JP2006112906A - 電圧検出回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】抵抗や基準電圧を使用せずに電圧の低下を検出することができる電圧検出回路を提供する。
【解決手段】定電流回路と、前記定電流回路によって動作する電流ミラー回路と、前記電流ミラー回路の出力と被検出電圧との間に設けられた、少なくとも一つのダイオード接続された第1のトランジスタと、前記被検出電圧が所定電圧以上のとき前記第1のトランジスタがオンすることによって一方の論理電圧を出力し、前記被検出電圧が所定電圧未満のとき前記第1のトランジスタがオフすることによって他方の論理電圧を出力する出力回路と、を備えた。
【選択図】 図1
【解決手段】定電流回路と、前記定電流回路によって動作する電流ミラー回路と、前記電流ミラー回路の出力と被検出電圧との間に設けられた、少なくとも一つのダイオード接続された第1のトランジスタと、前記被検出電圧が所定電圧以上のとき前記第1のトランジスタがオンすることによって一方の論理電圧を出力し、前記被検出電圧が所定電圧未満のとき前記第1のトランジスタがオフすることによって他方の論理電圧を出力する出力回路と、を備えた。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電圧検出回路に関する。
従来、集積回路(LSI)において、例えば電源電圧の低下を監視する電圧検出回路が使用されている。
図3は、電圧の低下を監視する構成の一例を示すブロック図である。ロジック回路100は、例えばCMOSインバータ回路を有している。そして、ロジック回路100には電源電圧として電圧VDDが印加される。
電圧検出回路102は、電圧VDDが所定電圧より低くなることを検出する。そして、電圧VDDが所定電圧より低くなった場合には、ロジック回路100のロジック動作を、例えば強制的に停止させる。
電圧検出回路102は、電圧VDDが所定電圧より低くなることを検出する。そして、電圧VDDが所定電圧より低くなった場合には、ロジック回路100のロジック動作を、例えば強制的に停止させる。
図4は、例えばロジック回路100に設けられているCMOSインバータ回路の構成の一例を示す図である。図4に示すCMOSインバータ回路は、電圧VDDと接地間に直列接続されたPチャンネル型MOSFET(以下PMOSとする)MPと、Nチャンネル型MOSFET(以下NMOSとする)MNとを備えている。PMOSMPとNMOSMNのゲートには電圧VINが印加され、PMOSMPとNMOSMNの接続点から電圧VOUTが出力される。
以上の構成のCMOSインバータ回路において、PMOSMPとNMOSMNのしきい値をVT(例えば0.85V)とすると、電圧VDDが2*VT(1.7V)より低くなった場合、電圧VOUTがハイインピーダンスになる場合がある。
図5は、電圧VDD<2*VTのときのCMOSインバータ回路の動作について説明するための図である。なお、縦軸は電圧VINの電圧値である。また、PMOSMPとNMOSMNのしきい値はともにVTであり、電圧VDDは1.5*VTであることとする。
この場合、電圧VINが、1.5*VT>電圧VIN>VTの範囲では、NMOSMNはオンし、PMOSMPはオフする。従って、電圧VOUTは「LOW(以下Lとする)」となる。
また、電圧VINが、0.5*VT>電圧VIN>0の範囲ではNMOSMNはオフし、PMOSMPはオンする。従って、電圧VOUTは「HIGH(以下Hとする)」となる。
また、電圧VINが、0.5*VT>電圧VIN>0の範囲ではNMOSMNはオフし、PMOSMPはオンする。従って、電圧VOUTは「HIGH(以下Hとする)」となる。
一方、電圧VINが、VT>電圧VIN>0.5*VTの範囲ではNMOSMN、PMOSMPがともにオフとなる。従って、電圧VOUTは「HI−Z(ハイインピーダンス)」となり、CMOSインバータ回路の動作が不確定になる。
電圧VOUTが「HI−Z」となる電圧VINの範囲は、電圧VDDの電圧の低下とともに増加する。一方、電圧VDD>2*VTでは電圧VINの値にかかわらず、電圧VOUTは「HI−Z」にならない。
電圧VOUTが「HI−Z」となる電圧VINの範囲は、電圧VDDの電圧の低下とともに増加する。一方、電圧VDD>2*VTでは電圧VINの値にかかわらず、電圧VOUTは「HI−Z」にならない。
そこで図3に示す電圧検出回路102は、電圧VDDが、例えば2*VTに低下することを検出し、電圧VDDが2*VT未満となった場合には、CMOSインバータ回路の動作を、例えば停止させる。なお、図3において、電源電圧として複数の電圧が用いられる場合には、それぞれの電圧に対応した複数の電圧検出回路が備えられている。
このような、電圧の低下を検出する電圧検出回路102として、分圧抵抗と基準電圧を用いることによって電圧の低下を検出する電圧検出回路が提案されている(例えば特許文献1参照)。
このような、電圧の低下を検出する電圧検出回路102として、分圧抵抗と基準電圧を用いることによって電圧の低下を検出する電圧検出回路が提案されている(例えば特許文献1参照)。
図6は、従来の電圧検出回路102の構成の一例を示す回路図である。
図6に示す電圧検出回路102は、PMOST1、T2、T3、T4、T5と、NMOST6、T7、T8と、分圧抵抗R1、R2と、定電流回路Iと、を備えている。
なお、同図に示す電圧検出回路は、電圧VDDが前述の2*VT(1.7V)より低くなることを検出するものとする。
図6に示す電圧検出回路102は、PMOST1、T2、T3、T4、T5と、NMOST6、T7、T8と、分圧抵抗R1、R2と、定電流回路Iと、を備えている。
なお、同図に示す電圧検出回路は、電圧VDDが前述の2*VT(1.7V)より低くなることを検出するものとする。
PMOST1、T2、T3のソースには、電圧VCCが印加され、PMOST1、T2、T3のゲートは互いに接続されるとともに、ダイオード接続されたPMOST1のドレインは定電流回路Iに接続されている。なお、ダイオード接続とは、MOSFETの場合にはゲートとドレインを短絡することであり、バイポーラトランジスタの場合にはベースとコレクタを短絡することである。このようにダイオード接続されたトランジスタは、PN接合のダイオイード素子と同様の動作を行う。
PMOST1、T2、T3は電流ミラー回路を構成しており、PMOST1、T2、T3のトランジスタのサイズ比が1の場合、PMOST1に流れる電流Iと等倍の定電流がPMOST2およびPMOST3に流れる。
PMOST4のソースは、PMOST2のドレインと接続され、PMOST4のドレインはNMOST6のドレインと接続されている。また、PMOST4のゲートには、電圧VDDを抵抗R1と抵抗R2によって分圧した電圧、すなわち電圧VDD×R2/(R1+R2)が印加される。なお、R1、R2は抵抗R1と抵抗R2の抵抗値であり、このR1とR2の比を、例えば5:12とすると電圧VDDが1.7Vの場合、PMOST4のゲート電圧は1.2Vとなる。
PMOST5のソースは、PMOST2のドレインと接続され、PMOST5のドレインはNMOST7のドレインと接続されている。また、PMOST5のゲートには基準電圧生成回路で生成される基準電圧VREF(例えば1.2V)が印加される。
NMOST6とNMOST7は、ソースがともに接地され、NMOST6がダイオード接続された電流ミラー回路である。よって、NMOST6とNMOST7のトランジスタサイズ比が1の場合、NMOST6のドレイン電流と等倍の電流がNMOST7のドレイン電流として流れる。
NMOST8のドレインは、PMOST3のドレインと接続されるとともに、検出結果出力端子と接続されている。NMOST8のソースは接地されている。また、NMOST8のゲートはPMOST5のドレインと接続されている。なお、NMOST8はPMOST3よりトランジスタのサイズ比が大きいとする。
次に図6に示す電圧検出回路の動作について説明する。
電流ミラー回路を構成するPMOST1、T2、T3のドレインには常に定電流Iが流れている。また、PMOST4とPMOST5のソースが共通に接続されているため、PMOST4とPMOST5に流れる電流の和はIとなる。すなわち、Ia+Ib=Iという関係が成り立つ。
電流ミラー回路を構成するPMOST1、T2、T3のドレインには常に定電流Iが流れている。また、PMOST4とPMOST5のソースが共通に接続されているため、PMOST4とPMOST5に流れる電流の和はIとなる。すなわち、Ia+Ib=Iという関係が成り立つ。
電圧VDDが1.7Vより大きい場合、すなわちPMOST4のゲート電圧がPMOST5のゲート電圧より大きい場合には、PMOST4のソース−ドレイン間に流れる電流IaがPMOST5のソース−ドレイン間に流れる電流Ibより小さくなる。したがって、NMOST8のベースに電流Ib−Iaが供給され、NMOST8がオンする。そして、検出結果出力端子の電圧が低下するので、検出結果出力端子の出力は「L」となる。
一方、電圧VDDが1.7Vより小さい場合、すなわちPMOST4のゲート電圧がPMOST5のゲート電圧より小さい場合には、PMOST4のソース−ドレイン間に流れる電流IaがPMOST5のソース−ドレイン間に流れる電流Ibより大きくなる。なお、電流ミラー接続されたNMOST6、T7もドレイン−ソース間に電流Iaを流そうとする。そして、電流Iaが電流Ibより大なのでNMOST8のゲートには電流が供給されず、NMOST8はオフとなる。よって、PMOST3から検出結果出力端子に定電流Iが供給され検出結果出力端子の電圧が高くなるので、検出結果出力端子の出力は「H」となる。
よって、電圧検出回路102は、検出結果出力端子の出力が「L」から「H」に変化することによって、電源電圧VDDが2*VT(1.7V)より低くなることを検出することができる。
このように、従来の電圧検出回路では、電圧VDDを分圧する分圧抵抗や、基準電圧生成回路からの基準電圧VREFを用いて電圧VDDが、例えば2*VTより低くなることを検出していた。
特開2002−296306号公報
図6に示す従来の電圧検出回路102では、電圧VDDの低下を検出するためMOSFET以外に電圧VDDを分圧する抵抗R1、R2や、電圧検出回路102の外部に設けられた基準電圧生成回路によって得られる基準電圧VREFが必要であった。
また、電圧検出を行う際に、分圧抵抗R1、R2に電流を流すことによって基準電圧VREFより大きいか小さいかを検出するので、消費電力が大きくなるという問題点があった。
さらに、基準電圧生成回路を含めて同一チップに集積化した場合、チップ面積が大きくなるという問題点があった。
また、電圧検出を行う際に、分圧抵抗R1、R2に電流を流すことによって基準電圧VREFより大きいか小さいかを検出するので、消費電力が大きくなるという問題点があった。
さらに、基準電圧生成回路を含めて同一チップに集積化した場合、チップ面積が大きくなるという問題点があった。
そこで、本発明は、抵抗や基準電圧を使用せずにトランジスタのみの構成で電圧の低下を検出することができる電圧検出回路を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための主たる発明は、定電流回路と、前記定電流回路によって動作する電流ミラー回路と、前記電流ミラー回路の出力と被検出電圧との間に設けられた、少なくとも一つのダイオード接続された第1のトランジスタと、前記被検出電圧が所定電圧以上のとき前記第1のトランジスタがオンすることによって一方の論理電圧を出力し、前記被検出電圧が所定電圧未満のとき前記第1のトランジスタがオフすることによって他方の論理電圧を出力する出力回路と、を備えたことを特徴とする。
本発明の他の特徴については、添付図面及び本明細書の記載により明らかとなる。
本発明によれば、抵抗や基準電圧を使用せずに被検出電圧の低下を検出することができる。
本明細書および添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。
===電圧検出回路の構成===
図1は本発明の実施形態にかかる電圧検出回路の構成の一例を示す回路図である。
同図に示す電圧検出回路は、電圧VDD(『被検出電圧』)が1.7V未満になることを検出する電圧検出回路であり、Pチャンネル型MOSFET(以下PMOSとする)M1、M2、M3、M8、M9、Nチャンネル型MOSFET(以下NMOSとする)M4、M5、M6、M7、および定電流回路Iを備えている。
なお図1に示す電圧検出回路は、電圧VDDが電源電圧であるロジック回路と、例えば同一チップに集積化されている。
図1は本発明の実施形態にかかる電圧検出回路の構成の一例を示す回路図である。
同図に示す電圧検出回路は、電圧VDD(『被検出電圧』)が1.7V未満になることを検出する電圧検出回路であり、Pチャンネル型MOSFET(以下PMOSとする)M1、M2、M3、M8、M9、Nチャンネル型MOSFET(以下NMOSとする)M4、M5、M6、M7、および定電流回路Iを備えている。
なお図1に示す電圧検出回路は、電圧VDDが電源電圧であるロジック回路と、例えば同一チップに集積化されている。
また、PMOSM1、M2、M3およびNMOSM4、M5のW(ゲート幅)とL(ゲート長)のトランジスタサイズ比(W/L)は等しいこととし、例えばW/L=20/1とする。また、NMOSM7のトランジスタのサイズ比およびNMOSM10、のサイズ比も、例えばW/L=20/1とする。
なお、PMOSM8のトランジスタのサイズ比を、例えばW/L=20/2とし、PMOSM9のトランジスタのサイズ比を、PMOSM8のサイズ比より大きい値として、例えばW/L=100/2とする。またNMOSM6のサイズ比を例えば10/1とする。
PMOSM1、M2、M3のソースには、電圧VCCが印加され、PMOSM1、M2、M3のゲートは互いに接続される。また、ダイオード接続されたPMOSM1のドレインは定電流回路Iに接続されている。従って、PMOSM1と、PMOSM2、M3とは電流ミラー回路を構成しており、PMOSM1、M2、M3のトランジスタのサイズ比が等しいので、PMOSM1に流れる電流Iと等倍の定電流をPMOSM2およびPMOSM3に流そうとする。なお、電圧VCCは一定の電圧である。
PMOSM2のドレインは、NMOSM4のドレインと接続され、PMOSM3のドレインは検出結果出力端子と接続されている。
NMOSM4、M5、M6のソースは、接地され、NMOSM4、M5、M6のゲートは互いに接続されるとともに、NMOSM4はダイオード接続されている。従って、PMOSM4と、PMOSM5、M6とは電流ミラー回路を構成しており、PMOSM5(『一方の出力』)およびPMOSM6(『他方の出力』)が電流ミラー回路の出力となる。NMOSM4のドレインはPMOSM2のドレインと接続されているので、PMOSM2に流れる電流Iと等倍の定電流がNMOSM4に流れる。よって、NMOSM5、M6も定電流Iを流そうとする。なお、NMOSM5のドレインは、NMOSM7のソースと接続され、NMOSM6のドレインはNMOSM10のゲートに接続されている。
PMOSM8、M9のソースには、電圧VDDが印加され、ダイオード接続されたPMOSM8のゲートは、PMOSM9(『第2のトランジスタ』)のゲートに接続されている。このように、ソースが共通に接続されたMOSFETで、一方のゲートがドレインと短絡されるとともに他方のゲートと接続され、一方のドレインに流れる電流に応じた電流が他方のドレインに流れる接続のことを電流ミラー接続とする。また、バイポーラトランジスタにおいても同様にエミッタが共通に接続され、一方のベースがコレクタと短絡されるとともに他方のベースと接続されることを電流ミラー接続とする。PMOSM9のドレインは、NMOSM10のゲートおよびPMOSM6のドレインと接続されている。
また、ダイオード接続されたNMOSM7のドレインはPMOSM8のドレインと接続されている。
NMOSM10(『第3のトランジスタ』)のソースは接地され、NMOSM10のドレインは検出結果出力端子に接続されている。
ここで、PMOSM9とNMOSM10は出力回路を構成している。
NMOSM10(『第3のトランジスタ』)のソースは接地され、NMOSM10のドレインは検出結果出力端子に接続されている。
ここで、PMOSM9とNMOSM10は出力回路を構成している。
また、PMOSM8とNMOSM7(『第1のトランジスタ』)のしきい値電圧をそれぞれ0.8Vとし、電流ミラー回路の出力であるNMOSM5が動作して電流を流すために必要なNMOSM5のソース−ドレイン間の最低電圧を0.1Vとする。
なお、本実施形態ではPMOSM1と電流ミラー接続されるPMOSM3を電圧VCCと検出結果出力端子の間に設けているが、PMOSM3を設けず、検出結果出力端子に電圧VCCが抵抗を介して印加されるようにしてもよい。
===電圧検出回路の動作===
次に本発明にかかる電圧検出回路の動作について説明する。
なお、電流ミラー接続されているPMOSM1、PMOSM2およびNMOSM4には、定電流回路Iによって発生する電流Iが常に流れている。
次に本発明にかかる電圧検出回路の動作について説明する。
なお、電流ミラー接続されているPMOSM1、PMOSM2およびNMOSM4には、定電流回路Iによって発生する電流Iが常に流れている。
≪電圧VDD>1.7ボルトの場合≫
直列接続されたPMOSM8とNMOSM7のしきい値と、NMOSM5が動作するソース−ドレイン間の最低電圧との加算電圧より電圧VDDが高くなるので、PMOSM8とNMOSM7がオンし、NMOSM5に電流Iが流れ始める。また、PMOSM8がオンすることによって、電流ミラー接続されたPMOSM9もオンし、PMOSM9に電流が流れ始める。
直列接続されたPMOSM8とNMOSM7のしきい値と、NMOSM5が動作するソース−ドレイン間の最低電圧との加算電圧より電圧VDDが高くなるので、PMOSM8とNMOSM7がオンし、NMOSM5に電流Iが流れ始める。また、PMOSM8がオンすることによって、電流ミラー接続されたPMOSM9もオンし、PMOSM9に電流が流れ始める。
PMOSM9は、NMOSM8とのトランジスタのサイズ比(W/L)1:5に応じて、NMOSM8に流れる電流Iよりも大きい電流5*Iを流そうとする。なお、一般的に同じサイズ比のMOSFETでは、PMOSのオン抵抗の方がNMOSのオン抵抗より悪くなる(以下、PMOSのオン抵抗の方がNMOSのオン抵抗より、例えば2.5倍悪いとする)。PMOSM9とNMOSM6とのサイズ比は100/2:10/1なのでPMOSM9とNMOSM6のオン抵抗の比は2.5/50:1/10=1:2となる。
従って、NMOSM10のゲート電圧は(2/3)*VDDとなり、電圧VDD/2(0.85ボルト)より高くなる。NMOSM10はゲート電圧が0.85ボルトより高くなることによってオンし、ドレイン−ソース間にI以上の電流を流そうとする。仮にNMOSM10に流れる電流をIとした場合でも、NMOSM10とPMOSM3のトランジスタのサイズ比はともに20/1であるので、前述のようにNMOSM10のオン抵抗はPMOSM3のオン抵抗より低くなる。従って検出結果出力端子からは「L」の電圧が出力される。
≪電圧VDD<1.7ボルトの場合≫
直列接続されたPMOSM8とNMOSM7のしきい値と、NMOSM5が動作するソース−ドレイン間の最低電圧との加算電圧より電圧VDDが低いので、PMOSM8とNMOSM7はオフとなる。またPMOSM8と電流ミラー接続されたPMOSM9もオフとなる。
直列接続されたPMOSM8とNMOSM7のしきい値と、NMOSM5が動作するソース−ドレイン間の最低電圧との加算電圧より電圧VDDが低いので、PMOSM8とNMOSM7はオフとなる。またPMOSM8と電流ミラー接続されたPMOSM9もオフとなる。
電流ミラー回路の出力であるNMOSM6は電流Iを流そうとする。一方PMOSM9はオフしており、PMOSM9のドレイン−ソース間の抵抗値は、PMOSM6のドレイン−ソース間の抵抗値に比べて十分大きな値となるので、NMOSM10のゲート電圧が低くなり、NMOSM10はオフとなる。したがってPMOSM3に流れる電流Iによって検出結果出力端子の電圧は高くなるので、検出結果出力端子からは、「H」の電圧が出力される。
従って、検出結果出力端子の出力が「L」から「H」に変化することによって、電源電圧VDDが1.7Vより低くなることを検出することができる。
そして、電圧VDDが1.7Vより低くなったことを検出した場合、電圧検出回路は、電圧VDDを電源電圧とするロジック回路のロジック動作を、例えば強制的に停止させる。
そして、電圧VDDが1.7Vより低くなったことを検出した場合、電圧検出回路は、電圧VDDを電源電圧とするロジック回路のロジック動作を、例えば強制的に停止させる。
なお、図1に示す電圧検出回路においてNMOSM7を設けず、PMOSM8のドレインをNMOSM5のドレインに接続する構成にすることも可能である。その場合、電圧VDDが0.9V(0.8V+0.1V)に低下することを検出する回路になる。
また、PMOSM8のドレインとNMOSM5のドレインとの間に、NMOSM7と同じNMOSを直列に2つ接続した場合、電圧VDDが2.5V(0.8×3+0.1)に低下することを検出する回路になる。
また、PMOSM8のドレインとNMOSM5のドレインとの間に、NMOSM7と同じNMOSを直列に2つ接続した場合、電圧VDDが2.5V(0.8×3+0.1)に低下することを検出する回路になる。
このように、電圧VDDと電流ミラー回路の出力NMOSM5の間に接続されたMOSトランジスタのしきい値電圧を用いることによって、分圧抵抗および基準電圧を使用せずに電圧VDDが所定電圧(例えば1.7V)となることを検出することができる。
===他の実施形態===
図2は、本発明の他の実施形態にかかる電圧検出回路の構成の一例を示す回路図である。なお、図2に示す電圧検出回路は、MOSFETではなくバイポーラトランジスタを使用した一例である。
図2は、本発明の他の実施形態にかかる電圧検出回路の構成の一例を示す回路図である。なお、図2に示す電圧検出回路は、MOSFETではなくバイポーラトランジスタを使用した一例である。
同図に示す電圧検出回路は、電圧VDDが1.5V未満になることを検出する電圧検出回路であり、PNP型バイポーラトランジスタ(以下PNPトランジスタとする)B1、B2、B3、B4、B9、B11、NPN型バイポーラトランジスタ(以下NPNトランジスタとする)B5、B6、B7、B8、B10、B12、定電流回路I、および抵抗Rを備えている。なお、図2に示す電圧検出回路は、電圧VDDが電源電圧のロジック回路と、例えば同一チップに集積化されている。
なお、PNPトランジスタB1、B2、B3、B4のトランジスタのサイズ比は等しいとする。また、NPNトランジスタB5、B6のトランジスタのサイズ比が等しく、B7、B8のトランジスタのサイズ比が等しいとする。さらに、PNPトランジスタB11のトランジスタのサイズ比はNPNトランジスタ9のトランジスタのサイズ比より大きい(例えばNPNトランジスタ9とNPNトランジスタ11のサイズ比を1:5)とする。
PNPトランジスタB1、B2、B3、B4のエミッタには、電圧VCCが印加され、PNPトランジスタB1、B2、B3、B4のベースは互いに接続される。また、ダイオード接続されたPNPトランジスタB1のコレクタは定電流回路Iに接続されている。従って、PNPトランジスタB1、B2、B3、B4は電流ミラー回路を構成している。また、PNPトランジスタB1、B2、B3、B4のトランジスタのサイズ比が等しいので、PNPトランジスタB1に流れる電流Iと等倍の定電流をPNPトランジスタB2、B3、B4は流そうとする。なお、電圧VCCは、一定の電圧である。
PNPトランジスタB2のコレクタは、NPNトランジスタB7のコレクタと接続され、PNPトランジスタB3のコレクタは、NPNトランジスタB5のコレクタと接続されている。また、PNPトランジスタB4のコレクタは、検出結果出力端子と接続されている。
NPNトランジスタB5、B6のエミッタは、接地され、ダイオード接続されたNPNトランジスタB5のベースは、NPNトランジスタB6のベースに接続されている。従って、NPNトランジスタB5、B6は電流ミラー接続されている。NPNトランジスタB5のコレクタはPNPトランジスタB3のコレクタと接続されているので、PNPトランジスタB3に流れる電流Iと等倍の定電流がNPNトランジスタB5に流れる。
また、NPNトランジスタB7、B8のエミッタは、接地され、ダイオード接続されたNPNトランジスタB7のベースは、NPNトランジスタB8のベースに接続されている。従って、NPNトランジスタB5、B6は電流ミラー接続されている。NPNトランジスタB7のコレクタはPNPトランジスタB2のコレクタと接続されているので、PNPトランジスタB2に流れる電流Iと等倍の定電流がNPNトランジスタB7に流れる。
PNPランジスタB9、B11のエミッタには、電圧VDDが印加される。また、ダイオード接続されたPNPランジスタB9のベースは、PNPランジスタB11のベースに接続されている。従ってPNPランジスタ8、M9は、電流ミラー接続されている。また、PNPトランジスタB9のコレクタはNPNトランジスタB10のコレクタと接続され、PNPトランジスタB11のコレクタはNPNトランジスタB8のコレクタと接続されている。
抵抗Rは、PNPランジスタB9のエミッタ−ベース間に接続されている。
NPNトランジスタB10はダイオード接続されている。またNPNトランジスタB10のエミッタはNPNトランジスタB6のコレクタと接続されている。
NPNトランジスタB12のベースはNPNトランジスタB8のコレクタと接続され、エミッタは接地されている。また、NPNトランジスタB12のコレクタは検出結果出力端子に接続されている。
NPNトランジスタB10はダイオード接続されている。またNPNトランジスタB10のエミッタはNPNトランジスタB6のコレクタと接続されている。
NPNトランジスタB12のベースはNPNトランジスタB8のコレクタと接続され、エミッタは接地されている。また、NPNトランジスタB12のコレクタは検出結果出力端子に接続されている。
なお、PNPトランジスタB9およびNPNトランジスタB10のベース−エミッタ間電圧VBEを0.7Vとし、電流ミラー回路の出力となるNPNトランジスタB6が動作して電流を流すことがために必要なNPNトランジスタB6のエミッタ−コレクタ間の最低電圧を0.1Vとする。また抵抗Rの抵抗値は、(PNPトランジスタB9のベース−エミッタ間電圧VBE)/電流Iより大きい値であるとする。
次に本発明の他の実施形態にかかる電圧検出回路の動作について説明する。
なお、電流ミラー回路を構成しているPNPトランジスタB1、B2、B4およびNPNトランジスタB5、B7には、定電流回路Iによって発生する電流Iが常に流れている。
なお、電流ミラー回路を構成しているPNPトランジスタB1、B2、B4およびNPNトランジスタB5、B7には、定電流回路Iによって発生する電流Iが常に流れている。
≪電圧VDD>1.5Vの場合≫
直列接続されたPNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10のベース−エミッタ間電圧VBEと、NPNトランジスタB6が動作するエミッタ−コレクタ間の最低電圧との加算電圧(1.5V)より電圧VDDが高くなるので、PNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10がオンし、電流IがNPNトランジスタB6に流れ始める。また、PNPトランジスタB9がオンすることによって、電流ミラー接続されたPNPトランジスタB11もオンし、PNPトランジスタB11に電流が流れる。
直列接続されたPNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10のベース−エミッタ間電圧VBEと、NPNトランジスタB6が動作するエミッタ−コレクタ間の最低電圧との加算電圧(1.5V)より電圧VDDが高くなるので、PNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10がオンし、電流IがNPNトランジスタB6に流れ始める。また、PNPトランジスタB9がオンすることによって、電流ミラー接続されたPNPトランジスタB11もオンし、PNPトランジスタB11に電流が流れる。
PNPトランジスタB11は、電流ミラー接続されたPNPトランジスタB9とのトランジスタのサイズ比1:5に応じて、PNPトランジスタB9に流れる電流Iよりも大きい電流(5*I)を流そうとする。そのため、NPNトランジスタB12のベース電流は4*Iとなり、これによってコレクタ電位は十分下がりNPNトランジスタB12は飽和する。よって検出結果出力端子からは「L」の電圧が出力される。
≪電圧VDD<1.5Vの場合≫
直列接続されたPNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10のベータ−エミッタ間電圧VBEと、NPNトランジスタB6が動作するエミッタ−コレクタ間の最低電圧との加算電圧(1.5V)より電圧VDDが低いので、PNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10はオフとなる。またPNPトランジスタB9と電流ミラー接続されたPNPトランジスタB11もオフとなる。
直列接続されたPNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10のベータ−エミッタ間電圧VBEと、NPNトランジスタB6が動作するエミッタ−コレクタ間の最低電圧との加算電圧(1.5V)より電圧VDDが低いので、PNPトランジスタB9とNPNトランジスタB10はオフとなる。またPNPトランジスタB9と電流ミラー接続されたPNPトランジスタB11もオフとなる。
電流ミラー回路の出力であるNPNトランジスタB8は電流Iを流そうとする。しかし、PNPトランジスタB11はオフしており、PNPトランジスタB11のコレクタ−エミッタ間の抵抗値は、NPNトランジスタB8のコレクタ−エミッタ間の抵抗値に比べて十分大きな値となるので、NPNトランジスタB12のベースに電流が供給されなくなり、NPNトランジスタB12はオフとなる。したがってPNPトランジスタB4に流れる電流Iによって検出結果出力端子の電圧は高くなるので、検出結果出力端子からは、「H」の電圧が出力される。
なお、抵抗Rは電圧VDDが1.5V未満(例えば1V)のときに電流Iより小さい電流iがNPNトランジスタB11のベース電流として流れることでNPNトランジスタB11のコレクタにi*hFE(hFEはNPNトランジスタ11の電流増幅率)のコレクタ電流が流れ、PNPトランジスタB8のコレクタ電流より大きくなることを防止する。
従って、検出結果出力端子の出力が「L」から「H」に変化することによって、電源電圧VDDが1.5Vより低くなることを検出することができる。
以上、MOSFETおよびバイポーラトランジスタを使用した例を用いて説明したように、本発明の電圧検出回路は、外部に設けられた基準電圧生成回路によって得られる基準電圧VREFが不要であり、さらに被検出電圧VDDを分圧する分圧抵抗R1、R2も不要である。基準電圧VREFが不要となるため、基準電圧生成回路を同一チップに集積化した場合の従来の電圧検出回路に比べてチップ面積を縮小することができる。さらに、分圧抵抗R1、R2に電流を流さないので低消費電力化することができる。
また、図1のように電圧検出回路にMOSFETを使用すると電圧VDDが2*VT以上の場合にはPMOSM9がオンし、そのオン抵抗がNMOSM6のオン抵抗より低いことによってNMOSM10のゲート電圧がVDD/2(0.85ボルト)以上となる。よってNMOSM10がオンして検出結果出力端子から「L」の電圧が出力される。一方、電圧VDDが2*VT未満の場合にはPMOSM9がオフとなることで、NMOSM10はゲート電圧が低くなってオフとなり検出結果出力端子から「H」の電圧が出力される。このように電圧VDDが2*VTより低くなることの検出をMOSFETによる構成によって簡易に行うことができる。さらに、本発明の電圧検出回路には図2に示すようにバイポーラトランジスタを使用することもできる。その場合にもMOSFETの場合と同様に、NPNトランジスタB12のオンオフに応じて電圧VDDが2*VBEより低くなることを検出することができる。
また、PMOSM8とNMOSM5の間にNMOSM7と同一構成のNMOSをn個(n≧0)直列することによって(n+1)*VT検出回路を構成することができる。さらに、バイポーラトランジスタを使用した場合には、PNPトランジスタB9とNPNトランジスタB6の間にNPNトランジスタB10と同一構成のNPNトランジスタをn個(n≧0)直列することによって(n+1)*VBE検出回路を構成することができる。
本発明の電圧検出回路は、CMOSインバータ回路の電源として使用される電圧VDDの低下の検出に好適に使用することができる。そして電圧VDDが2*VT(1.7V)未満となることを検出した場合に、CMOSインバータ回路の出力をシャットダウンすることによって、CMOSインバータ回路から出力される電圧VOUTが「HI−Z」となることを防止できる。
さらに、ロジック回路と電圧検出回路を同一チップ上に集積化した場合には、ロジック回路を構成するMOSFETのVTの温度特性と電圧検出回路の温度特性を等しくすることができる。
以上、本実施の形態について、その実施の形態に基づき具体的に説明したが、これに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
100 ロジック回路
102 電圧検出回路
M1、M2、M3、M8、M9 P型MOSFET
M4、M5、M6、M7 N型MOSFET
B1、B2、B3、B4、B9、B11 PNP型バーポーラトランジスタ
B5、B6、B7、B8、B10 NPN型バイポーラトランジスタ
I 定電流回路
G ゲート電極
S ソース電極
D ドレイン電極
102 電圧検出回路
M1、M2、M3、M8、M9 P型MOSFET
M4、M5、M6、M7 N型MOSFET
B1、B2、B3、B4、B9、B11 PNP型バーポーラトランジスタ
B5、B6、B7、B8、B10 NPN型バイポーラトランジスタ
I 定電流回路
G ゲート電極
S ソース電極
D ドレイン電極
Claims (4)
- 定電流回路と、
前記定電流回路によって動作する電流ミラー回路と、
前記電流ミラー回路の出力と被検出電圧との間に設けられた、少なくとも一つのダイオード接続された第1のトランジスタと、
前記被検出電圧が所定電圧以上のとき前記第1のトランジスタがオンすることによって一方の論理電圧を出力し、前記被検出電圧が所定電圧未満のとき前記第1のトランジスタがオフすることによって他方の論理電圧を出力する出力回路と、
を備えたことを特徴とする電圧検出回路。 - 前記電流ミラー回路は、2つの出力を有し、前記2つの出力のうち一方の出力は、前記第1のトランジスタと接続されており、
前記出力回路は、
前記第1のトランジスタの一つと電流ミラー接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタと前記電流ミラー回路の他方の出力との接続部に制御電極が接続された第3のトランジスタと、
を備え、
前記第3のトランジスタのオン、オフに基づいて前記一方の論理電圧または前記他方の論理電圧を出力する、
ことを特徴とする請求項1に記載の電圧検出回路。 - 前記第2のトランジスタがオンしたときの前記第2のトランジスタの出力電流が、前記電流ミラー回路の他方の出力に流れる電流より大きいことを特徴とする請求項2に記載の電圧検出回路。
- 前記第2のトランジスタと電流ミラー接続された前記第1のトランジスタは、
ゲート−ドレイン間が短絡されたP型MOSFETであり、
前記P型MOSFET以外に設けられる前記第1のトランジスタは、
ゲート−ドレイン間が短絡されたN型MOSFETであり、前記P型MOSFETと、前記電流ミラー回路の一方の出力との間に直列接続される、
ことを特徴とする請求項2または3に記載の電圧検出回路。
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