JP2006073871A - エッチング用組成物 - Google Patents
エッチング用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006073871A JP2006073871A JP2004256999A JP2004256999A JP2006073871A JP 2006073871 A JP2006073871 A JP 2006073871A JP 2004256999 A JP2004256999 A JP 2004256999A JP 2004256999 A JP2004256999 A JP 2004256999A JP 2006073871 A JP2006073871 A JP 2006073871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- etching
- hafnium
- fluoride
- etching composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】 フッ化物、塩化物、及び錯化剤を含んでなるエッチング用組成物、或いはフッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物を用いる。フッ化ケイ素、リン酸を含んでなるエッチング用組成物には、錯化剤、過酸化水素を含んでも良い。
【選択図】 選択図なし
Description
AF:フッ化アンモニウム
SiF:ヘキサフルオロケイ酸
HCl:塩化水素酸
HF:フッ化水素酸
OPA:オルトリン酸
DPA:ピロリン酸
PPA:ポリリン酸
AC:塩化アンモニウム
PA:リン酸(オルトリン酸)
IPA:2−プロパノール
HfSiOx:ハフニウムシリケート
HfSiONx:窒化ハフニウムシリケート
SiOx:酸化シリコン
実施例1〜7、比較例1〜3
HfSiOx、HfSiONxをCVD(化学気相成長)法で10nmの厚みで成膜したシリコンウエハ基板、及び熱酸化膜(SiOx)を300nmの厚みで形成したシリコン基板を、ポリエチレン容器に入れた表1記載のエッチング用組成物の中に浸漬した。(10分間浸漬)その後、水洗、乾燥の後、光学式膜厚測定装置で浸漬前後のHfSiOx,HfSiONx,SiOxの膜厚を測定し、エッチング速度を求めた。なお、表1の組成物において、残部は水である。
<Hf付着防止評価>
各ポリエチレン容器に塩化ハフニウムを0.1g入れ、表1記載のエッチング用組成物100g添加した後、シリコン基板を浸漬した。10分間浸漬した後、水洗、乾燥し、全反射蛍光X線装置でシリコン基板上のHf原子数を3点測定し、その平均値で評価した。
<エッチング評価>
HfSiOx、HfSiONxをCVD(化学気相成長)法で10nmの厚みで成膜したシリコンウエハ基板、及び熱酸化膜(SiOx)を300nmの厚みで形成したシリコン基板を、ポリエチレン容器に入れた表2記載のエッチング用組成物の中に浸漬した。(10分間浸漬)その後、水洗、乾燥の後、光学式膜厚測定装置で浸漬前後のHfSiOx,HfSiONx,SiOxの膜厚を測定し、エッチング速度を求めた。なお、表2の組成物において、残部は水である。
Claims (12)
- フッ化物、塩化物及び錯化剤を含んでなるハフニウム化合物のエッチング用組成物。
- フッ化物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化ケイ素から成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項1に記載のエッチング用組成物。
- フッ化ケイ素が四フッ化ケイ素及び/又はヘキサフルオロケイ酸である請求項2に記載のエッチング用組成物。
- 塩化物が、塩化水素酸及び/又は塩化アンモニウムである請求項1〜請求項3のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- リン酸をさらに含んでなることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 錯化剤がシュウ酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フタル酸、酒石酸、乳酸、グリコール酸、マレイン酸及びそれらの塩、エチレンジアミン四酢酸、トランス−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、ニトリロトリ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、N−(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン−N,N’,N’−トリ酢酸からなる群から選ばれる1種以上である請求項1〜請求項5に記載のエッチング用組成物。
- フッ化ケイ素及びリン酸を含んでなるハフニウム化合物のエッチング用組成物。
- フッ化ケイ素が四フッ化ケイ素及び/又はヘキサフルオロケイ酸である請求項7に記載のエッチング用組成物。
- リン酸が、オルトリン酸、メタリン酸、ポリリン酸から成る群より選ばれる少なくとも1種である請求項7〜請求項8のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 錯化剤をさらに含んでなることを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 過酸化水素をさらに含んでなることを特徴とする請求項7〜請求項10のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- ハフニウム化合物が、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、ハフニウムアルミネート、窒化ハフニウムアルミネートから成る群より選ばれる少なくとも一種である請求項1〜請求項11のいずれかに記載のエッチング用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004256999A JP2006073871A (ja) | 2004-08-02 | 2004-09-03 | エッチング用組成物 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004225954 | 2004-08-02 | ||
JP2004256999A JP2006073871A (ja) | 2004-08-02 | 2004-09-03 | エッチング用組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006073871A true JP2006073871A (ja) | 2006-03-16 |
Family
ID=36154141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004256999A Pending JP2006073871A (ja) | 2004-08-02 | 2004-09-03 | エッチング用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006073871A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080353A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008047796A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
CN101956184A (zh) * | 2010-09-29 | 2011-01-26 | 厦门华弘昌科技有限公司 | 瓷片上钼或钨图形选择性化学镀镍工艺及一种还原性微蚀液 |
US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
CN109423290A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于在制造半导体器件过程中相对于氮化钛选择性地去除氮化钽的蚀刻溶液 |
-
2004
- 2004-09-03 JP JP2004256999A patent/JP2006073871A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006080353A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2008047796A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
CN101956184A (zh) * | 2010-09-29 | 2011-01-26 | 厦门华弘昌科技有限公司 | 瓷片上钼或钨图形选择性化学镀镍工艺及一种还原性微蚀液 |
US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
US10465112B2 (en) | 2014-07-17 | 2019-11-05 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
CN109423290A (zh) * | 2017-08-25 | 2019-03-05 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于在制造半导体器件过程中相对于氮化钛选择性地去除氮化钽的蚀刻溶液 |
JP2019075546A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-05-16 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスの製造中に窒化チタンに対して窒化タンタルを選択的に除去するためのエッチング液 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7171800B2 (ja) | 表面上の残渣を除去するための洗浄用製剤 | |
US6162370A (en) | Composition and method for selectively etching a silicon nitride film | |
JP6329909B2 (ja) | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法 | |
JP6723152B2 (ja) | 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法 | |
EP2386623B1 (en) | Cleaning composition, method for producing semiconductor device, and cleaning method | |
JP4983422B2 (ja) | エッチング用組成物及びエッチング方法 | |
KR20110035905A (ko) | 세정 조성물, 세정 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2007318057A (ja) | エッチング用組成物及びエッチング方法 | |
JP2016025321A (ja) | エッチング液組成物およびエッチング方法 | |
JP2020505765A (ja) | 進歩したノードbeol処理のためのエッチング後残留物除去 | |
JP2022535440A (ja) | エッチング組成物 | |
JP2022536763A (ja) | エッチング組成物 | |
JP2006319171A (ja) | エッチング用組成物 | |
JP4501669B2 (ja) | エッチング用組成物 | |
JP2006073871A (ja) | エッチング用組成物 | |
JP2023171814A (ja) | 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法 | |
WO2019167971A1 (ja) | アルミナの保護液、保護方法及びこれを用いたアルミナ層を有する半導体基板の製造方法 | |
JP2007328153A (ja) | レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 | |
US20220228062A1 (en) | Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device | |
JP2007080966A (ja) | 酸化ハフニウム用エッチング組成物 | |
JP2005311316A (ja) | エッチング用組成物及びエッチング処理方法 | |
JP2005203467A (ja) | エッチング用組成物 | |
JP4337446B2 (ja) | エッチング剤及びエッチング方法 | |
JP4374972B2 (ja) | 酸化タンタルのエッチング用組成物 | |
JP4337445B2 (ja) | エッチング剤及びエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070821 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20091225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100112 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100308 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100519 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100609 |