JP2006210734A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ＬＥＤを用いた発光装置に関し、特に、生産性の向上、小型化およびコストダウンが図れ、各種トリミングをダイシング前に行えるようにした発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device using an LED, and more particularly, to a light emitting device that can improve productivity, reduce size, and reduce costs, and perform various trimmings before dicing.
ＬＥＤ（発光ダイオード）を用いた発光装置は、様々な分野で用いられているが、例えば、パーソナルコンピュータや携帯電話では、液晶ディスプレイのバックライトに用いられている。ＬＥＤを用いた発光装置は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のＬＥＤの発光色を混色することにより白色光が容易に得られるとともに、冷陰極管に比べて小型にできることから携帯電話等の移動端末装置に広く用いられている。 Light emitting devices using LEDs (light emitting diodes) are used in various fields. For example, in personal computers and mobile phones, they are used as backlights for liquid crystal displays. A light emitting device using an LED can easily obtain white light by mixing light emission colors of three colors of red (R), green (G), and blue (B), as compared with a cold cathode tube. Since it can be downsized, it is widely used in mobile terminal devices such as mobile phones.
従来、この種の発光装置は、ウェハ上に多数の半導体チップを形成した後、ダイシングによって個別化した半導体チップに樹脂封止等を行って完成させていた。しかし、近年の移動端末装置における小型化、信頼性の向上、低コスト化、他の表面実装部品との同時リフロー化等の要求に伴い、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）による製造方法が注目されている。 Conventionally, this type of light-emitting device has been completed by forming a large number of semiconductor chips on a wafer and then sealing the individual semiconductor chips by dicing. However, with recent demands for downsizing, improvement in reliability, cost reduction, simultaneous reflow with other surface mount components, etc., the manufacturing method using a wafer level package (WLP) has been attracting attention. .
例えば、特許文献１に示されるように、Ｓｉダイオードウェハにｐ，ｎの各電極を６個分のＳｉダイオードのパターンが形成されるように設けるとともに、これとは別に、ウェハ片にｐ，ｎの各電極およびＬＥＤチップを形成し、さらにＬＥＤチップ上にＳｉダイオードを形成した複数のウェハ片を用意し、この複数のウェハ片をチップ接合用のヘッドによりＳｉダイオードウェハ上の所定の位置に順次接合し、この接合終了後にダイシングを行う発光装置の製造方法が提案されている。
しかし、従来の発光装置によると、本来のウェハとは別工程でウェハ片を製造する必要があり、１つの製造ラインによる一貫生産が行えない。更に、製造工程が複雑になるので、生産性の向上等に限界がある。 However, according to the conventional light emitting device, it is necessary to manufacture a wafer piece in a separate process from the original wafer, and it is not possible to perform integrated production by one manufacturing line. Further, since the manufacturing process becomes complicated, there is a limit to improvement in productivity.
また、携帯電話の液晶ディスプレイのバックライトに用いられる発光装置では、１枚の基板上にＬＥＤとともにドライバＩＣが実装されるが、このために基板面積が大きくなり、発光装置の小型化が限界にきている。 In addition, in a light emitting device used for a backlight of a liquid crystal display of a mobile phone, a driver IC is mounted on a single substrate together with an LED, but this increases the substrate area and limits the miniaturization of the light emitting device. coming.
また、従来は、ウェハ段階でのランク分け（レーザトリミング）、ＬＥＤ工程でのレーザによるトリミングは行われておらず、信頼性および品質を向上させるには限界があった。 Conventionally, ranking in the wafer stage (laser trimming) and laser trimming in the LED process have not been performed, and there has been a limit to improving reliability and quality.
本発明の目的は、生産性の向上、小型化およびコストダウンが図れ、レーザによるトリミングをダイシング前に行えるようにした発光装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of improving productivity, reducing the size and reducing the cost, and performing trimming with a laser before dicing.
本発明は、上記目的を達成するため、基板上にドライバＩＣを搭載したＬＥＤドライバ部と、前記ＬＥＤドライバ部上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線パターンと、前記配線パターンの所定位置に搭載された複数のＬＥＤとを備えたことを特徴とする発光装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides an LED driver unit having a driver IC mounted on a substrate, an insulating layer formed on the LED driver unit, a wiring pattern formed on the insulating layer, Provided is a light emitting device comprising a plurality of LEDs mounted at predetermined positions of a wiring pattern.
本発明の発光装置によれば、生産性の向上、小型化およびコストダウンが図れるとともに、レーザによるトリミングをダイシング前に行うことができる。 According to the light emitting device of the present invention, productivity can be improved, the size can be reduced, and the cost can be reduced, and trimming by laser can be performed before dicing.
［実施の形態］
（発光装置の構成）
図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。また、図２は、図１の発光装置におけるＬＥＤドライバ部の平面図を示す。
[Embodiment]
(Configuration of light emitting device)
FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the LED driver unit in the light emitting device of FIG.
この発光装置１は、短冊形のＬＥＤドライバ部１０と、このＬＥＤドライバ部１０上に形成されたＬＥＤ部２０とを備える。 The light emitting device 1 includes a strip-shaped LED driver unit 10 and an LED unit 20 formed on the LED driver unit 10.
図２に示すように、ＬＥＤドライバ部１０は、図示しない絶縁基板上にＬＥＤドライバＩＣが実装されており、その上面には、赤色ＬＥＤ用のカソード用電極１１ｒと、緑色ＬＥＤ用のカソード用電極１１ｇと、青色ＬＥＤ用のカソード用電極１１ｂと、グランド用電極１２と、３色のＬＥＤのアノードが共通接続されるアノード用電極１３と、複数のその他用電極１４と、レーザトリミング用の複数のヒューズ１５とを備える。 As shown in FIG. 2, the LED driver unit 10 has an LED driver IC mounted on an insulating substrate (not shown), and has a cathode LED 11r for red LED and a cathode electrode for green LED on its upper surface. 11g, blue LED cathode electrode 11b, ground electrode 12, anode electrode 13 to which the anodes of the three colors of LEDs are connected in common, a plurality of other electrodes 14, and a plurality of laser trimming electrodes A fuse 15.
ヒューズ１５は、一直線上に所定間隔に形成されており、１色のＬＥＤに対して複数が割り当てられており、この複数のヒューズは内部で並列接続されているため、その１つをレーザで溶断するごとに当該ＬＥＤに対する許容電流（アノード〜カソード間の通過電流）を低減できるように構成されている。 The fuses 15 are formed on a straight line at predetermined intervals, and a plurality of fuses are assigned to one color LED. Since the plurality of fuses are internally connected in parallel, one of them is blown by a laser. Each time, the allowable current (passing current between the anode and the cathode) for the LED can be reduced.
なお、ＬＥＤドライバ部１０の下面には、立設させた状態で図示しない複数のピンが、カソード用電極１１ｂ，１１ｇ，１１ｒ、グランド用電極１２、およびアノード用電極１３のそれぞれに接続されている。 Note that a plurality of pins (not shown) are connected to the cathode electrodes 11b, 11g, and 11r, the ground electrode 12, and the anode electrode 13 on the lower surface of the LED driver section 10 in a standing state. .
ＬＥＤ部２０は、図１に示すように、ＬＥＤドライバ部１０上に図示しない樹脂層（絶縁層）を介して形成された複数の第１の配線パターン２１と、この第１の配線パターン２１上に図示しない樹脂層（絶縁層）を介して形成された複数の第２の配線パターン２２と、この第２の配線パターン２２上の所定の位置に搭載された赤色ＬＥＤ２３Ｒ、緑色ＬＥＤ２３Ｇ、および青色ＬＥＤ２３Ｂと、これらＬＥＤ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ上の電極と第２の配線パターン２２の所定の部位とを接続する複数のボンディングワイヤ２４とを備える。 As shown in FIG. 1, the LED unit 20 includes a plurality of first wiring patterns 21 formed on the LED driver unit 10 via a resin layer (insulating layer) (not shown), and the first wiring pattern 21. A plurality of second wiring patterns 22 formed through a resin layer (insulating layer) not shown in FIG. 5 and red LEDs 23R, green LEDs 23G, and blue LEDs 23B mounted at predetermined positions on the second wiring patterns 22. And a plurality of bonding wires 24 that connect the electrodes on the LEDs 23R, 23G, and 23B to a predetermined portion of the second wiring pattern 22.
赤色ＬＥＤ２３Ｒ、緑色ＬＥＤ２３Ｇ、および青色ＬＥＤ２３Ｂは、ともに表面実装型であり、上面が光出射面となり、この上面にアノード電極２５ｒ，２５ｇ，および２５ｂが設けられている。さらに、緑色ＬＥＤ２３Ｇおよび青色ＬＥＤ２３Ｂは、図１に示すように、アノード電極２５ｇ，２５ｂに隣接させてカソード電極２６ｇ，２６ｂを有し、また、赤色ＬＥＤ２３Ｒは下面に図示しないカソード電極２６ｒを有している。 The red LED 23R, the green LED 23G, and the blue LED 23B are all surface-mounted, and the upper surface is a light emitting surface, and anode electrodes 25r, 25g, and 25b are provided on the upper surface. Further, as shown in FIG. 1, the green LED 23G and the blue LED 23B have cathode electrodes 26g and 26b adjacent to the anode electrodes 25g and 25b, and the red LED 23R has a cathode electrode 26r (not shown) on the lower surface. Yes.
図３は、第１の配線パターン２１を示す平面図である。この第１の配線パターン２１は、アノード用電極１３、カソード用電極１１ｂ，１１ｇ，１１ｒ、およびグランド用電極１２に一端が接続されたＣｕ等による配線層である。この第１の配線パターン２１は、図２のＬＥＤドライバ部１０上に形成された図示せぬ透明なＳｉＯ２等による第１の樹脂層（絶縁層）上に形成されている。 FIG. 3 is a plan view showing the first wiring pattern 21. The first wiring pattern 21 is a wiring layer made of Cu or the like, one end of which is connected to the anode electrode 13, the cathode electrodes 11b, 11g, and 11r, and the ground electrode 12. The first wiring pattern 21 is formed on a first resin layer (insulating layer) made of transparent SiO 2 (not shown) formed on the LED driver section 10 of FIG.
図４は、第２の配線パターン２２を示す平面図である。この第２の配線パターン２２は、図３に示した第１の配線パターン２１上に形成された透明なＳｉＯ２等による第２の樹脂層（絶縁層）上および第１の配線パターン２１の露出面上に形成される。第２の配線パターン２２は、図１に示すように、その表面にＬＥＤＬＥＤ２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂによる光を反射させる反射面２７を有している。この反射面２７は、銅等の素材のままでもよいが、必要に応じて銀色系等のメッキ、蒸着等の処理を施すことができる。 FIG. 4 is a plan view showing the second wiring pattern 22. The second wiring pattern 22 is formed on the second resin layer (insulating layer) made of transparent SiO 2 or the like formed on the first wiring pattern 21 shown in FIG. 3 and the exposure of the first wiring pattern 21. Formed on the surface. As shown in FIG. 1, the second wiring pattern 22 has a reflection surface 27 that reflects light from the LED LEDs 23R, 23G, and 23B on the surface thereof. The reflective surface 27 may be a material such as copper, but may be subjected to a treatment such as silver plating or vapor deposition as required.
そして、第２の配線パターン２２は、カソード用電極１１ｂ，１１ｒ，１１ｇ、アノード用電極１３、およびグランド用電極１２に選択的に接続されるほか、赤色ＬＥＤ２３Ｒ、緑色ＬＥＤ２３Ｇ、および青色ＬＥＤ２３Ｂの搭載部、およびボンディングワイヤ２４を接続するためのランドとして機能する。 The second wiring pattern 22 is selectively connected to the cathode electrodes 11b, 11r, 11g, the anode electrode 13, and the ground electrode 12, and the mounting portion of the red LED 23R, the green LED 23G, and the blue LED 23B. , And functions as a land for connecting the bonding wire 24.
（発光装置の製造方法）
図５は、発光装置１の製造方法の製造過程を示す工程図である。また、図６は、図５の（ｅ）の工程に続く工程における断面図である。なお、図５および図６においては、ＬＥＤドライバ部１０の一部のみを図示している。
(Method for manufacturing light emitting device)
FIG. 5 is a process diagram illustrating a manufacturing process of the method for manufacturing the light emitting device 1. Moreover, FIG. 6 is sectional drawing in the process following the process of (e) of FIG. 5 and 6, only a part of the LED driver unit 10 is illustrated.
まず、図２のような形状を有するＬＥＤドライバ部１０が多数形成されたウェハを用意する。なお、各ＬＥＤドライバ部１０は、図５の（ａ）に示すように、その表面に電極等を含む配線層１０ａと、配線層１０ａの所定位置に形成された接合面１０ｂとを有している。 First, a wafer on which a large number of LED driver portions 10 having a shape as shown in FIG. 2 are formed is prepared. As shown in FIG. 5A, each LED driver section 10 has a wiring layer 10a including electrodes and the like on its surface, and a bonding surface 10b formed at a predetermined position of the wiring layer 10a. Yes.
次に、このＬＥＤドライバ部１０の表面に透明な第１の絶縁層としての第１の樹脂層３１を図５の（ｂ）のように形成する。このとき、グランド用電極１２、カソード用電極１１ｒ，１１ｇ，１１ｂ、アノード用電極１３に対向する部分には、複数の開口３２が同時に形成されている。 Next, a first resin layer 31 as a transparent first insulating layer is formed on the surface of the LED driver section 10 as shown in FIG. At this time, a plurality of openings 32 are simultaneously formed in portions facing the ground electrode 12, the cathode electrodes 11r, 11g, and 11b, and the anode electrode 13.
次に、図５の（ｃ）および図３に示すように、複数の第１の配線パターン２１が、第１の樹脂層３１上に形成される。なお、第１の配線パターン２１の形成は、例えば、フォトリソグラフィーにより形成する。 Next, as shown in FIG. 5C and FIG. 3, a plurality of first wiring patterns 21 are formed on the first resin layer 31. The first wiring pattern 21 is formed by, for example, photolithography.
次に、図５の（ｄ）に示すように、第２の絶縁層としての第２の樹脂層３３が、第１の配線パターン２１上に形成される。このとき、３つのＬＥＤ２３が搭載される部分には、第１の配線パターン２１が露出する開口３４が３つ形成される。なお、第２の樹脂層３３には、第１の樹脂層３１と同一材料を用いる。 Next, as shown in FIG. 5D, a second resin layer 33 as a second insulating layer is formed on the first wiring pattern 21. At this time, three openings 34 through which the first wiring pattern 21 is exposed are formed in the portion where the three LEDs 23 are mounted. The second resin layer 33 is made of the same material as the first resin layer 31.
次に、図５の（ｅ）および図４に示すように、複数の第２の配線パターン２２が、第２の樹脂層３３上に形成される。このとき、ＬＥＤを搭載する部分には、３つの凹部３５が形成される。 Next, as shown in FIG. 5E and FIG. 4, a plurality of second wiring patterns 22 are formed on the second resin layer 33. At this time, three concave portions 35 are formed in the portion where the LED is mounted.
次に、図６に示すように、ＬＥＤ２３Ｇ，２３Ｒ，２３Ｂが、第２の配線パターン２２の３つの凹部３５上にはんだ接続等により搭載される。ついで、複数のボンディングワイヤ２４が、アノード用電極１３およびカソード電極２６ｇ，２６ｂに接続されている第２の配線パターン２２に接続される。 Next, as shown in FIG. 6, the LEDs 23G, 23R, and 23B are mounted on the three concave portions 35 of the second wiring pattern 22 by soldering or the like. Next, the plurality of bonding wires 24 are connected to the second wiring pattern 22 connected to the anode electrode 13 and the cathode electrodes 26g and 26b.
次に、レーザトリミングを実施する。通電電流に応じて、例えば、５〜２０ｍＡの範囲でＲ、Ｇ、Ｂで２５６ランクに分ける場合、レーザを当該ＬＥＤに対応するヒューズ１５をレーザにより溶断（ヒューズカット）することにより、所望のランクに適合させることができる。 Next, laser trimming is performed. Depending on the energization current, for example, when dividing into 256 ranks of R, G, and B in the range of 5 to 20 mA, a desired rank can be obtained by fusing (fuse cutting) the fuse 15 corresponding to the LED with the laser. Can be adapted.
また、電流トリミングを行う場合、Ｒ、Ｇ、ＢのＬＥＤを実装し、ワイヤボンディングを行った後、輝度を測定し、インラインレーザトリミングを実施する。この場合、プロービングが必要になるが、ヒューズカットを行う前にカットされた状態を現出させての測定が可能である。レーザカットは、一度行ってしまうと、復元することはできないため、カット状態を視認できることは重要である。 When current trimming is performed, R, G, and B LEDs are mounted, wire bonding is performed, luminance is measured, and inline laser trimming is performed. In this case, probing is required, but it is possible to perform measurement by revealing the cut state before performing fuse cutting. Since laser cutting cannot be restored once it has been performed, it is important to be able to visually recognize the cut state.
次に、ダイシング装置を用いて、ＬＥＤドライバ部１０ごとに分離し、図１に示す発光装置１を得る。 Next, it isolate | separates for every LED driver part 10 using a dicing apparatus, and obtains the light-emitting device 1 shown in FIG.
次に、必要に応じて、ＬＥＤドライバ部１０の下側に、図示しない複数のピンが、カソード用電極１１ｂ，１１ｒ，１１ｇ、アノード用電極１３、およびグランド用電極１２に接続される。さらに、必要に応じてＬＥＤドライバ部１０を保持するようにして樹脂材によるパッケージが取り付けられる。以上により、発光装置１が完成する。 Next, a plurality of pins (not shown) are connected to the cathode electrodes 11b, 11r, and 11g, the anode electrode 13, and the ground electrode 12 on the lower side of the LED driver unit 10 as necessary. Furthermore, a package made of a resin material is attached so as to hold the LED driver unit 10 as necessary. Thus, the light emitting device 1 is completed.
（実施の形態の効果）
第１の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（イ）ウェハ工程でレーザトリミングが可能なため、ランク分けをウェハ工程において行うことができる。
（ロ）ＬＥＤ工程においてレーザトリミングが可能なため、輝度の選別を高精度に行うことができる。
（ハ）ＬＥＤドライバ部１０上にＬＥＤ２３Ｇ，２３Ｒ，２３Ｂを搭載できるため、発光装置１の小型化が可能になる。
（ニ）ＬＥＤ２３Ｇ，２３Ｒ，２３Ｂのボンディング後、輝度を測定しての外付け抵抗のレーザトリミング（アナログ）に対応できるため、レーザは低精度のもので済ますことができ、初期投資を低くすることができる。
（ホ）発光装置１は、ＬＥＤドライバ部１０を搭載しているため、Ｒ，Ｇ，ＢのＬＥＤに対する制御端子を設けることにより、外部電圧による任意の発色制御が可能になる。また、ＬＥＤドライバ部１０を有することにより、外付けの保護ダイオードを不要にできる。
（ヘ）第１，第２の樹脂層３１，３３が設けられていることにより、電流リークを防止することができる。
（ト）第２の配線パターンに反射面２７を形成することにより、ＬＥＤ２３Ｇ，２３Ｒ，２３Ｂによる発光の出射効率を上げることできる。
(Effect of embodiment)
According to the first embodiment, the following effects are obtained.
(A) Since laser trimming is possible in the wafer process, ranking can be performed in the wafer process.
(B) Since laser trimming is possible in the LED process, the luminance can be selected with high accuracy.
(C) Since the LEDs 23G, 23R, and 23B can be mounted on the LED driver unit 10, the light emitting device 1 can be downsized.
(D) After bonding LEDs 23G, 23R, and 23B, it is possible to cope with laser trimming (analog) of external resistors by measuring the brightness, so that the laser can be of low accuracy and lower initial investment. Can do.
(E) Since the light emitting device 1 is equipped with the LED driver section 10, by providing control terminals for the R, G, and B LEDs, it is possible to perform arbitrary color control with an external voltage. In addition, the provision of the LED driver unit 10 eliminates the need for an external protective diode.
(F) Since the first and second resin layers 31 and 33 are provided, current leakage can be prevented.
(G) By forming the reflective surface 27 on the second wiring pattern, the emission efficiency of light emitted by the LEDs 23G, 23R, and 23B can be increased.
なお、上記実施の形態では、ＬＥＤ２３Ｇ，２３Ｒ，２３Ｂに上面発光型を用いたが、横面発光型であってもよい。 In the above embodiment, the top emission type is used for the LEDs 23G, 23R, and 23B, but a horizontal emission type may be used.
また、ＬＥＤ２３Ｇ，２３Ｒ，２３Ｂについては、フェイスアップ（ＦＵ）型とワイヤボンディングによる組み合わせによるもの、あるいはフリップチップ（ＦＣ）型を用いてフリップ実装するもののいずれのタイプであっても良い。 Further, the LEDs 23G, 23R, and 23B may be any type of a combination of a face-up (FU) type and wire bonding, or a flip-chip (FC) type.
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つのＬＥＤを用いたが、いずれか一色、２色、または４色以上の構成であってもよい。或いは、同一色のＬＥＤを１個、２個、または４個以上を用いる構成であってもよい。
[Other embodiments]
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the range which does not change the summary. For example, although three LEDs of R, G, and B are used, a configuration of any one color, two colors, or four colors or more may be used. Alternatively, a configuration in which one, two, or four or more LEDs of the same color are used may be used.
１０…ＬＥＤドライバ部、１０ａ…配線層、１１０ｂ…接合面、１１ｂ，１１ｇ，１１ｒ…カソード用電極、１２…グランド用電極、１３…アノード用電極、１４…その他用電極、１５…ヒューズ、２０…ＬＥＤ部、２１…第１の配線パターン、２２…第２の配線パターン、２３Ｂ…青色ＬＥＤ、２３Ｇ…緑色ＬＥＤ、２３Ｒ…赤色ＬＥＤ、２４…ボンディングワイヤ、２５ｒ，２５ｇ，２５ｂ…アノード電極、２６ｇ，２６ｂ，２６ｒ…カソード電極、２７…反射面、３１，３３…樹脂層、３２，３４…開口、３５…凹部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... LED driver part, 10a ... Wiring layer, 110b ... Joint surface, 11b, 11g, 11r ... Electrode for cathodes, 12 ... Electrode for ground, 13 ... Electrode for anodes, 14 ... Electrode for others, 15 ... Fuse, 20 ... LED part, 21 ... 1st wiring pattern, 22 ... 2nd wiring pattern, 23B ... Blue LED, 23G ... Green LED, 23R ... Red LED, 24 ... Bonding wire, 25r, 25g, 25b ... Anode electrode, 26g, 26b, 26r ... cathode electrode, 27 ... reflecting surface, 31, 33 ... resin layer, 32, 34 ... opening, 35 ... recess
Claims (4)
前記ＬＥＤドライバ部上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線パターンと、
前記配線パターンの所定位置に搭載された複数のＬＥＤとを備えたことを特徴とする発光装置。 An LED driver unit having a driver IC mounted on a substrate;
An insulating layer formed on the LED driver part;
A wiring pattern formed on the insulating layer;
A light emitting device comprising: a plurality of LEDs mounted at predetermined positions of the wiring pattern.
前記配線パターンは、前記第１の絶縁層上に形成された電極配線用の第１の配線パターンと、前記第２の絶縁層および前記第１の配線パターンの露出面上に形成された電極接続用および前記複数のＬＥＤ搭載用の第２の配線パターンとを有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。 The insulating layer includes a first insulating layer and a second insulating layer formed in a stacked state,
The wiring pattern includes a first wiring pattern for electrode wiring formed on the first insulating layer, and an electrode connection formed on an exposed surface of the second insulating layer and the first wiring pattern. The light emitting device according to claim 1, further comprising: a second wiring pattern for mounting and the plurality of LEDs.
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