JP2006140145A - 有機電界発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板100上に形成された下部電極160と、下部電極160の一部分を露出させる開口部175を備えた絶縁膜170と、開口部175により露出された下部電極160上に形成された有機膜層180と、基板100上に形成された上部電極190とを備え、絶縁膜170は、その表面は、溝または凹凸177を備える有機電界発光表示装置であり、該溝または凹凸177は、絶縁膜170の表面のうち、開口部175のエッジ175aに隣接した一部分に形成されるか、または開口部175のエッジ175aに隣接した部分を除外した全表面にわたって形成され、該溝または凹凸177は、絶縁膜の表面がスクラッチまたはブラッシングされて形成されるか、または絶縁膜170が一定厚さほどエッチングされて形成される。
【選択図】図6B
Description
13…画素電極
23,33…アノード電極(下部電極)
15,25,35…絶縁膜
25a…絶縁膜表面での一部分
16,26,36…開口部
26a…開口部の側面
26b,36b…開口部のエッジ
27a,27b…凸凹
19,29,39…パーチクル
37a,37b…溝(陰刻パターン)
100,200…基板
110,210…バッファ層
120,220…絶縁膜
130,230…薄膜トランジスタ
131,231…半導体層
132,232…ゲート電極
134,234…ソース電極
135,235…ドレイン電極
140,240…保護膜(第1絶縁膜)
150…平坦化膜
155,245…ビアホール
160,260…アノード電極(下部電極、画素電極)
170,270…画素分離膜(第2絶縁膜)
175,275…開口部
175a,275a…開口部エッジ
177…凹凸
180,280…有機膜層
190,290…カソード電極(上部電極)
277…溝
Claims (20)
- 基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記絶縁膜は、その表面に凹凸を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記凹凸は、絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記凹凸は、絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記凹凸は、絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記凹凸は、絶縁膜の表面がブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記絶縁膜は、その表面に溝を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記溝は、前記絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記溝は、前記絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記溝は、絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されたことを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記溝は、絶縁膜の表面がブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 基板上に形成され、少なくともソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、
基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記ソース及びドレイン電極のうち1つの電極に連結される画素電極と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える第2絶縁膜と、
前記露出された画素電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記第2絶縁膜は、その表面に凹凸を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記第1絶縁膜は、保護膜と平坦化膜とから選択され、前記第2絶縁膜は、画素分離膜を備えることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記凹凸は、第2絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されるか、または前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記凹凸は、第2絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されるか、またはブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
- 基板上に形成され、少なくともソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、
基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記ソース及びドレイン電極のうち1つの電極に連結される画素電極と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える第2絶縁膜と、
前記露出された画素電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記第2絶縁膜は、その表面に溝を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記第1絶縁膜は、保護膜と平坦化膜とから選択され、前記第2絶縁膜は、画素分離膜を備えることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記溝は、第2絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した部分に形成されるか、または前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記凹凸は、第2絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されるか、またはブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項17に記載の有機電界発光表示装置。
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