JP2006086409A - 半導体基板の洗浄方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 液面レベルが下限位置LLに達するまでの間、流量調節弁の流量をポンプによる流量よりも徐々に大きくし、液面レベルが上限位置に達するまでの間、流量調節弁の流量をポンプによる流量よりも徐々に小さくする。このように各部を調整することにより、内槽3に貯留している処理液の液面レベルを上下動させる。これにより、液面レベルが半導体基板Wの面に沿って上下するので、処理における半導体基板Wの面内均一性をさらに高めることができる。
【選択図】 図3
Description
開閉弁13,27は閉止され、流量調整弁33,41は流量がゼロに設定されている状態で、制御部45は開閉弁42を開き処理液供給源60から処理液としての硫酸をバッファタンク11内に供給する。そして、開閉弁13を開放するとともにポンプ15を作動させ、所定流量で処理槽1に硫酸を供給する。内槽3の容量を超える硫酸が供給されると、内槽3から硫酸が溢れて回収槽5に回収され始める。
制御部45は、硫酸が図2に示す上限位置ULに達したことを液面センサ43によって検知する。そして、所定時間後に、開閉弁42を閉じバッファタンク11内への硫酸の供給を停止する。
次に、回収槽5に貯留した硫酸を、排出配管17を通してバッファタンク11内に戻す。これとともにインラインヒータ21を所定温度に加熱する設定とし、流通する硫酸を加熱する。その温度は、例えば、150〜160℃程度である。
リフター47を図1中に実線で示す待機位置から、図1中に二点鎖線で示す処理位置に下降させる。これにより、半導体基板Wが熱硫酸中に移動される。
制御部45は、流量調整弁41を所定流量に設定して開放する。これにより気体供給源39からオゾンガスが所定の流量で配管37を通り、バブラ35から内槽3内の熱硫酸中に供給される。このときの状態は、図2に示すようになり、内槽3の下部に配置されているバブラ35から供給されたオゾンガスは、気泡となって液面に向かって上昇する。その際には、バブラ35から液面に向かって扇状に拡がってゆくので、半導体基板Wの上部は、下部に比較して触れる気泡が多く、また気泡が滞留しているので、触れる量も多くなる。
上記の状態を所定時間だけ維持して、半導体基板Wに対して剥離・洗浄等の処理を行う。
所定時間が経過すると、制御部45は、ポンプ15の送出量よりも徐々に大流量となるように流量調整弁33の流量を制御する。これにより、内槽3内の熱硫酸は、図3に示すように、その液面レベルが下降し始める(図3中に点線で示す液面レベル)。その際には、液面センサ43によって内槽3内の熱硫酸の液面レベルを監視しており、下限位置LLに達したか否かを判断する。
内槽3の熱硫酸の液面レベルが下限位置LLに達したことを液面センサ43によって検知すると、ポンプ15を停止させるとともに、開閉弁13を閉止する。さらに、流量調整弁33を閉止する。この状態を所定時間だけ維持する。
制御部45は、開閉弁13を開放するとともにポンプ15を作動させる。さらに、ポンプ15の送出量を、流量調整弁33の流量よりも次第に大きくなるようにを制御する。これにより、下限位置LLにあった熱硫酸の液面レベルが、上限位置ULにまで達する。
熱硫酸の液面レベルが上限位置ULに到達したことを液面センサ43によって検知すると、制御部45はその回数をカウントするとともに、所定回数に達したか否かを判断する。そして、所定回数に達していなければ、ステップS6に戻ってこの状態を所定時間維持する。一方、所定回数に達している場合には、処理を終了する。具体的には、流量調整弁41を流量ゼロとして閉止するとともに、ポンプ15を停止、開閉弁13を閉止し、流量調整弁33を閉止する。そして、リフター47を処理位置から待機位置に移動させて、内槽3から半導体基板Wを引き上げて搬出する。
1 … 処理槽
3 … 内槽
5 … 回収槽
7 … 注入管
9 … 供給配管
11 … バッファタンク
15 … ポンプ
17 … 排出配管
18 … 循環配管
31 … 配管
33 … 流量調節弁
35 … バブラ
37 … 配管
43 … 液面センサ
45 … 制御部
47 … リフター
UL … 上限位置
LL … 下限位置
60 … 処理液供給源
63 … 加熱機構
65 … カバー
Claims (10)
- 半導体基板を処理液により洗浄する半導体基板の洗浄方法において、
処理槽内に貯留された処理液に半導体基板を浸漬させた状態で、前記処理槽内に設けられたバブラから気体を供給させつつ、処理液の液面レベルを所定の範囲内において上下動させることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 請求項1に記載の半導体基板の洗浄方法において、
半導体基板に対する処理液による洗浄前または洗浄後に、前記処理槽内に処理液を貯留せずに前記処理槽内に半導体基板を収納した状態で、前記処理槽内に設けられたバブラから気体を供給させつつ、加熱手段により半導体基板を加熱することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 請求項1に記載の半導体基板の洗浄方法において、
処理液による半導体基板の洗浄中に、加熱手段により半導体基板を加熱することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の半導体基板の洗浄方法において、
前記所定の範囲内とは、前記処理槽内に収容された半導体基板の下部にあたる下限位置から、前記処理槽内に収容された半導体基板の上縁を超える上限位置であることを特徴とする半導体基板の洗浄方法。 - 半導体基板を処理液により洗浄する半導体基板の洗浄装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の下部に設けられ、前記処理槽へ気体を供給するバブラと、
前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理槽内から処理液を排出する処理液排出手段と、
前記処理槽内の処理液の液面レベルを検出する検出手段と、
前記処理槽内の処理液に半導体基板を浸漬した状態で、前記バブラから気体を供給させるとともに、前記検出手段により液面レベルを監視しつつ、前記処理液供給手段による処理液の供給及び前記処理液排出手段による処理液の排出を制御して、処理液の液面レベルを所定の範囲内において上下動させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 請求項5に記載の半導体基板の洗浄装置において、
前記所定の範囲内とは、前記処理槽内に収容された半導体基板の下部にあたる下限位置から、前記処理槽内に収容された半導体基板の上縁を超える上限位置であることを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 請求項6に記載の半導体基板の洗浄装置において、
前記処理液排出手段は、前記処理槽から処理液を排出するための第1配管と、前記第1配管の流量を調節する第1流量調節手段とを備え、
前記処理液供給手段は、前記処理槽へ処理液を供給するための第2配管と、前記第2配管の流量を調節する第2流量調節手段とを備え、
前記制御手段は、液面レベルが下限位置に達するまでの間、前記第1流量調節手段の流量を前記第2流量調節手段の流量よりも大きくし、液面レベルが上限位置に達するまでの間、前記第1流量調節手段の流量を前記第2の流量調節手段の流量よりも小さくすることを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 請求項7に記載の半導体基板の洗浄装置において、
前記第1配管及び前記第2配管のそれぞれが接続され、処理液を回収するバッファタンクをさらに備え、
前記処理槽から前記第1配管を介して排出された処理液は、前記バッファタンク及び前記第2配管を介して前記処理槽へ供給されることを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 請求項5乃至請求項8のいずれかに記載の半導体基板の洗浄装置において、
前記処理槽内の処理液に半導体基板を浸漬した状態で、半導体基板を加熱する加熱手段をさらに備えたことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。 - 請求項5乃至請求項8のいずれかに記載の半導体基板の洗浄装置において、
前記処理槽の上部を開閉する開閉部材と、
半導体基板に対する処理液による洗浄前または洗浄後に、前記処理槽内に処理液を貯留せずに前記処理槽内に半導体基板を収納した状態で、前記開閉部材を閉状態にし、前記バブラから気体を供給させつつ、半導体基板を加熱する加熱する加熱手段と、
をさらに備えたことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
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