JP2006237582A - 結晶窒化ガリウムベースの化合物の成長方法及び窒化ガリウムベース化合物を含む半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】基板との格子不整合を補償出来かつ紫外線放射の吸収を減少するような改良された特性を現わす、結晶GaNベース材料を成長する方法を提供すること。
【解決手段】結晶GaNベース材料を形成する方法において、第1の核生成層が、第1の温度で基板上に形成され、それに続いて、第1の温度とは異なる第2の温度で第2の核生成層を形成する。第1と第2の核生成層は、AlxInyGa(1-x-y)Nよりなる。引き続いて、結晶GaNベース化合物の層が、第2の核生成層上にエピタキシ成長される。
【選択図】図1
【解決手段】結晶GaNベース材料を形成する方法において、第1の核生成層が、第1の温度で基板上に形成され、それに続いて、第1の温度とは異なる第2の温度で第2の核生成層を形成する。第1と第2の核生成層は、AlxInyGa(1-x-y)Nよりなる。引き続いて、結晶GaNベース化合物の層が、第2の核生成層上にエピタキシ成長される。
【選択図】図1
Description
本発明は、一般的に、結晶窒化ガリウム(GaN)ベース半導体デバイスの製造に関し、より具体的には、結晶GaNベース化合物を形成する方法及び同GaNベース化合物を含む半導体デバイスに関する。
GaN半導体化合物ベースの発光デバイスやトランジスタデバイスのような電子デバイスは、電子工業の分野で集中的な研究及び開発を受けている。GaNベーストランジスタデバイスに対して、GaNベース半導体化合物の有利な特徴は、高電子移動度及び飽和速度(約2.5×107cm/s)、並びに高破壊電界(約5×106V/cm)を含み、これらは、特に高電力及び高温用途においてGaNトランジスタデバイスを有利にする。
発光デバイスにおいて、多層構造は、通常、GaN、AlGaN、GaInN等のGaNベース化合物に基づく材料から形成される。形成された多層構造は、nタイプクラッド層とpタイプクラッド層とに挟まれた発光層を含む。
それが、トランジスタでの実施であろうと発光デバイスでの実施であろうと、GaNベース化合物は、通常、基板上にエピタキシャル層の形態で蒸着される。この蒸着プロセスでは、エピタキシャルGaNベース層の結晶品質は、半導体デバイスの性能に対する決定的ファクタである。これに関して、多くのアプローチが、現在、従来の技術で知られている。
従来、気相エピタキシ成長方法が、基板上にGaNベース層を形成するために実施されている。しかしながら、従来使用されている基板材料は、GaNベース層の結晶構造と整合しない格子構造を有するか、或いは高密度の転位を有する。この問題を解決するために、従来の公知技術は、サファイア等よりなる基板上に900℃以下の低温でAlNやAlGaNからなるバッファ層を蒸着し、次にこのバッファ層上にGaNベース層が成長することよりなる。この技術は、例えば、特開昭63−188938号に記述されており、この公報の開示内容は、参照によってここに組み込まれる。介在バッファ層は、基板とGaNベース化合物との間の格子不整合に起因する転位を減少するのに寄与出来、それによって、GaNベース化合物の結晶化度と形態を改良する。
従来公知の他の技術は、基板上の第1のGaNベース層及び酸化ケイ素や窒化ケイ素のような保護フィルムを退行して選択的にGaNベース層の領域を被覆する。次に、第2のGaNベース層が、保護フィルムによって被覆されていない領域の第1のGaNベース層上に成長させる。保護フィルムは、基板のインターフェースに垂直な方向へのスルー転位の伝播を防止する。この技術は、例えば、特開平10−312971号に記述されており、この公報の開示内容は、参照によってここに組み込まれる。
前述の技術は、幾つかの態様において満足な結果を提供出来ない。特に、GaNベース層と基板との間に形成されたバッファ層は、発光デバイスの実施において紫外線波長を過剰に吸収する可能性がある。更に、窒化ケイ素や酸化ケイ素の介在は、半導体デバイスの電気的特性に影響を及ぼす。
従って、基板との格子不整合を補償出来かつ紫外線放射の吸収を減少するような改良された特性を現わす、結晶GaNベース材料を成長する方法が、現在、必要である。
本出願は、結晶GaNベース化合物を形成する方法及びGaNベース化合物を含む半導体デバイスを記述する。
一実施の形態において、結晶GaNベース化合物を形成する方法は、第1の処理温度で基板上に第1の核生成層を形成することと、第1の処理温度とは異なる第2の処理温度で第1の核生成層上に第2の核生成層を形成することと、第2の核生成層上にエピタキシャルGaNベース層を形成することと、を備える。
一実施の形態において、第1の処理温度は、約1000℃と1200℃との間である。他の実施の形態において、第2の処理温度は、約400℃と1000℃との間である。幾つかの実施の形態において、第1の核生成層は、約10Åと100Åの間の厚みで形成される。他の実施の形態において、第2の核生成層は、約300Åと2000Åの間の厚みで形成される。
一実施の形態において、GaNベース半導体デバイスは、基板と、基板上に形成された結晶GaNベース層と、基板と結晶GaNベース層との間に介在される少なくとも二つの核生成層と、を備える。幾つかの実施の形態において、二つの核生成層は、異なる温度で形成される。幾つかの他の変更例では、二つの核生成層の一方は、約300Åと2000Åの間の厚みを有し、他方の核生成層は、約10Åと100Åの間の厚みを有する。幾つかの変更実施の形態では、二つの核生成層の少なくとも一方は、AlxInyGa(1-x-y)Nを含み、x、y、及び(1−x−y)は、0乃至1の範囲内である。
前述は、概要であり、特許請求の範囲を制限するように解釈されるべきではない。ここで開示される動作及び構造は、多くの方法で実施されることが出来、且つこのような変更や修正は、本発明から逸脱することなく且つより広い態様で行われ得る。本発明の他の態様、発明の特徴、及び利点は、請求項によって単独で定義されるように、以下で述べられる、非制限的詳細な説明において述べられる。
この出願は、少なくとも3つの蒸着ステップを含む、結晶GaNベース化合物の成長プロセスを記述する。第1の核生成層が第1の温度でベースとなる基板上に形成され、それに、第1の温度とは異なる第2の温度での第2の核生成層の形成が続く。第1と第2の核生成層は、化学式AlxInyGa(1-x-y)Nで表される化合物を含む。引き続いて、結晶GaNベース化合物の層は、第2の核生成層上にエピタキシ成長される。
“GaNベース化合物や層”は、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN、及びN元素を有するAl、In、及びGaとの任意の組合せを含むことを意味する。第1と第2の核生成層及びGaNベース化合物を形成するための適切な方法は、金属−有機物気相エピタキシ(MOVPE)成長蒸着、分子ビームエピタキシ(MBE)成長蒸着、水素化物気相エピタキシ(HVPE)成長蒸着等の種々の気相成長プロセスを含む。
図1は、本発明の実施の形態に従う結晶GaNベース化合物を形成する方法で実施されるMOVPE反応器の概略図である。反応器100は、反応室102を含み、その中で、基板104は、蒸着プロセスを受けるために、サセプタ106上に配される。加熱デバイス108は、基板104を加熱するためにサセプタ106に取り付けられる。ガス状化学物質が、容器112に夫々接続する入口チューブ110を介して反応室102に導入される。機械ポンプ114は、反応室102から出口チューブ116を介してガスを排出するために動作可能である。更に、制御及び調節機構118が、機械ポンプ114に接続しており反応室102内の圧力を調節する。
図2A乃至2Dは、本発明の実施の形態に従う結晶GaNベース化合物を形成するプロセスの概略図である。一実施の形態において、結晶GaNベース化合物は、サファイアベース基板上に形成されるGaN層であるが、当業者には、GaN層は、シリコン基板、シリコンカーバイド(SiC)基板等の異なる材料から造られるベース基板上に又は先に形成された異なる材料の層を含む基板上に形成されてもよいことが、容易に理解される。
図2Aは、本発明の実施の形態に従う基板に適用される初期熱洗浄プロセスを示す概略図である。主面のようなC面を有するサファイア基板202は、最初に熱洗浄プロセスを受ける。一実施の形態に従って、熱洗浄プロセスは、基板202を1000℃よりも上の温度に加熱し、約1000ミリバールに保たれる加圧環境に約5slm(標準リットル/分)でH2及び/又はN2を導入することを含む。
図2Bは、本発明の実施の形態に従う基板202上でのAlxInyGa(1-x-y)Nよりなる第1の核生成層204のMOVPE成長を示す概略図であり、ここでx、y、及び(1−x−y)は、0乃至1の範囲内である。この実施の形態は、例示として、AlGaN、(即ち、x=1及びy=0である)よりなる核生成層204を実行する。しかしながら、当業者は、核生成層の組成が、xとyの値を介して適切に調節され得ることを理解している。洗浄された基板202は、約1000℃と1200℃との間の温度にされる。次に、アンモニアガス(NH3)が、約5000sccmの流量で送られると共に、トリメチルガリウム(TMGa)とトリメチルアルミニウム(TMAl)が、約110ミリバールの圧力に保たれた反応室に約2.5sccm及び7.5sccmの夫々の流量で導入される。それによって、AlGaNから形成される第1の核生成層204がサファイア基板202上で成長する。第1の核生成層204は、約10Åと100Åの間の厚みで形成される。当業者は、GaとAlの適切なソースは、TMGa及びTMAl以外の、トリエチルガリウム(TEGa)及びトリエチルアルミニウム(TEAl)等のアルキル金属化合物を含むことができることを容易に理解する。
図2Cは、本発明の実施の形態に従う第1の核生成層204上でのAlxInyGa(1-x-y)Nよりなる第2の核生成層206のMOVPE成長を示す概略図である。この実施の形態において、第2の核生成層206もまた、AlGaNであってもよい。NH3の供給が5000sccmに維持されながら、基板202の温度が、約400℃と1000℃との間に設定される。それによって、TMGaとTMAlが、約200ミリバールの圧力に維持された反応室に約0.5sccmと37.5sccmの夫々の流量で送られる。次に、AlGaNで造られる第2の核生成層206が、第1の核生成層204上で成長する。第2の核生成層206は、約300Åと2000Åとの間の厚みで形成され、Al化合物の範囲は、約0と1との間である。
図2Dは、本発明の実施の形態に従う第2の核生成層206上への結晶GaNベース化合物層208のエピタキシ成長を示す概略図である。GaNベース化合物層208は、N元素を有するAl、In及びGaとの任意の組合せよりなることが出来、このエピタキシ成長条件は、形成されるべきデバイスの特定の特徴条件に依存する。
発光デバイスやGaNトランジスタの実施において、GaNベース層208は、例示として、基板上に成長させたドープGaN層であってもよい。発光デバイスにおいて、GaN層は、第1のクラッド層として構成されることが出来、この層の上に、多量子構造層と第2のクラッド層が夫々スタックされる。GaNトランジスタの実施において、GaN層は、活性領域として構成されることが出来、そこでは、電子と正孔のチャネリングがトランジスタ半導体デバイスの動作で発生する。
異なる温度で形成される核生成層は、経済的コストで成長されられることが出来、基板とエピタキシャルGaNベース化合物との間の格子不整合に起因する転位を減少するのに有利である。更に、発光デバイスの実施における観察では、成長プロセスが、紫外線波長の不都合な吸収を防止でき、それが、発光デバイスの光の輝度を増加するのに有利である層構造を形成することを示している。格子不整合と紫外線吸収の減少は、核生成層の組成を介して有利に調節されることが出来る(すなわち、値xとyを調節すること)。
従って、本発明に従った実現が、特定の実施の形態を通して記述された。これらの実施の形態は、例示であり、制限しないことを意味している。多くの、バリエーション、修正、追加、及び改良が可能である。従って、単一の例としてここに記述されたコンポーネントに対して、複数の例が提供され得る。例示の構成で離散的コンポーネントとして提示された構造と機能性は、組合せ構造やコンポーネントとして実施されてもよい。これら及び他のバリエーション、修正、追加、及び改良は、続く請求項に定義された発明の範囲内に入り得る。
Claims (20)
- GaNベース層を形成する方法であって、
第1の処理温度で基板上に第1の核生成層を形成することと、
第1の処理温度よりも低い第2の処理温度で第1の核生成層上に第2の核生成層を形成することと、
第2の核生成層上にエピタキシャルGaNベース層を形成することと、を有する方法。 - 第1又は第2の核生成層の少なくとも一方は、AlxInyGa(1-x-y)Nを含み、x、y、及び(1−x−y)は、0乃至1の範囲内である、請求項1に記載の方法。
- 第1の処理温度は、約1000℃と1200℃の間である、請求項1に記載の方法。
- 第1の核生成層は、約10Åと100Åの間の厚みで形成される、請求項1に記載の方法。
- 第2の処理温度は、約400℃と1000℃の間である、請求項1に記載の方法。
- 第2の核生成層は、約300Åと2000Åの間の厚みに形成される、請求項1に記載の方法。
- 第1の核生成層及び第2の核生成層を形成することは、気相エピタキシ成長プロセスを実行すること含む、請求項1に記載の方法。
- GaNベース層を形成する方法であって、
基板に複数の核生成層を形成することであって、核生成層は、異なる温度で形成される少なくとも二つの核生成層を含み、
核生成層の頂部にエピタキシャルGaNベース層を形成することを含む、方法。 - 核生成層は、AlxInyGa(1-x-y)Nよりなる少なくとも一つの核生成層を含み、x、y、及び(1−x−y)は、0乃至1の範囲内である、請求項8に記載の方法。
- 一つ又はそれより多くの核生成層が、気相エピタキシ蒸着によって形成される、請求項8に記載の方法。
- 複数の核生成層を形成することは、約1000℃と1200℃の間の温度で第1の核生成層を形成することを含む、請求項8に記載の方法。
- 第1の核生成層は、約10Åと100Åの間の厚みを有する、請求項11に記載の方法。
- 基板に複数の核生成層を形成することは、約400℃と1000℃の間の温度で第2の核生成層を形成することを含む、請求項8に記載の方法。
- 第2の核生成層は、約300Åと2000Åの間の厚みを有する、請求項13に記載の方法。
- GaNベースの半導体デバイスであって、
基板と、
結晶GaNベース層と、
基板とGaNベース層との間に介在される少なくとも二つの核生成層と、を備えるGaNベースの半導体デバイス。 - 基板は、サファイア基板を含む、請求項15に記載のGaNベースの半導体デバイス。
- 核生成層の少なくとも一つは、AlxInyGa(1-x-y)Nを含み、x、y、及び(1−x−y)は、0乃至1の範囲内である、請求項15に記載のGaNベースの半導体デバイス。
- 前記少なくとも二つの核生成層は、異なる温度で形成される、請求項15に記載のGaNベースの半導体デバイス。
- 前記少なくとも二つの核生成層は、約1000℃と1200℃の間の温度で形成される第1の核生成層を含む、請求項18に記載のGaNベースの半導体デバイス。
- 前記少なくとも二つの核生成層は、約400℃と1000℃の間の温度で形成される第2の核生成層を含む、請求項18に記載のGaNベースの半導体デバイス。
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