JP2006157627A - 固体撮像モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 固体撮像素子に電圧の供給を行う半導体基板上に形成される固体撮像モジュールは、入力バイアス電圧に応じて所定のオーバーフロードレイン電位信号を生成する電位生成回路と、前記所定のオーバーフロードレイン電位信号を、第1の入力制御信号により出力端子へオン・オフさせるための第1のスイッチ手段とを有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、固体撮像モジュールに関し、特にオーバーフロードレイン制御回路を備えたCCD駆動回路を用いた固体撮像モジュールに関する。
固体撮像素子(CCDエリアセンサ)には、2次元平面上に行及び列方向に多数の光電変換素子(フォトダイオード)が形成されており、照射される光量に応じて各フォトダイオードに電荷が蓄積される。各フォトダイオードに蓄積できる最大電荷量(飽和光量)は決まっており、飽和光量以上の光が入射すると信号電荷が溢れて隣接する垂直転送路に余剰電荷が流れ込むことがある。この場合、垂直方向に電荷が広がり、垂直の縞模様となり画質を劣化させるいわゆるブルーミング現象が起こる。
Claims (12)
- 固体撮像素子に電圧の供給を行う半導体基板上に形成される固体撮像モジュールであって、
入力バイアス電圧に応じて所定のオーバーフロードレイン電位信号を生成する電位生成回路と、
前記所定のオーバーフロードレイン電位信号を、第1の入力制御信号により出力端子へオン・オフさせるための第1のスイッチ手段と
を有する固体撮像モジュール。 - 前記スイッチ手段は、第1及び第2のPMOSトランジスタと、第1及び第2のNMOSトランジスタと、第1のレベルシフト回路とを有し、
前記出力端子を前記第1及び第2のPMOSトランジスタのソース及びバルクと、前記第1のNMOSトランジスタのソースに接続し、前記所定のオーバーフロードレイン電位信号を前記第1のPMOSトランジスタのドレイン及び前記第1のNMOSトランジスタのドレインに接続し、前記第2のPMOSトランジスタのドレインを前記第2のNMOSトランジスタのドレイン及び前記第1のPMOSトランジスタのゲートに接続し、前記第2のPMOS及び前記第2のNMOSトランジスタのゲートは前記第1のNMOSトランジスタのゲートと同電位となる第1の制御信号に接続し、前記第1のNMOSトランジスタのバルク及び前記第2のNMOSトランジスタのソース及びバルクを接地電位とし、前記第1の制御信号を前記第1の入力制御信号のハイ/ロー・レベルに応じて第1のレベルシフト回路により第1の電源電位或いは接地電位に電位変換することを特徴とする請求項1記載の固体撮像モジュール。 - 前記スイッチ手段は、前記出力端子をソースに接続し、前記所定のオーバーフロードレイン電位信号をドレインに接続し、バルクは接地電位とし、ゲートを第2の制御信号と接続した第3のNMOSトランジスタと、
前記第2の制御信号を前記第1の入力制御信号のハイ/ロー・レベルに応じて第2の電源電位或いは接地電位に電位変換する第2のレベルシフト回路と、
前記第2の電源電位を前記第1の電源電位を昇圧する昇圧回路とを有する請求項1記載の固体撮像モジュール。 - 前記電位生成回路は、前記出力端子と接地電位との間に第2のスイッチ手段を有し、
前記第2のスイッチ手段は、第2の入力制御信号によりオン・オフすることを特徴とする請求項1記載の固体撮像モジュール。 - 前記第2のスイッチ手段は、前記出力端子をドレインに接続し、ソース及びバルクは接地電位とし、ゲートを第3の制御信号と接続した第4のNMOSトランジスタを有し、
前記第3の制御信号は前記第2の入力制御信号のハイ/ロー・レベルに応じて第3の電源電位或いは接地電位に電位変換され、
前記第3の電源電位は第3のレベルシフト回路により前記第1或いは前記第2或いはそれ以外の電源電位となることを特徴とする請求項4記載の固体撮像モジュール。 - 前記電位生成回路は、前記第1のスイッチ手段がオフの期間は非動作となる請求項1記載の固体撮像モジュール。
- 前記電位生成回路は、前記第2のスイッチ手段がオンの期間は非動作となる請求項4記載の固体撮像モジュール。
- 前記電位生成回路は、前記入力バイアス電圧を第1の入力とし、前記オーバーフロードレイン電位信号を出力及び第2の入力とするMOSトランジスタにより第1のアンプを構成する請求項1記載の固体撮像モジュール。
- 前記電位生成回路は、前記第1のアンプにおいて前記出力となるオーバーフロードレイン電位信号と前記第2の入力の間に第1の抵抗を設け、前記第2の入力と接地間に一定電流を選択信号により渡すことが可能な電流セルを複数設け、複数の第1のビットラインをエンコードして前記選択信号に接続させ、前記第1のビットラインの設定に応じて所定数の電流セルが選択されオンすることを特徴とする請求項8記載の固体撮像モジュール。
- 前記電位生成回路は、MOSトランジスタで構成される第2のアンプ及びミラーアンプで構成され、
前記第2のアンプの第1の入力を前記入力バイアス電圧と接続し、第2の入力を前記ミラーアンプの第1の出力と接続し、出力を前記ミラーアンプの入力と接続し、
前記ミラーアンプの第1の出力と接地の間に第2の抵抗を設け、第2の出力と接地の間に第3の抵抗を設け、前記第2の出力を前記オーバーフロードレイン電位信号とすることを特徴とする請求項1記載の固体撮像モジュール。 - 前記第2のアンプの第2の入力と接地の間に、一定電流を選択信号により渡すことが可能な電流セルを複数設けたことを特徴とする請求項10記載の固体撮像モジュール。
- 前記電位生成回路は、さらにセレクタ回路と少なくとも一回書き込み可能なROMを有し、
前記セレクタ回路の出力に前記複数の電流セルにエンコードされ接続する第1のビットラインを接続し、第1の入力に第2のビットラインを接続し、第2の入力に第3のビットラインを接続し、
前記ROMの読み出し用出力に前記第2のビットラインを接続し、前記第3のビットラインを前記ROMの書き込み用入力及び外部から入力するビットラインとし、
前記セレクタ回路は第3の制御信号により選択制御されることを特徴とする請求項9記載の固体撮像モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004346630A JP2006157627A (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 固体撮像モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004346630A JP2006157627A (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 固体撮像モジュール |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009091301A Division JP4873577B2 (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 固体撮像モジュール |
JP2009091300A Division JP2009153214A (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 固体撮像モジュール |
JP2009091299A Division JP2009153213A (ja) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 固体撮像モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006157627A true JP2006157627A (ja) | 2006-06-15 |
Family
ID=36635345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004346630A Pending JP2006157627A (ja) | 2004-11-30 | 2004-11-30 | 固体撮像モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006157627A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009128194A1 (ja) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、及び固体撮像装置の駆動方法 |
-
2004
- 2004-11-30 JP JP2004346630A patent/JP2006157627A/ja active Pending
Cited By (2)
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WO2009128194A1 (ja) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、及び固体撮像装置の駆動方法 |
US20110019054A1 (en) * | 2008-04-16 | 2011-01-27 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor, imaging system, and method of driving solid-state image sensor |
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