JP2006214743A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006214743A JP2006214743A JP2005024959A JP2005024959A JP2006214743A JP 2006214743 A JP2006214743 A JP 2006214743A JP 2005024959 A JP2005024959 A JP 2005024959A JP 2005024959 A JP2005024959 A JP 2005024959A JP 2006214743 A JP2006214743 A JP 2006214743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- acceleration sensor
- stopper
- weight part
- semiconductor acceleration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0862—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
- G01P2015/0871—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system using stopper structures for limiting the travel of the seismic mass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
【解決手段】錘部3を構成する平面視正方形の部分を取り巻くように形成した細長いL字状のビーム部4の基端部4aに隣接して、固定部2側から錘部3へ突出する凸部15と、錘部3側から固定部2へ突出し、凸部15を囲む受止め凹部16を形成する。凸部15の外形と受止め凹部16の内壁はほぼ同一形状になっていて、錘部3の上下方向に直交する水平方向のいずれの方向への移動も、凸部15が受止め凹部16に受止められることによって制限される。従って、側方からの衝撃が加速度センサ1に加えられても、錘部3は大きく変位することはなく、ビーム部4に過大な応力が掛かってビーム部4が破損してしまうことがない。
【選択図】 図3
Description
2 固定部
3 錘部
3a 凹所
3b 内面
4 ビーム部
4a 基端部
5 シリコン基板
15 凸部
15a テーパ状
16 受止め凹部
16a テーパ状受け部
17 空隙
18 空隙
21 ストッパ
21a 裁頭円錐形状
22 ストッパ
22a 傾斜面
Claims (12)
- 固定部と、この固定部に対して細長いビーム部で連結された錘部とからなり、前記ビーム部が前記錘部の対向する2辺に基端を発し、錘部の隣接する2辺に沿って延びるL字状に形成され、垂直方向の加速度が印加された時に、前記ビーム部が撓んで前記錘部の垂直移動を許容する半導体加速度センサにおいて、
前記ビーム部の基端の近傍であって前記錘部と前記固定部の間の間隙に、前記固定部から錘部方向へと突出する凸部と、前記錘部から固定部方向へと突出し、前記凸部を囲む受止め凹部とを形成し、水平方向の加速度が印加された時に、前記凸部が前記受止め凹部の内壁に当接することによって前記錘部の水平移動を制限することを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記凸部の根元部内に空隙を形成したことを特徴とする請求項1に記載の半導体加速度センサ。
- 前記凸部の根元部内の空隙を凸部の突出方向に直交する方向に長く延びる形状に形成したことを特徴とする請求項2に記載の半導体加速度センサ。
- 前記凸部の根元部内の空隙を、凸部の突出方向に沿って前記凸部内へも延長して略T字状に形成したことを特徴とする請求項3に記載の半導体加速度センサ。
- 前記受止め凹部の根元部内に空隙を形成したことを特徴とする請求項1に記載の半導体加速度センサ。
- 前記凸部の先端をテーパ状に形成し、前記凹部の先端に、前記凸部のテーパ状先端と同一形状のテーパ状受け部を形成し、前記錘部が水平移動して前記受止め凹部が前記凸部に当接する時、双方のテーパ面に沿って滑りながら前記凸部のテーパ状先端が前記受止め凹部のテーパ状受け部へと嵌入することを特徴とする請求項1に記載の半導体加速度センサ。
- 固定部と、この固定部に対して細長いビーム部で連結された錘部とからなり、前記ビーム部が前記錘部の対向する2辺に基端を発し、錘部の隣接する2辺に沿って延びるL字状に形成されて、垂直方向の加速度が印加された時に、前記ビーム部が撓んで前記錘部の垂直移動を許容する半導体加速度センサにおいて、
前記錘部の底部に凹所を形成し、前記錘部の直下方の固定部に、前記凹所に緩く嵌合するストッパを形成し、水平方向の加速度が印加された時に、前記ストッパが前記凹所の内壁に当接することによって前記錘部の水平移動及び垂直下方移動を制限することを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記ストッパを裁頭円錐形状に形成し、前記凹所の内面を、前記ストッパと相似形に形成して、水平方向の加速度が印加された時に、前記ストッパが前記凹所の内面にいずれの方向から当接する場合でも、その衝撃が等しくなるようにしたことを特徴とする請求項7に記載の半導体加速度センサ。
- 固定部と、この固定部に対して細長いビーム部で連結された錘部とからなり、前記ビーム部が前記錘部の対向する2辺に基端を発し、錘部の隣接する2辺に沿って延びるL字状に形成されて、垂直方向の加速度が印加された時に、前記ビーム部が撓んで前記錘部の垂直移動を許容する半導体加速度センサにおいて、
前記錘部の下方の固定部に、前記錘部の底部を囲むストッパを形成し、水平方向の加速度が印加された時に、前記錘部の底部が前記ストッパの内面に当接することによって前記錘部の水平移動を制限することを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記錘部の底部を裁頭四角錐形状に形成し、前記ストッパの、前記錘部の底部に当接する内面を錘部の外周面に沿った傾斜面に形成したことを特徴とする請求項9に記載の半導体加速度センサ。
- 前記ストッパを、前記錘部の下方の固定部上に、該固定部とは異なる材料で形成し、かつ、前記ストッパは、前記錘部よりも軟質な材料で形成したことを特徴とする請求項7乃至請求項10のいずれかに記載の半導体加速度センサ。
- 前記ストッパが、シリコンウエハの異方性ウエットエッチングにより形成されることを特徴とする請求項11に記載の半導体加速度センサ。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005024959A JP2006214743A (ja) | 2005-02-01 | 2005-02-01 | 半導体加速度センサ |
PCT/JP2006/300819 WO2006082716A1 (ja) | 2005-02-01 | 2006-01-20 | 半導体加速度センサ |
CNB200680000185XA CN100554970C (zh) | 2005-02-01 | 2006-01-20 | 半导体加速度传感器 |
KR1020067022843A KR100856179B1 (ko) | 2005-02-01 | 2006-01-20 | 반도체 가속도 센서 |
US11/579,178 US7464591B2 (en) | 2005-02-01 | 2006-01-20 | Semiconductor acceleration sensor |
EP06712044A EP1750132A4 (en) | 2005-02-01 | 2006-01-20 | SEMICONDUCTOR ACCELERATION SENSOR |
TW095102683A TWI272387B (en) | 2005-02-01 | 2006-01-24 | Semiconductor acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005024959A JP2006214743A (ja) | 2005-02-01 | 2005-02-01 | 半導体加速度センサ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008064805A Division JP2008197113A (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006214743A true JP2006214743A (ja) | 2006-08-17 |
Family
ID=36777105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005024959A Pending JP2006214743A (ja) | 2005-02-01 | 2005-02-01 | 半導体加速度センサ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7464591B2 (ja) |
EP (1) | EP1750132A4 (ja) |
JP (1) | JP2006214743A (ja) |
KR (1) | KR100856179B1 (ja) |
CN (1) | CN100554970C (ja) |
TW (1) | TWI272387B (ja) |
WO (1) | WO2006082716A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014532889A (ja) * | 2011-11-09 | 2014-12-08 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | マイクロ電気機械システム(mems) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8516891B2 (en) * | 2007-01-16 | 2013-08-27 | Analog Devices, Inc. | Multi-stage stopper system for MEMS devices |
JP4343965B2 (ja) * | 2007-02-15 | 2009-10-14 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 慣性センサ |
WO2010061777A1 (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | パナソニック電工株式会社 | 加速度センサ |
WO2010140468A1 (ja) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | アルプス電気株式会社 | 物理量センサ |
JPWO2011071140A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | アルプス電気株式会社 | 物理量センサ |
US20130019678A1 (en) * | 2011-07-22 | 2013-01-24 | Lazaroff Dennis M | Limiting travel of proof mass within frame of MEMS device |
FR3000484B1 (fr) * | 2012-12-27 | 2017-11-10 | Tronic's Microsystems | Dispositif micro-electromecanique comprenant une masse mobile apte a se deplacer hors du plan |
US20140260613A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Invensense, Inc. | Elastic bump stops for mems devices |
TWI497079B (zh) * | 2013-09-10 | 2015-08-21 | Globalmems Co Ltd | 具有耐摔保護功能的可動裝置 |
FI126797B (en) * | 2014-02-26 | 2017-05-31 | Murata Manufacturing Co | Stop at Structure |
US9638712B2 (en) * | 2015-01-22 | 2017-05-02 | Nxp Usa, Inc. | MEMS device with over-travel stop structure and method of fabrication |
JP7178591B2 (ja) * | 2019-11-15 | 2022-11-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | インパクト工具、インパクト工具の制御方法及びプログラム |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US53908A (en) * | 1866-04-10 | Improved trunk-hinge | ||
FR2667157B1 (fr) * | 1990-09-25 | 1994-06-10 | Sextant Avionique | Micro-accelerometre a resonateurs et procede de fabrication. |
US5221400A (en) * | 1990-12-11 | 1993-06-22 | Delco Electronics Corporation | Method of making a microaccelerometer having low stress bonds and means for preventing excessive z-axis deflection |
US5351542A (en) * | 1992-01-27 | 1994-10-04 | Kansei Corporation | Acceleration sensor assembly |
JP2831195B2 (ja) * | 1992-03-25 | 1998-12-02 | 富士電機株式会社 | 半導体加速度センサ |
JPH07159432A (ja) | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
US5777226A (en) * | 1994-03-28 | 1998-07-07 | I/O Sensors, Inc. | Sensor structure with L-shaped spring legs |
EP0753156B1 (en) * | 1994-03-28 | 2001-07-25 | I/O Sensors, Inc. | Sensor structure with l-shaped spring legs |
JPH08240609A (ja) | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Fuji Electric Co Ltd | 静電容量式加速度センサ |
US5817942A (en) * | 1996-02-28 | 1998-10-06 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Capacitive in-plane accelerometer |
JP3433671B2 (ja) * | 1998-05-26 | 2003-08-04 | 松下電工株式会社 | 加速度センサ |
JP4776779B2 (ja) * | 1998-09-02 | 2011-09-21 | カイロス・インク | 捩り撓みヒンジで連結されて相対的に回転する微細加工部材 |
JP2000338124A (ja) | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2000346866A (ja) * | 1999-06-02 | 2000-12-15 | Topre Corp | 加速度センサ |
JP2002055117A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-20 | Yazaki Corp | 静電容量型加速度センサ |
US6865944B2 (en) * | 2002-12-16 | 2005-03-15 | Honeywell International Inc. | Methods and systems for decelerating proof mass movements within MEMS structures |
JPWO2005019790A1 (ja) | 2003-08-26 | 2006-10-19 | 松下電工株式会社 | センサ装置 |
-
2005
- 2005-02-01 JP JP2005024959A patent/JP2006214743A/ja active Pending
-
2006
- 2006-01-20 EP EP06712044A patent/EP1750132A4/en not_active Withdrawn
- 2006-01-20 WO PCT/JP2006/300819 patent/WO2006082716A1/ja active Application Filing
- 2006-01-20 KR KR1020067022843A patent/KR100856179B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-01-20 CN CNB200680000185XA patent/CN100554970C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-20 US US11/579,178 patent/US7464591B2/en active Active
- 2006-01-24 TW TW095102683A patent/TWI272387B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014532889A (ja) * | 2011-11-09 | 2014-12-08 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | マイクロ電気機械システム(mems) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200632321A (en) | 2006-09-16 |
CN100554970C (zh) | 2009-10-28 |
CN1942768A (zh) | 2007-04-04 |
KR100856179B1 (ko) | 2008-09-03 |
EP1750132A1 (en) | 2007-02-07 |
US7464591B2 (en) | 2008-12-16 |
EP1750132A4 (en) | 2009-11-04 |
US20080022770A1 (en) | 2008-01-31 |
TWI272387B (en) | 2007-02-01 |
KR20060126624A (ko) | 2006-12-07 |
WO2006082716A1 (ja) | 2006-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006214743A (ja) | 半導体加速度センサ | |
US8176782B2 (en) | Capacitive sensor | |
JP2007298405A (ja) | 静電容量式センサ | |
JP4605087B2 (ja) | 静電容量式センサ | |
JP2008197113A (ja) | 半導体加速度センサ | |
US9739797B2 (en) | Sensor device | |
JP5654904B2 (ja) | 静電容量型加速度センサ | |
JP5083635B2 (ja) | 加速度センサ | |
JP4600344B2 (ja) | 静電容量式センサ | |
JP2011247714A (ja) | 半導体物理量センサ | |
JP4436096B2 (ja) | 静電容量式センサおよびその製造方法 | |
JP2011038986A (ja) | 傾斜センサ | |
JP2007256236A (ja) | 加速度センサ | |
WO2009099124A1 (ja) | 物理量センサ | |
JP2004045269A (ja) | 容量式加速度センサ | |
JP2005098891A (ja) | 静電容量式センサ | |
JP2010216834A (ja) | 力学量検出センサ | |
JP2010008127A (ja) | 半導体物理量センサ | |
JP2009074891A (ja) | 物理量センサとその製造方法 | |
JP6020590B2 (ja) | 角加速度センサ | |
JP2011049211A (ja) | 静電容量式センサおよびその製造方法 | |
JP2019124616A (ja) | 物理量センサ | |
KR20130118029A (ko) | 정전 용량 압력 센서 | |
JP2008122301A (ja) | 半導体加速度センサ | |
WO2013073163A1 (ja) | 加速度センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080805 |