JP2006244017A - データコピー方法 - Google Patents

Abstract

【課題】不揮発性メモリのコピーバック機能を用いたデータコピー動作において、ビット誤りが累積されることによりデータの信頼性が低下する。
【解決手段】コピー元となる物理ページの管理領域に、データの書込み方法の情報であるコピーフラグを書き込んでおき、データコピー時にはそのコピーフラグを読み出す。読み出したコピーフラグが、コピーバックで書き込まれたデータあるか否かの判断を基に、ビット誤りを訂正する信頼性のデータコピーか、高速に処理できるコピーバック機能を用いたデータコピーを行うかを選択してデータコピーを行う。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体メモリを使用した不揮発性記憶装置におけるデータコピー方法に関する。

近年、不揮発性メモリを搭載したメモリーカードは、デジタルカメラや携帯電話端末における記録媒体として、市場を拡大している。そしてメモリーカードの記憶容量の増加に伴い、データファイルや静止画等の小容量の記録からより大容量が必要となる動画記録へと、その用途は広がっている。

しかし、メモリーカードの不揮発性メモリとして主に使用されているＮＡＮＤタイプのフラッシュメモリは、その容量の増加に伴いデータの消去単位となる物理ブロックの容量が１６ＫＢ（主に１２８ＭＢ以下のフラッシュメモリ）のものから１２８ＫＢ（主に１２８ＭＢ以上のフラッシュメモリ）のものになっている。にもかかわらずメモリーカードにデータを書込む際に用いられるファイルシステムでは、データの書込み単位となるクラスタは１６ＫＢのままで変化していない。

そのために、以前の小容量のメモリーカード（主に１２８ＭＢまでの容量）においては、メモリーカードにデータを書込む際のクラスタの容量と、メモリーカード内部に搭載されているＮＡＮＤタイプのフラッシュメモリの消去単位となる物理ブロックのサイズは等しかった。しかし大容量化が進むと、具体的には１２８ＭＢを越える容量値の不揮発性メモリからは、メモリーカードにデータを書込む単位であるクラスの容量の１６ＫＢと、メモリーカード内部に搭載されているＮＡＮＤタイプのフラッシュメモリの消去単位である物理ブロックの容量の１２８ＫＢが異なり、そのためにクラスタ単位である１６ＫＢの書込みであっても、１６ＫＢの書き込みと１１２ＫＢ（１２８ＫＢ−１６ＫＢ）のデータのコピーを行うことによって消去単位である１２８ＫＢの書込みを行っていた。この処理の際に、データを効率よくコピーする方法として、ＮＡＮＤタイプのフラッシュメモリのコピーバック機能を使用することが出来る。このことは特許文献１にも述べられている。このコピーバック機能を使用することにより、コピーするデータを不揮発性メモリ外部へ転送する必要がないので高速にデータをコピーすることが出来るという利点がある。しかしながら、このコピーバック機能を使用する場合、ＮＡＮＤフラッシュメモリ内部で本質的に存在するビット誤りを訂正することなしに異なるブロックへとデータをコピーするためにビット誤りが累積して、その結果エラーの訂正を行うことが出来ない数のビット誤りになることがある。
特開２００４−３０７８４号公報

上述したように、不揮発性メモリの消去単位よりも小さなデータを書き込む際に行われるコピーバック機能を用いたデータのコピー動作において、コピーされたデータの信頼性が低下するという課題があった。

上記課題を解決するために本発明のデータコピー方法は、複数の物理ブロックを有し、前記物理ブロックは複数の物理ページからなり、前記物理ページは管理情報とユーザデータ領域とを有する不揮発性メモリにおいて、前記不揮発性メモリの第１の物理ブロックから第２の物理ブロックへデータをコピーする方法であって、前記第1の物理ブロックの管理領域から、前記第１の物理ブロックに書かれたデータの書き込み方法の情報を得る第１のステップと、前記書き込み方法の情報に基づきコピーする際の書き込み方法として、信頼性の高い第１の書き込み方法、または処理時間の短い第２の書き込み方法のいずれかを選択する第２のステップと、前記第１の書き込み方法が選択された場合、前記不揮発性メモリの外部に第１の物理ブロックからのデータを読み出し、誤り訂正処理を行なって第２の物理ブロックへデータをコピーする第３のステップと、前記第２の書き込み方法が選択された場合、前記不揮発性メモリの外部にデータを読み出すことなしに、前記第１の物理ブロックから第２の物理ブロックへデータをコピーする第４のステップと、を備える。

また、本発明のデータコピー方法は、前記第１のステップから前記第４のステップまでを、物理ページ毎に繰り返すことを特徴とする、あるいは、前記第１のステップから前記第４のステップまでを、複数の物理ページからなり前記物理ブロックよりも小さい、外部ホスト機器のデータ管理単位であるクラスタ単位毎に繰り返すことを特徴とする。

本発明のデータコピー方法によれば、フラッシュメモリに対する書き込みの状態によって、データのコピー時の書き込み方法を適切に判定して行えるために、高速にデータをコピーすることが出来るコピーバック機能と、ビット誤りを訂正するＥＣＣ機能を用いた信頼性の高いコピー機能を適切に組み合わせてデータのコピーを行うことが出来る。

以下、本発明の実施の形態による不揮発性記憶装置のデータコピー方法ついて、図面を用いて説明する。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における不揮発性記憶装置のデータコピー方法について、図１〜７を用いて説明する。

図１は、本発明の実施の形態１における不揮発性記憶装置の構成と、それにつながる外部ホスト機器を示したブロック図である。同図において、
１０１は不揮発性記憶装置、１０２はホスト機器である。また、
不揮発性記憶装置１０１において、１０３はコントローラであり、１０４はフラッシュメモリである。

一般的なＮＡＮＤフラッシュメモリにおいて、その容量値は、ユーザデータを書き込める容量値を示しており、１ＧｂｉｔのＮＡＮＤフラッシュメモリの場合には１Ｇｂｉｔのユーザ領域と３２Ｍｂｉｔの管理領域を持つ。管理領域には、誤り訂正符号（ＥＣＣ）やページユニークなデータまたはブロックユニークなデータが書き込まれ、ＮＡＮＤフラッシュメモリを管理するために様々な形で使用される。

フラッシュメモリ１０４の詳細を図２に示す。１Ｇｂｉｔの容量値のフラッシュメモリ１０４は、ＰＢ０〜ＰＢ１０２３の合計１０２４個の物理ブロック２０１からなる。各々の物理ブロック２０１がフラッシュメモリ１０４における消去単位であり、容量はそれぞれユーザデータ領域として１２８ＫＢ（１０２４Ｋｂｉｔ）を持ち、管理領域として４ＫＢ（３２Ｋｂｉｔ）を持つ。

物理ブロック２０１の詳細を図３に示す。物理ブロック２０１はＰＰ０〜ＰＰ６３の合計６４個の物理ページ３０１からなる。各々の物理ページ３０１がフラッシュメモリ１０４における書き込み単位であり、容量はそれぞれユーザデータ領域として２ＫＢ（２０４８ｂｉｔ）を持ち、管理領域として６４Ｂ（５１２ｂｉｔ）を持つ。

図４は、図３に示した物理ブロック２０１の中での、コピーフラグの位置について示したものである。４０１はコピーフラグであり、当該物理ブロック２０１の少なくとも最終ページを含む１または複数のページがフラッシュメモリ１０４内のみでコピーバックによって書かれたものか、それともコントローラ１０３を介してデータを転送して書き込まれたのかを示す。各物理ブロック２０１の最終物理ページの管理領域にのみコピーフラグ４０１は存在している。

コントローラ１０３は、図１に示す通り、ホスト機器１０２とフラッシュメモリ１０４との間でフラッシュメモリ１０４からホスト機器１０２へのデータ転送（不揮発性記憶装置１０１からの読み出し動作）とホスト機器１０２からフラッシュメモリ１０４へのデータ転送（不揮発性記憶装置１０１への書き込み動作）を制御する。コントローラ１０３は、１０５の制御回路と、１０６のページバッファと、１０７の退避バッファと、１０８のアドレス変換テーブルと、１０９のエントリテーブルと、１１０のＥＣＣ回路からなる。
制御回路１０５は、コントローラ１０３の動作を制御するものである。

ページバッファ１０６は、ホスト機器１０２とフラッシュメモリ１０４間のデータ転送時に一時的にデータを保存するためのもので、揮発性メモリによって構成され、その容量は少なくとも物理ページ３０１に含まれるユーザデータの単位を備える。本実施の形態においては、フラッシュメモリ１０４のユーザデータの書き込み単位である２ＫＢを備える。

退避バッファ１０７は、フラッシュメモリ１０４のある物理ブロック２０１のある物理ページ３０１からユーザデータを読み出して、読み出しを行った物理ブロックとは異なる物理ブロック２０１の物理ページ３０１にユーザデータをコピーするために一時的にデータを保存するためのもので、揮発性メモリによって構成され、その容量は少なくとも物理ページ３０１に含まれるユーザデータの単位を備える。本実施の形態においては、フラッシュメモリ１０４のユーザデータの書き込み単位である２ＫＢを備える。

アドレス変換テーブル１０８は、ホスト機器１０２が読み出しまたは書き込みの対象として不揮発性記憶装置１０１に対して指定する論理アドレスをフラッシュメモリ１０４の物理アドレスに変換するためのテーブルであり、揮発性メモリによって構成される。論理アドレスをアドレス変換テーブルのアドレス値とした場合に、そのアドレス位置のデータとして物理アドレスが格納される。本発明の実施の形態においては物理ブロック２０１単位で論理アドレスを物理アドレスに変換するので、１０２４個の物理ブロック２０１からひとつを指定するために必要な１０ｂｉｔのデータを物理ブロック２０１の個数である１０２４ワード備える必要があり、従ってアドレス変換テーブル１０８の容量は１．２５ＫＢとなる。

エントリテーブル１０９は、フラッシュメモリ１０４における書き込み可能な消去済みブロック２０１を示すためのテーブルであり、揮発性メモリによって構成される。物理ブロック２０１単位で消去済みを表す「１」、またはユーザデータ書き込み済みあらわす「０」の１ｂｉｔのデータを持つ必要があり、従ってエントリテーブル１０９の容量は物理ブロック２０１の個数１０２４と等しいビット容量１２８Ｂ（１０２４ｂｉｔ）となる。

ＥＣＣ回路１１０は、ページバッファ１０６または退避バッファ１０７からフラッシュメモリ１０４にデータを転送する際に書き込みデータにＥＣＣ符号を付加するとともに、フラッシュメモリ１０４からページバッファ１０６または退避バッファ１０７にデータを読み出す際に読み出しデータのビット誤りの検出と訂正を行う。

図５は本発明の実施の形態１でのデータのコピーにいたる前のホスト機器１０２からのデータの書き込みについて説明するためのデータの流れを示した概念図である。図５において、図１〜３で説明したものと同じものについては同一符号を付してある。５０１〜５０３は後に詳しく説明するが、５０１はホスト機器１０２からのデータが書き込まれる物理ページ群、５０２はホスト機器１０２からのデータの旧データが書き込まれていた物理ブロック２０１のうち、ホスト機器１０２によって書き換えが行われないデータのある物理ページ群、５０３はホスト機器１０２からのデータが書き込まれる物理ブロック２０１のなかで、ホスト機器１０２からのデータではなくフラッシュメモリ１０４にあらかじめ書き込まれていた旧データをコピーして書き込みが行われる物理ページ群である。

ホスト機器１０２が不揮発性記憶装置１０１に対してデータの書き込みを行う場合、制御回路１０５はエントリテーブル１０９の内容から消去済みを表すビットデータ「１」を検索して、その位置に対応するフラッシュメモリ１０４の物理ブロック２０１の物理アドレスを得る。このケースにおいては、ＰＢ２０が消去済み物理ブロック２０１として検索された場合を示している。

次に制御回路１０５はホスト機器１０２から転送されるデータを一時的にページバッファ１０６に保存して、その後にフラッシュメモリ１０４へと転送して書き込む。このケースではホスト機器１０２からの書き込みデータが１６ＫＢ、即ち物理ページ３０１が８ページ分の場合について示している。５０１で示される物理ページ０〜７（ＰＰ０〜７）にはホスト機器１０２からのデータが書き込まれる。

これで、ホスト機器１０２からの書き込みが終了すると、制御回路１０５はＰＢ２０の未書き込みであるページ（ＰＰ８〜６３）について、旧データをコピーすることで物理ブロック２０１単位の書き込みを行い、その後旧データが書かれていた物理ブロック２０１を消去することにより、新たな書き込み先を確保する必要がある。その手順を図６にフローチャートとして示す。

まず、最初に状態６０１で制御回路１０５はアドレス変換テーブル１０８から、旧データの書き込まれている物理ブロック２０１のアドレスを得る。ここでは、アドレス変換テーブル１０８から得られる物理ブロック２０１はＰＢ１０である。

次に状態６０２で制御回路１０５はＰＢ１０の最終ページの管理領域にあるコピーフラグ４０１を読み出す。

次に判定６０３で制御回路１０５はＰＢ１０の最終ページの管理領域から得られたコピーフラグ４０１がコピーバック書き込みを行ったと判断した場合には状態６０４（第１の書き込み方法）へと遷移し、コピーバック書き込みを行わなかったと判断した場合には状態６０５（第２の書き込み方法）へと遷移する。

状態６０４でのデータコピー処理の流れを図７に示している。コピーバック書き込みによってビット誤りが累積することを避けるために、制御回路１０５は５０２で示される旧データのあるＰＢ１０のデータを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０の未書き込み領域である５０３の物理ページ群へと書き込む。この処理はページ毎に順に行われ、またこの際にＰＢ２０の最終ページに書き込むコピーフラグ４０１はコピーバック書き込みなしを示す状態で書き込む。このようにＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ってデータのコピーを行うことによりビット誤りの累積を回避する。

状態６０５でのデータコピー処理の流れを図８に示している。旧データの書き込まれていた物理ブロック２０１であるＰＢ１０の５０２で示される旧データのページ群への書き込みはコピーバック処理が使用されていないことがわかっているので、より高速にデータをコピーするためにフラッシュメモリ１０４とコントローラ１０３間でのユーザデータの転送が不要なコピーバック処理を用いてＰＢ２０の５０３のページ群に書き込む。このコピーバック処理においてはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正は行われない。またこの際にＰＢ２０の最終ページに書き込むコピーフラグ４０１はコピーバック書き込みありを示す状態で書き込む。このように予めフラッシュメモリ１０４に備えられた機能であるコピーバック処理を行って書き込みを行うことにより、高速にコピー処理が行える。

なお、データのコピーフローでは示さなかったが、ホスト機器１０２からの書き込みデータをそのまま書き込む場合には、コピーフラグ４０１はコピーバック書き込みなしを示す状態で書き込む。これは、コピーフラグ４０１の本質がコピーバック書き込みの有無にあるのではなく、ビット誤りの確率が高い書き込みが行われたのかどうかを示していることを考えれば当然である。

（実施の形態２）
次に本発明の実施の形態１の異なる形でのデータコピー方法について、実施の形態２として、図１〜３、５〜８、９、１０を用いて説明する。図１〜３、５〜８については上記に説明したものと同じであるので説明を省く。

図９は、図３の物理ブロック２０１の中での、コピーカウンタの位置について示したものである。９０１はコピーカウンタであり、当該物理ブロック２０１の少なくとも最終ページの書き込みにおいて、連続して何回コピーバック書き込みが行われたのかをカウンタ値として示している。各物理ブロック２０１の最終物理ページの管理領域にのみコピーカウンタ９０１は存在している。

図１０は本発明の実施の形態２によるデータコピー方法について示したフローチャートである。

まず、最初に状態１００１で制御回路１０５はアドレス変換テーブル１０８から、旧データの書き込まれている物理ブロック２０１のアドレスを得る。ここでは、アドレス変換テーブル１０８から得られる物理ブロック２０１はＰＢ１０である。

次に状態１００２で制御回路１０５はＰＢ１０の最終ページの管理領域にあるコピーカウンタ９０１を読み出す。

次に判定１００３で制御回路１０５はＰＢ１０の最終ページの管理領域から得られたコピーカウンタ９０１によって、コピーバック書き込み、即ちＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータのコピーが何度繰り返して実行されているかを判断して、データの信頼性を保つためにはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行う必要があると判断した場合には状態１００４へと遷移し、まだコピーバック書き込みを続けてもデータの信頼性が損なわれないと判断した場合には状態１００５へと遷移する。この際の判断はコピーカウンタ９０１がデータの信頼性を保つために最大限繰り返して実行することが出来るＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を伴わないコピーバック書き込みの回数を規定回数として、この規定回数に達しているか、達していないかで判断する。

状態１００４では、これ以上コピーバック書き込みによってビット誤りが累積することを避けるために、制御回路１０５は５０２で示される旧データのあるＰＢ１０のデータを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０の未書き込み領域である５０３の物理ページ群へと書き込む。この処理はページ毎に順に行われ、またこの際にＰＢ２０の最終ページに書き込むコピーカウンタ９０１はコピーバック書き込み回数が０回であることを示す状態で書き込む。このようにＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ってデータのコピーを行うことによりビット誤りの累積を回避する。

状態１００５では、まだコピーバック書き込みを実行してもデータの信頼性は損なわれないと判断しているので、より高速にデータをコピーするためにフラッシュメモリ１０４とコントローラ１０３間でのユーザデータの転送が不要なコピーバック処理を用いてＰＢ２０の５０３のページ群に書き込む。このコピーバック処理においてはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正は行われない。またこの際にＰＢ２０の最終ページに書き込むコピーカウンタ９０１はコピーバック書き込み回数を状態１００２で読み出した値に１を足した値で書き込む。このように予めフラッシュメモリ１０４に備えられた機能であるコピーバック処理を行って書き込みを行うことにより、高速にコピー処理が行える。

なお、データのコピーフローでは示さなかったが、ホスト機器１０２からの書き込みデータをそのまま書き込む場合には、コピーカウンタ９０１はコピーバック書き込み回数０回を示す状態で書き込む。これは、コピーカウンタ９０１の本質がコピーバック書き込みの回数にあるのではなく、ビット誤りの累積する確率が高くなっているのかどうかを示していることを考えれば当然である。

以上、本発明の実施の形態１及び２によれば、各物理ブロック２０１の最終ページに、データのコピーの際にＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ったかどうかを示すコピーフラグ、またはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに何度コピーを行ったかを示すコピーカウンタを設け、旧データのコピーを行う前に、このコピーフラグまたはコピーカウンタを読み出すことによって、
旧データの書き込みがホスト機器１０２からのデータ書き込みまたはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行った後のデータコピーなのか、それともＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータコピーなのか、または、ＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに何度コピーを行ったかの判定を行うことができ、その結果に基づいて旧データのコピー処理を行う際にＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行うデータのコピーかＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータのコピーかを選択して実行することが出来る。

なお、図６の状態６０４、図１０の状態１００４でのビット誤りの累積を避けるためのデータのコピー方法として、制御回路１０５は旧データのあるＰＢ１０のデータを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０の未書き込みのページに書き込んだが、フラッシュメモリ１０４のコピーバック機能にはコピーするデータをフラッシュメモリ１０４外部に読み出す機能や、書き込むデータを外部からフラッシュメモリ１０４に転送する機能もあり、その機能を用いることによってビット誤りを累積させないデータのコピーをより高速に実現することが出来るので、その手順について簡単に説明する。

制御回路１０５は、フラッシュメモリ１０４のコピーバック機能の読み出し動作を用いてフラッシュメモリ１０４から退避バッファ１０７へとデータを読み出す。その際にＥＣＣ回路１１０によってデータにビット誤りが存在するかどうかを判定し、ビット誤りが存在すると判定した場合にはＥＣＣ回路１１０により退避バッファ１０７のデータに対して誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、退避バッファ１０７のデータをフラッシュメモリ１０４に転送した後にＰＢ２０の未書き込みのページに書き込みを行う。ビット誤りが存在しないと判定した場合には退避バッファ１０７のデータをフラッシュメモリ１０４に転送することなく、制御回路１０５はフラッシュメモリ１０４のコピーバック機能の書き込み動作を用いてＰＢ２０の未書き込みのページに書き込みを行う。

この方法を用いることにより、ビット誤りが存在する場合にはコピーに要する時間は変わらないが、ビット誤りが存在しない場合には退避バッファ１０７からフラッシュメモリ１０４へのデータ転送時間が不要になるので、より高速にデータのコピーを行うことが出来る。

（実施の形態３）
本の発明の実施の形態３における不揮発性記憶装置のデータコピー方法について、図１〜３、５〜８、１１、１２を用いて説明する。図１〜３、５〜８については実施の形態１で説明したものと同じであるので説明を省く。

図１１は、実施の形態３による物理ブロック内のコピーフラグの位置について示したものである。１１０１はコピーフラグであり、各物理ブロック２０１に含まれる全物理ページ３０１の管理領域に存在している。コピーフラグ１１０１は、当該物理ページ３０１がフラッシュメモリ１０４のコピーバックによって書かれたものか、それともコントローラ１０３を介してデータを転送して書き込まれたのかを示す。

図１２は、本実施の形態のデータコピー方法について示したフローチャートである。

まず、最初に状態１２０１で制御回路１０５はアドレス変換テーブル１０８から、旧データの書き込まれている物理ブロック２０１のアドレスと、コピーすべきデータの書き込まれている物理ページ３０１のアドレスを得る。ここでは、アドレス変換テーブル１０８から得られる物理ブロック２０１はＰＢ１０であり、物理ページ３０１はＰＰ８である。

次に状態１２０２で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８の管理領域にあるコピーフラグ１１０１を読み出す。

次に判定１２０３で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８の管理領域から得られたコピーフラグ１１０１がコピーバック書き込みを行ったと判断した場合には状態１２０４へと遷移し、コピーバック書き込みを行わなかったと判断した場合には状態１２０５へと遷移する。

状態１２０４では、当該ページのデータがコピーバック書き込みによってビット誤りが累積することを避けるために、制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８データを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０のＰＰ８へと書き込む。この際にＰＢ２０のＰＰ８の管理領域に書き込むコピーフラグ１１０１はコピーバック書き込みなしを示す状態で書き込む。このようにＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ってデータのコピーを行うことによりビット誤りの累積を回避する。

状態１２０５では、旧データの書き込まれていた物理ブロック２０１であるＰＢ１０のＰＰ８への書き込みはコピーバック処理が使用されていないことがわかっているので、より高速にデータをコピーするためにフラッシュメモリ１０４とコントローラ１０３間でのユーザデータの転送が不要なコピーバック処理を用いてＰＢ２０のＰＰ８に書き込む、このコピーバック処理においてはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正は行われない、またこの際にＰＢ２０のＰＰ８の管理領域に書き込むコピーフラグ１１０１はコピーバック書き込みありを示す状態で書き込む。このように予めフラッシュメモリ１０４に備えられた機能であるコピーバック処理を行って書き込みを行うことにより、高速にコピー処理が行える。

状態１２０６では書き込み処理を行ったページ、このケースではＰＰ８が最終物理ページ３０１であるかどうかを判定して最終物理ページ３０１の処理であればデータコピー処理を終了し、最終物理ページ３０１でなければ状態１２０７へと遷移する。

状態１２０７では処理対象のページを次のページとして１２０１へと遷移する。

この様にして、旧データの書き込まれた物理ブロック２０１であるＰＢ１０のコピー元のページ群ＰＰ８〜ＰＰ６３を、新しくデータを書き込む物理ブロック２０１であるＰＢ２０のコピー先のページ群ＰＰ８〜ＰＰ６３へとコピーを行うが、この際にコピーを行う物理ページ３０１毎にＰＢ１０にあるコピー元のページの管理領域にあるコピーフラグ１１０１からコピー元のデータがコピーバックによって書き込まれている、即ちＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに書き込まれビット誤りが累積している可能性があるのか、それともコピー元のデータがコピーバックではなく、コントローラ１０３からデータを転送して書き込まれておりビット誤りの累積がないのかを判定して、それに応じてコントローラ１０３を介してフラッシュメモリ１０４にデータを書き込むのか、それともフラッシュメモリ１０４内部でのコピーバック処理によってデータを書き込むのか処理を振り分ける。

なお、データのコピーフローでは示さなかったが、ホスト機器１０２からの書き込みデータをそのまま書き込む場合には、コピーフラ１１０１はコピーバック書き込みなしを示す状態で書き込む。これは、コピーフラグ１１０１の本質がコピーバック書き込みの有無にあるのではなく、ビット誤りの確率が高い書き込みが行われたのかどうかを示していることを考えれば当然である。

（実施の形態４）
次に本発明の実施の形態４によるデータコピー方法について、図１〜３、５〜８、１３、１４を用いて説明する。図１〜３、５〜８については実施の形態１で説明したものと同じであるので説明を省く。

図１３は、図３の物理ブロック２０１の中での、コピーカウンタの位置について示したものである。１３０１はコピーカウンタであり、当該物理ブロック２０１の全物理ページ３０１の管理領域に存在している。当該物理ページ３０１が連続して何回コピーバック書き込みが行われたのかをカウンタ値として示している。各物理ブロック２０１の全物理ページ３０１の管理領域にのみコピーカウンタ１３０１は存在している。

図１４は、本発明の実施の形態４でのデータコピー方法について示したフローチャートである。

まず、最初に状態１４０１で制御回路１０５はアドレス変換テーブル１０８から、旧データの書き込まれている物理ブロック２０１のアドレスと、コピーすべきデータの書き込まれている物理ページ３０１のアドレスを得る。ここでは、アドレス変換テーブル１０８から得られる物理ブロック２０１はＰＢ１０であり、物理ページ３０１はＰＰ８である。

次に状態１４０２で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８の管理領域にあるコピーカウンタ１３０１を読み出す。

次に判定１４０３で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８の管理領域から得られたコピーカウンタ１３０１によって、コピーバック書き込み即ちＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータのコピーが何度繰り返して実行されているかを判断して、データの信頼性を保つためにはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行う必要があると判断した場合には、状態１４０４へと遷移し、まだコピーバック書き込みを続けてもデータの信頼性が損なわれないと判断した場合には、状態１４０５へと遷移する。この際の判断はコピーカウンタ１３０１がデータの信頼性を保つために最大限繰り返して実行することが出来るＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を伴わないコピーバック書き込みの回数を規定回数として、この規定回数に達しているか、達していないかで判断する。

状態１４０４では、これ以上コピーバック書き込みによってビット誤りが累積することを避けるために、制御回路１０５は旧データのあるＰＢ１０のＰＰ８のデータを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０の未書き込み物理ページ３０１であるＰＰ８へと書き込む、この際に管理領域に書き込むコピーカウンタ１３０１はコピーバック書き込み回数が０回であることを示す状態で書き込む。このようにＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ってデータのコピーを行うことによりビット誤りの累積を回避する。

状態１４０５では、まだコピーバック書き込みを実行してもデータの信頼性は損なわれないと判断しているので、より高速にデータをコピーするためにフラッシュメモリ１０４とコントローラ１０３間でのユーザデータの転送が不要なコピーバック処理を用いてＰＢ２０のＰＰ８に書き込む、このコピーバック処理においてはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正は行われない。またこの際にＰＢ２０の管理領域に書き込むコピーカウンタ１３０１はコピーバック書き込み回数を状態１４０２で読み出した値に１を足した値で書き込む。このように予めフラッシュメモリ１０４に備えられた機能であるコピーバック処理を行って書き込みを行うことにより、高速にコピー処理が行える。

なお、データのコピーフローでは示さなかったが、ホスト機器１０２からの書き込みデータをそのまま書き込む場合には、コピーカウンタ１３０１はコピーバック書き込み回数０回を示す状態で書き込む。これは、コピーカウンタ１３０１の本質がコピーバック書き込みの回数にあるのではなく、ビット誤りの累積する確率が高くなっているのかどうかを示していることを考えれば当然である。

以上、本発明の実施の形態３及び４によれば、各物理ブロック２０１の各物理ページ３０１毎に、データのコピーの際にＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ったかどうかを示すコピーフラグまたはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに何度コピーを行ったかを示すコピーカウンタを設け、旧データのコピーを行う前に、このコピーフラグまたはコピーカウンタを読み出すことによって、旧データの書き込みについて物理ページ３０１毎にホスト機器１０２からのデータ書き込みまたはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行った後のデータコピーなのか、それともＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータコピーなのかまたは、ＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに何度コピーを行ったかの判定を行うことができ、その結果に基づいて旧データのコピー処理を行う際にＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行うデータのコピーかＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータのコピーか物理ページ３０１毎に選択して実行することが出来る。

なお、図１２の状態１２０４、図１４の状態１４０４でのコピー方法として実施の形態１及び２のなお書きでも説明したように、フラッシュメモリ１０４のコピーバック機能を有効に使うことによりビット誤りを累積させないデータのコピーをより高速に実現することが出来る。

（実施の形態５）
本発明の実施の形態５における不揮発性記憶装置のデータコピー方法について、図１〜３、５〜８、１５、１６を用いて説明する。図１〜３、５〜８については実施の形態１で説明したものと同じであるので説明を省く。

図１５は、実施の形態５でのコピーフラグの位置について示したものである。物理ブロック２０１をホスト機器１０２のデータ管理単位である容量１６ＫＢのクラスタ単位で分割する。その結果、物理ブロック２０１は８ページ単位で８つのグループに分けられる。ＰＰ０〜７の１６ＫＢ、ＰＰ８〜１５の１６ＫＢ、・・・、ＰＰ５６〜６３の１６ＫＢである。この８ページの内の少なくとも一つ以上の物理ページの管理領域に１５０１のコピーフラグを配置する。コピーフラグ１５０１はコピーフラグ１５０１を含む８ページからなるクラスタの書き込みがコピーバックによって書き込まれたのか、それともコントローラ１０３からデータを転送して書き込まれたのかを示している。

図１６は本実施の形態によるデータコピー方法について示したフローチャートである。

まず、最初に状態１６０１で制御回路１０５はアドレス変換テーブル１０８から、旧データの書き込まれている物理ブロック２０１のアドレスと、コピーすべきデータの書き込まれている物理ページ３０１のアドレスを得る。ここでは、アドレス変換テーブル１０８から得られる物理ブロック２０１はＰＢ１０であり、物理ページ３０１はＰＰ８である。

次に状態１６０２で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８を含む８つの物理ページ３０１のグループの一つの物理ページ３０１であるＰＰ１５の管理領域にあるコピーフラグ１５０１を読み出す。

次に判定１６０３で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ１５の管理領域から得られたコピーフラグ１５０１がコピーバック書き込みを行ったと判断した場合には状態１６０４へと遷移し、コピーバック書き込みを行わなかったと判断した場合には状態１６０５へと遷移する。

状態１６０４では、当該ページのデータがコピーバック書き込みによってビット誤りが累積することを避けるために、制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８データを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０のＰＰ８へと書き込む。続いてＰＢ１０のＰＰ９のデータを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０のＰＰ９へと書き込み。同様にＰＰ１０からＰＰ１５までのデータをコピーする。従ってクラスタ単位である８つの物理ページ３０１のコピーを行う。この際にＰＢ２０のＰＰ１５の管理領域に書き込むコピーフラグ１５０１はコピーバック書き込みなしを示す状態で書き込む。このようにＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ってデータのコピーを行うことによりビット誤りの累積を回避する。

状態１６０５では、旧データの書き込まれていた物理ブロック２０１であるＰＢ１０のＰＰ８からＰＰ１５までのクラスタ単位の書き込みではコピーバック処理が使用されていないことがわかっているので、より高速にデータをコピーするためにフラッシュメモリ１０４とコントローラ１０３間でのユーザデータの転送が不要なコピーバック処理を用いてＰＢ２０のＰＰ８からＰＰ１５に書き込む。このコピーバック処理においてはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正は行われない。またこの際にＰＢ２０のＰＰ１５の管理領域に書き込むコピーフラグ１６０１はコピーバック書き込みありを示す状態で書き込む。このように予めフラッシュメモリ１０４に備えられた機能であるコピーバック処理を行って書き込みを行うことにより、高速にコピー処理が行える。

状態１６０６では書き込み処理を行ったクラスタ、このケースではＰＰ８〜ＰＰ１５が物理ブロック２０１における最終のクラスタであるかどうかを判定して最終のクラスタの処理であればデータコピー処理を終了し、最終クラスタの処理でなければ状態１６０７へと遷移する。

状態１６０７では処理対象を次のクラスタとして１６０１へと遷移する。

この様にして、旧データの書き込まれた物理ブロック２０１であるＰＢ１０のコピー元の複数のクラスタＰＰ８〜ＰＰ１５、ＰＰ１６〜ＰＰ２３、・・・、ＰＰ５６〜ＰＰ６３を、新しくデータを書き込む物理ブロック２０１であるＰＢ２０のコピー先の対応する複数のクラスタＰＰ８〜ＰＰ１５、ＰＰ１６〜ＰＰ２３、・・・、ＰＰ５６〜ＰＰ６３へとコピーを行うが、この際にコピーを行うクラスタ毎にＰＢ１０にあるコピー元のページの管理領域にあるコピーフラグ１５０１からコピー元のデータがコピーバックによって書き込まれている。即ちＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに書き込まれビット誤りが累積している可能性があるのか、それともコピー元のデータがコピーバックではなく、コントローラ１０３からデータを転送して書き込まれておりビット誤りの累積がないのかを判定してそれに応じてコントローラ１０３を介してフラッシュメモリ１０４にデータを書き込むのか、それともフラッシュメモリ１０４内部でのコピーバック処理によってデータを書き込むのか処理を振り分ける。

なお、データのコピーフローでは示さなかったが、ホスト機器１０２からの書き込みデータをそのまま書き込む場合には、コピーフラ１５０１はコピーバック書き込みなしを示す状態で書き込む。これは、コピーフラグ１５０１の本質がコピーバック書き込みの有無にあるのではなく、ビット誤りの確率が高い書き込みが行われたのかどうかを示していることを考えれば当然である。

（実施の形態６）
次に本発明の実施の形態６におけるデータコピー方法について、図１〜３、５〜８、１７、１８を用いて説明する。図１〜３、５〜８については実施の形態１及び２で説明したものと同じであるので説明を省く。

図１７は、図３の物理ブロック２０１の中での、コピーカウンタの位置について示したものである。物理ブロック２０１をホスト機器１０２のデータ管理単位である容量１６ＫＢのクラスタ単位で分割する。その結果物理ブロック２０１は８ページ単位で８つのグループ化分けられる。ＰＰ０〜７の１６ＫＢ、ＰＰ８〜１５の１６ＫＢ、・・・、ＰＰ５６〜６３の１６ＫＢである。この８ページの内の少なくとも一つ以上の物理ページの管理領域に１７０１のコピーカウンタを配置する。コピーカウンタ１７０１はコピーフラグ１７０１を含む８ページからなるクラスタの書き込みが、何回連続してコピーバックによって書き込まれたのかの回数を数値として示している。

図１８は本実施の形態でのデータコピー方法について示したフローチャートである。

まず、最初に状態１８０１で制御回路１０５はアドレス変換テーブル１０８から、旧データの書き込まれている物理ブロック２０１のアドレスと、コピーすべきデータの書き込まれている物理ページ３０１のアドレスを得る。ここでは、アドレス変換テーブル１０８から得られる物理ブロック２０１はＰＢ１０であり、物理ページ３０１はＰＰ８である。

次に状態１８０２で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８を含む８つの物理ページ３０１のグループの一つの物理ページ３０１であるＰＰ１５の管理領域にあるコピーカウンタ１７０１を読み出す。

次に判定１８０３で制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ１５の管理領域から得られたコピーカウンタ１７０１によって、コピーバック書き込み即ちＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータのコピーが何度繰り返して実行されているかを判断して、データの信頼性を保つためにはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行う必要があると判断した場合には状態１８０４へと遷移し、まだコピーバック書き込みを続けてもデータの信頼性が損なわれないと判断した場合には状態１８０５へと遷移する。この際の判断はコピーカウンタ１７０１がデータの信頼性を保つために最大限繰り返して実行することが出来るＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を伴わないコピーバック書き込みの回数を規定回数として、この規定回数に達しているか、達していないかで判断する。

状態１８０４では、これ以上コピーバック書き込みによってビット誤りが累積することを避けるために、制御回路１０５はＰＢ１０のＰＰ８データを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０のＰＰ８へと書き込む。続いてＰＢ１０のＰＰ９のデータを一旦退避バッファ１０７へと読み出してＥＣＣ回路１１０により誤り訂正処理を実行してビット誤りをなくした後に、ＰＢ２０のＰＰ９へと書き込み。同様にＰＰ１０からＰＰ１５までのデータをコピーする。従ってクラスタ単位である８つの物理ページ３０１のコピーを行う。この際にＰＢ２０のＰＰ１５の管理領域に書き込むコピーフラグ１７０１は連続するコピーバック書き込み回数「０」を示す状態で書き込む。このようにＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ってデータのコピーを行うことによりビット誤りの累積を回避する。

状態１８０５では、旧データの書き込まれていた物理ブロック２０１であるＰＢ１０のＰＰ８からＰＰ１５までのクラスタ単位の書き込みではコピーバック書き込みを実行してもデータの信頼性は損なわれないと判断しているので、より高速にデータをコピーするためにフラッシュメモリ１０４とコントローラ１０３間でのユーザデータの転送が不要なコピーバック処理を用いてＰＢ２０のＰＰ８からＰＰ１５に書き込む。このコピーバック処理においてはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正は行われない。またこの際にＰＢ２０のＰＰ１５の管理領域に書き込むコピーカウンタ１７０１はコピーバック書き込み回数を状態１８０２で読み出した値に１を足した値で書き込む。このように予めフラッシュメモリ１０４に備えられた機能であるコピーバック処理を行って書き込みを行うことにより、高速にコピー処理が行える。

なお、データのコピーフローでは示さなかったが、ホスト機器１０２からの書き込みデータをそのまま書き込む場合には、コピーカウンタ１７０１はコピーバック書き込み回数０回を示す状態で書き込む。これは、コピーカウンタ１７０１の本質がコピーバック書き込みの回数にあるのではなく、ビット誤りの累積する確率が高くなっているのかどうかを示していることを考えれば当然である。

以上、本発明の実施の形態５及び６によれば、各物理ブロック２０１の内部においてホスト機器１０２のデータ管理単位である容量１６ＫＢのクラスタ単位で分割する。その結果８ページ単位で分けられた８つのグループ毎に、データのコピーの際にＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行ったかどうかを示すコピーフラグまたはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに何度コピーを行ったかを示すコピーカウンタを設け、旧データのコピーを行う前に、このコピーフラグまたはコピーカウンタを読み出すことによって、旧データの書き込みについて物理ページ３０１毎にホスト機器１０２からのデータ書き込みまたはＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行った後のデータコピーなのか、それともＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータコピーなのかまたは、ＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わずに何度コピーを行ったかの判定を行うことができ、その結果に基づいて旧データのコピー処理を行う際にＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行うデータのコピーかＥＣＣ回路１１０による誤り訂正を行わないデータのコピーかホスト機器１０２からの書き込み単位であるクラスタ毎に選択して実行することが出来る。

なお、図１６の状態１６０４、図１８の状態１８０４でのコピー方法として、実施の形態１及び２のなお書きでも説明したように、フラッシュメモリ１０４のコピーバック機能を有効に使うことによりビット誤りを累積させないデータのコピーをより高速に実現することが出来る。

以上のように、本発明に係わる不揮発性記憶装置のデータコピー方法は、音楽データや映像データを取り扱う機器、例えばデジタルカメラやデジタルビデオカメラ等の携帯機器におけるデータを記憶するための記憶装置に用いるのに適している。

本発明の実施の形態１によるデータコピー方法を実現するための不揮発性記憶装置とホスト機器の構成を示すブロック図 同実施の形態１におけるフラッシュメモリの詳細を示す概念図 同実施の形態１におけるフラッシュメモリの物理ブロックの詳細を示す概念図 同実施の形態１におけるフラッシュメモリの管理領域のデータ配置を示す概念図 同実施の形態１におけるホストデータの書き込みを表す概念図 同実施の形態１におけるデータコピー方法を示すフローチャート 同実施の形態１におけるコントローラを介したデータのコピーを表す概念図 同実施の形態１におけるフラッシュメモリのコピーバック処理を表す概念図 同実施の形態２におけるフラッシュメモリの管理領域のデータ配置を示す概念図 同実施の形態２におけるデータコピー方法を示すフローチャート 同実施の形態３におけるフラッシュメモリの管理領域のデータ配置を示す概念図 同実施の形態３におけるデータコピー方法を示すフローチャート 同実施の形態４におけるフラッシュメモリの管理領域のデータ配置を示す概念図 同実施の形態４におけるデータコピー方法を示すフローチャート 同実施の形態５におけるフラッシュメモリの管理領域のデータ配置を示す概念図 同実施の形態５におけるデータコピー方法を示すフローチャート 同実施の形態６におけるフラッシュメモリの管理領域のデータ配置を示す概念図 同実施の形態６におけるデータコピー方法を示すフローチャート

符号の説明

１０１ 不揮発性記憶装置
１０２ ホスト機器
１０３ コントローラ
１０４ フラッシュメモリ
１０５ 制御回路
１０６ ページバッファ
１０７ 退避バッファ
１０８ アドレス変換テーブル
１０９ エントリテーブル
１１０ ＥＣＣ回路
２０１ 物理ブロック
３０１ 物理ページ
４０１ コピーフラグ

Claims (15)

1. 複数の物理ブロックを有し、前記物理ブロックは複数の物理ページからなり、前記物理ページは管理情報とユーザデータ領域とを有する不揮発性メモリにおいて、前記不揮発性メモリの第１の物理ブロックから第２の物理ブロックへデータをコピーする方法であって、
   前記第1の物理ブロックの管理領域から、前記第１の物理ブロックに書かれたデータの書き込み方法の情報を得る第１のステップと、
   前記書き込み方法の情報に基づきコピーする際の書き込み方法として、信頼性の高い第１の書き込み方法、または処理時間の短い第２の書き込み方法のいずれかを選択する第２のステップと、
   前記第１の書き込み方法が選択された場合、前記不揮発性メモリの外部に第１の物理ブロックからのデータを読み出し、誤り訂正処理を行なって第２の物理ブロックへデータをコピーする第３のステップと、
   前記第２の書き込み方法が選択された場合、前記不揮発性メモリの外部にデータを読み出すことなしに、前記第１の物理ブロックから第２の物理ブロックへデータをコピーする第４のステップと、を備えたデータコピー方法。
2. 前記第１のステップにおいて、前記第１の物理ブロックの最終物理ページの管理領域から、前記書き込み方法の情報を得ることを特徴とした請求項１記載のデータコピー方法。
3. 前記書き込み方法の情報は、前記第１の書き込み方法か前記第２の書き込み方法かを示す情報であることを特徴とする請求項２記載のデータコピー方法。
4. 前記書き込み方法の情報は、前記第２の書き込み方法が連続で行われた回数を示す情報であることを特徴とする請求項２記載のデータコピー方法。
5. 前記第３のステップにおいて、前記第１の書き込み方法におけるデータのコピーは、第１のページバッファを介して行なわれ、
   前記第４のステップにおいて、前記第２の書き込み方法におけるデータのコピーは、前記第１のページバッファとは異なる第２のページバッファを介して行なわれることを特徴とする請求項１記載のデータコピー方法。
6. 前記第３のステップにおいて、前記不揮発性メモリの第１の物理ブロックのデータを前記第１のページバッファに読み出し、誤りの有無を判定し、
   誤りが無いと判定した場合は、前記第１のページバッファから前記不揮発性メモリの第２の物理ブロックにデータを転送することなしにコピー動作を行い、
   誤りがあると判定した場合は、誤り訂正した後に前記第１のページバッファから前記不揮発性メモリの第２の物理ブロックにデータを転送してコピー動作を行なうことを特徴とする請求項５記載のデータコピー方法。
7. 前記第１のステップから前記第４のステップまでを、物理ページ毎に繰り返すことを特徴とする請求項１記載のデータコピー方法。
8. 前記書き込み方法の情報は、第１の物理ブロックの物理ページへの書込みが、前記第１の書き込み方法であったか前記第２の書き込み方法であったかを示す情報であることを特徴とする請求項７記載のデータコピー方法。
9. 前記書き込み方法の情報は、前記第２の書き込み方法が連続で行われた回数を示す情報であることを特徴とする請求項７記載のデータコピー方法。
10. 前記第３のステップにおいて、前記不揮発性メモリの第１の物理ブロックのデータをページバッファに読み出し、誤りの有無を判定し、
    誤りが無いと判定した場合は、前記ページバッファから前記不揮発性メモリの第２の物理ブロックにデータを転送することなしにコピー動作を行い、
    誤りがあると判定した場合は、誤り訂正した後に前記ページバッファから前記不揮発性メモリの第２の物理ブロックにデータを転送してコピー動作を行なうことを特徴とする請求項７記載のデータコピー方法。
11. 前記第１のステップから前記第４のステップまでを、複数の物理ページからなり前記物理ブロックよりも小さい、外部ホスト機器のデータ管理単位であるクラスタ単位毎に繰り返すことを特徴とする請求項１記載のデータコピー方法。
12. 前記第１のステップにおいて、前記第１の物理ブロックの前記クラスタを構成する物理ページの中の先頭の物理ページの管理領域から、前記書き込み方法の情報を得ることを特徴とした請求項１１記載のデータコピー方法。
13. 前記書き込み方法の情報は、第１の物理ブロックの物理ページへの書込みが、前記第１の書き込み方法であったか前記第２の書き込み方法であったかを示す情報であることを特徴とする請求項１２記載のデータコピー方法。
14. 前記書き込み方法の情報は、前記第２の書き込み方法が連続で行われた回数を示す情報であることを特徴とする請求項１２記載のデータコピー方法。
15. 前記第３のステップにおいて、前記不揮発性メモリの第１の物理ブロックのデータをページバッファに読み出し、誤りの有無を判定し、
    誤りが無いと判定した場合は、前記ページバッファから前記不揮発性メモリの第２の物理ブロックにデータを転送することなしにコピー動作を行い、
    誤りがあると判定した場合は、誤り訂正した後に前記ページバッファから前記不揮発性メモリの第２の物理ブロックにデータを転送してコピー動作を行なうことを特徴とする請求項１１記載のデータコピー方法。

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