JP2006210730A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 反射溝から漏れる光を低減し、pn間の漏れ電流による発光効率低下を抑制することによって高い外部放射効率を実現でき、量産化に優れる発光素子を提供する。
【解決手段】 Rhコンタクト電極15を設けたp側電極101に格子状にV溝101Aを設け、GaN系半導体層100内を伝搬する青色光を短い距離でLED素子1の外部に取り出せるようにしたので、GaN系半導体層100内を層方向に伝搬する青色光が減衰する以前に速やかに外部放射させることができる。また、p側電極のエッジ部分が45゜の傾斜角を有して形成されており、かつ、SiO2膜101BおよびRhコンタクト電極15による絶縁反射面を有しているので、p側電極のエッジ部分から横方向に漏れていた光についてもサファイア基板10側に取り出すことができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【選択図】 図2
【解決手段】 Rhコンタクト電極15を設けたp側電極101に格子状にV溝101Aを設け、GaN系半導体層100内を伝搬する青色光を短い距離でLED素子1の外部に取り出せるようにしたので、GaN系半導体層100内を層方向に伝搬する青色光が減衰する以前に速やかに外部放射させることができる。また、p側電極のエッジ部分が45゜の傾斜角を有して形成されており、かつ、SiO2膜101BおよびRhコンタクト電極15による絶縁反射面を有しているので、p側電極のエッジ部分から横方向に漏れていた光についてもサファイア基板10側に取り出すことができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、反射溝から漏れる光を低減し、pn間の漏れ電流による発光効率低下を抑制することによって高い外部放射効率を実現でき、量産化に優れる発光素子に関する。
従来の発光素子として、例えば、Al2O3(サファイア)基板等の下地基板の上にGaN系等の結晶層をエピタキシャル成長させて発光層を含む半導体層を形成し、この半導体層にアノードとカソードの電極を設けることにより形成されるLED(Light Emitting Diode)素子がある。このようなLED素子では、上記電極を介して半導体層に電圧を印加することにより発光層で発光し、発光に基づく光が光放射面から外部放射される。
GaN系LED素子では、発光層で生じた光のうち、約30%がサファイア基板へ入射するが、残りの光は半導体層から放射されずに層内閉込光として残留し、層内を伝搬する。また、GaN系半導体層は光吸収性が大であることより、層内閉込光は層内を伝搬する距離が大になると減衰して外部放射が困難になる。
かかる問題に対し、半導体層内を伝搬する光を反射させて外部放射させるV字状の反射溝を設けたLED素子が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特許文献1に記載されるLED素子は、GaAs基板の表面にエピタキシャル成長させたGaAs系の結晶層に一定の間隔で楔形の反射溝を有しており、そのことによってLED素子の底面側に配置される結晶層が格子状に分断された構成を有する。また、反射溝が発光層を突き抜けて形成された構成も記載されている。
特許文献1のLED素子によると、発光層で生じた水平に近い方向の光であっても楔形の反射溝に達することで外部放射可能な方向に反射させることができるので、光取り出し効率が大になり、その結果、光出力を向上させることができる。
また、反射溝が発光層を突き抜けて形成された構成では、発光層で生じた横方向の光であっても、その殆ど全てを外部放射可能な方向に反射させることができるとしている。
特開2002−353497号公報([0025]〜[0027]、図1、図2)
しかし、特許文献1のLED素子によると、以下の問題がある。
(1)反射溝への入射角によっては反射されずに漏れてしまう光があり、光出力の低下を招くという問題がある。また、反射溝の深さが半導体層のpn接合範囲より大であると、実装の形態によってはp型半導体層とn型半導体層との短絡が生じることから、反射溝周辺でpn間に漏れ電流が生じて発光不良、発光効率低下等の異常が生じるという問題もある。
(2)反射溝を有するLED素子をフリップ実装する際に加えられる外力によって反射溝周囲の半導体層に更にダメージを与えることがあり、漏れ電流の増大や、発光不良の招くという原因がある。特に、Auバンプによるフリップ実装では、超音波併用熱圧着時にLED素子1を実装対象に精度良く水平に配置することが難しい。
(3)反射溝で格子状に分断された領域の発光層に対する電流経路によって発光効率に差が生じる。
(1)反射溝への入射角によっては反射されずに漏れてしまう光があり、光出力の低下を招くという問題がある。また、反射溝の深さが半導体層のpn接合範囲より大であると、実装の形態によってはp型半導体層とn型半導体層との短絡が生じることから、反射溝周辺でpn間に漏れ電流が生じて発光不良、発光効率低下等の異常が生じるという問題もある。
(2)反射溝を有するLED素子をフリップ実装する際に加えられる外力によって反射溝周囲の半導体層に更にダメージを与えることがあり、漏れ電流の増大や、発光不良の招くという原因がある。特に、Auバンプによるフリップ実装では、超音波併用熱圧着時にLED素子1を実装対象に精度良く水平に配置することが難しい。
(3)反射溝で格子状に分断された領域の発光層に対する電流経路によって発光効率に差が生じる。
従って、本発明の目的は、反射溝から漏れる光を低減し、pn間の漏れ電流による発光効率低下を抑制することによって高い外部放射効率を実現でき、量産化に優れる発光素子を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するため、半導体層の表面から、対極の層に至って形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝におけるpn間の絶縁性を確保する絶縁部と、前記光取り出し溝の領域を除く発光領域に位置して設けられた実装用電極とを有する発光素子を提供する。
また、本発明は、上記目的を達成するため、半導体層の表面から、対極の層に至って30度から70度の傾斜面を有して形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝におけるpn間の絶縁性を確保するとともに光反射性を有する絶縁部と、前記光取り出し溝の領域を除く発光領域に位置して厚膜状に形成された実装用電極とを有し、前記半導体層側を実装面する発光素子を提供する。
また、本発明は、上記目的を達成するため、半導体層の表面から、対極の層に至って形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝に前記半導体層の表面とは対極の電流拡散用電極とを有する発光素子を提供する。
本発明によると、半導体層の表面から、対極の層に至って形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝におけるpn間の絶縁性を確保する絶縁部と、前記光取り出し溝の領域を除く発光領域に位置して設けられた実装用電極とを設けることにより、反射溝から漏れる光を低減し、pn間の漏れ電流による発光効率低下を抑制することによって高い外部放射効率を実現でき、量産化を高めることができる。
また、本発明によると、半導体層の表面から、対極の層に至って30度から70度の傾斜面を有して形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝におけるpn間の絶縁性を確保するとともに光反射性を有する絶縁部と、前記光取り出し溝の領域を除く発光領域に位置して厚膜状に形成された実装用電極とを設けることにより、反射溝から漏れる光を低減し、pn間の漏れ電流による発光効率低下を抑制することによって高い外部放射効率を実現でき、量産化を高めることができる。
また、本発明によると、半導体層の表面から、対極の層に至って形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝に前記半導体層の表面とは対極の電流拡散用電極とを設けることにより、、反射溝から漏れる光を低減し、pn間の漏れ電流による発光効率低下を抑制することによって高い外部放射効率を実現でき、量産化を高めることができる。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るLED素子の電極形成面を示す平面図である。図2は、図1に示すLED素子のA−A部における断面図である。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るLED素子の電極形成面を示す平面図である。図2は、図1に示すLED素子のA−A部における断面図である。
このLED素子1は、GaN系半導体材料で形成されるGaN系半導体層100のp−GaN層11上に格子状に設けられたV溝101Aを備えるp側電極101と、n−GaN層13上に設けられるn側電極102とを有して形成されている。
(LED1の構成)
LED素子1は、下地基板となるサファイア基板10上に、図示しないAlNバッファ層を介してn−GaN層11と、発光層12と、p−GaN層13を順次結晶成長させることによって形成したGaN系半導体層100と、GaN系半導体層100をエッチングすることにより露出させたn−GaN層11上に設けられるAlコンタクト電極14と、p−GaN層13表面からn−GaN層11にかけての深さでエッチングにより格子状に形成される反射溝であるV溝101Aと、V溝101Aの部分を覆うように設けられてn−GaN層11とp−GaN層13との短絡を防止するSiO2膜101Bと、p−GaN層13表面およびSiO2膜101Bを覆うように設けられるRhコンタクト電極15と、V溝101A形成部分以外のRhコンタクト電極15上に島状に設けられる厚膜のNi層16と、Ni層16を含むRhコンタクト電極15表面、およびAlコンタクト電極14の表面を覆うように設けられるAu層17とを有する。
LED素子1は、下地基板となるサファイア基板10上に、図示しないAlNバッファ層を介してn−GaN層11と、発光層12と、p−GaN層13を順次結晶成長させることによって形成したGaN系半導体層100と、GaN系半導体層100をエッチングすることにより露出させたn−GaN層11上に設けられるAlコンタクト電極14と、p−GaN層13表面からn−GaN層11にかけての深さでエッチングにより格子状に形成される反射溝であるV溝101Aと、V溝101Aの部分を覆うように設けられてn−GaN層11とp−GaN層13との短絡を防止するSiO2膜101Bと、p−GaN層13表面およびSiO2膜101Bを覆うように設けられるRhコンタクト電極15と、V溝101A形成部分以外のRhコンタクト電極15上に島状に設けられる厚膜のNi層16と、Ni層16を含むRhコンタクト電極15表面、およびAlコンタクト電極14の表面を覆うように設けられるAu層17とを有する。
Rhコンタクト電極15、Ni層16およびAu層17は、p側電極101を形成しており、Alコンタクト電極14およびAu層17は、n側電極102を形成している。
LED素子1の形成方法については、特に限定されないが、周知の有機金属気相成長法(MOCVD法)、分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド系気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレ−ティング法、電子シャワ−法等によって形成することができる。なお、LED素子の構成としてホモ構造、ヘテロ構造若しくはダブルヘテロ構造のものを用いることができる。さらに、量子井戸構造(単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造)を採用することもできる。
V溝101AおよびSiO2膜101Bは、発光層12の発光に基づく光をサファイア基板10側に反射させる絶縁反射面を形成しており、V溝101Aの深さは3μmで、サファイア基板10の法線方向に対して45゜の傾斜角を有するように形成されている。
V溝101Aのピッチは、層内伝搬に伴う光の減衰を考慮すると小にすることが好ましい。p側電極101のエッジ部分を45゜傾斜面で形成した50μm角の発光領域集合体のGaN系LED素子では、V溝加工していない300μm角のGaN系LED素子に対して約20%の外部放射効率の向上を確認している。
一方、溝加工を行うことでGaN系半導体層100には加工のダメ−ジによる非発光領域が生じる。そのため、発光効率を考慮すると素子全体に占める非発光領域と発光領域の割合が最適となるピッチおよび溝パタ−ンを選択することが望ましい。具体的には発光領域の他のサイズは20μm〜150μm、さらに好ましくは50μm〜80μmが好ましい。
また、SiO2膜101Bは、V溝101Aより大なる幅を有して形成されており、V溝周囲のn−GaN層11とp−GaN層13との短絡による漏れ電流を抑制する。
また、GaN系半導体層100は、Rhコンタクト電極15が設けられるp側電極101のエッジ部分が45°の傾斜角を有するとともにSiO2膜101Bを備えており、そのことによってエッジ部分に絶縁反射面を有している。
Ni層16は、Rhコンタクト電極15の表面中央部に無電解めっきによって約12μm厚の格子形状に応じた四角形状に形成されており、フラッシュめっきによって表面に設けられるAu層17を超音波併用熱圧着実装に基づいて外部の回路パタ−ン等に融着接合する際に漬れることなく、かつ、LED素子1が傾くことなく実装されるように設けられている。
なお、Ni層16については、上記した四角形状に限定されるものではなく、例えば、円形状に形成することも可能である。また、超音波併用熱圧着に対してAu層17の支持層としての適度な硬さを有するものであれば良く、例えば、AgやCu等の金属材料で形成しても良い。
(LED素子1の製造方法)
このようなLED素子1は、以下の方法により製造される。まず、サファイア基板10上にGaN系半導体材料を結晶成長させてGaN系半導体層100を形成する。次に、ドライエッチングによってGaN系半導体層100の表面に格子状のV溝101Aを形成するとともにn側電極102の形成領域となるn−GaN層11の露出部を形成する次に、n−GaN層11の露出部にAlコンタクト電極14を蒸着形成する。次に、V溝101A部分とp側電極101形成領域の周囲にSiO2膜101Bを設ける。このとき、SiO2膜101Bの一部がAlコンタクト電極14を覆うようにする。次に、V溝101Aを含むp−GaN層13上にRhコンタクト電極15を形成する。このとき、Rhコンタクト電極15がエッジ部分のSiO2膜101Bを覆うようにする。次に、Rhコンタクト電極15上に厚膜のNi層16を島状に設ける。次に、p側電極101の形成領域とn側電極102の形成領域とをそれぞれ覆うようにAu層17を設ける。
このようなLED素子1は、以下の方法により製造される。まず、サファイア基板10上にGaN系半導体材料を結晶成長させてGaN系半導体層100を形成する。次に、ドライエッチングによってGaN系半導体層100の表面に格子状のV溝101Aを形成するとともにn側電極102の形成領域となるn−GaN層11の露出部を形成する次に、n−GaN層11の露出部にAlコンタクト電極14を蒸着形成する。次に、V溝101A部分とp側電極101形成領域の周囲にSiO2膜101Bを設ける。このとき、SiO2膜101Bの一部がAlコンタクト電極14を覆うようにする。次に、V溝101Aを含むp−GaN層13上にRhコンタクト電極15を形成する。このとき、Rhコンタクト電極15がエッジ部分のSiO2膜101Bを覆うようにする。次に、Rhコンタクト電極15上に厚膜のNi層16を島状に設ける。次に、p側電極101の形成領域とn側電極102の形成領域とをそれぞれ覆うようにAu層17を設ける。
(LED素子1の動作)
発光層12は、n−GaN層11とp−GaN層13とを介して通電されることにより発光して青色光を放射する。発光層12からサファイア基板10側に放射された青色
光はサファイア基板10との臨界角の範囲にあるときサファイア基板10を透過して外部放射される。
発光層12は、n−GaN層11とp−GaN層13とを介して通電されることにより発光して青色光を放射する。発光層12からサファイア基板10側に放射された青色
光はサファイア基板10との臨界角の範囲にあるときサファイア基板10を透過して外部放射される。
また、発光層12からRhコンタクト電極15側に放射された青色光はRhコンタクト電極15で反射され、サファイア基板10との臨界角の範囲にあるときサファイア基板10を透過して外部放射される。
また、発光層12から層方向に放射された青色光は、V溝101AおよびSiO2膜101Bによってサファイア基板10側に反射されることにより外部放射される。
(第1の実施の形態の効果)
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)Rhコンタクト電極15を設けたp側電極101に格子状にV溝101Aを設け、GaN系半導体層100内を伝搬する青色光を短い距離でLED素子1の外部に取り出せるようにしたので、GaN系半導体層100内を層方向に伝搬する青色光が減衰する以前に速やかに外部放射させることができる。なお、GaN系半導体100で発する光のうち、全方向に対し70%を占める方向へ放射される光は、層方向に伝搬する光となる。これは、GaNに対してサファイアの屈折率が小であることによる。このため、3μmのV溝形成と絶縁反射面とによってGaN系半導体層100からの光取り出し性を向上させることができる。また、p側電極のエッジ部分が45°の傾斜角を有して形成されており、かつ、SiO2膜101BおよびRhコンタクト電極15による絶縁反射面を有しているので、p側電極のエッジ部分から横方向に漏れていた光についてもサファイア基板10側に取り出すことができ、光取り出し効率を向上させることができる。
上記した第1の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
(1)Rhコンタクト電極15を設けたp側電極101に格子状にV溝101Aを設け、GaN系半導体層100内を伝搬する青色光を短い距離でLED素子1の外部に取り出せるようにしたので、GaN系半導体層100内を層方向に伝搬する青色光が減衰する以前に速やかに外部放射させることができる。なお、GaN系半導体100で発する光のうち、全方向に対し70%を占める方向へ放射される光は、層方向に伝搬する光となる。これは、GaNに対してサファイアの屈折率が小であることによる。このため、3μmのV溝形成と絶縁反射面とによってGaN系半導体層100からの光取り出し性を向上させることができる。また、p側電極のエッジ部分が45°の傾斜角を有して形成されており、かつ、SiO2膜101BおよびRhコンタクト電極15による絶縁反射面を有しているので、p側電極のエッジ部分から横方向に漏れていた光についてもサファイア基板10側に取り出すことができ、光取り出し効率を向上させることができる。
(2)V溝101Aの形成部分にV溝101Aより大なる幅でSiO2膜101Bを設けているので、溝加工によるn−GaN層11とp−GaN層13のダメ−ジ領域(加工法にもよるが、1μm程度)をマスクでき、pn間の漏れ電流を防止できる。また、発光層12を突き抜けるV溝101Aを形成しても、pn間はSiO2膜101Bによって絶縁されているのでn−GaN層11とp−GaN層13との間で短絡が生じることを防ぐことができる。このことにより発光効率の低下を生じることなく信頼性の向上を図ることができる。また、絶縁反射面への入射角によってはSiO2膜101Bでの全反射に基づいて青色光を外部放射させることもできる。
(3)V溝101Aを格子状に設けられたp−GaN層13に連続的にRhコンタクト電極15を形成できるので、複雑な工程を要することなく量産性に優れる。また、連続的なRhコンタクト電極15を形成できることにより、p−GaN層13に対する均一な電流拡散性が得られる。
(4)p側電極101のV溝101Aを覆うSiO2膜101Bを除く部分に厚膜状のNi層16を設けているので、超音波併用熱圧着による外部回路へのLED素子1のフリップ実装時に溶融したAu層17がGaN系半導体層100を圧迫することがない。このため、V溝形成と絶縁反射面の構造として光取り出し効率の向上を図るとともに、V溝101AのSiO2膜101Bにダメ−ジが及ぶことによる短絡の発生を防いで信頼性に優れるLED素子1を提供できる。このLED素子1の実装時には、Auスタッドパンプを設ける必要はなく、厚膜状にめっき形成したNi層16とAu層17がAuスタッドパンプに代わる。このため、実装工程を減らすことができ、量産性が向上する。また、LED素子1と回路パターンとの接着面積が大になるので放熱性の向上も図れる。
なお、第1の実施の形態では、絶縁反射面をSiO2膜101Bで形成した構成を説明したが、例えば、SiO2とTiO2の多層反射面を形成しても良い。このような多層反射面によれば、入射する青色光を2層の光干渉作用に基づいて反射させることができ、Rh単独で反射させるよりも高い反射率が得られることから、光取り出し効率をより高めることができる。そのため、p側電極101のエッジ部分ではRh層を不要にできる。
また、第1の実施の形態では、下地基板として絶縁性のサファイア基板10を用いた構成を説明したが、例えば、レーザ照射でサファイア基板10を除去したものでも良い。導電性基板としてSiC基板上にGaN系半導体層100を結晶成長させたLED素子1で、SiC基板の底面にn側電極を設けたものであっても良い。但し、この場合にはGaNとサファイアとの屈折率差のような差は無いので、光取り出し性を高めるには発光領域のサイズをより小にすることが望ましい。また、LED素子1の発光色についても青色に限定されず、他の色であっても良い。
図3は、図2に示すLED素子の他の構成を示す断面図である。図示するようにGaN系半導体層100側上にRhコンタクト電極15−SiO2膜101B−反射膜としてのAl層14B−Ni層16−Au層17の順に膜形成されたものであっても良い。
(第2の実施の形態)
図4は、本発明の第2の実施の形態に係るLED素子の平面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については同一の符号を付している。
図4は、本発明の第2の実施の形態に係るLED素子の平面図である。以下の説明において、第1の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については同一の符号を付している。
このLED素子1は、素子中央部に円形状のAlコンタクト電極14と、Alコンタクト電極14の表面を覆うAu層17からなるn側電極102と、その周囲に六角形状パタ−ンでV溝101Aを形成されたp側電極101を有する構成において第1の実施の形態と相違している。
(第2の実施の形態の効果)
上記した第2の実施の形態によると、n側電極102を素子中央部に配置し、その周囲に六角形状パタ−ンでV溝101Aを形成されたp側電極101を設けているので、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて電流拡散性が向上し、発光効率を向上させることができる。また、六角形状パタ−ンに形成されたV溝101Aによって層方向に伝搬する青色光の反射性が向上し、光取り出し性を高めることができる。また、六角形状に形成することで発光領域を細分化できるとともに、発光領域全体に対する溝加工によってn−GaN層11とp−GaN層13とが受けるダメージの比を小にすることで、分割された発光領域の総和面積を確保することができる。
上記した第2の実施の形態によると、n側電極102を素子中央部に配置し、その周囲に六角形状パタ−ンでV溝101Aを形成されたp側電極101を設けているので、第1の実施の形態の好ましい効果に加えて電流拡散性が向上し、発光効率を向上させることができる。また、六角形状パタ−ンに形成されたV溝101Aによって層方向に伝搬する青色光の反射性が向上し、光取り出し性を高めることができる。また、六角形状に形成することで発光領域を細分化できるとともに、発光領域全体に対する溝加工によってn−GaN層11とp−GaN層13とが受けるダメージの比を小にすることで、分割された発光領域の総和面積を確保することができる。
(第3の実施の形態)
図5は、本発明の第3の実施の形態に係るLED素子の平面図である。
このLED素子1は、第2の実施の形態で説明したLED素子1のp側電極101に設けられる六角形状パタ−ンを部分的に形成したものである。すなわち、六角形状パタ−ン同士の交点およびその周囲についてパタ−ン形成したものである。
図5は、本発明の第3の実施の形態に係るLED素子の平面図である。
このLED素子1は、第2の実施の形態で説明したLED素子1のp側電極101に設けられる六角形状パタ−ンを部分的に形成したものである。すなわち、六角形状パタ−ン同士の交点およびその周囲についてパタ−ン形成したものである。
(第3の実施の形態の効果)
上記した第3の実施の形態によると、第2の実施の形態の好ましい効果に加えて、溝加工に伴いGaN系半導体層100に与えるダメ−ジを小にすることができ、層方向に伝搬する青色光の光取り出し性を低下させることなく発光効率および光取り出し性の向上を実現できる。
上記した第3の実施の形態によると、第2の実施の形態の好ましい効果に加えて、溝加工に伴いGaN系半導体層100に与えるダメ−ジを小にすることができ、層方向に伝搬する青色光の光取り出し性を低下させることなく発光効率および光取り出し性の向上を実現できる。
(第4の実施の形態)
図6は、本発明の第4の実施の形態に係るLED素子であり、(a)はLED素子の平面図、(b)はLED素子のV溝部分における部分断面図である。
図6は、本発明の第4の実施の形態に係るLED素子であり、(a)はLED素子の平面図、(b)はLED素子のV溝部分における部分断面図である。
このLED素子1は、第2の実施の形態で説明したLED素子1のn側電極102を六角形状に分割し、かつ、n側コンタクト電極をAlに変えてTiとし、Tiコンタクト電極14からV溝101Aに沿って六方向に放射状に電流拡散電極としてのn側電極102を設けた構成を有する点で第2の実施の形態と相違している。なお、TiとAu層との間にはPt層(図示せず)を有している。
p側電極101は、V溝101Aで分割された発光領域が菱形状に形成されており、各発光領域は、隣接する辺が60゜あるいは120゜で設けられている。また、発光層12の直上に設けられる菱形状の各部分には第1の実施の形態で説明したようにNi層が設けられるが不図示としている。
(第4の実施の形態の効果)
上記した第4の実施の形態によると、菱形状に形成された発光領域によって発光層12で生じた青色光が外部放射されずに閉込モ−ド光になることなく外部放射され易くなる。一度、V溝101Aに入射して外部放射されなかった光が、対向する面方向が60゜異なるV溝に入射する際に、外部放射され易い角度での入射となるためである。また、中央のn側電極102から更に放射状に伸延したn側電極102を設けているので、電流拡散性が向上し、発光効率の向上を実現することができる。
上記した第4の実施の形態によると、菱形状に形成された発光領域によって発光層12で生じた青色光が外部放射されずに閉込モ−ド光になることなく外部放射され易くなる。一度、V溝101Aに入射して外部放射されなかった光が、対向する面方向が60゜異なるV溝に入射する際に、外部放射され易い角度での入射となるためである。また、中央のn側電極102から更に放射状に伸延したn側電極102を設けているので、電流拡散性が向上し、発光効率の向上を実現することができる。
特に、絶縁性のサファイア基板10上に形成したGaN系半導体層100では、数μm厚のn−GaN層11によって電流拡散する必要がある。このため、電流拡散電極は特に有効である。一方で、電流拡散電極のみを形成する場合でも、V溝形成同様にn−GaN層11の露出加工等による発光領域面積減少が生じる。これに対し、V溝形成とともに電流拡散電極を形成すれば、n−GaN層11の露出加工によるダメージ領域やマスク位置精度のマージン領域は共有することができ、発光面積の確保はいすれかを行ったものと略同等とできる。そして、光取り出し効果と電流拡散効果の両方を実現することができる。
(第5の実施の形態)
図7は、本発明の第5の実施の形態に係るLED素子の平面図である。
図7は、本発明の第5の実施の形態に係るLED素子の平面図である。
このLED素子1は、第1の実施の形態で説明したLED素子1のV溝101Aに位置するように電流拡散電極としてのn側電極102を設けた構成を有する点で第4の実施の形態と相違している。なお、第5の実施の形態では、n側電極102の配置を図示するために第1の実施の形態で図示した発光層については図示省略するが、発光層は第1の実施の形態と同様に構成されている。
n側電極102は、n側電極102のTiコンタクト電極14に接続されており、V溝101Aにより四角状に形成されるp側電極101の個々の発光領域を囲み、図6(b)と同様にV溝101A底部のn−GaN層11に形成されている。
(第5の実施の形態の効果)
上記した第5の実施の形態によると、第4の実施の形態で説明したn側電極102による好ましい効果に加えて、p側電極101の各発光領域に対して、その周囲のV溝101Aに形成された電流拡散用のn側電極102から電流が供給されることにより、電流拡散性がより向上し、高発光効率、高出力のLED素子1が得られる。すなわち、光出力と発光層での電流密度には相関があるが、所定の電流密度以上では光出力は飽和する。このため発光層での電流密度むら、発光むら、LED素子の発光出力−通電電流特性に影響し、均一な電流拡散を行える程、所定通電電流においてに限らず光量飽和電流値が高まることで、投入電流を大にできるため、高光出力を得ることができる。
上記した第5の実施の形態によると、第4の実施の形態で説明したn側電極102による好ましい効果に加えて、p側電極101の各発光領域に対して、その周囲のV溝101Aに形成された電流拡散用のn側電極102から電流が供給されることにより、電流拡散性がより向上し、高発光効率、高出力のLED素子1が得られる。すなわち、光出力と発光層での電流密度には相関があるが、所定の電流密度以上では光出力は飽和する。このため発光層での電流密度むら、発光むら、LED素子の発光出力−通電電流特性に影響し、均一な電流拡散を行える程、所定通電電流においてに限らず光量飽和電流値が高まることで、投入電流を大にできるため、高光出力を得ることができる。
絶縁性のサファイア基板10上に形成したGaN系半導体層100では、数μm厚のn−GaN層11によって電流拡散する必要がある。第1の実施の形態では、n側電極102から発光層12までの最短距離に対する最長距離の比は約200である。これに対し、第4の実施の形態では約20である。更に第5の実施の形態では約10となり、かつ、n側電極102から発光層12までの距離分布を距離の近いエリアほど高いものとしてある。これにより、高い電流拡散性を得ることができるものとしてある。
厳密には、電流経路における距離比ではなく、抵抗比に拡散度が依存することから、発光層12付近のn層の抵抗値を大にし、それ以外のn層の抵抗値を小にすることでも電流拡散度を高めることができる。しかし、これとは別要因として距離比を従来の10分の1以下にすることで電流拡散度を高めることができる。そして、電流拡散電極を設けるだけでは発光面積を減ずることになるが、V溝を併用することで光取り出し性が高まり、発光効率の向上と発光出力−通電電流特性改善による光出力の向上をV溝形成時と同等の発光面積として具現化できる。
また、V溝101AのSiO2膜101Bに実装時のダメージが加わらないLED素子1の電極構成としてあることは、上記の実施の形態同様であり、電流拡散用のn側電極102が形成されていても、LED素子1の実装に際して不具合を生じることはない。
そしてさらに、第1の実施の形態で説明した厚膜のNi層による実装電極は、大きさ形状に自由度があるため、n側電極102のパッド部面積を電流拡散電極の面積分、第1の実施の形態のn側電極面積から差し引いたものとしても、n−GaN層へのコンタクト性を低下させることはない。そしてその分、発光面積を増やすことができる。
なお、n側コンタクト電極として、第1の実施の形態のAlに代えてTiとすることで高電流通電によるマイグレーションの発生を抑えることができる。
(第6の実施の形態)
図8は、本発明の第6の実施の形態に係るLED素子の平面図であり、(a)はLED素子の平面図、(b)はLED素子の発光領域となるp側電極の部分拡大図である。
図8は、本発明の第6の実施の形態に係るLED素子の平面図であり、(a)はLED素子の平面図、(b)はLED素子の発光領域となるp側電極の部分拡大図である。
このLED素子1は、(b)に示すように第2の実施の形態で説明した、素子中央にn側電極102を有するLED素子1のp側電極101に正三角形状の発光領域101Cが形成されるようにV溝101Aを設け、更にV溝101Aに位置するように電流拡散用のn側電極102を形成した点において第2の実施の形態と相違している。
発光領域101Cは、1辺のサイズが25μmの正三角形状となるようにV溝101Aが形成されており、V溝101Aの周囲は前述したようにSiO2膜101Bで覆われてpn間の短絡を防止している。また、発光層12の直上に設けられる正三角形状の各部分には第1の実施の形態で説明したようにNi層が設けられるが不図示としている。
(第6の実施の形態の効果)
上記した第6の実施の形態によると、微細な正三角形状の発光領域101Cを設けることによっても第4の実施の形態と同様に発光層12で生じた光が外部放射されずに閉込モ−ド光になることなく外部放射され易くなる。また、発光領域101Cを微細化できるので層方向に伝搬する距離を短くでき、光取り出し効率を高めることができる。また、発光領域101Cを微細化するに伴ってV溝101Aの本数も増大し、GaN系半導体層100に与えるダメ−ジも大になるが、ダメ−ジ部分のpn間の絶縁はSiO2膜101Bによって確保されるので、漏れ電流による発光効率低下は生じない。また、V溝101Aに位置するように設けられたn側電極102から発光領域101Cに電流が供給され、この際、V溝形成のダメージ部分はSiO2膜101Bによって絶縁されており、特に発光領域が微細なため、n側拡散用電極から発光領域の最短距離:最長距離の比がさらに小さくなり、電流拡散性が向上し、発光むらが小になり、内部量子効率が高まることによって発光効率が向上する。
上記した第6の実施の形態によると、微細な正三角形状の発光領域101Cを設けることによっても第4の実施の形態と同様に発光層12で生じた光が外部放射されずに閉込モ−ド光になることなく外部放射され易くなる。また、発光領域101Cを微細化できるので層方向に伝搬する距離を短くでき、光取り出し効率を高めることができる。また、発光領域101Cを微細化するに伴ってV溝101Aの本数も増大し、GaN系半導体層100に与えるダメ−ジも大になるが、ダメ−ジ部分のpn間の絶縁はSiO2膜101Bによって確保されるので、漏れ電流による発光効率低下は生じない。また、V溝101Aに位置するように設けられたn側電極102から発光領域101Cに電流が供給され、この際、V溝形成のダメージ部分はSiO2膜101Bによって絶縁されており、特に発光領域が微細なため、n側拡散用電極から発光領域の最短距離:最長距離の比がさらに小さくなり、電流拡散性が向上し、発光むらが小になり、内部量子効率が高まることによって発光効率が向上する。
(第7の実施の形態)
図9は、本発明の第7の実施の形態に係るフェイスアップ型のLED素子であり、(a)はLED素子の平面図、(b)は部分断面図である。
図9は、本発明の第7の実施の形態に係るフェイスアップ型のLED素子であり、(a)はLED素子の平面図、(b)は部分断面図である。
このLED素子1は、光取り出し面に設けられる光透過性電流拡散層としてのITO(Indium Tin 0xide)18と、ITO18上に設けられるワイヤ接続用のp側電極101と、素子表面からn−GaN層にかけて除去されたn−GaN層11上に設けられるn側電極102とを有し、光取り出し面となる素子表面のITO18からn−GaN層11にかけて垂直溝101Dを形成し、(b)に示すように垂直溝101Dに位置するように電流拡散用のn側電極102を形成している。ITO18にはp側電極101が設けられる。垂直溝101Dは、LED素子1の表面に長短の溝を直交方向に組み合わせて形成されており、電流拡散突起14Aはn側電極102に電気的に接続されている。SiO2膜101Bはスパッタ蒸着によって形成されている。
(第7の実施の形態の効果)
上記した第7の実施の形態によると、フェイスアップ型のLED素子1の場合には、第1から第6の実施の形態で説明したV溝に代えて、断面矩形状の垂直溝101Dを設けることが光学設計上望ましい。LED素子1内を層方向に伝搬する青色光が減衰する前に外部放射させることができる。第7の実施の形態においても光取り出し溝と電流拡散用のn側電極102とを併用することで光取り出し効率の向上と溝形成における発光面積低減を共有し、発光面積を確保することで電流拡散度を向上させ、発光効率と光出力との向上を図ることができる。一方。溝形成面は実装面とはならないので、溝に対する実装時のダメージを構造的に回避することができる。なお、垂直溝101Dのパターンについては、上記したものに限定されず、種々の変形が可能である。また、垂直溝は、光取り出し効率と発光面積を狭くしない、さらには良好な絶縁膜形成のために10°ないしは30°の傾斜の略垂直溝とすることが望ましい。
上記した第7の実施の形態によると、フェイスアップ型のLED素子1の場合には、第1から第6の実施の形態で説明したV溝に代えて、断面矩形状の垂直溝101Dを設けることが光学設計上望ましい。LED素子1内を層方向に伝搬する青色光が減衰する前に外部放射させることができる。第7の実施の形態においても光取り出し溝と電流拡散用のn側電極102とを併用することで光取り出し効率の向上と溝形成における発光面積低減を共有し、発光面積を確保することで電流拡散度を向上させ、発光効率と光出力との向上を図ることができる。一方。溝形成面は実装面とはならないので、溝に対する実装時のダメージを構造的に回避することができる。なお、垂直溝101Dのパターンについては、上記したものに限定されず、種々の変形が可能である。また、垂直溝は、光取り出し効率と発光面積を狭くしない、さらには良好な絶縁膜形成のために10°ないしは30°の傾斜の略垂直溝とすることが望ましい。
また、SiO2(屈折率1.5)膜101Bに代えてSiN(屈折率1.8)膜101Eを絶縁膜として用いる構成としても良い。この場合にはpn間の絶縁を図るとともに発光層12を横方向に伝播する青色光の光取り出し性が向上し、光取り出し面から外部放射させる青色光を増大させることができる。
1…LED素子、10…サファイア基板、11…n−GaN層、12…発光層、13…p−GaN層、14…コンタクト電極、14A…電流拡散突起、15…Rhコンタクト電極、16…Ni層、17…Au層、100…GaN系半導体層、101…p側電極、101A…V溝、101B‥・SiO2膜、101C…発光領域、101D…垂直溝、101E…SiN膜、102…n側電極
Claims (9)
- 半導体層の表面から、対極の層に至って形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝におけるpn間の絶縁性を確保する絶縁部と、前記光取り出し溝の領域を除く発光領域に位置して設けられた実装用電極とを有することを特徴とする発光素子。
- 半導体層の表面から、対極の層に至って30度から70度の傾斜面を有して形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝におけるpn間の絶縁性を確保するとともに光反射性を有する絶縁部と、前記光取り出し溝の領域を除く発光領域に位置して厚膜状に形成された実装用電極とを有し、前記半導体層側を実装面することを特徴とする発光素子。
- 前記光取り出し溝は、前記半導体層の表面とは対極の電流拡散用電極を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
- 半導体層の表面から、対極の層に至って形成される光取り出し溝によって分割された発光領域と、前記光取り出し溝に前記半導体層の表面とは対極の電流拡散用電極とを有することを特徴とする発光素子。
- 前記半導体層は、基板上に形成され、前記基板は前記半導体層に対して低屈折率の絶縁性材料で形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記電流拡散用電極は、前記発光層の所定位置から前記電流拡散用電極までの最短距離と、前記電流拡散用電極までの最長距離との比が25以下となるパターンで形成されることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の発光素子。
- 前記電流拡散用電極は、前記発光層の各位置から前記電流拡散用電極までの最長距離が75ミクロン以下となるパターンで形成されることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
- 前記電流拡散用電極は、前記発光層の各位置から前記電流拡散用電極までの最短距離の平均値が、前記電流拡散用電極から前記発光層までの最短距離と最長距離の中間値以下となるパターンで形成されることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
- 前記発光層は、前記光取り出し溝によって複数の領域に分割され、その周囲が電流拡散用電極によって囲まれていることを特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載の発光素子。
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