JP2006215534A - 画像表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】1フレーム内のサブフレーム数を増加させることなく、表現可能な階調数を増加させることができる画像表示装置を提供する。
【解決手段】ディザ信号生成回路3は2行×1列のディザ信号を生成する。加算器4はディザ信号を加算する。サブフレーム信号生成回路6は映像信号の1フレームを複数のサブフレームに分割する。列信号電極駆動回路7はシフトレジスタ70を備え、行走査信号電極駆動回路8はシフトレジスタ81,82を備える。表示パネル10の画素Pxは2行×1列のグループにグループ分けされている。列信号電極駆動回路7と行走査信号電極駆動回路8は、グループ内でそれぞれの画素データを、1サブフレーム期間内に2つ設けた表示期間のそれぞれに対応させて表示させる。
【選択図】図4
【解決手段】ディザ信号生成回路3は2行×1列のディザ信号を生成する。加算器4はディザ信号を加算する。サブフレーム信号生成回路6は映像信号の1フレームを複数のサブフレームに分割する。列信号電極駆動回路7はシフトレジスタ70を備え、行走査信号電極駆動回路8はシフトレジスタ81,82を備える。表示パネル10の画素Pxは2行×1列のグループにグループ分けされている。列信号電極駆動回路7と行走査信号電極駆動回路8は、グループ内でそれぞれの画素データを、1サブフレーム期間内に2つ設けた表示期間のそれぞれに対応させて表示させる。
【選択図】図4
Description
本発明は、液晶表示装置(LCD),プラズマディスプレイパネル表示装置(PDP),デジタルライトプロセッシング表示装置(DLP),フィールドエミッションディスプレイ装置(FED),エレクトロルミネセンス表示装置(EL)等の画像表示装置に係り、特に、デジタル化した映像信号を入力信号として、1フレームを複数のサブフレームに分割して画像表示する画像表示装置に関する。
近年のLCD,PDP,DLP,FED,ELのようなパネル型画像表示装置においては、陰極線管(CRT)を用いた従来の画像表示装置とは全く異なる、デジタル化した映像信号を入力信号とした駆動方式を採用している。即ち、映像信号の1フレームを複数のサブフレームに分割して画像表示することによって複数の階調を表現している(例えば特許文献1参照)。また、上記のパネル型画像表示装置は、入力信号に対する出力信号(発光輝度)の特性が直線的に変化するので、予めガンマ特性が施されている入力映像信号に対して装置内に設けた逆ガンマ補正回路によって逆ガンマ特性を施すようにしている。
上記のようなパネル型画像表示装置においては、デジタル駆動によって画像表示を行うので階調表現が段階的であり、入力映像信号に対して逆ガンマ特性を施すので、特に映像信号の低階調部分で正しい階調特性を得ることが難しい。そこで、特許文献1にも記載のように、ディザ法や誤差拡散法を用いた擬似中間調信号発生回路を設けて、隣接する階調間に擬似的な中間調を表現するように構成するのが一般的である。
特許第3493864号公報
ところで、画像表示装置における多階調化の要求は益々高まっており、従来の擬似中間調信号発生回路を用いた擬似的な多階調化のみではさらなる多階調化を実現することは困難である。表現可能な階調数を増加させるために、1フレーム内のサブフレーム数を増加させることが考えられるが、サブフレーム数を増加させるには画像表示装置の動作周波数を高くしなければならない。動作周波数を高くするには、画像表示装置の基本的設計を変更する必要が生じる。画像表示装置を駆動するための集積回路の動作周波数を高くすることには限界があり、また、動作周波数を高くすると発熱量も増大するため、動作周波数を高くすることは好ましくない。特にPDPではサブフレーム数を増加させると輝度が下がるという不具合が発生するので、サブフレーム数を増加させて多階調化を図ることは現実的ではない。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、1フレーム内のサブフレーム数を増加させることなく、表現可能な階調数を増加させることができる画像表示装置を提供することを目的とする。
本発明は、上述した従来の技術の課題を解決するため、マトリクス状に配置された第1の複数の画素を有する表示部(10)を備えた画像表示装置において、第1の映像信号の階調数を増加させるため、前記表示部の前記第1の複数の画素における一部である第2の複数の画素に対応したP行×Q列(P,Qは少なくとも一方が2以上である正の整数)のマトリクス状のディザ信号を順次生成して出力するディザ信号生成回路(3)と、前記第1の映像信号の画素データに前記ディザ信号を順次加算して階調数が増加した第2の映像信号を出力する加算器(4)と、前記第2の映像信号の1フレームを複数のサブフレームに分割することによりサブフレーム信号を生成して出力するサブフレーム信号生成回路(6)と、水平転送用のシフトレジスタを有し、前記サブフレーム信号のライン毎のデータを前記表示部の画素に接続された列信号電極に順次供給する列信号電極駆動回路(7)と、垂直転送用のシフトレジスタを有し、前記サブフレーム信号のライン毎のデータをそれぞれのラインに対応した行の画素へと供給するための行走査信号電極駆動回路(8)とを備え、前記列信号電極駆動回路と前記行走査信号電極駆動回路との少なくとも一方は複数のシフトレジスタ(71,72,81,82,83,84)を有し、前記表示部の前記第1の複数の画素は、前記列信号電極駆動回路における1または複数のシフトレジスタと前記行走査信号電極駆動回路における1または複数のシフトレジスタとによって、前記第2の複数の画素と同じ単位のグループにグループ分けされており、前記列信号電極駆動回路と前記行走査信号電極駆動回路は、それぞれの前記グループ内で、前記第2の複数の画素それぞれの画素データを、1サブフレーム期間内に前記第2の複数と同数だけ設けた表示期間のそれぞれに対応させて表示させるよう前記表示部を駆動することを特徴とする画像表示装置を提供する。
ここで、P行×Q列の前記ディザ信号におけるPとQは同数であり、前記列信号電極駆動回路と前記行走査信号電極駆動回路は互いに同数のシフトレジスタを有し、前記表示部の前記第1の複数の画素は、P行×Q列の画素のグループにグループ分けされていることが好ましい。
また、前記表示部のそれぞれの画素にそれぞれの画素をオンさせるための電圧を供給する電圧供給部(9)を備え、前記電圧供給部は、それぞれの前記グループ内の前記第2の複数の画素に対して電圧値が互いに異なる電圧を供給することが好ましい。
ここで、P行×Q列の前記ディザ信号におけるPとQは同数であり、前記列信号電極駆動回路と前記行走査信号電極駆動回路は互いに同数のシフトレジスタを有し、前記表示部の前記第1の複数の画素は、P行×Q列の画素のグループにグループ分けされていることが好ましい。
また、前記表示部のそれぞれの画素にそれぞれの画素をオンさせるための電圧を供給する電圧供給部(9)を備え、前記電圧供給部は、それぞれの前記グループ内の前記第2の複数の画素に対して電圧値が互いに異なる電圧を供給することが好ましい。
本発明の画像表示装置によれば、1フレーム内のサブフレーム数を増加させることなく、表現可能な階調数を増加させることができる。
以下、本発明の画像表示装置について、添付図面を参照して説明する。図1は表示パネルの画素の配列と画素データに対するディザ信号の加算との関係を説明するための図、図2はディザ信号による擬似中間調表示を説明するための図、図3は画像表示装置の一例としての投射型表示装置の概略構成を示す図、図4は本発明の第1実施形態を示すブロック図、図5はサブフレーム分割の一例を示す図、図6はそれぞれの画素に設けられている駆動回路の概略構成を示すブロック図、図7は液晶層に印加する駆動電圧と出射光強度との関係を示す特性図、図8は第1実施形態による駆動方法を説明するための図、図9は第1実施形態による駆動方法による効果を説明するための図、図10は本発明の第2実施形態を示すブロック図、図11は第2実施形態による駆動方法を説明するための図、図12及び図13は第2実施形態による駆動方法による効果を説明するための図、図14は本発明の第3実施形態を示すブロック図、図15は第3実施形態による駆動方法を説明するための図、図16は第3実施形態による駆動方法による効果を説明するための図、図17は本発明の第4実施形態を示すブロック図、図18は第4実施形態による駆動方法を説明するための図である。
本発明の各実施形態を説明する前に、本発明の各実施形態で用いるディザ法による擬似的な中間調表現について説明する。図1に示すように、パネル型画像表示装置における表示パネル10は、複数の画素Pxを複数行及び複数列からなるマトリクス状に配列させたものである。厳密には画素Pxは3原色R,G,Bそれぞれのドットよりなるが、ここでは簡略化のため色を考慮せず画素Pxと称することとする。図1における最上位行には画素Pxを構成する画素P11,P12,P13,P14…が配列されており、2番目の行には画素P21,P22,P23,P24…が配列されている。
このように構成される表示パネル10において、ディザ法を用いた擬似的な多階調化を行う場合には、一例としてa,b,c,dよりなる2行×2列のディザ信号Sdを2行×2列の画素Pxに印加する画素データ(ドットデータ)に対して加算する。ディザ信号SdはP行×Q列(P,Qは少なくとも一方が2以上である正の整数)のマトリクス状であり、後述する各実施形態のように、P,Qの数は適宜設定する。ディザ信号Sdにおけるa,b,c,dの値のビット数は例えば2ビットのように適宜設定される。図1に示すように、表示パネル10における2行×2列の画素Pxを1つのグループとし、それぞれのグループの画素データに対してディザ信号Sdを加算する。なお、便宜上、ディザ信号Sdを全てa,b,c,dと記載しているが、これは全て同じ値ということではなく、a,b,c,dの値が画素データの階調レベルに応じて可変されたり、フレーム単位で可変されたりする。
ここで、画素P11,P12,P21,P22のグループについて着目すると、図2(A)に示すように画素P11,P12,P21,P22の全てがオフ(非表示)のとき、このグループの4画素における平均輝度は0である。図2(E)に示すように画素P11,P12,P21,P22の全てがオン(表示)のとき、このグループの4画素における平均輝度は1である。このグループの画素データに対してディザ信号Sdを加算することによって、図2(B)に示すように画素P11,P12,P22がオフ、画素P21がオンとなった場合、このグループの4画素における平均輝度は0.25となる。このグループの画素データに対してディザ信号Sdを加算することによって、図2(C)に示すように画素P11,P22がオフ、画素P12,P21がオンとなった場合には平均輝度は0.5となり、図2(D)に示すように画素P11がオフ、画素P12,P21,P22がオンとなった場合には平均輝度は0.75となる。
このように、それぞれのグループの画素データに対してディザ信号Sdを加算するディザ法によれば、グループ内での画素のオン・オフを組み合わせることによって平均輝度0と1との間に面積階調法によって中間輝度(中間調)を表現することができる。なお、例えば図2(B)において、平均輝度は0.25とするには画素P21オンさせる代わりに画素P11,P12,P22のいずれかをオンさせてもよく、図2(B)〜(D)においてそれぞれの平均輝度を表すための画素のオン・オフの組み合わせは適宜に設定すればよい。
本発明は、複数の画素Pxがマトリクス状に配列された表示パネル10を備えるLCD,PDP,DLP,FED,ELの如くのパネル型画像表示装置に適用できるものである。本実施形態では表示パネル10としてアクティブマトリクス型の液晶素子を備えた投射型表示装置を例にし、投射型表示装置の概略構成について説明する。
図3において、図示しない光源から発生られた入射光Linは、偏光ビームスプリッタ11に入射される。入射光Linは“●”にて示すS偏光成分と“−”にて示すP偏光成分とを含む。偏光ビームスプリッタ11の接合面111はS偏光成分を反射し、P偏光成分を透過させるよう構成されている。従って、偏光ビームスプリッタ11の接合面111で反射した入射光LinはS偏光成分のみとなり、表示パネル10に入射される。表示パネル10は、それぞれの画素Pxに対応して設けられた反射画素電極103が形成された半導体基板101と透明な対向電極104が形成された透明基板102とを反射画素電極103と対向電極104とが互いに内側に向くように対向させ、半導体基板101と透明基板102との間に液晶層105を設けた構成である。
図3において、図示しない光源から発生られた入射光Linは、偏光ビームスプリッタ11に入射される。入射光Linは“●”にて示すS偏光成分と“−”にて示すP偏光成分とを含む。偏光ビームスプリッタ11の接合面111はS偏光成分を反射し、P偏光成分を透過させるよう構成されている。従って、偏光ビームスプリッタ11の接合面111で反射した入射光LinはS偏光成分のみとなり、表示パネル10に入射される。表示パネル10は、それぞれの画素Pxに対応して設けられた反射画素電極103が形成された半導体基板101と透明な対向電極104が形成された透明基板102とを反射画素電極103と対向電極104とが互いに内側に向くように対向させ、半導体基板101と透明基板102との間に液晶層105を設けた構成である。
表示パネル10に入射したS偏光成分のみとなった光はそれぞれの反射画素電極103で反射し、液晶層105の液晶によって映像信号に応じて変調される。液晶層105による変調の結果、表示パネル10より出射する光はS偏光成分の一部がP偏光成分となり、S偏光成分とP偏光成分とを含む光として偏光ビームスプリッタ11の接合面111に入射する。偏光ビームスプリッタ11の接合面111に入射した光はP偏光成分のみとなり、このP偏光成分のみの光が投射レンズ12を介してスクリーン13に投射される。このようにして映像信号に応じた画像がスクリーン13上に表示されることとなる。
本発明は、前述のディザ法による多階調化に対して新たにサブフレーム期間の時分割駆動による多階調化を加えることによって、ディザ法のみを行う従来技術よりも表現可能な階調数を格段に増加させるものである。以下、本発明の実施形態について順次説明する。
<第1実施形態>
第1実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを2行×1列の2画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したディザ信号Sdを2行×1列として、それぞれのグループの画素データに2行×1列のディザ信号Sdを加算する構成である。
図4において、端子1には図示していない映像信号供給部からmビット(mは2以上の整数)のデジタル映像信号Vinが入力される。映像信号Vinは上位ビット分離回路2とディザ信号生成回路3とに入力される。上位ビット分離回路2はmビットの映像信号Vinの上位のnビット(nはmより小さい正の整数)を分離して出力する。上位ビット分離回路2よって下位の(m−n)ビットを削減するのは、映像信号Vinがmビットであるにもかかわらず、表示パネル10がnビットの表示能力しか有していないためである。ここでは簡略化のため、mを7、nを5として説明する。
第1実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを2行×1列の2画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したディザ信号Sdを2行×1列として、それぞれのグループの画素データに2行×1列のディザ信号Sdを加算する構成である。
図4において、端子1には図示していない映像信号供給部からmビット(mは2以上の整数)のデジタル映像信号Vinが入力される。映像信号Vinは上位ビット分離回路2とディザ信号生成回路3とに入力される。上位ビット分離回路2はmビットの映像信号Vinの上位のnビット(nはmより小さい正の整数)を分離して出力する。上位ビット分離回路2よって下位の(m−n)ビットを削減するのは、映像信号Vinがmビットであるにもかかわらず、表示パネル10がnビットの表示能力しか有していないためである。ここでは簡略化のため、mを7、nを5として説明する。
ディザ信号生成回路3は入力された7ビットの映像信号Vinにおける下位の2ビットのデータを用いてディザ信号Sdを生成する。第1実施形態では、ディザ信号Sdは2行×1列のデータである。なお、ディザ信号Sdを映像信号Vinの一部のデータを用いて生成するのではなく、映像信号Vinとは無関係に予め設定したパターンとする場合もある。加算器4は、上位ビット分離回路2より出力された5ビットの映像信号とディザ信号生成回路3より出力された2ビットのディザ信号Sdとを加算する。リミッタ5は、加算器4の出力における5ビットで表現できるデータ部分を超えた分(いわゆるアンダーフロー)を制限して出力する。このように、7ビットの映像信号Vinを上位の5ビットに制限しても下位2ビットに基づくディザ信号Sdを加算することにより、データとしては5ビットであるが、見かけ上、7ビットと同等の階調数に増加された多階調化信号となる。
リミッタ5より出力された5ビットの映像信号はサブフレーム信号生成回路6に入力される。サブフレーム信号生成回路6は、入力された映像信号のフレームを複数のサブフレームに分割したサブフレーム信号を生成する。なお、本実施形態では映像信号がノンインターレース信号(プログレッシブ信号)であることを前提としているためフレーム及びサブフレームと称しているが、映像信号がインターレース信号である場合もあり得る。この場合、フィールド及びサブフィールドとなるが、フレーム及びサブフレームとはフィールド及びサブフィールドとを含む総称であると定義する。
サブフレーム信号は一例として次のように生成する。5ビットの映像信号における最下位ビットのデータをサブフレームSF1のデータとし、最下位から2ビット目から最上位ビットまでのデータそれぞれを順にサブフレームSF2〜SF5のデータとして割り当てる。図5に示すように、それぞれのサブフレームSF1〜SF5は1サブフレーム内で表示パネル10の各画素Pxにデータを転送する期間であるアドレス期間とサブフレームのデータを表示する表示期間とよりなる。そして、サブフレームSF1〜SF5において、輝度の相対値が例えば1,2,4,8,16のように設定されて重み付けられる。なお、1フレームを複数のサブフレームに分割する仕方や1フレーム期間内でサブフレームを配置する仕方は種々あり、図5に限定されるものではない。
サブフレーム信号生成回路6で生成されたサブフレーム信号は列信号電極駆動回路7に順次供給される。列信号電極駆動回路7は水平転送用のシフトレジスタ70を備えている。シフトレジスタ70はi個(iは2以上の整数)の転送段を備えており、それらの転送段は表示パネル10の列信号電極D1〜Diに接続されている。シフトレジスタ70には、図示していない駆動タイミングパルス発生回路より水平スタート信号HST及び水平シフトクロックHCKが供給される。シフトレジスタ70は、水平スタート信号HST及び水平シフトクロックHCKに基づいて、入力されたサブフレーム信号のライン毎のデータを水平方向に順次転送して列信号電極D1〜Diに供給する。なお、表示パネル10におけるデータの表示をリセットする場合は、駆動タイミングパルス発生回路よりリセット信号RSTをシフトレジスタ70に供給する。
一方、表示パネル10の行走査信号電極W1〜Wk(kは2以上の整数)には、行走査信号電極駆動回路8が接続されており、行走査信号電極W1〜Wkは行走査信号電極駆動回路8によって駆動される。第1実施形態においては、行走査信号電極駆動回路8は、奇数行の行走査信号電極W1,W3,W5…に接続された垂直転送用のシフトレジスタ81と偶数行の行走査信号電極W2,W4,W6…に接続された垂直転送用のシフトレジスタ82とを備えている。
表示パネル10の列信号電極D1〜Diと行走査信号電極W1〜Wkとが交差する部分には、画素Pxが配置されている。シフトレジスタ81には、図示していない駆動タイミングパルス発生回路よりそれぞれのサブフレーム信号の開始タイミングに同期した奇数行の垂直スタート信号o-VST及びサブフレームの水平期間に同期した奇数行の垂直シフトクロックo-VCKが供給される。シフトレジスタ82には、図示していない駆動タイミングパルス発生回路よりそれぞれのサブフレーム信号の開始タイミングに同期した偶数行の垂直スタート信号e-VST及びサブフレームの水平期間に同期した偶数行の垂直シフトクロックe-VCKが供給される。これによって、列信号電極D1〜Diに供給されたライン毎のデータは、シフトレジスタ81,82によってそれぞれのラインに対応した行の画素Pxへと供給される。
ここで、図6及び図7を用いてそれぞれの画素Pxに設けられている駆動回路について説明する。図6は1つの画素Pxの駆動回路を示している。図6において、Dとは列信号電極D1〜Diの総称であり、Wとは行走査信号電極W1〜Wkの総称である。それぞれの画素Pxには、列信号電極Dと行走査信号電極Wとに接続されたサンプルホールド部106が設けられている。サンプルホールド部106は例えばDRAM構造またはSRAM構造のフリップフロップよりなる。サンプルホールド部106は電圧選択回路107へと接続され、電圧選択回路107は画素電極103へと接続されている。画素電極103は図示していないトランジスタよりなる画素駆動回路によって駆動される。
電圧選択回路107に接続されている一方の電極Edaにはアドレス期間及び表示期間の双方で図4に示す電圧供給部9より閾値電圧Vthが印加され、他方の電極Edbには図4に示す電圧供給部9よりアドレス期間においては閾値電圧Vthが、表示期間においては飽和電圧Vsatが印加される。図4に示すように、奇数行の行走査信号電極W1,W3,W5…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda1,Edb1とし、偶数行の行走査信号電極W2,W4,W6…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda2,Edb2とする。奇数行の画素Pxは全て共通に電極Eda1,Edb1に接続され、偶数行の画素Pxは全て共通に電極Eda2,Edb2に接続されている。
図7は、表示パネル10における液晶層105に印加する駆動電圧と出射光強度との関係を示している。電圧選択回路107の電極Eda及びアドレス期間に電極Edbに印加する閾値電圧Vthは図7に示すように出射光強度が立ち上がる直前の電圧値であり、表示期間に電極Edbに印加する飽和電圧Vsatは出射光強度が飽和する電圧値である。電極Eda,Edb双方に閾値電圧Vthを供給するアドレス期間においては黒表示状態となる。電極Edaに閾値電圧Vthを供給し、電極Edbに飽和電圧Vsatを供給する表示期間においては飽和電圧Vsatに応じた表示状態となる。出射光強度は駆動電圧によって異なるから、電極Edbに印加する飽和電圧Vsatを可変させれば出射光強度が可変される。図4のように、奇数行の画素Pxと偶数行の画素Pxとで接続する電極を異ならせると、後述のように奇数行の画素Pxと偶数行の画素Pxとで印加電圧値を互いに異ならせることができる。
列信号電極Dに供給されたサブフレーム信号のライン毎のデータは、行走査信号電極Wがオンとなると、列信号電極Dと行走査信号電極Wが直交する部分に位置する画素Pxに転送される。画素Pxに転送されたデータは図5で説明したアドレス期間にサンプルホールド部106に保持される。サンプルホールド部106に保持されたデータに応じて電圧選択回路107から画素電極103へと閾値電圧Vthと飽和電圧Vsatとが選択的に供給される。これにより、それぞれの画素Pxがオンまたはオフとなる。
このようにして、表示パネル10における奇数行の画素Pxはシフトレジスタ81によってオン・オフが制御され、偶数行の画素Pxはシフトレジスタ82によってオン・オフが制御されることとなる。
このようにして、表示パネル10における奇数行の画素Pxはシフトレジスタ81によってオン・オフが制御され、偶数行の画素Pxはシフトレジスタ82によってオン・オフが制御されることとなる。
以上のように構成される第1実施形態の画像表示装置において、ディザ信号生成回路3は、2行×1列のディザ信号Sdを発生し、表示パネル10における2行×1列の画素Pxを1つのグループとし、それぞれのグループの画素データに対してディザ信号Sdを順次加算する。図4に示すように、第1実施形態においては、行走査信号電極駆動回路8は、奇数行の行走査信号電極W1,W3,W5…に接続されたシフトレジスタ81と偶数行の行走査信号電極W2,W4,W6…に接続されたシフトレジスタ82とを備えているから、表示パネル10の画素Pxは、画素P11,P21を破線にて囲んで示しているように、ディザ信号Sdを加算する単位と同じ単位のグループにグループ分けされている。
そして、第1実施形態では、表示パネル10の画素Pxを2行×1列のグループにグループ分けした状態で、複数のサブフレームの内の少なくとも1つのサブフレームにおいて表示パネル10を図8に示すように駆動する。図8は1つのグループにおけるサブフレームSF1の駆動の状態を示している。図8では画素P11,P21からなるグループについて示しているが、他のグループについても同様である。図8に示すように、サブフレームSF1の全期間は、前半アドレス期間と前半表示期間とよりなる前半期間と後半アドレス期間と後半表示期間とよりなる後半期間との大きく分けて2つに分割されている。前半表示期間と後半表示期間は一例としてそれぞれ140μ秒と60μ秒に設定されている。前半表示期間と後半表示期間のそれぞれの長さは、電圧供給部9から電極Edb1,Edb2への飽和電圧Vsatの印加時間によって設定することができる。
画素P11においては、列信号電極駆動回路7及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ81の駆動により、前半表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、後半表示期間でリセットされる。画素P21においては、列信号電極駆動回路7及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ82の駆動により、前半表示期間でリセットされ、後半表示期間でサブフレームSF1のデータが表示される。リセットの期間では常にオフ(黒表示)となり、データの表示期間ではサブフレームSF1のデータに応じてオン(表示)またはオフ(黒表示)となる。なお、前半アドレス期間と後半アドレス期間において、期間の経過を示す斜めの線は、データの表示には所定の時間がかかり、リセットは即座に行われることから、データの表示期間に対しては傾斜が緩やかであり、リセットの期間に対しては傾斜が急峻となっている。
図9を用いて図8に示す駆動方法によって表現可能な階調について説明する。図9においては、前半表示期間と後半表示期間のみを示している。図9(A)に示すように、画素P11における前半表示期間も画素P21における後半表示期間もオフの場合、P11,P21からなるグループにおける平均輝度は0となる。図9(B)に示すように、画素P11における前半表示期間がオフ、画素P21における後半表示期間がオンの場合、P11,P21からなるグループにおける平均輝度は0.3となる。図9(C)に示すように、画素P11における前半表示期間がオン、画素P21における後半表示期間がオフの場合、P11,P21からなるグループにおける平均輝度は0.7となる。図9(D)に示すように、画素P11における前半表示期間も画素P21における後半表示期間もオンの場合、P11,P21からなるグループにおける平均輝度は1となる。
前半表示期間と後半表示期間との期間の長さの比は、サブフレームの期間内でアドレス期間に必要な時間を除く時間の範囲内で任意に設定することができるので、1つのグループにおける平均輝度0と1との間の中間輝度は任意に設定することが可能である。ところで、シフトレジスタ81,82による表示パネル10の行の分割駆動を行わず、2行×1列のディザ信号Sdを加算する通常のディザ法を用いた擬似的な多階調化を行う場合には、1つのグループにおいて平均輝度0と1との間で表現できる中間輝度は0.5のみである。従って、第1実施形態によれば、通常のディザ法を用いた場合と比較して表現可能な中間調を増加させることができる。5ビットの映像信号に対して1ビットの擬似中間調を付加する従来例で表現可能な階調数は32×2=64階調であるのに対し、第1実施形態では32×3=96階調となる。
図8及び図9に示すディザ法とサブフレーム期間の時分割とを組み合わせた本実施形態による駆動方法は、上記のように少なくとも1つのサブフレームに対して実施すればよく、全てのサブフレームに対して実施してもよい。1つのサブフレームに対してのみ実施する場合は、最下位のサブフレームであるサブフレームSF1に対してのみ実施するのが好ましい。
図7より分かるように、各画素Pxの出射光強度は飽和電圧Vsatの電圧値に応じて異なる。電圧供給部9から奇数行の画素Pxの電極Edb1と偶数行の画素Pxの電極Edb2とに供給する飽和電圧Vsatの電圧値を異ならせると、図9(B),(C)における平均輝度を可変することができる。従って、上述の構成に加え、奇数行の画素Pxの電極Edb1と偶数行の画素Pxの電極Edb2とに供給する飽和電圧Vsatの電圧値を異ならせることにより、表現可能な中間調をさらに増加させることが可能となる。
<第2実施形態>
第2実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを4行×1列の4画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したディザ信号Sdを4行×1列として、それぞれのグループの画素データに4行×1列のディザ信号Sdを加算する構成である。図10に示す第2実施形態において、図4に示す第1実施形態と実質的に同一機能を奏する部分には同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
第2実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを4行×1列の4画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したディザ信号Sdを4行×1列として、それぞれのグループの画素データに4行×1列のディザ信号Sdを加算する構成である。図10に示す第2実施形態において、図4に示す第1実施形態と実質的に同一機能を奏する部分には同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
図10に示すように、行走査信号電極駆動回路8は、第1の奇数行電極である行走査信号電極W1,W5,W9…に接続されたシフトレジスタ81と、第1の偶数行電極である行走査信号電極W2,W6,W10…に接続されたシフトレジスタ82と、第2の奇数行電極である行走査信号電極W3,W7,W11…に接続されたシフトレジスタ83と、第2の偶数行電極である行走査信号電極W4,W8,W12…に接続されたシフトレジスタ84とを備えている。
シフトレジスタ81には、それぞれのサブフレーム信号の開始タイミングに同期した1,5,9…行の垂直スタート信号o1-VST及びサブフレームの水平期間に同期した1,5,9…行の垂直シフトクロックo1-VCKが供給される。シフトレジスタ82には、それぞれのサブフレーム信号の開始タイミングに同期した2,6,10…行の垂直スタート信号e1-VST及びサブフレームの水平期間に同期した2,6,10…行の垂直シフトクロックe1-VCKが供給される。シフトレジスタ83には、それぞれのサブフレーム信号の開始タイミングに同期した3,7,11…行の垂直スタート信号o2-VST及びサブフレームの水平期間に同期した3,7,11…行の垂直シフトクロックo2-VCKが供給される。シフトレジスタ84には、それぞれのサブフレーム信号の開始タイミングに同期した4,8,12…行の垂直スタート信号e2-VST及びサブフレームの水平期間に同期した4,8,12…行の垂直シフトクロックe2-VCKが供給される
これによって、列信号電極D1〜Diに供給されたライン毎のデータは、シフトレジスタ81〜84によってそれぞれのラインに対応した行の画素Pxへと供給される。
行走査信号電極W1,W5,W9…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda1,Edb1とし、行走査信号電極W2,W6,W10…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda2,Edb2とする。行走査信号電極W3,W7,W11…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda3,Edb3とし、行走査信号電極W4,W8,W12…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda4,Edb4とする。1,5,9…行の画素Pxは全て共通に電極Eda1,Edb1に接続され、2,6,10…行の画素Pxは全て共通に電極Eda2,Edb2に接続され、3,7,11…行の画素Pxは全て共通に電極Eda3,Edb3に接続され、4,8,12…行の画素Pxは全て共通に電極Eda4,Edb4に接続されている。これらの電極Eda1〜Eda4,Edb1〜Edb4には電圧供給部9より閾値電圧Vth,飽和電圧Vsatが供給される。電圧供給部9は電極Edb1〜Edb4に印加するそれぞれの飽和電圧Vsatを互いに異ならせることができる。
以上のように構成される第2実施形態の画像表示装置において、ディザ信号生成回路3は、4行×1列のディザ信号Sdを発生し、表示パネル10における4行×1列の画素Pxを1つのグループとし、それぞれのグループの画素データに対してディザ信号Sdを順次加算する。第2実施形態においては、行走査信号電極駆動回路8は、シフトレジスタ81〜84を備えているから、表示パネル10の画素Pxは、画素P11,P21,P31,P41を破線にて囲んで示しているように、ディザ信号Sdを加算する単位と同じ単位のグループにグループ分けされている。
そして、第2実施形態では、表示パネル10の画素Pxを4行×1列のグループにグループ分けした状態で、複数のサブフレームの内の少なくとも1つのサブフレームにおいて表示パネル10を図11に示すように駆動する。図11は1つのグループにおけるサブフレームSF1の駆動の状態を示している。図11では画素P11,P21,P31,P41からなるグループについて示しているが、他のグループについても同様である。図11に示すように、サブフレームSF1の全期間は、第1アドレス期間と第1表示期間とよりなる第1期間と、第2アドレス期間と第2表示期間とよりなる第2期間と、第3アドレス期間と第3表示期間とよりなる第3期間と、第4アドレス期間と第4表示期間とよりなる第4期間との大きく分けて4つに分割されている。第1,第2,第3,第4表示期間は一例としてそれぞれ40μ秒,80μ秒,120μ秒,160μ秒に設定されている。第1〜第4表示期間は電圧供給部9によって設定される。
画素P11においては、列信号電極駆動回路7及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ81の駆動により、第1表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、第2〜第4表示期間でリセットされる。画素P21においては、列信号電極駆動回路7及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ82の駆動により、第1表示期間でリセットされ、第2表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、第3,第4表示期間でリセットされる。画素P31においては、列信号電極駆動回路7及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ83の駆動により、第1,第2表示期間でリセットされ、第3表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、第4表示期間でリセットされる。画素P41においては、列信号電極駆動回路7及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ84の駆動により、第1〜第3表示期間でリセットされ、第4表示期間でサブフレームSF1のデータが表示される。
図12を用いて図11に示す駆動方法によって表現可能な階調について説明する。図12(A)〜(K)に示すように、第1〜第4表示期間のオン・オフを適宜に設定することにより、画素P11,P21,P31,P41からなるグループにおける平均輝度を0から1.0の範囲で11段階とすることができる。5ビットの映像信号に対して2ビットの擬似中間調を付加する従来例で表現可能な階調数は32×4=128階調であるのに対し、第2実施形態の図12の場合では32×10=320階調となる。
第1〜第4表示期間の長さの比は、サブフレームの期間内でアドレス期間に必要な時間を除く時間の範囲内で任意に設定することができるので、1つのグループにおける平均輝度0と1との間の中間輝度をさらに増やすことができる。例えば第1,第2,第3,第4表示期間をそれぞれ27μ秒,54μ秒,108μ秒,216μ秒に設定すれば、図13(A)〜(P)に示すように、画素P11,P21,P31,P41からなるグループにおける平均輝度を0から1.0の範囲で16段階とすることができる。第2実施形態の図13の場合では32×15=480階調が表現可能である。
第1〜第4表示期間の長さの比は、サブフレームの期間内でアドレス期間に必要な時間を除く時間の範囲内で任意に設定することができるので、1つのグループにおける平均輝度0と1との間の中間輝度をさらに増やすことができる。例えば第1,第2,第3,第4表示期間をそれぞれ27μ秒,54μ秒,108μ秒,216μ秒に設定すれば、図13(A)〜(P)に示すように、画素P11,P21,P31,P41からなるグループにおける平均輝度を0から1.0の範囲で16段階とすることができる。第2実施形態の図13の場合では32×15=480階調が表現可能である。
以上のように、第2実施形態によれば、通常のディザ法を用いた場合と比較して表現可能な中間調を増加させることができ、第1実施形態と比較して表現可能な中間調をさらに増加させることができる。第2実施形態においても、電極Edb1〜Edb4に供給する飽和電圧Vsatの電圧値を異ならせることにより、表現可能な中間調をさらに増加させることが可能となる。
<第3実施形態>
第3実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを1行×2列の2画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したディザ信号Sdを1行×2列として、それぞれのグループの画素データに1行×2列のディザ信号Sdを加算する構成である。図14に示す第3実施形態において、図4に示す第1実施形態と実質的に同一機能を奏する部分には同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
第3実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを1行×2列の2画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したディザ信号Sdを1行×2列として、それぞれのグループの画素データに1行×2列のディザ信号Sdを加算する構成である。図14に示す第3実施形態において、図4に示す第1実施形態と実質的に同一機能を奏する部分には同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
図14において、サブフレーム信号生成回路6で生成されたサブフレーム信号はスイッチSW1を介して列信号電極駆動回路7に順次供給される。列信号電極駆動回路7は、奇数列の列信号電極D1,D3,D5…に接続されたシフトレジスタ71と、偶数列の列信号電極D2,D4,D6…に接続されたシフトレジスタ72とを備えている。スイッチSW1は、奇数列の列信号電極D1,D3,D5…にサブフレーム信号を供給するときは端子Taに接続し、偶数列の列信号電極D2,D4,D6…にサブフレーム信号を供給するときは端子Tbに接続する。スイッチSW1は図示していない制御回路によって端子Ta,Tbの選択的な接続が制御される。制御回路は列番号情報に基づいてスイッチSW1を切り換え制御することができる。
シフトレジスタ71には、1,3,5…列の水平スタート信号o-HST及びo-水平シフトクロックHCKとシフトレジスタ71をリセットするためのリセット信号o-RSTが供給される。シフトレジスタ72には、2,4,6…列の水平スタート信号e-HST及びe-水平シフトクロックHCKとシフトレジスタ72をリセットするためのリセット信号e-RSTが供給される。
第3実施形態においては、行走査信号電極駆動回路8は、行走査信号電極W1〜Wkに接続されたシフトレジスタ80を備えている。
奇数列の列信号電極D1,D3,D5……に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda1,Edb1とし、偶数列の列信号電極D2,D4,D6…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda2,Edb2とする。なお、第3実施形態における電極Eda1,Edb1及びEda2,Edb2は第1実施形態における電極Eda1,Edb1及びEda2,Edb2とは同じではないが、便宜上同じ符号を用いている。奇数列の画素Pxは全て共通に電極Eda1,Edb1に接続され、偶数列の画素Pxは全て共通に電極Eda2,Edb2に接続されている。これらの電極Eda1,Eda2,Edb1,Edb2には電圧供給部9より閾値電圧Vth,飽和電圧Vsatが供給される。電圧供給部9は電極Edb1,Edb2に印加するそれぞれの飽和電圧Vsatを互いに異ならせることができる。
奇数列の列信号電極D1,D3,D5……に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda1,Edb1とし、偶数列の列信号電極D2,D4,D6…に接続された画素Pxにおける電極Eda,Edbを電極Eda2,Edb2とする。なお、第3実施形態における電極Eda1,Edb1及びEda2,Edb2は第1実施形態における電極Eda1,Edb1及びEda2,Edb2とは同じではないが、便宜上同じ符号を用いている。奇数列の画素Pxは全て共通に電極Eda1,Edb1に接続され、偶数列の画素Pxは全て共通に電極Eda2,Edb2に接続されている。これらの電極Eda1,Eda2,Edb1,Edb2には電圧供給部9より閾値電圧Vth,飽和電圧Vsatが供給される。電圧供給部9は電極Edb1,Edb2に印加するそれぞれの飽和電圧Vsatを互いに異ならせることができる。
以上のように構成される第3実施形態の画像表示装置において、ディザ信号生成回路3は、1行×2列のディザ信号Sdを発生し、表示パネル10における1行×2列の画素Pxを1つのグループとし、それぞれのグループの画素データに対してディザ信号Sdを順次加算する。第3実施形態においては、列信号電極駆動回路7はシフトレジスタ71,72を備えているから、表示パネル10の画素Pxは、画素P11,P12を破線にて囲んで示しているように、ディザ信号Sdを加算する単位と同じ単位のグループにグループ分けされている。
そして、第3実施形態では、表示パネル10の画素Pxを1行×2列のグループにグループ分けした状態で、複数のサブフレームの内の少なくとも1つのサブフレームにおいて表示パネル10を図15に示すように駆動する。図15は1つのグループにおけるサブフレームSF1の駆動の状態を示している。図15では画素P11,P12からなるグループについて示しているが、他のグループについても同様である。なお、画素P11における駆動状態と画素P12における駆動状態とを左右に並べて記載すべきところであるが、便宜上上下に並べて記載している。図15に示すように、サブフレームSF1の全期間は、前半アドレス期間と前半表示期間とよりなる前半期間と、後半アドレス期間と後半表示期間とよりなる後半期間との大きく分けて2つに分割されている。前半表示期間と後半表示期間は一例としてそれぞれ140μ秒と60μ秒に設定されている。
画素P11においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ71及び行走査信号電極駆動回路8の駆動により、前半表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、後半表示期間でリセットされる。画素P12においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ72及び行走査信号電極駆動回路8の駆動により、前半表示期間でリセットされ、後半表示期間でサブフレームSF1のデータが表示される。
図16に示すように、第3実施形態においても、図9で説明した第1実施形態の場合と同様、平均輝度0と平均輝度1との間に平均輝度0.3と0.7とを表現することができる。第3実施形態における表現可能な階調数は第1実施形態と同じ96階調である。
図16に示すように、第3実施形態においても、図9で説明した第1実施形態の場合と同様、平均輝度0と平均輝度1との間に平均輝度0.3と0.7とを表現することができる。第3実施形態における表現可能な階調数は第1実施形態と同じ96階調である。
以上のように、第3実施形態によれば、通常のディザ法を用いた場合と比較して表現可能な中間調を増加させることができ、第3実施形態においても、電極Edb1,Edb2に供給する飽和電圧Vsatの電圧値を異ならせることにより、表現可能な中間調をさらに増加させることが可能となる。
<第4実施形態>
第4実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを2行×2列の4画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したのと同様、ディザ信号Sdを2行×2列として、それぞれのグループの画素データに2行×2列のディザ信号Sdを加算する構成である。図17に示す第4実施形態において、図4に示す第1実施形態と実質的に同一機能を奏する部分には同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
第4実施形態は、表示パネル10の複数の画素Pxを2行×2列の4画素ずつにグループ化すると共に図1で説明したのと同様、ディザ信号Sdを2行×2列として、それぞれのグループの画素データに2行×2列のディザ信号Sdを加算する構成である。図17に示す第4実施形態において、図4に示す第1実施形態と実質的に同一機能を奏する部分には同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
図17に示すように、スイッチSW1と、シフトレジスタ71,72を有する列信号電極駆動回路7を備える点は図14の第3実施形態と同じであり、シフトレジスタ81,82を有する行走査信号電極駆動回路8を備える点は図4の第1実施形態と同じである。
第4実施形態の画像表示装置において、ディザ信号生成回路3は、2行×2列のディザ信号Sdを発生し、表示パネル10における2行×2列の画素Pxを1つのグループとし、それぞれのグループの画素データに対してディザ信号Sdを順次加算する。第4実施形態においては、列信号電極駆動回路7はシフトレジスタ71,72を備え、行走査信号電極駆動回路8はシフトレジスタ81,82を備えているから、表示パネル10の画素Pxは、画素P11,P12,P21,P22を破線にて囲んで示しているように、ディザ信号Sdを加算する単位と同じ単位のグループにグループ分けされている。
第4実施形態の画像表示装置において、ディザ信号生成回路3は、2行×2列のディザ信号Sdを発生し、表示パネル10における2行×2列の画素Pxを1つのグループとし、それぞれのグループの画素データに対してディザ信号Sdを順次加算する。第4実施形態においては、列信号電極駆動回路7はシフトレジスタ71,72を備え、行走査信号電極駆動回路8はシフトレジスタ81,82を備えているから、表示パネル10の画素Pxは、画素P11,P12,P21,P22を破線にて囲んで示しているように、ディザ信号Sdを加算する単位と同じ単位のグループにグループ分けされている。
それぞれのグループにおける左上の画素Px(画素P11,P12,P21,P22のグループでは画素P11)全て共通に電極Eda1,Edb1に接続され、右上の画素Px(画素P11,P12,P21,P22のグループでは画素P12)全て共通に電極Eda2,Edb2に接続されている。左下の画素Px(画素P11,P12,P21,P22のグループでは画素P21)全て共通に電極Eda3,Edb3に接続され、右下の画素Px(画素P11,P12,P21,P22のグループでは画素P22)全て共通に電極Eda4,Edb4に接続されている。なお、第4実施形態における電極Eda1〜Eda4,Edb1〜Edb4は第2実施形態における電極Eda1〜Eda4,Edb1〜Edb4とは同じではないが、便宜上同じ符号を用いている。
これらの電極Eda1〜Eda4,Edb1〜Edb4には電圧供給部9より閾値電圧Vth,飽和電圧Vsatが供給される。電圧供給部9は電極Edb1〜Edb4に印加するそれぞれの飽和電圧Vsatを互いに異ならせることができる。
そして、第4実施形態では、表示パネル10の画素Pxを2行×2列のグループにグループ分けした状態で、複数のサブフレームの内の少なくとも1つのサブフレームにおいて表示パネル10を図18に示すように駆動する。図18は1つのグループにおけるサブフレームSF1の駆動の状態を示している。図18では画素P11,P12,P21,P22からなるグループについて示しているが、他のグループについても同様である。サブフレームSF1の全期間は、図18(A)に示す第1アドレス期間と第1表示期間とよりなる第1期間と、図18(B)に示す第2アドレス期間と第2表示期間とよりなる第2期間と、図18(C)に示す第3アドレス期間と第3表示期間とよりなる第3期間と、図18(D)に示す第4アドレス期間と第4表示期間とよりなる第4期間との大きく分けて4つに分割されている。第1,第2,第3,第4表示期間は一例としてそれぞれ40μ秒,80μ秒,120μ秒,160μ秒に設定されている。
画素P11においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ71及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ81の駆動により、第1表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、第2〜第4表示期間でリセットされる。画素P12においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ72及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ81の駆動により、第1表示期間でリセットされ、第2表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、第3,第4表示期間でリセットされる。
画素P21においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ71及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ82の駆動により、第1,第2表示期間でリセットされ、第3表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、第4表示期間でリセットされる。画素P22においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ72及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ82の駆動により、第1〜第3表示期間でリセットされ、第4表示期間でサブフレームSF1のデータが表示される。
画素P21においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ71及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ82の駆動により、第1,第2表示期間でリセットされ、第3表示期間でサブフレームSF1のデータが表示され、第4表示期間でリセットされる。画素P22においては、列信号電極駆動回路7のシフトレジスタ72及び行走査信号電極駆動回路8のシフトレジスタ82の駆動により、第1〜第3表示期間でリセットされ、第4表示期間でサブフレームSF1のデータが表示される。
第4実施形態においても、第2実施形態と同様、第1〜第4表示期間のオン・オフを適宜に設定することにより、画素P11,P12,P21,P22からなるグループにおける平均輝度を0から1.0の範囲で11段階とすることができる。この場合の表現可能な階調数は図12と同様、320階調である。
第1〜第4表示期間の長さの比は、サブフレームの期間内でアドレス期間に必要な時間を除く時間の範囲内で任意に設定することができるので、1つのグループにおける平均輝度0と1との間の中間輝度をさらに増やすことができる。例えば第1,第2,第3,第4表示期間をそれぞれ27μ秒,54μ秒,108μ秒,216μ秒に設定すれば、画素P11,P12,P21,P22からなるグループにおける平均輝度を0から1.0の範囲で16段階とすることができる。この場合の表現可能な階調数は図13と同様、480階調である。
第1〜第4表示期間の長さの比は、サブフレームの期間内でアドレス期間に必要な時間を除く時間の範囲内で任意に設定することができるので、1つのグループにおける平均輝度0と1との間の中間輝度をさらに増やすことができる。例えば第1,第2,第3,第4表示期間をそれぞれ27μ秒,54μ秒,108μ秒,216μ秒に設定すれば、画素P11,P12,P21,P22からなるグループにおける平均輝度を0から1.0の範囲で16段階とすることができる。この場合の表現可能な階調数は図13と同様、480階調である。
以上のように、第4実施形態によれば、通常のディザ法を用いた場合と比較して表現可能な中間調を増加させることができ、第1,第3実施形態と比較して表現可能な中間調をさらに増加させることができる。第4実施形態においても、電極Edb1〜Edb4に供給する飽和電圧Vsatの電圧値を異ならせることにより、表現可能な中間調をさらに増加させることが可能となる。
ところで、図1,図2で説明したように、ディザ信号Sdは2行×2列の正方形のマトリクスとすることが一般的であるので、第1〜第4実施形態の中では第4実施形態が最も好ましい構成である。構成は複雑化するが、ディザ信号Sdを3行×3列またはそれ以上とし、列信号電極駆動回路7,8のシフトレジスタを3つずつまたはそれ以上として、表示パネル10の画素Pxをディザ信号Sdの加算単位と同じ単位のグループにグループ分けしてもよい。
本発明は以上説明した第1〜第4実施形態に限定されることはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
本発明は以上説明した第1〜第4実施形態に限定されることはなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
2 上位ビット分離回路
3 ディザ信号生成回路
4 加算器
5 リミッタ
6 サブフレーム信号生成回路
7 列信号電極駆動回路
8 行走査信号電極駆動回路
9 電圧供給部
10 表示パネル
70,71,72,80,81〜84 シフトレジスタ
3 ディザ信号生成回路
4 加算器
5 リミッタ
6 サブフレーム信号生成回路
7 列信号電極駆動回路
8 行走査信号電極駆動回路
9 電圧供給部
10 表示パネル
70,71,72,80,81〜84 シフトレジスタ
Claims (3)
- マトリクス状に配置された第1の複数の画素を有する表示部を備えた画像表示装置において、
第1の映像信号の階調数を増加させるため、前記表示部の前記第1の複数の画素における一部である第2の複数の画素に対応したP行×Q列(P,Qは少なくとも一方が2以上である正の整数)のマトリクス状のディザ信号を順次生成して出力するディザ信号生成回路と、
前記第1の映像信号の画素データに前記ディザ信号を順次加算して階調数が増加した第2の映像信号を出力する加算器と、
前記第2の映像信号の1フレームを複数のサブフレームに分割することによりサブフレーム信号を生成して出力するサブフレーム信号生成回路と、
水平転送用のシフトレジスタを有し、前記サブフレーム信号のライン毎のデータを前記表示部の画素に接続された列信号電極に順次供給する列信号電極駆動回路と、
垂直転送用のシフトレジスタを有し、前記サブフレーム信号のライン毎のデータをそれぞれのラインに対応した行の画素へと供給するための行走査信号電極駆動回路とを備え、
前記列信号電極駆動回路と前記行走査信号電極駆動回路との少なくとも一方は複数のシフトレジスタを有し、
前記表示部の前記第1の複数の画素は、前記列信号電極駆動回路における1または複数のシフトレジスタと前記行走査信号電極駆動回路における1または複数のシフトレジスタとによって、前記第2の複数の画素と同じ単位のグループにグループ分けされており、
前記列信号電極駆動回路と前記行走査信号電極駆動回路は、それぞれの前記グループ内で、前記第2の複数の画素それぞれの画素データを、1サブフレーム期間内に前記第2の複数と同数だけ設けた表示期間のそれぞれに対応させて表示させるよう前記表示部を駆動することを特徴とする画像表示装置。 - P行×Q列の前記ディザ信号におけるPとQは同数であり、前記列信号電極駆動回路と前記行走査信号電極駆動回路は互いに同数のシフトレジスタを有し、
前記表示部の前記第1の複数の画素は、P行×Q列の画素のグループにグループ分けされていることを特徴とする請求項1記載の画像表示装置。 - 前記表示部のそれぞれの画素にそれぞれの画素をオンさせるための電圧を供給する電圧供給部を備え、
前記電圧供給部は、それぞれの前記グループ内の前記第2の複数の画素に対して電圧値が互いに異なる電圧を供給することを特徴とする請求項1または2に記載の画像表示装置。
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