JP2006089353A - 多結晶シリコンおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(1)多結晶シリコンを集合体とした際の安息角が39度以下であることを特徴とする多結晶シリコンである。(2)前記多結晶シリコンが粒径3〜50mmで構成されることを特徴とする(1)の多結晶シリコンである。(3)棒状多結晶シリコンを最大上昇速度が60℃/min以上で400〜1100℃に加熱した後、100℃以下まで急冷却し、破砕するすることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法である。
【選択図】図2
Description
シーメンス法により得られた直径130mmの棒状多結晶シリコンを、長さ1mに切断し、それぞれ直径200mm、長さ2.0mの石英管に挿入して試験材を作製した。次に、加熱炉を400〜1100℃の温度範囲において、種々温度を設定して予熱した後、試験材を挿入し、直ちに加熱を開始し、棒状多結晶シリコンの中央部表面の温度を放射温度計で測定した。
このようにして同じ条件で急加熱ののち急冷却し、破砕と篩いに掛けて得られた多結晶シリコンを約100kg採取し、集合体としてサンプルを作製し、安息角を測定した。サンプル中の粒径3mm以上50mm以下の多結晶シリコンは、95重量%以上であった。
本発明例と同様、試験材を作製し、加熱炉に挿入して、加熱を開始し、試験材の表面温度が400℃、および600℃に達するまで、30℃/minの最大上昇速度で加熱した後、急冷却した多結晶シリコンの集合体のサンプルを作製した。また、シーメンス法により得られた直径130mmの棒状多結晶シリコンを加熱・冷却なしで破砕した多結晶シリコンの集合体のサンプルを作製した。
Ha:落下による山積みの頂5とホッパー1のノズル出口3までの距離
Hb:落下前の水平台2の上面とノズル出口3までの距離
1:ホッパー、 2:水平台、 3:ノズル出口、 4:ゲート
5:落下による山積みの頂
P:篩の目開き、 Q:開口部、 a:目開きをPとする孔開けした板
Claims (3)
- 多結晶シリコンを集合体とした際の安息角が39度以下であることを特徴とする多結晶シリコン。
- 前記多結晶シリコンが粒径3〜50mmで構成されることを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン。
- 棒状多結晶シリコンを最大上昇速度が60℃/min以上で400〜1100℃に加熱した後、100℃以下まで急冷却し、破砕することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008013432A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Wacker Chemie Ag | ポリシリコン破砕物を清浄化する方法 |
JP2009528970A (ja) * | 2006-03-08 | 2009-08-13 | ショット・ゾラール・ゲーエムベーハー | 材料を回収および/またはリサイクルするための方法 |
EP2305602A1 (de) * | 2009-09-24 | 2011-04-06 | Wacker Chemie AG | Stabförmiges Polysilicium mit verbesserter Brucheigenschaft |
JP2012197207A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 酸化珪素粉末の製造方法 |
WO2012164803A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の選択方法および単結晶シリコンの製造方法 |
CN104395740A (zh) * | 2012-06-18 | 2015-03-04 | 信越化学工业株式会社 | 多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法 |
JP2016028990A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-03 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン塊 |
KR20170112992A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨 | 제품을 오염시키는 규소 에칭제에 의해 용해되지 않는 물질의 농도 측정 방법 |
WO2020153340A1 (ja) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン塊状物、その梱包体及びこれらの製造方法 |
WO2021251095A1 (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 株式会社トクヤマ | ポリシリコン破砕物およびその製造方法 |
CN115893525A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-04-04 | 蜂巢能源科技股份有限公司 | 一种无钴单晶正极材料及电池和制备方法 |
-
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- 2004-09-27 JP JP2004279778A patent/JP4094599B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009528970A (ja) * | 2006-03-08 | 2009-08-13 | ショット・ゾラール・ゲーエムベーハー | 材料を回収および/またはリサイクルするための方法 |
JP2008013432A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Wacker Chemie Ag | ポリシリコン破砕物を清浄化する方法 |
EP2305602A1 (de) * | 2009-09-24 | 2011-04-06 | Wacker Chemie AG | Stabförmiges Polysilicium mit verbesserter Brucheigenschaft |
JP2011068558A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Wacker Chemie Ag | 改善された破砕特性を有するロッド状ポリシリコン |
US9382617B2 (en) | 2009-09-24 | 2016-07-05 | Wacker Chemie Ag | Rod-type polysilicon having improved breaking properties |
US9238866B2 (en) | 2009-09-24 | 2016-01-19 | Wacker Chemie Ag | Rod-type polysilicon having improved breaking properties |
JP2012197207A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 酸化珪素粉末の製造方法 |
WO2012164803A1 (ja) * | 2011-06-02 | 2012-12-06 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の選択方法および単結晶シリコンの製造方法 |
US9605356B2 (en) | 2011-06-02 | 2017-03-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for selecting polycrystalline silicon rod, and method for producing single crystalline silicon |
CN104395740A (zh) * | 2012-06-18 | 2015-03-04 | 信越化学工业株式会社 | 多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法 |
US9274069B2 (en) | 2012-06-18 | 2016-03-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for evaluating degree of crystalline orientation of polycrystalline silicon, method for selecting polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon rod, polycrystalline silicon ingot, and method for manufacturing monocrystalline silicon |
EP2863212A4 (en) * | 2012-06-18 | 2015-11-11 | Shinetsu Chemical Co | METHOD FOR EVALUATING THE DEGREE OF ORIENTATION OF CRYSTALS OF A POLYCRYSTALLINE SILICON, METHOD FOR SELECTING POLYCRYSTALLINE SILICON BARS, POLYCRYSTALLINE SILICON BAR, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, AND PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON |
CN104395740B (zh) * | 2012-06-18 | 2016-08-10 | 信越化学工业株式会社 | 多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法 |
JP2016028990A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-03 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン塊 |
KR20170112992A (ko) * | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨 | 제품을 오염시키는 규소 에칭제에 의해 용해되지 않는 물질의 농도 측정 방법 |
KR102594202B1 (ko) | 2016-03-28 | 2023-10-27 | 헴로크 세미컨덕터 오퍼레이션즈 엘엘씨 | 제품을 오염시키는, 규소 에칭제에 의해 용해되지 않는 물질의 농도 측정 방법 |
WO2020153340A1 (ja) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン塊状物、その梱包体及びこれらの製造方法 |
CN113348149A (zh) * | 2019-01-25 | 2021-09-03 | 株式会社德山 | 多晶硅块状物、其包装体及其制造方法 |
JP7482039B2 (ja) | 2019-01-25 | 2024-05-13 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン塊状物、その梱包体及びこれらの製造方法 |
WO2021251095A1 (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 株式会社トクヤマ | ポリシリコン破砕物およびその製造方法 |
CN115697905A (zh) * | 2020-06-09 | 2023-02-03 | 株式会社德山 | 多晶硅破碎物及其制造方法 |
CN115893525A (zh) * | 2022-12-21 | 2023-04-04 | 蜂巢能源科技股份有限公司 | 一种无钴单晶正极材料及电池和制备方法 |
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Publication number | Publication date |
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