JP2006135114A - Led - Google Patents
Led Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006135114A JP2006135114A JP2004323090A JP2004323090A JP2006135114A JP 2006135114 A JP2006135114 A JP 2006135114A JP 2004323090 A JP2004323090 A JP 2004323090A JP 2004323090 A JP2004323090 A JP 2004323090A JP 2006135114 A JP2006135114 A JP 2006135114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- led
- chip
- led chip
- light
- transparent resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 一対の電極部材11,12と、一方の電極部材の先端に設けられたチップ実装部上に接合されると共に、双方の電極部材に対して電気的に接続されたLEDチップ13と、このLEDチップを包囲するように形成された波長変換材料を混入した透明樹脂部14と、を含んでいるLED10であって、上記LEDチップが、InGaN組成のLEDチップであり、上記透明樹脂部に混入された波長変換材料14aが、上記LEDチップからの光を赤色光,黄色光または橙色光に変換する窒化物または酸窒化物の蛍光体であるように、LED10を構成する。
【選択図】 図1
Description
即ち、図7において、赤色LED1は、一対のリードフレーム2,3と、一方のリードフレーム2の上端面に形成されたチップ実装部2a上に実装された赤色LEDチップ4と、上記リードフレーム2,3の上端そして赤色LEDチップ4を包囲するようにモールド樹脂により形成されたレンズ部5と、から構成されている。
ここで、上記青色LEDチップ4は、例えばAlGaInPチップとして構成されており、上記リードフレーム2,3を介して駆動電圧が印加されたとき、赤色光を発するようになっている。
図8において、赤色LED6は、チップ基板7と、チップ基板7上に搭載された赤色LEDチップ4と、赤色LEDチップ4を包囲するようにチップ基板7上に形成された枠状部材8と、枠状部材8の凹陥部8a内に充填されたモールド樹脂9と、から構成されている。
そして、チップ基板7のチップ実装ランド7a上に、赤色LEDチップ4が接合されると共に、チップ実装ランド7a及び隣接する電極ランド7bに対してそれぞれワイヤボンディングにより電気的に接続されるようになっている。
即ち、一般に、AlGaInPチップから成るLEDは、周囲温度変化によって光度,色度,順方向電流等の特性が変化することが知られている。
具体的には、図9に示すように、AlGaInPチップから成るLEDに関して、−40℃から85℃まで周囲温度が変化した場合、赤色LEDでは、ドミナント波長が4nm,相対光度が1.15,順電圧変化率が13.8%(2.17Vから1.87Vまで変化)となる。
また、AlGaInPチップから成る黄色LEDや橙色LEDも同様に特性が変化する。
これは、AlGaInPチップのエネルギーバンドのバンドギャップが比較的小さいためであると考えられる。
このため、上記赤色LED1,6が、一定の光度が必要とされたり、色度が重要視される用途に使用されるような場合、所定の光度や色度を満たすことができなくなることがある。
しかしながら、InGaNチップによって、赤色LED,黄色LED,橙色LEDを構成することはできなかった。
そして、LEDチップから出射した光は、透明樹脂部内の波長変換材料に入射することにより、波長変換材料が励起され、赤色光,黄色光または橙色光を出射することになる。
このようにして、本発明によれば、従来のAlGaInP組成のLEDチップを使用した場合と比較して、InGaN組成のLEDチップを使用することによって、周囲温度変化に対して比較的安定した特性の赤色光,黄色光または橙色光が得られることになる。
尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
図1において、LED10は、所謂砲弾型のLEDとして構成されており、一対のリードフレーム11,12と、一方のリードフレーム11の上端面に形成されたチップ実装部11a上に実装された青色LEDチップ13と、上記リードフレーム11のチップ実装部11a上にて上記青色LEDチップ13を包囲するように形成された蛍光体14aを混入した透明樹脂部14と、上記リードフレーム11,12の上端そして青色LEDチップ13及び透明樹脂部14を包囲するようにモールド樹脂により形成されたレンズ部15と、から構成されている。
ここで、上記青色LEDチップ13は、例えばInGaNチップとして構成されており、上記リードフレーム11,12を介して駆動電圧が印加されたとき、例えば450乃至470nmにピーク波長を有する光を発するようになっている。
そして、この透明樹脂部14に、青色LEDチップ13からの青色光が入射することにより、蛍光体14aが励起され、蛍光体14aから赤色光を発生させるようになっている。
ここで、このような窒化物または酸窒化物から成る蛍光体14aは、例えば25℃における励起光の発光強度を100%としたとき、170℃では85乃至90%の発光強度が得られ、良好な温度特性を有する。
そして、青色LEDチップ13から出射する青色光が、透明樹脂部14に混入された蛍光体14aに入射することにより、蛍光体14aが励起されて、赤色光を発生させる。
この赤色光が、透明樹脂部14を通って、レンズ部15に入射し、さらにこのレンズ部15から外部に出射することになる。
その際、青色LEDチップ13が、InGaNチップとして構成されていることにより、周囲温度変化に対して、光度,色度,順方向電流等の特性の変化が比較的少なく、温度特性の良好なLED10が得ることができる。
これに対して、従来のAlInGaPチップの赤色LEDの場合、鎖線で示すように、順電圧は−40℃にて約2.75Vで、85℃にて約1.85Vと、その変化率は同様に図5に示すように約32.9%であり、温度変化により大きく低下していることが分かる。
図3において、LED10(実線図示)の場合、その相対光度の変化は図5に示すように、0.44であり、従来のAlInGaPチップの赤色LED(鎖線図示)の場合の相対光度の変化0.81と比較して、変化が少ないことが分かる。
図4において、LED10の場合、実線で示すように、ドミナント波長は−40℃にて約616nmで、85℃にて約613nm程度と、その波長変化は約3.2nmであり、比較的温度変化による変化が少ない。
これに対して、従来のAlInGaPチップの赤色LEDの場合、鎖線で示すように、ドミナント波長は−40℃にて約615nmで、85℃にて約623nmと、その波長変化は約5.6nmであり、温度変化により大きく変化していることが分かる。
なお、このLED10で用いる蛍光体14aとして、25℃における励起光の発光強度を100%としたとき、170℃のときに40乃至60%の発光強度のもの、例えば酸化物または硫化物を用いた場合には、鎖線で示す特性に近似するものであり温度変化により大きく変化していた。
図6において、LED20は、所謂表面実装型のLEDとして構成されており、チップ基板21と、チップ基板21上に搭載された青色LEDチップ22と、青色LEDチップ22を包囲するようにチップ基板21上に形成された枠状部材23と、枠状部材23の凹陥部23a内に充填された透明樹脂部24と、から構成されている。
そして、チップ基板21のチップ実装ランド21a上に青色LEDチップ22が接合されると共に、青色LEDチップ22は、その表面がチップ実装ランド21a及び隣接する電極ランド21bに対してそれぞれワイヤボンディングにより電気的に接続されるようになっている。
そして、青色LEDチップ22から出射する青色光が、透明樹脂部24に混入された蛍光体24aに入射することにより、蛍光体24aが励起されて、赤色光を発生させる。
この赤色光が、透明樹脂部24を通って、一部が直接に、また他の一部が枠状部材23の凹陥部23aの内面で反射されて、外部に出射することになる。
その際、青色LEDチップ22が、InGaNチップとして構成されていることにより、周囲温度変化に対して、光度,色度,順方向電流等の特性の変化が比較的少なく、温度特性の良好なLED10が得ることができる。
11,12 リードフレーム(電極部材)
11a チップ実装部
11b,12a ボンディング部
11c,12b 端子部
13 青色LEDチップ
14 透明樹脂部
14a 蛍光体
15 レンズ部
20 LED(表面実装型LED)
21 チップ基板
21a チップ実装ランド(電極部材)
21b 電極ランド(電極部材)
21c,21d 表面実装用端子部
22 青色LEDチップ
23 枠状部材
23a 凹陥部
24 透明樹脂部
24a 蛍光体
Claims (4)
- 一対の電極部材と、
一方の電極部材の先端に設けられたチップ実装部上に接合されると共に、双方の電極部材に対して電気的に接続されたLEDチップと、このLEDチップを包囲するように形成された波長変換材料を混入した透明樹脂部と、を含んでいるLEDであって、
上記LEDチップが、InGaN組成のLEDチップであり、
上記透明樹脂部に混入された波長変換材料が、上記LEDチップからの光を赤色光,黄色光または橙色光に変換する窒化物または酸窒化物の蛍光体であることを特徴とする、LED。 - 上記一対の電極部材が、互いに並行に延びる二本のリードフレームであって、 さらに、上記LEDチップ及び透明樹脂部を包囲する透明樹脂から成るレンズ部を備えていることを特徴とする、請求項1に記載のLED。
- 上記一対の電極部材が、チップ基板上に形成され、チップ基板裏面まで回り込んで表面実装用端子を画成する導電パターンから構成されており、
上記透明樹脂部が、チップ基板上に形成された枠状部材のチップ実装部を露出させるように上方に拡った凹陥部内に充填されていることを特徴とする、請求項1に記載のLED。 - 上記LEDチップが、青色LEDチップであり、
上記波長変換材料が、青色LEDチップからの青色光により、赤色光,黄色光または橙色光を発生させることを特徴とする、請求項1から3の何れかに記載のLED。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004323090A JP2006135114A (ja) | 2004-11-08 | 2004-11-08 | Led |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004323090A JP2006135114A (ja) | 2004-11-08 | 2004-11-08 | Led |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006135114A true JP2006135114A (ja) | 2006-05-25 |
JP2006135114A5 JP2006135114A5 (ja) | 2007-11-29 |
Family
ID=36728380
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004323090A Pending JP2006135114A (ja) | 2004-11-08 | 2004-11-08 | Led |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006135114A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011144236A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-24 | Goodrich Lighting Systems Gmbh | Light for the interior of an aircraft |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003336062A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
JP2004071726A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2004235598A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-08-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
-
2004
- 2004-11-08 JP JP2004323090A patent/JP2006135114A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003336062A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-11-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びそれを用いた発光装置 |
JP2004235598A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-08-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2004071726A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011144236A1 (en) * | 2010-05-17 | 2011-11-24 | Goodrich Lighting Systems Gmbh | Light for the interior of an aircraft |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7586127B2 (en) | Light emitting diode | |
JP5284006B2 (ja) | 発光装置 | |
US7781783B2 (en) | White light LED device | |
KR101134752B1 (ko) | Led 패키지 | |
JP4542329B2 (ja) | Led照明光源 | |
JP3940750B2 (ja) | 照明光源 | |
US20110089815A1 (en) | Light-emitting device | |
JP2006310613A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP5443959B2 (ja) | 照明装置 | |
JP2005093712A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2008060344A (ja) | 半導体発光装置 | |
KR20080048492A (ko) | 컬러 변환기를 갖는 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 | |
JP2009065137A (ja) | 発光装置 | |
JP2010034183A (ja) | 発光装置 | |
US20130242532A1 (en) | Luminaire | |
JP2007180430A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
JP5106761B2 (ja) | 高演色性発光ダイオードランプユニット | |
JP2007005549A (ja) | 白色発光ledランプ | |
JP2006049735A (ja) | Led及びその製造方法 | |
KR20080032425A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
CN112242473A (zh) | 一种led灯丝光源及其制作方法、灯具 | |
JP2006237571A (ja) | 発光ダイオード装置 | |
JP2006135114A (ja) | Led | |
KR100882821B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
JP2005285925A (ja) | Led |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071016 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071016 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100610 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100630 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101102 |