JP2006086539A - 基板の処理方法及び基板の処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】層間絶縁膜の硬化処理を,層間絶縁膜の形成されたウェハWをヒータ61によって加熱された載置台60上に載置し,当該ウェハWに電子線管66から電子線を照射することによって行う。これによって,層間絶縁膜の硬化処理がより短時間で行われ,ウェハWの総処理時間が短縮される。また,当該硬化処理を枚葉式で行うことができるので,バッチ式のようにウェハWの待ち時間が無くなり,ウェハWの処理時間が一定になる。層間絶縁膜を硬化した後,処理室内にプラズマを発生させ,ウェハWの電位を下げる。
【選択図】図7
Description
15,16,18 塗布ユニット
42,43,47 低温加熱ユニット
44,48,49 高温加熱温度
55 硬化処理ユニット
64 照射装置
66 電子線管
68a,68b 供給管
70a,70b 排気管
S 処理室
W ウェハ
Claims (13)
- 基板の処理方法であって,
基板に層間絶縁膜を形成する工程と,
処理室内で前記基板上の層間絶縁膜に対して電子線を照射し,当該層間絶縁膜を硬化させる工程と,
電子線を照射して層間絶縁膜を硬化させた後,前記処理室内でプラズマを発生させる工程と,を有することを特徴とする,基板の処理方法。 - 前記プラズマは,高周波電力の供給によって発生させることを特徴とする,請求項1に記載の基板の処理方法。
- 前記層間絶縁膜を硬化させる工程において,基板が所定温度に加熱されることを特徴とする,請求項1又は2のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記層間絶縁膜を硬化させる工程は,少なくとも大気よりも酸素濃度の低い低酸素雰囲気で行われることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 少なくとも前記基板周辺の雰囲気を酸素よりも分子量の小さい気体に置換することによって,前記低酸素雰囲気を作り出すことを特徴とする,請求項4に記載の基板の処理方法。
- 前記処理室内を減圧することによって,前記低酸素雰囲気を作り出すことを特徴とする,請求項4又は5のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記層間絶縁膜を形成する工程は,基板に層間絶縁膜となる塗布液を塗布する工程を有し,
当該塗布工程と前記層間絶縁膜を硬化させる工程との間に,基板を加熱するプレ加熱工程が行われることを特徴とする,請求項1〜6のいずれかに記載の基板の処理方法。 - 前記プレ加熱工程が終了してから基板に電子線が照射されるまでの時間が一定に制御されることを特徴とする,請求項7に記載の基板の処理方法。
- 前記プレ加熱は,前記層間絶縁膜を硬化させる工程における基板の温度よりも低い温度で行われることを特徴とする,請求項7又は8のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記層間絶縁膜を硬化させる工程後に,基板を加熱するポスト加熱工程を有することを特徴とする,請求項1〜9のいずれかに記載の基板の処理方法。
- 前記ポスト加熱は,前記層間絶縁膜を硬化させる工程における基板の温度よりも高い温度で行われることを特徴とする,請求項10に記載の基板の処理方法。
- 基板の処理装置であって,
処理室内で基板を載置する載置台と,
前記載置台上の基板に電子線を照射する装置と,
前記処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と,を有していることを特徴とする,基板の処理装置。 - 前記載置台は,基板に対して逆バイアス電圧を印加することが可能であることを特徴とする,請求項12に記載の基板の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005308249A JP4037431B2 (ja) | 2001-01-19 | 2005-10-24 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001012384 | 2001-01-19 | ||
JP2005308249A JP4037431B2 (ja) | 2001-01-19 | 2005-10-24 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
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JP2002012018A Division JP3813877B2 (ja) | 2001-01-19 | 2002-01-21 | 基板の処理方法 |
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JP2006086539A true JP2006086539A (ja) | 2006-03-30 |
JP4037431B2 JP4037431B2 (ja) | 2008-01-23 |
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KR101555881B1 (ko) | 2014-05-12 | 2015-10-01 | 주식회사 엘아이에스 | 전자빔을 이용한 열처리장치 |
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A977 | Report on retrieval |
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