JP2006145469A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 複数の半導体素子と、該半導体素子の周辺に配され、前記半導体素子に配線を介して電気的に接続された電気接続部と、を有する基板と、
   該電気接続部に電気的に接続された電気部品と、
   前記基板の前記半導体素子を有する面とは反対側に配され、前記基板と貼り合わせ部材を介して接着された前記基板を支持する支持部材と、を有する半導体装置において、
   少なくとも前記電気接続部を含む領域の前記基板と前記支持部材との間に間隙を有し、
   該間隙に配された緩衝部材を有し、該緩衝部材は、前記基板、前記支持部材及び前記貼り合わせ部材とは非接着であることを特徴とする半導体装置。
2. 前記緩衝部材は、非接着性の弾性体であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 放射線又は光を電気信号に変換する変換素子を有する複数の画素が配された画素部と、該画素部の周辺に配され前記画素部に配線を介して電気的に接続された電気接続部と、を有する基板と、
   該電気接続部に電気的に接続された電気部品と、
   前記基板の前記画素部を有する面とは反対側に配され、前記基板と貼り合わせ部材を介して接着された前記基板を支持する支持部材と、を有する放射線撮像装置において、
   少なくとも前記電気接続部を含む領域の前記基板と前記支持部材との間に間隙を有し、
   該間隙に配された緩衝部材を有し、該緩衝部材は、前記基板、前記支持部材及び前記貼り合わせ部材とは非接着であることを特徴とする放射線撮像装置。
4. 前記緩衝部材は、非接着性の弾性体であることを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
5. 前記変換素子は、光電変換素子であり、
   前記画素は、信号転送素子を更に有し、
   前記画素の上に配された、放射線を光に変換する波長変換体を有することを特徴とする請求項３または４に記載の放射線撮像装置。
6. 前記信号転送素子がスイッチ素子であることを特徴とする請求項５に記載の放射線撮像装置。
7. 前記電気部品は、導電性接着剤を介して前記電気接続部に接続されることを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
8. 前記間隙は、前記領域の複数にわたって一括して設けられ、前記緩衝部材は、前記電気部品の複数に応じて前記間隙に配されることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
9. 前記緩衝部材は、１つの前記電気部品に応じて前記間隙に配されることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
10. 複数の半導体素子を含む基板の上に、前記半導体素子の周辺に配された、前記半導体素子に配線を介して電気的に接続された電気接続部を介して電気部品を接続する工程と、
    前記基板と支持部材とを、少なくとも前記電気部品が接続された前記電気接続部を含む領域の前記基板と前記支持部材との間に間隙を有するよう貼り合わせ部材を配して接着する工程と、
    前記間隙に緩衝部材を配する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
11. 複数の半導体素子と、該半導体素子の周辺に配され該半導体素子に電気的に接続された電気接続部と、を有する基板と、該電気接続部に接続された電気部品と、前記基板と貼り合わせ部材を介して接着された支持部材と、少なくとも前記電気部品が接続された前記電気接続部を含む領域の前記基板と前記支持部材との間に設けられた間隙に配された緩衝部材と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記電気接続部から前記電気部品を取り外す工程と、
    前記間隙から前記緩衝部材を取り外し、前記緩衝部材が取り外された前記間隙に剛性部材を配置する工程と、
    該剛性部材を配置した後に、前記電気接続部に新たな電気部品を接続する工程と、
    前記剛性部材を前記間隙から取り外し、前記剛性部材が取り外された前記間隙に緩衝部材を配置する工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。