JP2006228090A - デジタル回路のコントローラ基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】同期型メモリ回路で、DIMMを含めたメモリ搭載容量に依存せずコストアップすることなく単純回路構成でメモリ動作周波数を向上させるデジタル回路のコントローラ基板を提供する。
【解決手段】中央処理演算装置(以下CPU)と、CLK同期型DRAM(以下メモリ)と、CPU/メモリコントローラと、周辺回路制御機能を有するASICで構成されるデジタル回路のコントローラ基板において、CLK同期でデータアクセスを行うメモリ回路で、1つのメモリバスに複数のメモリデバイスがコントローラ基板上またはDIMM(メモリモジュール)により接続される構成において、前記基板上に実装されるメモリデバイス数(メモリ容量)および実装されるDIMMの枚数(容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にしてCLK周波数を向上するようにした。
【選択図】図3
【解決手段】中央処理演算装置(以下CPU)と、CLK同期型DRAM(以下メモリ)と、CPU/メモリコントローラと、周辺回路制御機能を有するASICで構成されるデジタル回路のコントローラ基板において、CLK同期でデータアクセスを行うメモリ回路で、1つのメモリバスに複数のメモリデバイスがコントローラ基板上またはDIMM(メモリモジュール)により接続される構成において、前記基板上に実装されるメモリデバイス数(メモリ容量)および実装されるDIMMの枚数(容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にしてCLK周波数を向上するようにした。
【選択図】図3
Description
本発明は、デジタル回路のコントローラ基板に関し、複写機やプリンタ装置用制御基板等のデジタル回路全般に応用して好適である。
通常SDRAM等のCLK同期型メモリとメモリコントロールASIC間のデータ転送では、クロックジェネレータ等から出力される同一周波数のクロックに同期してデータ通信を行っている。
また、クロックはドライブ能力の問題から各チップ、モジュールにそれぞれ個別のクロック信号が使用されている(例えば、ASICクロック用1本、標準メモリクロック1本、増設DIMM1つに対し2本等)。
一般的なタイミング設計の算出は、メモリ→ASIC読み込み時では次の式で計算される。
クロック周期=メモリ最大出力遅延+ASICセットアップ時間+
配線負荷伝播遅延+クロックジター・スキュー
クロック周期=メモリ最大出力遅延+ASICセットアップ時間+
配線負荷伝播遅延+クロックジター・スキュー
このクロック周波数を上げる技術の1つとして、特許文献1では、増設メモリ有無によりクロックスキューを調整させて周波数を上げている。
また、特許文献2では、CLK非同期型メモリにおいて、メモリスロットにダミーパッケージを装着することで、単純に信号の伝播遅延時間を一定化する技術が開示されている。
特開2001−318828号公報
特開平6−161621号公報
コントローラの性能向上にはクロック周波数Upが有効であるが、クロック周波数は、
クロック周期=デバイスの最大出力遅延+デバイスのセットアップ時間+
配線負荷遅延+クロックジター・スキュー
で計算されるため、周波数Up(=クロック周期Down)するには、上記加算要因を減らす必要がある。
クロック周期=デバイスの最大出力遅延+デバイスのセットアップ時間+
配線負荷遅延+クロックジター・スキュー
で計算されるため、周波数Up(=クロック周期Down)するには、上記加算要因を減らす必要がある。
その中でデバイスの最大出力遅延とセットアップ時間については、仕様・スペックで定義され回路上での改善は不可能である。また、クロックのジター、スキューの低減については、高性能なクロックジェネレータが必要になりのコストUpに繋がる。
また、最近製品の機能増大により、メモリ容量が増大化傾向にあるが、メモリ容量増大により、上記配線負荷伝播遅延時間が大きくなり、周波数Upの妨げ要因となって問題となっている。
特許文献1では、増設メモリ(DIMM)有無によりクロックスキューを調整→最適化して周波数向上を図っているが、基板上のメモリデバイス個数(負荷容量)の変化には対応できず、またメモリ容量別、書込み/読み込み別でクロックタイミングを細かく調整する必要があり回路が複雑化する等の問題があった。
また、特許文献2は、CLK非同期型メモリで伝播遅延時間を一定化する技術であるが、メモリスロットにダミーパッケージを装着する等コストアップに繋がり、また同期型メモリで周波数向上を図る技術ではなかった。
本発明は、上述した実情を考慮してなされたものであって、同期型メモリ回路で、DIMMを含めたメモリ搭載容量に依存せずにコストアップすることなく単純回路構成でメモリ動作周波数を向上させるデジタル回路のコントローラ基板を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、中央処理演算装置(以下CPU)と、CLK同期型DRAM(以下メモリ)と、CPU/メモリコントローラと、周辺回路制御機能を有するASICで構成されるデジタル回路のコントローラ基板において、CLK同期でデータアクセスを行うメモリ回路で、1つのメモリバスに複数のメモリデバイスがコントローラ基板上またはDIMM(メモリモジュール)により接続される構成において、前記基板上に実装されるメモリデバイス数(メモリ容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にしてCLK周波数を向上するようにしたことを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、コントローラ基板上で実装されないメモリデバイスが存在する基板構成の場合、そのメモリデバイスと同等の負荷容量のコンデンサを各メモリバス信号線に接続することにより、配線伝播遅延時間を一定にするようにしたことを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、前記基板上に実装されるメモリデバイス数(メモリ容量)および実装されるDIMMの枚数(容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にしてCLK周波数を向上するようにしたことを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、DIMMのメモリ容量(負荷)を検知し、搭載されるDIMMのメモリ容量とは無関係に各メモリバスラインの負荷容量を一定にするようにしたことを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項2または4に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、前記配線負荷容量を一定化した方式で、かつASIC内部でデータ書込み時(出力)と読み込み時(ラッチ)でCLKタイミングを変える(CLKの位相をずらす)ようにして、DIMMの搭載容量に依存せずにCLK周波数を向上させることを特徴とする。
本発明によれば、同期型メモリ回路で、DIMMを含めたメモリ搭載容量に依存せずコストアップすることなく単純回路構成でメモリ動作周波数を向上させるデジタル回路のコントローラ基板を提供することができる。
即ち、CLK同期でデータアクセスを行うメモリ回路で、1つのメモリバスに複数のメモリデバイスがコントローラ基板上、及びDIMMにより接続される構成において、接続されるメモリデバイス数(メモリ容量)、および実装されるDIMMの枚数(容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にして、CLK周波数を向上させることができる。
また、DIMMのメモリ容量(負荷)を検知し、搭載されるDIMMのメモリ容量とは無関係に各メモリバスラインの負荷容量を一定にし、CLK周波数を向上させることができる。
さらに、配線伝播遅延時間一定化した方式で、かつASIC内部でデータ書込み時(出力)と読み込み時(ラッチ)でCLKタイミングを変える(CLKの位相をずらす)ことで、DIMMの搭載容量に依存せずにCLK周波数を向上させることができる。
以下、本発明のデジタル回路のコントローラ基板に係る好適な実施形態について説明する。
<実施形態1>
図1は、本発明の実施形態1に係るコントローラ基板のメモリ回路ブロック図である。
図1において、100はクロックを生成するクロックジェネレータ、101は中央処理演算装置(CPU)、102はコントローラ基板全体を制御するASIC、103はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM1、104はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM2、105はメモリモジュールDIMM、106はRAM2が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサ、107はRAM1が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサである。
図1は、本発明の実施形態1に係るコントローラ基板のメモリ回路ブロック図である。
図1において、100はクロックを生成するクロックジェネレータ、101は中央処理演算装置(CPU)、102はコントローラ基板全体を制御するASIC、103はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM1、104はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM2、105はメモリモジュールDIMM、106はRAM2が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサ、107はRAM1が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサである。
この構成で、クロックジェネレータ100からは同じ周波数のCLKがそれぞれCPU101、ASIC102、同期型メモリ103,104およびメモリモジュール105に接続されている。各CLKは、伝播遅延時間が等しくなるように、配線長が調整されており、クロック間のスキューは±0psになるように調整されている。
図2は、メモリリード時のCLK補正タイミング図である。ここで、(A)〜(C)は、コンデンサによる伝播遅延補正(周波数補正)をしない場合の従来のタイミングである。また、(D)〜(F)は、コンデンサによる伝播遅延補正(周波数補正)を行った場合のタイミングである。
(B)は、メモリ負荷が最小構成時のデータタイミングであり、(C)はメモリ負荷が最大構成時のデータタイミングである。
CLK(A)の周期は、通常(C)のメモリ負荷最大時のタイミングから以下の通り算出される。
CLK(A)の周期は、通常(C)のメモリ負荷最大時のタイミングから以下の通り算出される。
Tp1(CLK周期)= Ta + Td2 + Ts
ここで、Ta:メモリのアクセスタイム、Td2:メモリ負荷最大時の信号配線による伝播遅延時間、Ts:ASICの入力セットアップ時間とする。
ここで、Ta:メモリのアクセスタイム、Td2:メモリ負荷最大時の信号配線による伝播遅延時間、Ts:ASICの入力セットアップ時間とする。
ASIC102の入力ACスペック(タイミング規格)は、メモリ負荷構成により伝播遅延時間が変わってくるため、最悪条件を考慮した値となり、それがタイミングバジェットとなっている。
したがって、セットアップは、一般的にメモリ負荷最大時に伝播遅延時間が最大となるため、(C)の条件での伝播遅延時間Td2を最悪値とする。また、ホールドは、一般的にメモリ負荷最小時に伝播遅延時間が最小となるため、(B)の条件でのホールド出力時間(伝播遅延含む)Th1 = Th0を最悪値とする。
よって、ASIC102の入力ACスペックは、セットアップではTs、ホールドではTh0となる。
したがって、セットアップは、一般的にメモリ負荷最大時に伝播遅延時間が最大となるため、(C)の条件での伝播遅延時間Td2を最悪値とする。また、ホールドは、一般的にメモリ負荷最小時に伝播遅延時間が最小となるため、(B)の条件でのホールド出力時間(伝播遅延含む)Th1 = Th0を最悪値とする。
よって、ASIC102の入力ACスペックは、セットアップではTs、ホールドではTh0となる。
ここで、(C)の場合、負荷が大きいため、ホールド時間Th2も長くなり、ASIC規格値Th0に対し、(Th2 - Th0)のマージンBが存在し、配線負荷(伝播遅延時間)が一定になり、ホールド時間がTh2に統一されれば、ASIC102のデータ読み込みラッチタイミングを遅らせることが可能になる。
本実施形態1のコントローラ基板を、中央処理演算装置(CPU)、CLK同期型DRAM(以下メモリ)およびCPU/メモリコントローラ、周辺回路制御機能を有するASICで構成されるコントローラ基板において、CLK同期でデータアクセスを行うメモリ回路で、1つのメモリバスに複数のメモリデバイスがコントローラ基板上、またはDIMM(メモリモジュール)により接続される構成において、接続されるメモリデバイス数(=メモリ容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にすることで、CLK周波数を向上させることができる。
さらに、コントローラ基板上で実装されないメモリデバイスが存在する基板構成の場合、そのメモリデバイスと同等の負荷容量のコンデンサを各メモリバス信号線に接続することにより、配線伝播遅延時間を一定にすることができる。
例えば、RAM2が未搭載の時は、RAM2の入力負荷容量と同じコンデンサを各データ線に接続する。また、RAM2とこのコンデンサは排他的に実装されるため、基板上の同じエリアにレイアウト可能であり、実装面積が大きくなることはない。
例えば、RAM2が未搭載の時は、RAM2の入力負荷容量と同じコンデンサを各データ線に接続する。また、RAM2とこのコンデンサは排他的に実装されるため、基板上の同じエリアにレイアウト可能であり、実装面積が大きくなることはない。
上記のようにすると、伝播遅延時間が一定になったとき、ホールド時間がTh2固定となり、マージンBが常時生成されることになる。そこでマージンBの時間をセットアップマージンに置き換えると、CLKの周期を(Tp1 - マージンB)とし、ASIC内部データラッチタイミングを(E)の通り擬似的に遅らせることで、CLK周期を縮めてもASICの入力ACスペック(Ts、Th0)を満たすことが可能になる。
ここで、CLK周期Tp2 = Tp1 - マージンBであるため、周波数的に見ると、
1/( Tp1 - マージンB) - 1/Tp1
だけ高速化することが可能となり、メモリ構成(容量、負荷)によらず、伝播遅延時間を一定化することで、同期型メモリの転送周波数を向上することができる。
1/( Tp1 - マージンB) - 1/Tp1
だけ高速化することが可能となり、メモリ構成(容量、負荷)によらず、伝播遅延時間を一定化することで、同期型メモリの転送周波数を向上することができる。
<実施形態2>
図3は、本発明の実施形態2に係るコントローラ基板のメモリ回路ブロック図である。
図3において、100はクロックを生成するクロックジェネレータ、101は中央処理演算装置(CPU)、102はコントローラ基板全体を制御するASIC、103はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM1、104はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM2、105はメモリモジュールDIMM、106はRAM1が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサ、107はRAM2が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサ、108はDIMMの搭載容量に応じメモリバスに接続されるコンデンサ、109はDIMMの搭載容量に応じメモリバスに接続されるコンデンサ108の容量(負荷)を選択するスイッチ(SW)、110はDIMMの容量検知用の信号線(I2C I/F)であり、DIMM内に搭載されるEEPROMに接続され、111はコンデンサ108の容量(負荷)を選択するスイッチ109のON/OFFを制御するコントロール信号でありASIC102から出力される。
図3は、本発明の実施形態2に係るコントローラ基板のメモリ回路ブロック図である。
図3において、100はクロックを生成するクロックジェネレータ、101は中央処理演算装置(CPU)、102はコントローラ基板全体を制御するASIC、103はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM1、104はコントローラ基板上に搭載される同期型メモリRAM2、105はメモリモジュールDIMM、106はRAM1が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサ、107はRAM2が未搭載時にメモリバスに接続されるコンデンサ、108はDIMMの搭載容量に応じメモリバスに接続されるコンデンサ、109はDIMMの搭載容量に応じメモリバスに接続されるコンデンサ108の容量(負荷)を選択するスイッチ(SW)、110はDIMMの容量検知用の信号線(I2C I/F)であり、DIMM内に搭載されるEEPROMに接続され、111はコンデンサ108の容量(負荷)を選択するスイッチ109のON/OFFを制御するコントロール信号でありASIC102から出力される。
この構成で、クロックジェネレータ100からは同じ周波数のCLKがそれぞれCPU101、ASIC102、同期型メモリ103,104、メモリモジュール105に接続されている。各CLKは、伝播遅延時間が等しくなるように配線長が調整されており、クロック間のスキューは±0psになるように調整されている。
図4は、メモリリード時のCLK補正タイミング図である。ここで、(A)〜(C)はコンデンサによる伝播遅延補正(周波数補正)をしない場合の従来のタイミングである。(D)〜(E)は上記実施形態1によるコンデンサによる伝播遅延補正を行ったタイミングである。(F)〜(I)は本実施形態2のDIMMの搭載容量別にコンデンサ108の容量を可変することで、伝播遅延補正(周波数補正)を行った場合のタイミングである。
(B)はRAM1のみが搭載時のメモリ負荷が最小構成時のデータタイミングであり、(C)はRAM1、RAM2が搭載され、またDIMMが最大容量(負荷)時のメモリ負荷が最大構成時のデータタイミングであり、(E)は(C)の構成でRAM2が非搭載時、コンデンサ107で負荷容量を補ったタイミングであり、(E)は(D)の構成でDIMMが非搭載時のタイミングである。
CLK(A)の周期は、通常(C)のメモリ負荷最大時のタイミングから以下の通り算出される。
Tp1(CLK周期)=Ta + Td2 + Ts
ここで、Ta:メモリのアクセスタイム、Td2:メモリ負荷最大時の信号配線による伝播遅延時間、Ts:ASICの入力セットアップ時間である。
Tp1(CLK周期)=Ta + Td2 + Ts
ここで、Ta:メモリのアクセスタイム、Td2:メモリ負荷最大時の信号配線による伝播遅延時間、Ts:ASICの入力セットアップ時間である。
ASCIの入力ACスペック(タイミング規格)は、メモリ負荷構成により伝播遅延時間が変わってくるため、最悪条件を考慮した値となり、それがタイミングバジェットとなっている。
したがって、セットアップは、一般的にメモリ負荷最大時に伝播遅延時間が最大となるため、(C)の条件での伝播遅延時間Td2を最悪値とし、ホールドは、一般的にメモリ負荷最小時に伝播遅延時間が最小となるため、(B)の条件でのホールド出力時間(伝播遅延含む)Th1 = Th0を最悪値とする。
よって、ASICの入力ACスペックは、セットアップ:Ts、ホールド:Th0となる。
したがって、セットアップは、一般的にメモリ負荷最大時に伝播遅延時間が最大となるため、(C)の条件での伝播遅延時間Td2を最悪値とし、ホールドは、一般的にメモリ負荷最小時に伝播遅延時間が最小となるため、(B)の条件でのホールド出力時間(伝播遅延含む)Th1 = Th0を最悪値とする。
よって、ASICの入力ACスペックは、セットアップ:Ts、ホールド:Th0となる。
ここで、(C)の場合、負荷が大きいため、ホールド時間Th2も長くなり、ASIC規格値Th0に対し(Th2 − Th0)のマージンBが存在し、配線負荷(伝播遅延時間)が一定になり、ホールド時間がTh2に統一されれば、ASICのデータ読み込みラッチタイミングを遅らせることが可能になる。
上記実施形態1では、伝播遅延時間を一定化することでメモリの転送周波数を向上させていた。しかしながら、DIMM105の負荷変動時は考慮していなかったため、例えば(E)のケースの場合は、DIMM105が未搭載であり、RAM2の負荷容量はコンデンサ107で補っていたが、DIMM105の負荷容量分、(D)の最大負荷ケース時より配線負荷容量が小さくなり、伝播遅延時間が速くなっていた。
そのため、CLK周波数補正時、本来メモリMax遅延Th2が補正後CLK(G)に対するホールド時間になるはずが、(E)のケースではホールド時間がTh3と短くなり、ASICのホールド規格Th0を満足することができなくなってしまう(ホールド不足時間:Th2-Th3)。
また、(D)、(E)のDIMM負荷変動を考慮したタイミング補正を行うと、ホールドマージンがマージンCとなってしまい、補正CLK周期は(Tp1 - マージンC)となり、マージンC<マージンBのため、補正CLK周期が(D)のケースより長くなり、補正CLK周波数も(D)のみを考慮したケースより遅くなってしまう。
そこで本実施形態2では、(E)のケースでもDIMMの搭載負荷に応じコンデンサ108を付加することで、(F)(=(D))のように伝播遅延時間を統一し、マージンB分の周波数向上を図る。
まず、CPU101がブートし、ソフトウエアがASIC102を介してDIMM105の搭載容量を検知する。ソフトウエアは、DIMM105の搭載容量(デバイス個数・負荷)から、メモリバスの負荷容量が最大(D)になるようにコントロール信号111を介してSW109を制御し、接続するコンデンサ108の数(容量)を決める。
例えば、DIMMが最大容量(負荷)時は、SW109をすべてOFFにし、コンデンサ108は全て接続されず、DIMMが非搭載(無負荷)時は、SW109をすべてONにし、コンデンサ108は全て接続される。
よって、DIMMの構成(容量、負荷)によらず、伝播遅延時間を一定化することが可能になり、同期型メモリの転送周波数を向上させることができる。
よって、DIMMの構成(容量、負荷)によらず、伝播遅延時間を一定化することが可能になり、同期型メモリの転送周波数を向上させることができる。
100…クロックジェネレータ、101…CPU、102…ASIC、103…同期型メモリRAM1、104…同期型メモリRAM2、105…メモリモジュールDIMM、106…RAM2が未搭載時に接続されるコンデンサ、107…RAM1が未搭載時に接続されるコンデンサ、108…DIMMの搭載容量に応じて接続されるコンデンサ、109…スイッチ、110…DIMMの容量検知用の信号線、111…コントロール信号。
Claims (5)
- 中央処理演算装置(以下CPU)と、CLK同期型DRAM(以下メモリ)と、CPU/メモリコントローラと、周辺回路制御機能を有するASICで構成されるデジタル回路のコントローラ基板において、CLK同期でデータアクセスを行うメモリ回路で、1つのメモリバスに複数のメモリデバイスがコントローラ基板上またはDIMM(メモリモジュール)により接続される構成において、前記基板上に実装されるメモリデバイス数(メモリ容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にしてCLK周波数を向上するようにしたことを特徴とするデジタル回路のコントローラ基板。
- 請求項1に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、コントローラ基板上で実装されないメモリデバイスが存在する基板構成の場合、そのメモリデバイスと同等の負荷容量のコンデンサを各メモリバス信号線に接続することにより、配線伝播遅延時間を一定にするようにしたことを特徴とするデジタル回路のコントローラ基板。
- 請求項1に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、前記基板上に実装されるメモリデバイス数(メモリ容量)および実装されるDIMMの枚数(容量)とは無関係にメモリ−ASIC間の信号の配線伝播遅延時間を一定にしてCLK周波数を向上するようにしたことを特徴とするデジタル回路のコントローラ基板。
- 請求項3に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、DIMMのメモリ容量(負荷)を検知し、搭載されるDIMMのメモリ容量とは無関係に各メモリバスラインの負荷容量を一定にするようにしたことを特徴とするデジタル回路のコントローラ基板。
- 請求項2または4に記載のデジタル回路のコントローラ基板において、前記配線負荷容量を一定化した方式で、かつASIC内部でデータ書込み時(出力)と読み込み時(ラッチ)でCLKタイミングを変える(CLKの位相をずらす)ようにして、DIMMの搭載容量に依存せずにCLK周波数を向上させることを特徴とするデジタル回路のコントローラ基板。
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---|---|---|---|---|
CN110275840A (zh) * | 2014-02-23 | 2019-09-24 | 拉姆伯斯公司 | 在存储器接口上的分布式过程执行和文件*** |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110275840B (zh) * | 2014-02-23 | 2024-03-15 | 拉姆伯斯公司 | 在存储器接口上的分布式过程执行和文件*** |
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