JP2006195325A - ビーム整形光学装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 長軸用レンズアレイ31は、ビームをYZ面内で複数に分割する。長軸用コンデンサレンズ32及び長軸用エキスパンダ33が、長軸用レンズアレイ31で分割された複数の分割ビームをYZ面内に関し被照射面50上で重ね合せると共に、各分割ビームのYZ面内での広がり角が、長軸用レンズアレイ31を通過した直後の対応する分割ビームの広がり角よりも小さくなる広がり角低減区間T1及びT2を画定する。短軸用集束光学器42は、広がり角低減区間T1に配置され、複数の分割ビームをXZ面内に関し集束させる。短軸用結像光学器44は、広がり角低減区間T1及びT2に配置され、中間面43のビーム断面をXZ面内に関し被照射面50に結像させる。
【選択図】 図1
Description
図1は、実施例によるビーム整形光学装置の断面図である。レーザビームの進行方向をZ方向とするXYZ直交座標系を考える。図1(A)はYZ面(長軸面)に平行な断面図であり、図1(B)はXZ面(短軸面)に平行な断面図である。
第3段目長軸用コンデンサレンズ332は、第2段目長軸用コンデンサレンズ331によって発散された各分割ビームの長軸面内に関する広がり角を再度低減する。この結果、第3段目長軸用コンデンサレンズ332から被照射面50までの間に、各分割ビームの長軸面内に関する広がり角の絶対値が、長軸用レンズアレイ31から第1段目長軸用コンデンサレンズ32までの区間における対応する分割ビームの長軸面内に関する広がり角の絶対値よりも小さくなるような、長軸面内に関する第2の広がり角低減区間T2が画定される。
短軸用レンズアレイ41は、各々柱面の母線がY軸に平行な複数個(例えば3個)の凸シリンドリカルレンズをコバ面同士を接触させてX軸方向に配列した構造を有する。短軸用レンズアレイ41は、長軸用レンズアレイ31を通過したビームを、短軸面内に関して、複数(例えば3本)に分割する。
図2(B)〜(D)に、それぞれ長軸方向に関して中央の位置P0、中央から50mmの位置P1、及び中央から100mmの位置P2における短軸方向の光強度分布を示す。各グラフの横軸は、短軸方向の位置を、ビーム断面の短軸方向中央からの距離として単位「mm」で表す。縦軸は、光強度を相対目盛で表す。P0、P1、及びP2のいずれの位置においても、ほぼ同一形状の光強度分布が得られている。また、上述したように、短軸用結像光学器44の結像性能が長軸用レンズアレイ31の製造誤差の影響を受けにくくなるように構成したことが貢献して、位置P0、P1、及びP2において端部が急峻な光強度分布が得られている。
31 長軸用レンズアレイ
32 第1段目長軸用コンデンサレンズ(長軸用コンデンサレンズ)
33 長軸用エキスパンダ
331 第2段目長軸用コンデンサレンズ
332 第3段目長軸用コンデンサレンズ
41 短軸用レンズアレイ
42 短軸用集束レンズ(短軸用集束光学器)
43 短軸用マスク
44 短軸用結像光学器
441 第1段目短軸用結像レンズ(第1段目短軸用結像光学器)
442 第2段目短軸用結像レンズ(第2段目短軸用結像光学器)
50 被照射面
S2 中間ホモジナイズ面(中間面)
T1、T2 長軸面内に関する広がり角低減区間
T3 短軸面内に関する広がり角低減区間
73 基板(被照射物)
74 保持台(保持装置)
Claims (8)
- レーザビームをそのビーム断面が被照射面において一方向に長い形状となるように整形するビーム整形光学装置であって、
自己に入射するレーザビームを、前記被照射面におけるビーム断面の長軸方向に対応する方向とビームの進行方向とに平行な長軸面内に関して、複数のビームに分割する長軸用レンズアレイと、
前記長軸用レンズアレイによって分割されて得られた複数の分割ビームが入射し、入射した複数の分割ビームを前記長軸面内に関して前記被照射面上で重ね合せる長軸用重ね合わせ光学器であって、前記被照射面に至る前記複数の分割ビームの経路内に、各分割ビームの長軸面内に関する広がり角の絶対値が、前記長軸用レンズアレイからこの長軸用重ね合わせ光学器までの間における対応する分割ビームの長軸面内に関する広がり角の絶対値よりも小さくなるような、長軸面内に関する広がり角低減区間を画定した長軸用重ね合わせ光学器と、
前記長軸面内に関する広がり角低減区間に配置された光学素子によって構成され、自己に入射する前記複数の分割ビームを、前記被照射面におけるビーム断面の短軸方向に対応する方向とビームの進行方向とに平行な短軸面内に関して集束させる短軸用集束光学器と、
前記長軸面内に関する広がり角低減区間に配置された光学素子によって構成され、前記短軸用集束光学器によって前記短軸面内に関して集束された前記複数の分割ビームが入射する短軸用結像光学器であって、前記短軸用集束光学器と自己との間のビーム経路内に画定される仮想的な中間面におけるビーム断面を、前記短軸面内に関して前記被照射面に結像させる短軸用結像光学器と
を備えたビーム整形光学装置。 - 前記長軸用重ね合わせ光学器が、
前記長軸用レンズアレイによって分割された複数の分割ビームの各々の前記長軸面内に関する広がり角の絶対値を低減する長軸用コンデンサレンズと、
前記長軸用コンデンサレンズを通過した前記複数の分割ビームの各々を前記長軸面内に関して長尺化する長軸用エキスパンダとを含み、
前記長軸用コンデンサレンズから前記長軸用エキスパンダまでの間、及び前記長軸用エキスパンダから前記被照射面までの間に、それぞれ前記長軸面内に関する広がり角低減区間を画定している請求項1に記載のビーム整形光学装置。 - 前記長軸用コンデンサレンズから前記長軸用エキスパンダまでの、前記長軸面内に関する広がり角低減区間で、前記分割ビームの各々が、前記長軸面内に関して実質的に平行光線束となるように、前記長軸用レンズアレイと前記長軸用コンデンサレンズとが構成されている請求項2に記載のビーム整形光学装置。
- 前記短軸用結像光学器が、
前記長軸用コンデンサレンズから前記長軸用エキスパンダまでの、前記長軸面内に関する広がり角低減区間に配置された第1段目短軸用結像光学器と、
前記長軸用エキスパンダから前記被照射面までの、前記長軸面内に関する広がり角低減区間に配置された第2段目短軸用結像光学器とを含み、
前記第1段目短軸用結像光学器から第2段目短軸用結像光学器までの区間に、ビームの短軸面内に関する広がり角の絶対値が、前記短軸用集束光学器から前記被照射面までの間の残余の区間におけるビームの短軸面内に関する広がり角の絶対値よりも小さくなるような、短軸面内に関する広がり角低減区間を画定している請求項2又は3に記載のビーム整形光学装置。 - 第1段目短軸用結像光学器が、前側焦点が前記中間面の位置に一致するように配置された凸シリンドリルレンズによって構成されている請求項4に記載のビーム整形光学装置。
- さらに、前記中間面の位置に配置され、前記短軸用集束光学器によって集束されたビームの、前記短軸方向に関する強度分布の裾野の部分を遮光する短軸用マスクを備えた請求項1〜5のいずれかに記載のビーム整形光学装置。
- さらに、前記長軸用レンズアレイと前記短軸用集束光学器との間のビーム経路上に配置され、前記長軸用レンズアレイを通過したビームを前記短軸面内に関して複数のビームに分割する短軸用レンズアレイを備え、
前記短軸用集束光学器が、前記短軸用レンズアレイによって分割されて得られた複数のビームを前記短軸面内に関して前記中間面上で重ね合せる請求項1〜6のいずれかに記載のビーム整形光学装置。 - さらに、
前記長軸用レンズアレイにレーザビームを入射させる光源と、
前記被照射面の位置に被照射物を保持する保持装置と
を備えた請求項1〜7のいずれかに記載のビーム整形光学装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010286434A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Brother Ind Ltd | 動的面形状測定装置および動的面形状測定方法 |
EP2641688A1 (en) | 2012-03-21 | 2013-09-25 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001075043A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 精密可変型長尺ビーム光学系 |
JP2003066368A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 |
JP2005338735A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ビーム整形光学装置及びアナモルフィック光学系 |
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- 2005-01-17 JP JP2005008759A patent/JP4665241B2/ja active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001075043A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 精密可変型長尺ビーム光学系 |
JP2003066368A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法 |
JP2005338735A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ビーム整形光学装置及びアナモルフィック光学系 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010286434A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Brother Ind Ltd | 動的面形状測定装置および動的面形状測定方法 |
EP2641688A1 (en) | 2012-03-21 | 2013-09-25 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing method |
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