | 成膜用原料粉、膜構造体及びそれらの製造方法、並びに、圧電素子 |
JP2014529902A (ja) * | 2011-08-30 | 2014-11-13 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 |
EP3085678A4 (en) * | 2014-08-29 | 2017-08-23 | Kyocera Corporation | Piezoelectric ceramic, manufacturing method therefor, and electronic component |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03164470A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電セラミックスおよびその製造方法 |
JPH09194258A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-07-29 | Tokin Corp | 圧電磁器材料 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03164470A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電セラミックスおよびその製造方法 |
JPH09194258A (ja) * | 1995-11-15 | 1997-07-29 | Tokin Corp | 圧電磁器材料 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008100887A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Fujifilm Corp | 成膜用原料粉、膜構造体及びそれらの製造方法、並びに、圧電素子 |
JP2014529902A (ja) * | 2011-08-30 | 2014-11-13 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | 圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法 |
US9570669B2 (en) | 2011-08-30 | 2017-02-14 | Epcos Ag | Piezoelectric component and method for producing a piezoelectric component |
US10483454B2 (en) | 2011-08-30 | 2019-11-19 | Tdk Electronics Ag | Piezoelectric component and method for producing a piezoelectric component |
EP3085678A4 (en) * | 2014-08-29 | 2017-08-23 | Kyocera Corporation | Piezoelectric ceramic, manufacturing method therefor, and electronic component |
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