JP2006253480A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】読み出し電圧の低減を図ると共に、安定で、信頼性の高い薄型の高耐圧固体撮像素子を提供する。製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に形成された光電変換部と、前記光電変換部で形成された電荷を転送する電荷転送素子（ＣＣＤ）とを具え、撮像領域を形成してなる固体撮像素子であって、前記半導体基板表面の前記撮像領域の一部を除く、前記半導体基板全面が、前記半導体基板表面に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるボトム酸化膜と、前記ボトム酸化膜上に形成される窒化シリコン（ＳｉＮ）膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるトップ酸化膜とを含む積層構造（ＯＮＯ）膜で被覆される。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体撮像素子およびその製造方法に関し、特にゲート酸化膜の構造に関する。

従来の固体撮像素子は、図８に断面構造の一例を示すように、半導体基板１表面に形成されたｐウェル（図示せず）内に、フォトダイオード部と、電荷転送素子（ＣＣＤ）からなる電荷転送部とを形成してなるもので、フォトダイオード部で生成された電荷を、電荷転送部の電荷転送電極に電圧を印加することにより、ｎ型不純物領域からなる転送チャネル（図示せず）に導き、順次読み出すように構成されている。そして電荷転送部では、フォトダイオード部で生成された電荷を、ｎ型不純物領域からなる転送チャネルに導き、この上層に酸化シリコン膜（ＳｉＯ）２ａ、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）２ｂ、酸化シリコン膜２ｃとの３層構造のゲート酸化膜２を介して形成された電荷転送電極兼読み出し電極（以下読み出し電極）としてのゲート電極（電荷転送電極）３に電圧を印加することによって、順次転送する構造となっている。

このように、固体撮像素子の読み出し電極下のゲート酸化膜は、高耐圧ゲートである窒化シリコン膜を酸化シリコン膜で挟む、いわゆるＯＮＯ構造をとっている。昨今の微細化が進んだ固体撮像素子においては薄くかつ高耐圧のゲート酸化膜が必須であり、この構造すなわち、ＯＮＯ構造をもつゲート酸化膜（以下ＯＮＯ膜）の採用は、ゲート薄膜化のために必須の構造となっている。また電荷転送部４０の電荷転送電極の上層は熱酸化による酸化シリコン膜５とＣＶＤ法による酸化シリコン膜６が形成されており、上方には、フォトダイオード３０に相当する領域に開口を形成した遮光膜７が設けられている。１０は平坦化膜としてのＢＰＳＧ膜、７０は平坦化膜、５０はカラーフィルタであり、カラーフィルタ５０上には平坦化膜８０を介してマイクロレンズ６０が形成される。

この構造の固体撮像素子において、画素部に光が入射すると、ｎ型不純物領域にて光電変換されて信号電荷が発生し、電荷転送電極兼読み出し電極であるゲート電極３に読み出しパルスが印加されると転送チャネルに移動する。
この構造では、基板表面近傍で発生した信号電荷は読み出しパルスによる電界にて加速され、読み出される。

また、初期特性の向上をはかるべく、フォトダイオード部（光電変換部）における暗電流を抑制し、特性の安定化をはかるために、カラーフィルタ形成の直前に、水素を十分に供給しながら、熱処理を行ういわゆる水素アニールは素子の初期特性の安定化に極めて重要な部分である（特許文献１）。そこでフォトダイオード上ではＯＮＯ膜２の上２層すなわち窒化シリコン膜２ｂまでを除去し単層膜とし、水素の通路を形成している。しかしながらフォトダイオード上には反射防止膜が必須であり、フォトダイオード上に反射防止膜として窒化シリコン膜を形成しなおすという方法がとられている。

特開2003-332556号公報

ところで、ロジック系デバイスでは、ＯＮＯ膜は２０ｎｍ程度であるのに対し、ＣＣＤでは、上述したように印加電圧が高いために、ゲート酸化膜は厚く形成しなければならず８０ｎｍ以上となることもある。これに伴い、ボトム酸化膜もロジック系のデバイスでは５ｎｍ程度であったものが、ＣＣＤでは２５ｎｍ以上となることもある。

このように厚いゲート酸化膜を用いた構造をとることにより高耐圧化をはかることはできる。しかしながら、電荷読み出しのための読み出し部では、このゲート酸化膜を介して電荷の読み出しを行うことになり、読み出し電圧を高くする必要があった。

また、前述したように、フォトダイオード部における暗電流を抑制し、特性の安定化をはかるための、水素アニールにおける水素の通路を形成するために、一旦ゲート酸化膜の窒化シリコン膜を除去し、水素アニールのための水素の通路を形成して、フォトダイオード上には反射防止膜として窒化シリコン膜を形成しなおすという方法がとられている。これは、除去のためのフォトリソグラフィ、エッチングに加えて、反射防止膜の形成、パターニング工程が必要になることになる。

このように、従来の固体撮像素子において、高耐圧のゲート構造を得ようとすると、読み出し電圧が高くなるという問題がある一方、初期特性の向上のための水素アニールを実現するために、必要であったゲート酸化膜の除去および反射防止膜としての窒化シリコン膜の再度の形成が、工数の低減を阻むことになっていた。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、初期特性が安定で、信頼性の高い薄型の高耐圧固体撮像素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、高耐圧でかつ、読み出し電圧の低い固体撮像素子を提供することを目的とする。

また、製造が容易で信頼性の高い固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に形成された光電変換部と、前記光電変換部で形成された電荷を転送する電荷転送素子（ＣＣＤ）とを具え、撮像領域を形成してなる固体撮像素子であって、前記半導体基板表面の前記撮像領域の一部を除く、前記半導体基板全面が、前記半導体基板表面に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるボトム酸化膜と、前記ボトム酸化膜上に形成される窒化シリコン（ＳｉＮ）膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるトップ酸化膜とを含む積層構造（ＯＮＯ）膜で被覆される。
この構成によれば、ゲート酸化膜がほぼＯＮＯ構造で構成されているため、反射防止膜を別に形成することなくゲート酸化膜の窒化シリコンが反射防止膜の役割を果たすことになり、集光特性に優れた固体撮像素子を提供することが可能となる。特に読み出し領域でゲート酸化膜が単層構造で構成されるようにすれば、読み出し電圧の低減をはかることができる。

本発明の固体撮像素子は、前記撮像領域の光電変換部の表面全体がＯＮＯ膜で被覆されたものを含む。
この構成によれば、反射防止膜を必要とする光電変換部の表面全体がＯＮＯ膜で被覆されるようにすれば、信頼性の向上を図ることができる。

本発明の固体撮像素子は、前記撮像領域の電荷取り出し領域が単層膜からなるゲート酸化膜で構成されたものを含む。
この構成によれば、上述したように読み出し電圧の低減をはかることができるとともに、この部分で初期特性の安定化のために行う水素アニールにおける水素の通路がこの単層膜部に形成される。

本発明の固体撮像素子は、前記撮像領域の少なくとも１箇所でゲート酸化膜が単層膜で構成されたものを含む。
ゲート酸化膜を単層膜で形成する領域は、必ずしも電荷取り出し領域すなわち、読み出しゲートの部分であるのが望ましいが、必ずしも読み出しゲートの部分でなくてもよく、適宜変更可能である。この場合、水素アニールにおける水素の通路がこの単層膜部に形成され、初期特性の安定化をはかることはできる。

本発明の固体撮像素子は、前記撮像領域の光電変換部の少なくとも１箇所でゲート酸化膜が単層膜で構成されたものを含む。
この場合、光電変換部の少なくとも１箇所に単層膜部が設けられていれば、水素アニール工程において、この単層膜部をより効率よく、水素が通過し、初期特性の安定化をはかることはできる。

本発明の方法では、半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で形成された電荷を転送する電荷転送素子とを形成する撮像領域を形成した固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板上に前記電荷転送素子のゲート酸化膜を形成する工程が、前記半導体基板表面に、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるボトム酸化膜と、前記ボトム酸化膜上に形成される窒化シリコン（ＳｉＮ）膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるトップ酸化膜とを順次積層し、積層構造（ＯＮＯ）膜を形成する工程と、前記窒化シリコン膜およびトップ酸化膜を一部で選択的に除去する工程を含み、
前記半導体基板表面の前記撮像領域の周縁部の一部を除く、前記半導体基板全面に積層構造膜を形成するようにしたことを特徴とする。

かかる構成によれば、半導体基板全面に積層構造膜が形成され、（一部を除去するのみでよく、）撮像領域は反射防止膜で覆われた状態となっているため、撮像領域にあらためて反射防止膜を形成する必要がなく、作業性が良好である上、エッチングによる汚染を防ぎ、純粋で透明度の高い反射防止膜を維持することができる。

望ましくは、ボトム酸化膜としての酸化シリコン膜を形成する工程として、熱酸化工程を用いるようにしているため、緻密で膜質の良好なボトム酸化膜を得ることが可能となる。

さらにこの酸化シリコン膜を形成する工程が、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を形成する工程を含むようにすれば、より低温下での形成が可能となる。

また望ましくは、前記読み出しゲート電極下のゲート酸化膜は単層構造となるようにしてもよい。これにより読み出しゲート電極下では完全に窒化シリコン膜が除去されているため、ホットキャリアのトラップは皆無となる。

望ましくは、前記選択的に除去する工程は、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）とすることにより、容易に制御性よく窒化シリコン膜を除去することが可能となる。

また望ましくは、前記選択的に除去する工程は、燐酸を用いた等方性エッチングとすることにより、容易に制御性よく窒化シリコン膜を除去することが可能となる。

また望ましくは、窒化シリコンを除去した後、酸化工程を経ることにより、窒化シリコンの除去された領域は酸化シリコン膜で覆われることになり、極めて容易に信頼性の高い固体撮像素子を形成することが可能となる。

以上説明してきたように、本発明の固体撮像素子によれば、初期特性の劣化を防止し、暗時白傷の発生を防止することができる。また、製造が容易でかつ読み出し電圧が低い固体撮像素子を形成することが可能となる。
また本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、撮像領域の一部を除く基板表面全体がゲート酸化膜（ＯＮＯ膜）で構成されているため、反射防止膜を付け直す必要もなく、高精度で信頼性の高い固体撮像素子を形成することができる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつ説明する。
（実施の形態１）
この固体撮像素子は、図１に、概略断面図を示すように、シリコン基板１表面のＯＮＯ構造のゲート酸化膜を介してドープトアモルファスシリコン膜からなる電荷転送電極としてのゲート電極３が形成されており、このゲート酸化膜が、シリコン基板１表面全体に形成され、酸化シリコン膜からなるボトム酸化膜２ａと、このボトム酸化膜２ａ上に形成される窒化シリコン膜２ｂと、さらに窒化シリコン膜２ｂ上に形成された酸化シリコン膜からなるトップ酸化膜２ｃとからなる積層構造膜で構成されており、転送チャネル上の読み出しゲートの部分１４でのみ、ボトム酸化膜２ａの単層膜とし、読み出し電圧の低減をはかるようにしたことを特徴とする。ここでボトム酸化膜２ａは膜厚１０ｎｍ、窒化シリコン膜２ｂは膜厚５０ｎｍ、トップ酸化膜２ｃは膜厚８ｎｍである。

図１は固体撮像素子の要部を示す断面図、図２は平面図である。この固体撮像素子は、素子分離領域で分離された素子領域表面にｐウェル（図示せず）、およびｎ型半導体層（図示せず）が形成されている。そしてこのシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される複数の電荷転送電極３（３ａ、３ｂ）が、ゲート酸化膜２上に所定の間隔で形成された電極間絶縁膜４によって分離形成されるとともに、光電変換部としてのフォトダイオード３０の受光領域に開口を有する遮光膜７で被覆されており、前記開口部が、この上層に形成されたＢＰＳＧ膜からなる平坦化膜１０で覆われている。

この平坦化膜１０の上層は、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜(図示せず)からなり、その上層は透光性の有機膜からなる平坦化膜７０で被覆されている。そしてこの上層はカラーフィルタ５０、マイクロレンズ６０が設けられる。カラーフィルタ上には平坦化膜８０を介してマイクロレンズ６０が形成される。

なお、シリコン基板１には、複数のフォトダイオード３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード３０の間に蛇行形状を呈するように形成される。電荷転送部４０によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。

なお、ｐウェルの形成されたシリコン基板１内には、ｐｎ接合を備えたフォトダイオード３０、電荷転送チャネル、チャネルストップ領域、電荷読み出し領域が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４と電荷転送電極３（電荷転送部４０）が形成される。

また、電荷転送電部４０は、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、電荷転送電極を構成する第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａからなる第１の電極、第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂからなる第２の電極が酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４を介して積層され、２層電極構造を構成している。

そしてこの第２の電極の上層に熱酸化法で形成した酸化シリコン膜５を介してＣＶＤ法で形成した膜厚３０ｎｍの酸化シリコン膜６が形成されている。そしてこの上層には膜厚２００ｎｍのタングステン薄膜７が形成されている。

次に、この固体撮像素子の製造工程におけるゲート酸化膜の形成工程について、図３（ａ）乃至（ｃ）乃至図６（ａ）乃至（ｃ）を用いて説明する。この例ではフォトダイオード領域形成のためのｎ型不純物領域、ｐ型不純物拡散領域、転送チャネルとしてのｎ型不純物領域を形成すべく、イオン注入を行った後、ゲート酸化膜およびゲート電極を形成する。このとき後続工程における加熱により拡散長が伸びるのを想定し、拡散時間を設定する必要がある。以下の工程では簡略化のために半導体基板内に形成されるフォトダイオード領域および転送チャネルを省略する。

まず、ｎ型のシリコン基板１表面に形成されたｐウェル内に、熱酸化によりボトム酸化膜２ａとして膜厚２５ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。ここではＨＣｌ／Ｏ_２＝１ｓｌｍ／１０ｓｌｍ雰囲気で９５０℃に加熱することによって酸化を行った。

この後、ＣＶＤ法により、このボトム酸化膜２ａ上に膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜２ｂを形成する。ここでは堆積条件はＳｉＨ_２Ｃｌ_２／ＮＨ_３＝０．０９ｓｌｍ／０．９ｓｌｍ（０．５Ｔｏｒｒ）雰囲気で７８０℃とした。

さらに、ＣＶＤ法により、この窒化シリコン膜２ｂ上にトップ酸化膜２ｃとして膜厚８ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜を形成する。（図３（ａ））。ここでＣＶＤ条件はＳｉＨ_４／Ｈ_２Ｏ＝０．０５ｓｌｍ／２．５ｓｌｍ（１．２Ｔｏｒｒ）雰囲気で８００℃とした。

続いて、レジストＲ０を塗布し、読み出しゲートに相当する領域に開口を有するレジストパターンを形成する（図３（ｂ））。

そしてこの、レジストＲ０をマスクとして、読み出しゲートに相当する領域のトップ酸化膜２ｃ、窒化シリコン膜２ｂを除去しボトム酸化膜単層とする（図３（ｃ））。

続いて、このゲート酸化膜２上に、ゲート電極３を形成する（図４（ａ））。
すなわち、このゲート酸化膜２上に、ＰＨ_３とＮ_２とを添加したＳｉＨ_４を反応性ガスとして用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．４μｍのリンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａを形成する。このときの基板温度は６００〜７００℃とする。

続いて、この上層にポジレジストを塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、レジストパターンおよび、必要に応じてダミーレジストパターンを形成する。

この後、ＨＢｒとＯ_２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによりこのマスクパターンをマスクとし、ゲート酸化膜２の窒化シリコン膜２ｂをエッチングストッパとして第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａを選択的にエッチング除去し、第１の電極および周辺回路の配線を形成する。ここではＥＣＲ(電子サイクロトロン共鳴：Electron Cyclotron Resonance)方式あるいはＩＣＰ（誘導結合Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。

そしてアッシングによりレジストパターンを剥離除去する。

続いて、熱酸化法により第１の電極のパターンに膜厚８０ｎｍの酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４を形成する。

そして、ＳｉＨ_４ガスにＰＨ_３とＮ_２とを添加した反応性ガスを用いた減圧ＣＶＤ法により第２層導電性膜として膜厚０．４〜０．７μｍの第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂを形成する。

この後、第２層電極および周辺回路形成のためのレジストパターンを形成し、このレジストパターンＲ２をマスクとして、フォトダイオード領域３０上の第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂをエッチング除去するとともに周辺回路の配線としてのパターンを残留させる。そして、アッシングによりレジスト除去を行なうことにより、固体撮像素子形成部および周辺回路部の一部を覆うように第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂが形成される。

このようにして、第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂからなる第２の電極を形成し、２層構造の電荷転送電極が形成される。そして熱酸化法により、第２の電極パターンに膜厚７０ｎｍの酸化シリコン膜からなる絶縁膜５を形成する（図４（ａ））。

そしてこの上層に、ＣＶＤ法による酸化シリコン膜６を形成したのち、（図４（ｂ））、遮光膜７としてのタングステン膜を順次積層しレジストパターンＲ１を形成し（図４（ｃ））、このレジストパターンＲ１をマスクとして遮光膜７のパターンを絶縁膜６と共にパターニングする（図４（ｄ））。ここでレジストパターンＲ１は例えば、ポジレジストを厚さ０．５〜１．４μｍとなるように塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、レジストパターンを形成する。

そしてレジストパターンＲ１をアッシングにより除去し、（図５（ａ））、膜厚７００ｎｍのＢＰＳＧ膜１０を形成し（図５（ｂ））、８５０℃でリフローし平坦化する（図５（ｃ））。

そして最後に、平坦化層７０、フィルタ層５０、平坦化層８０、レンズ６０を形成し図１に示した固体撮像素子が形成される。

このようにして形成された固体撮像素子によれば、ゲート酸化膜２は８０ｎｍと極めて厚く形成され、高耐圧となっているにもかかわらず、読み出しゲートの部分では窒化シリコン膜およびトップ酸化膜に開口Ｏが形成され、この部分のゲート酸化膜はボトム酸化膜単層であるため、読み出し電圧を低くすることができる。また、この他の領域は３層膜となっているため、反射防止膜を形成しなおす必要もなく、生産作業性が向上すると共に信頼性も向上する。そしてさらに、水素アニールにおける水素の通り道もしっかりと確保され、製造も容易でかつ信頼性の高い基板を提供することができる。

また、形成に際しても、特別の工程を経ることなく形成可能である。

なおこのボトム酸化膜は、膜厚２〜１０ｎｍとするのが望ましい。
窒化シリコン膜は５〜５０ｎｍ程度にすることにより、酸化ストッパとして有効に機能する。
さらにまたボトム酸化膜は２〜５０ｎｍとすることにより基板からの電荷注入を抑制することができる。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、読みだしゲートに対応する領域のゲート酸化膜２を単層としたが、図６に示すように、フォトダイオード側にわずかにかかるように単層のゲート酸化膜となる領域を形成してもよい。
これにより、読み出し電圧の低減は難しくなるが、その反面水素処理における水素のとおり道は確実となる。

（実施の形態３）
前記実施の形態１および２では、素子毎にゲート酸化膜２を単層とする領域を形成したが、図７に平面図を示すように、数個の固体撮像素子毎に開口Ｏすなわち、単層のゲート酸化膜となる領域を形成してもよい。
これにより、水素処理における水素のとおり道は確保される。

なお、前記実施の形態では、ゲート酸化膜をＯＮＯ膜で構成した固体撮像素子について説明したが窒化シリコンと酸化シリコンとの２層構造膜であるＮＯ膜で構成したものについても、適用可能であることはいうまでもない。

以上説明してきたように、本発明の固体撮像素子によれば、製造が容易でかつ読み出し電圧が低いゲート酸化膜を形成することができることから、種々の固体撮像素子に適用することが可能となる。

本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す断面図 本発明の実施の形態１の固体撮像素子を示す平面図 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図 本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す図 本発明の実施の形態２の固体撮像素子を示す図 本発明の実施の形態３の固体撮像素子を示す図 従来例の固体撮像素子を示す図

符号の説明

１ シリコン基板
２ａ 酸化シリコン膜（ボトム酸化膜）
２ｂ 窒化シリコン膜
２ｃ ＣＶＤ酸化膜（トップ酸化膜）
３ ゲート電極
４ 電極間絶縁膜
５ 絶縁膜
６ 絶縁膜
７ 遮光膜

Claims (8)

1. 半導体基板上に形成された光電変換部と、前記光電変換部で形成された電荷を転送する電荷転送素子（ＣＣＤ）とを具え、撮像領域を形成してなる固体撮像素子であって、
   前記半導体基板表面の前記撮像領域の一部を除く、前記半導体基板全面が、
   前記半導体基板表面に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるボトム酸化膜と、前記ボトム酸化膜上に形成される窒化シリコン（ＳｉＮ）膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるトップ酸化膜とを含む積層構造（ＯＮＯ）膜で被覆された固体撮像素子。
2. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記撮像領域の光電変換部の表面全体がＯＮＯ膜で被覆された固体撮像素子。
3. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記撮像領域の電荷取り出し領域が単層膜からなるゲート酸化膜で構成された固体撮像素子。
4. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記撮像領域の少なくとも１箇所でゲート酸化膜が単層膜で構成された固体撮像素子。
5. 請求項１に記載の固体撮像素子であって、
   前記撮像領域の光電変換部の少なくとも１箇所でゲート酸化膜が単層膜で構成された固体撮像素子。
6. 半導体基板上に、光電変換部と前記光電変換部で形成された電荷を転送する電荷転送素子とを形成する撮像領域を形成した固体撮像素子の製造方法において、
   前記半導体基板上に前記電荷転送素子のゲート酸化膜を形成する工程が、
   前記半導体基板表面に、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるボトム酸化膜と、前記ボトム酸化膜上に形成される窒化シリコン（ＳｉＮ）膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された酸化シリコン（ＳｉＯ）膜からなるトップ酸化膜とを順次積層し、積層構造（ＯＮＯ）膜を形成する工程と、
   前記窒化シリコン膜およびトップ酸化膜を一部で選択的に除去する工程とを含み、
   前記半導体基板表面の前記撮像領域の周縁部の一部を除く、前記半導体基板全面に積層構造膜を形成する固体撮像素子の製造方法。
7. 請求項６記載の固体撮像素子の製造方法であって、
   前記ボトム酸化膜としての酸化シリコン膜を形成する工程は、熱酸化工程を含む固体撮像素子の製造方法。
8. 請求項６記載の固体撮像素子の製造方法であって、
   前記ボトム酸化膜としての前記酸化シリコン膜を形成する工程は、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜を形成する工程を含む固体撮像素子の製造方法。

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