JP2006154220A - 液晶表示素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】各画素の液晶分子を、書込み電圧の印加により規則的に倒れ配向させてむらの無い良好な画像を表示することができ、しかも表示の焼付き現象を生じることが無い垂直配向型の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】複数の画素電極3とTFT4とゲート配線11及びデータ配線12を設けたTFT基板1と、対向電極16を設けた対向基板2とのうち、対向基板2に、前記複数の画素電極3と対向電極16とが互いに対向する複数の画素の中心部にそれぞれ対応する複数の突起19を設け、このTFT基板1の対向電極16を、前記突起19を覆って形成した。
【選択図】図3
【解決手段】複数の画素電極3とTFT4とゲート配線11及びデータ配線12を設けたTFT基板1と、対向電極16を設けた対向基板2とのうち、対向基板2に、前記複数の画素電極3と対向電極16とが互いに対向する複数の画素の中心部にそれぞれ対応する複数の突起19を設け、このTFT基板1の対向電極16を、前記突起19を覆って形成した。
【選択図】図3
Description
この発明は、垂直配向型の液晶表示素子に関する。
垂直配向型の液晶表示素子は、予め定めた間隙を存して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面それぞれに設けられ、互いに対向する領域によりマトリックス状に配列する複数の画素を形成する電極と、前記一対の基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、前記一対の基板間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とからなっている(特許文献1参照)。
特許第2565639号公報
前記垂直配向型の液晶表示素子は、複数の画素電極と対向電極とが互いに対向する領域からなる複数の画素毎に、前記電極間への書込み電圧の印加により液晶分子を垂直配向状態から倒れ配向させて画像を表示する。
しかし、従来の垂直配向型液晶表示素子は、各画素の書込み電圧に応じた液晶分子の倒れ配向状態にばらつきがあり、表示むらを生じる。
この発明は、各画素の液晶分子を、書込み電圧の印加により規則的に倒れ配向させてむらの無い良好な画像を表示することができ、しかも表示の焼付き現象を生じることが無い垂直配向型の液晶表示素子を提供することを目的としたものである。
この発明の液晶表示素子は、予め定めた間隙を存して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面それぞれに設けられ、互いに対向する領域によりマトリックス状に配列する複数の画素を形成する電極と、前記一対の基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、前記一対の基板間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とからなり、前記一対の基板のいずれか一方の内面に、前記複数の画素の中心部にそれぞれ対応する複数の突起が設けられ、この一方の基板の内面の前記電極は、前記突起を覆って形成されていることを特徴とする。
この液晶表示素子においては、他方の基板の内面に、前記一方の基板の内面に設けられた前記複数の突起にそれぞれ対応させて複数の凹部を設けるのが好ましい。
この発明の液晶表示素子は、一方の内面に、複数の画素の中心部にそれぞれ対応する複数の突起を設けているため、各画素の中心部の液晶分子の配向方向を前記突起により規定し、前記各画素の液晶分子を、書込み電圧の印加により、前記画素の周縁部から前記画素の中心部に向かって配列するように倒れ配向させることができ、したがって、前記各画素の液晶分子を規則的に倒れ配向させ、むらの無い良好な画像を表示することができる。
しかも、この液晶表示素子は、前記一方の基板の内面の電極を、前記突起を覆って形成しているため、前記書込み電圧の電荷が前記突起部分に帯電することは無く、したがって、表示の焼付き現象を生じることは無い。
この発明の液晶表示素子においては、他方の基板の内面に、前記一方の基板の内面に設けられた前記複数の突起にそれぞれ対応させて複数の凹部を設けるのが好ましく、このようにすることにより、前記各画素の液晶分子を、より確実に規則的に倒れ配向させ、さらに良好な画像を表示することができる。
(第1の実施形態)
図1〜図5はこの発明の第1の実施例を示しており、図1は液晶表示素子の一方の基板の1つの画素部の平面図、図2及び図3は図1のII−II線及びIII−III線に沿う液晶表示素子の断面図である。
図1〜図5はこの発明の第1の実施例を示しており、図1は液晶表示素子の一方の基板の1つの画素部の平面図、図2及び図3は図1のII−II線及びIII−III線に沿う液晶表示素子の断面図である。
この液晶表示素子は、図1〜図3に示したように、予め定めた間隙を存して対向配置された一対の透明基板1,2と、前記一対の基板1,2の互いに対向する内面それぞれに設けられ、互いに対向する領域によりマトリックス状に配列する複数の画素を形成する透明電極3,16と、前記一対の基板1,2の内面にそれぞれ前記電極3,15を覆って設けられた垂直配向膜15,20と、前記一対の基板1,2間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層21とからなっている。
なお、この液晶表示素子は、TFT(薄膜トランジスタ)をアクティブ素子としたアクティブマトリックス液晶表示素子であり、一方の基板1の内面に設けられた電極3は、行方向及び列方向にマトリックス状に配列する複数の画素電極、他方の基板2の内面に設けられた電極16は、前記複数の画素電極3に対向する一枚膜状の対向電極である。
そして、前記一方の基板1の内面には、前記複数の画素電極3にそれぞれ対応させてその近傍に設けられ、対応する画素電極3にそれぞれ接続された複数のTFT4と、各画素電極行の一側及び各画素電極列の一側にそれぞれ沿わせて設けられ、その行及び列のTFT4にゲート信号及びデータ信号を供給する複数のゲート配線11及びデータ配線12が形成されている。
以下、前記画素電極3とTFT4とゲート配線11及びデータ配線12を設けた一方の基板をTFT基板と言い、対向電極16を設けた他方の基板2を対向基板と言う。
前記複数のTFT4は、前記TFT基板1の基板面に形成されたゲート電極5と、前記ゲート電極5を覆って前記画素電極3の配列領域の全域に形成された透明なゲート絶縁膜6と、前記ゲート絶縁膜6の上に前記ゲート電極5と対向させて形成されたi型半導体膜7と、このi型半導体膜7のチャンネル領域を覆って形成されたブロッキング絶縁膜8(図1には図示せず)と、前記i型半導体膜7のチャンネル領域を挟んでその一側部と他側部の上に図示しないn型半導体膜を介して形成されたドレイン電極9及びソース電極10とからなっている。
なお、前記ゲート配線11は、前記TFT基板1の基板面に前記TFT4のゲート電極5と一体に形成されており、前記データ配線12は、前記ゲート絶縁膜6の上に前記TFT4のドレイン電極9と一体に形成されている。
また、前記画素電極3は、前記ゲート絶縁膜6の上に形成されており、前記TFT4のソース電極10は、前記ゲート絶縁膜6の上に延長されて前記画素電極3に接続されている。
そして、前記TFT4とデータ配線12は、前記TFT基板1の内面に各画素電極3に対応する部分を除いて形成されたオーバーコート絶縁膜13(図1には図示せず)により覆われており、その上に前記垂直配向膜15が形成されている。
さらに、前記TFT基板1の内面には、その基板面に前記複数の画素電極3の周縁部にそれぞれ対応させて、前記画素電極3の周縁部との間に前記ゲート絶縁膜6を誘電体層とする補償容量を形成する容量電極14が設けられている。
この実施例では、前記容量電極14を、前記画素電極3の前記TFTに隣接する部分を除く全周にわたって設けている。なお、図1では、図を見やすくするために、容量電極14に対応する部分に平行斜線を施している。
前記複数の画素電極3の周縁部にそれぞれ対応する前記容量電極14は、各画素電極行毎に、前記ゲート配線11側とは反対側の端部において一体につながっており、さらに、各行の容量電極14は、前記複数の画素電極3の配列領域の外側の一端または両端に前記データ配線12と平行に設けられた図示しない容量電極接続配線に共通接続されている。
また、この液晶表示素子は、カラー画像表示素子であり、前記対向基板2の内面に、前記複数の画素電極3と対向電極16とが互いに対向する領域からなる複数の画素の間の領域に対向する格子膜状のブラックマスク17と、各画素列にそれぞれ対応する赤、緑、青の3色のカラーフィルタ18R,18G,18Bが設けられ、前記カラーフィルタ18R,18G,18Bの上に前記対向電極16が形成されている。
さらに、この対向基板2の内面には、前記複数の画素の中心部にそれぞれ対応する複数の透明な突起19が設けられており、これらの突起19は、その突出端に向かって小径となる裁頭円錐状に形成されている。
この複数の突起19は、前記対向基板2の内面に形成されたカラーフィルタ18R,18G,18Bの上に感光性樹脂等により形成されており、対向電極16は、前記突起19を覆って、突起19上の部分が突起表面に沿って突出する形状に形成されている。
そして、前記対向基板2の内面の垂直配向膜20は、前記対向電極16の上に前記突起19上の部分を含んで形成されている。
前記一対の基板1,2は、前記複数の画素電極3の配列領域を囲む図示しない枠状のシール材を介して接合されており、前記液晶層21は、前記一対の基板1,2間の前記シール材で囲まれた領域に封入されている。
前記液晶層21の液晶分子21aは、前記一対の基板1,2の内面にそれぞれ設けられた垂直配向膜15,20の垂直配向性により、前記突起19に対応する部分以外の領域において、基板1,2面に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けた垂直配向状態に配向し、前記突起19に対応する部分においては、前記突起19の近傍の液晶分子21aが前記突起19面(裁頭円錐面の端面及び周面)に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けて配向し、TFT基板1の近傍の液晶分子21aが基板1,2面に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けて配向した状態に配向している。
また、前記TFT基板1は、図示しないが、その行方向の一端と列方向の一端とにそれぞれ、前記対向基板2の外方に突出する張出部を有しており、その行方向の張出部に複数のゲート側ドライバ接続端子が配列形成され、列方向の張出部に複数のデータ側ドライバ接続端子が配列形成されている。
そして、前記複数のゲート配線11は、前記行方向の張出部に導出されて前記複数のゲート側ドライバ接続端子にそれぞれ接続され、前記複数のデータ配線12は、前記列方向の張出部に導出されて前記複数のデータ側ドライバ接続端子にそれぞれ接続されており、前記容量電極接続配線は、前記行方向と列方向の張出部の一方または両方に導出され、その張出部の複数のドライバ接続端子のうちの基準電位端子に接続されている。
さらに、前記TFT基板1の内面には、前記シール材による基板接合部の角部付近から前記行方向と列方向の張出部の一方または両方に導出されて前記ドライバ接続端子のうちの基準電位端子(容量電極接続配線が接続された端子と同じ端子でも別の基準電位端子でもよい)に接続された対向電極接続配線が設けられており、前記対向基板2の内面に設けられた対向電極16は、前記基板接合部において前記対向電極接続配線に接続され、この対向電極接続配線を介して前記基準電位端子に接続されている。
また、前記一対の基板1,2の外面にはそれぞれ偏光板22,23がその透過軸を予め定めた方向に向けて配置されている。なお、この実施例では、前記偏光板22,23をそれぞれの透過軸を実質的に互いに直交させて配置し、液晶表示素子にノーマリーブラックモードの表示を行なわせるようにしている。
この液晶表示素子は、複数の画素毎に、前記画素電極3と対向電極16との間への書込み電圧の印加により液晶分子21aを垂直配向状態から倒れ配向させて画像を表示する。
図4及び図5は前記液晶表示素子の1つの画素部の液晶分子21aの倒れ配向状態を示す断面図及び平面図であり、前記液晶分子21aは、各画素毎に、前記書込み電圧の印加により、画素の周縁部から中心部に向かって渦巻き状に配列して倒れ、画素の中心部において前記突起19面に対して実質的に垂直になるように配向する。
この実施例の液晶表示素子は、前記対向基板2の内面に、複数の画素の中心部にそれぞれ対応させて突起19を設け、前記突起19の近傍の液晶分子21aを、前記突起19面に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けた状態に配向させているため、前記突起19の周辺部分の液晶分子21aを画素の中心に向かって斜めに倒れ込むように配向させ、この斜めに配向した液晶分子とその近傍の液晶分子との間に働く分子間力によって各画素の液晶分子21aの書込み電圧の印加による倒れ方向を、画素の周縁部から前記画素の中心部に向かって倒れるように規定することができ、したがって、前記各画素の液晶分子21aを規則的に倒れ配向させ、むらの無い良好な画像を表示することができる。
しかも、この液晶表示素子は、前記対向基板2の対向電極16を、前記突起19を覆って形成しているため、前記書込み電圧の電荷が前記突起19部分に帯電することは無く、したがって、表示の焼付き現象を生じることも無い。
すなわち、感光性樹脂等の絶縁材料からなる前記突起19を前記対向電極16の上に設けた場合は、画素電極3と対向電極16との間への書込み電圧の印加時に前記突起19に電荷が帯電し、前記画素電極3と対向電極16との間を無電界にした後も、液晶分子21aが前記突起19の帯電電圧によりある程度倒れ配向した状態になる表示の焼付き現象を発生するが、この液晶表示素子では、前記対向電極16を、前記突起19を覆って形成しているため、前記突起19への電荷の帯電を無くすことができ、したがって、表示の焼付き現象を防ぐことができる。
(第2の実施形態)
図6及び図7はこの発明の第2の実施例を示しており、図6は液晶表示素子の1つの画素部の断面図である。
図6及び図7はこの発明の第2の実施例を示しており、図6は液晶表示素子の1つの画素部の断面図である。
なお、この実施例の液晶表示素子において、上述した第1の実施例の液晶表示素子に対応するものには図に同符号を付し、同じものについてはその説明を省略する。
この実施例の液晶表示素子は、対向基板2の内面に、複数の画素の中心部にそれぞれ対応する複数の透明な突起19を設け、この対向基板2の内面の対向電極16を前記突起19を覆って形成するとともに、TFT基板1の内面に、前記対向基板2の内面に設けられた前記複数の突起19にそれぞれ対応させて複数の凹部24を設けたものであり、他の構成は第1の実施例の液晶表示素子と同じである。
この実施例において、前記対向基板2の複数の突起19は、上述した第1の実施例と同様に裁頭円錐状に形成されており、前記TFT基板1の複数の凹部24は、前記裁頭円錐状突起19と同心円状で、且つ周面を、凹部24の底面側から開放面側に向かって径が大きくなる方向に傾斜させた形状に形成されている。
前記複数の凹部24は、前記TFT基板1の基板面に設けられたゲート絶縁膜6に、前記突起19よりも大きい径の円形孔を穿設し、複数の画素電極3を、前記ゲート絶縁膜6の上に、前記円形孔に対応する部分が前記円形孔の周面及び円形孔内に露出する基板面に沿って凹入する形状に形成することにより形成されており、このTFT基板1の内面の垂直配向膜15は、前記凹部24上の部分を含んで形成されている。
なお、この実施例では、前記ゲート絶縁膜6に垂直な円形孔を形成し、前記画素電極3の前記円形孔の周面に対応する部分を、基板面側からゲート絶縁膜6の膜面側に向かって膜厚が薄くなるように形成することにより周面を傾斜させた凹部24を形成しているが、この凹部24は、前記ゲート絶縁膜6にテーパー孔を設け、その周面に前記画素電極3を略同じ膜厚に形成することにより形成してもよい。
そして、一対の基板1,2間に封入された液晶層21の液晶分子21aは、前記一対の基板1,2の内面にそれぞれ設けられた垂直配向膜15,20の垂直配向性により、前記突起19及び凹部24に対応する部分以外の領域において、基板1,2面に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けて配向し、前記突起19及び凹部24に対応する部分においては、対向基板2の前記突起19の近傍の液晶分子21aが分子長軸を前記突起19面(裁頭円錐面の端面及び周面)に対して実質的に垂直な方向に向けて配向し、TFT基板1の前記凹部24の近傍の液晶分子21aが分子長軸を前記凹部24面(凹入面の底面及び周面)に対して実質的に垂直な方向に向けて配向した状態に配向している。
図7はこの実施例の液晶表示素子の1つの画素部の液晶分子21aの倒れ配向状態を示す断面図であり、前記液晶分子21aは、各画素毎に、画素電極3と対向電極16との間への書込み電圧の印加により、画素の周縁部から中心部に向かって渦巻き状に配列して倒れ、画素の中心部において前記突起19面及び凹部24面に対して実質的に垂直になるように配向する。
この実施例の液晶表示素子は、前記対向基板2の内面に、複数の画素の中心部にそれぞれ対応させて突起19を設け、前記TFT基板1の内面に、前記突起19に対応させて凹部24を設けることにより、前記突起19の近傍の液晶分子21aを、前記突起19面に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けた状態に配向させ、前記凹部24の近傍の液晶分子21aを、前記凹部24面に対して実質的に垂直な方向に分子長軸を向けた状態に配向させているため、前記突起19の周辺部分の液晶分子を前記画素の中心に向かって斜めに倒れ込むように配向させ、且つ前記凹部24の内側面に接する液晶分子を前記画素の中心に向かって斜めに倒れ込むように配向させ、これらの斜めに配向した液晶分子とその近傍の液晶分子との間に働く分子間力によって、各画素の液晶分子21aの書込み電圧の印加による倒れ方向を、前記突起19及び凹部24により、画素の周縁部から前記画素の中心部に向かって倒れるように規定することができ、したがって、前記各画素の液晶分子21aを、より確実に規則的に倒れ配向させ、さらに良好な画像を表示することができる。
また、この液晶表示素子は、前記対向基板2の対向電極16を、前記突起19を覆って形成しているため、前記書込み電圧の電荷が前記突起19部分に帯電することは無く、したがって、表示の焼付き現象を生じることも無い。
(他の実施形態)
なお、上述した第1及び第2の実施例では、対向基板2の内面に、複数の画素の中心部にそれぞれ対応させて、裁頭円錐状の突起19を設けているが、前記突起19は、裁頭円錐状に限らず、他の形状、例えば円錐状または半球状に形成してもよく、その場合は、上記第2の実施例におけるTFT基板1の内面に設ける凹部24を、前記突起19の形状に対応する形状に形成すればよい。
なお、上述した第1及び第2の実施例では、対向基板2の内面に、複数の画素の中心部にそれぞれ対応させて、裁頭円錐状の突起19を設けているが、前記突起19は、裁頭円錐状に限らず、他の形状、例えば円錐状または半球状に形成してもよく、その場合は、上記第2の実施例におけるTFT基板1の内面に設ける凹部24を、前記突起19の形状に対応する形状に形成すればよい。
1,2…基板、3…画素電極、4…TFT、5…ゲート電極、6…ゲート絶縁膜、7…i型半導体膜、9…ドレイン電極、10…ソース電極、11…ゲート配線、12…データ配線、13…オーバーコート絶縁膜、14…容量電極、15…垂直配向膜、16…対向電極、17…ブラックマスク、18R,18G,18B…カラーフィルタ、19…突起、20…垂直配向膜、21…液晶層、21a…液晶分子、22,23…偏光板、24…凹部。
Claims (2)
- 予め定めた間隙を存して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する内面それぞれに設けられ、互いに対向する領域によりマトリックス状に配列する複数の画素を形成する電極と、前記一対の基板の内面にそれぞれ前記電極を覆って設けられた垂直配向膜と、前記一対の基板間の間隙に封入された負の誘電異方性を有する液晶層とからなり、前記一対の基板のいずれか一方の内面に、前記複数の画素の中心部にそれぞれ対応する複数の突起が設けられ、この一方の基板の内面の前記電極は、前記突起を覆って形成されていることを特徴とする液晶表示素子。
- 他方の基板の内面に、一方の基板の内面に設けられた複数の突起にそれぞれ対応させて複数の凹部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
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2004
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