JP2006237498A - サセプタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも1つのザグリを有するCVD−SiC被覆黒鉛基材からなるSiのエピタキシャル成長用のサセプタであって、ザグリ面以外の表面の算術平均粗さRaが0.1〜1μmのものである。
【選択図】なし
Description
また、算術平均粗さRaとは、粗さ曲線から、その平均線の方向に標準長さ?だけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から測定曲線までの偏差の絶対値を合計し、平均した値のことである。一つの傷が測定値に及ぼす影響が非常に小さくなり、安定した結果が得られる特徴がある。
また、本願は、ウエハ収容凹部以外の全表面にわたって平均的に滑らかで、堆積膜の付着量を少なくするサセプタを提供することが最大の目的であり、表面の一部に大きな傷があったとしても、堆積膜の付着量に大きな影響を与えることがないサセプタを提供することをも目的としている。
以上の理由により本願の目的とするサセプタの評価には、算術平均粗さRaでなければならないと判断する。
算術平均粗さRa0.1μm以下のSiC膜の表面でも本発明と同様な効果が得られるが、研磨コストが高くさらに生産性も低いので、ザグリ面以外の表面の算術平均粗さRaは0.1〜1μmとすることが好ましく、0.1〜0.5μmとすることがさらに好ましい。
CVD装置内において、1250℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。サセプタの算術平均粗さRaは0.8μm(Ry6μm)であった。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが150μmになったところでパーティクルが発生した。図6に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時の走査型電子顕微鏡(SEM)による表面および断面観察からは、堆積Siの表面に凹凸が多少観察されるようになる。また、図7に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のX線回折図形(XRD)から、Si(111)/Si(220)の相対強度は0.04であった。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。SiC製砥石と純水とを用いて、ザグリ以外の面を約10μm湿式研磨し、サセプタの算術平均粗さRaを0.3μm(Ry2.5μm)に調整した。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが160μmになったところでパーティクルが発生した。図8に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が滑らかであることが観察される。図9に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0であった。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。サセプタの算術平均粗さRaは5μm(Ry27μm)であった。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが40μmになったところでパーティクルが発生した。図10に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が大きな凹凸であることが観察される。大きな凹凸が観察されると,パーティクル発生の原因となる。図11に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0.47であった。相対強度が0.2以上となると,抵抗の不良および結晶欠陥が発生する原因となる。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。ザグリ以外の面を約3μm乾式研磨し、サセプタの算術平均粗さRaを2μm(Ry11μm)に調整した。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが60μmになったところでパーティクルが発生した。図12に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が大きな凹凸であることが観察される。大きな凹凸が観察されると,パーティクル発生の原因となる。図13に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0.24であった。相対強度が0.2以上となると,抵抗の不良および結晶欠陥が発生する原因となる。
CVD装置内において、1400℃、SiCl4/C3H8/H2ガスを用い、黒鉛基材に100μmのSiC被覆を行った。回転式研磨装置を用いて、ダイヤモンド砥粒と純水を用いてザグリ以外の面を約20μm湿式研磨し、サセプタの算術平均粗さRaを0.05μm(Ry0.4μm)に調整した。このサセプタを用いてSiをエピタキシャル成長させたところ、堆積Si膜の厚さが165μmになったところでパーティクルが発生した。図14に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のSEMによる表面および断面観察からは、堆積Siの表面が滑らかであることが観察される。図15に示すように、堆積Si膜の厚さが50μmの時のサセプタ表面のXRDからは、Si(111)/Si(220)の相対強度は、0であった。
Claims (2)
- 少なくとも1つのザグリを有するCVD−SiC被覆黒鉛基材からなるSiのエピタキシャル成長用のサセプタであって、ザグリ面以外の表面におけるJIS B 0601に基づく算術平均粗さRa(JIS B 0601 1994)が0.1〜1μmのサセプタ。
- ザグリ面以外の表面における算術平均粗さRaが0.1〜0.5μmである請求項1記載のサセプタ。
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