JP2006073642A - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006073642A
JP2006073642A JP2004253045A JP2004253045A JP2006073642A JP 2006073642 A JP2006073642 A JP 2006073642A JP 2004253045 A JP2004253045 A JP 2004253045A JP 2004253045 A JP2004253045 A JP 2004253045A JP 2006073642 A JP2006073642 A JP 2006073642A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting layer
layer
organic
dopant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2004253045A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaya Nakai
正也 中井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2004253045A priority Critical patent/JP2006073642A/ja
Publication of JP2006073642A publication Critical patent/JP2006073642A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】 長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することである。
【解決手段】 有機EL素子100は、ホール注入電極2、ホール注入層3、橙色発光層4、青色発光層5、電子輸送層6および電子注入電極7を備える。橙色発光層4はホール注入層3上に設ける。有機EL素子100の下方に青色カラーフィルタ層CFBが配設される。橙色発光層4は、ホール輸送性を有するホスト材料、発光ドーパントおよび補助ドーパントからなる。橙色発光層4の膜厚は、青色発光層5の膜厚に比べて十分に大きく設定する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
近年、情報技術(IT)の興隆に伴い、厚さ数mm程度の薄型でフルカラー表示が可能な薄型表示素子への要望が高まっている。このような薄型表示素子として、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と称する)の開発が進められている。
フルカラー表示を実現するための手段としては、赤色発光素子、緑色発光素子および青色発光素子を用いる方法と、白色発光素子と、光の3原色の単色光を透過させるカラーフィルタとを組み合わせて用いる方法が挙げられる。
特許文献1には、ルブレンを正孔輸送層にドープすることによって輝度収率の高い白色発光性有機発光ダイオードデバイスが得られることが報告されている。
特開2002−93583号公報
しかしながら、白色発光素子の実用化に向けては、発光効率の向上とともに発光寿命のさらなる向上が重要な課題となっている。
本発明の目的は、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することである。
第1の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、ホール注入電極と、ホール注入層と、530nmよりも大きい波長領域に少なくとも一つの発光ピークを有する光を発生する第1の発光層と、530nmよりも小さい波長領域に少なくとも一つの発光ピークを有する光を発生する第2の発光層と、電子注入電極とを順に備え、第1の発光層は、ホール輸送性のホスト材料とエネルギーの移動を促進する第1のドーパントおよび発光性の第2のドーパントとを含み、第1の発光層の膜厚は第2の発光層の膜厚よりも大きく、第1の発光層はホール注入層に接するように設けられたものである。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子においては、ホール注入層に接するように第1の発光層が設けられ、第1の発光層の膜厚は第2の発光層の膜厚に比べて大きく、第1の発光層のホスト材料としてホール輸送性材料が用いられかつエネルギーの移動を促進する第1のドーパントおよび発光性の第2のドーパントがドープされている。
ホール注入電極から注入されたホールはホール注入層を通して第1の発光層および第2の発光層に輸送され、電子注入電極から注入された電子は第1および第2の発光層に輸送され、第1および第2の発光層においてホールと電子とが再結合し、第1および第2の発光層が発光する。
この場合、第1の発光層に進入した電子の一部は第1および第2のドーパントによってトラップされる。それにより、電子によるホスト材料の劣化が防止される。また、第1の発光層の膜厚が大きくかつ第1のドーパントにより第2のドーパントへの励起エネルギーの移動が促進されるので、第1の発光層において電子とホールとの再結合が効率よく行われる。したがって、再結合しない電子によるホスト材料の劣化が防止される。これらの結果、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化が可能となる。
ホスト材料は、式(1)で示される分子構造を有するトリアリールアミンであり、式(1)中のAr1〜Ar3は同一または異なり、芳香族置換基であってもよい。
Figure 2006073642
この場合、ホールが効率よく輸送されるので、電子とホールとの再結合が効率よく行われ、発光効率が向上するとともに再結合しない電子によるホスト材料の劣化をより防止することができる。
ホスト材料は、式(2)で示される分子構造を有するベンジジン誘導体であり、式(2)中のAr4〜Ar7は同一または異なり、芳香族置換基であってもよい。
Figure 2006073642
この場合、ホールが効率よく輸送されるので、電子とホールとの再結合が効率よく行われ、発光効率が向上するとともに再結合しない電子によるホスト材料の劣化をより防止することができる。
ホスト材料は、式(3)で示される分子構造を有するN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジン(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-benzidine)であってもよい。
Figure 2006073642
この場合、ホールが効率よく輸送されるので、電子とホールとの再結合が効率よく行われ、発光効率が向上するとともに再結合しない電子によるホスト材料の劣化をより防止することができる。
第1のドーパントは、式(4)で示される分子構造を有する5,12-ビス(4-ターシャリー-ブチルフェニル)-ナフタセン(5,12-Bis(4-tert-butylphenyl)-naphthacene)であってもよい。
Figure 2006073642
この場合、第1のドーパントにより第2のドーパントへの励起エネルギーの移動が促進されるので、第1の発光層において電子とホールとの再結合が効率よく行われる。それにより、再結合しない電子による第1の発光層のホスト材料の劣化が防止される。
第2の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、第1の発明に係る1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子により発生された光を透過する1または複数の色変換部材とを備えたものである。
第2の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置においては、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子により発生された光が、1または複数の色変換部材を通過して外部に出射される。また、第1の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子が用いられているので、電子によるホスト材料の劣化が防止される。したがって、有機エレクトロルミネッセンス装置の長寿命化が実現される。
第3の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、透光性基板と、透光性基板上に設けられた第1の発明に係る1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、透光性基板と1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子との間に設けられる1または複数の色変換部材とを備えたものである。
第3の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置においては、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子により発生された光が、1または複数の色変換部材および透光性基板を通過して外部に出射される。また、第1の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子が用いられているので、電子によるホスト材料の劣化が防止される。したがって、長寿命のバックエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス装置が実現される。
第4の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、基板上に設けられた第1の発明に係る1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子上に設けられる1または複数の色変換部材とを備えたものである。
第4の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置においては、1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子により発生された光が、1または複数の色変換部材を通過して外部に出射される。また、第1の発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子が用いられているので、電子によるホスト材料の劣化が防止される。したがって、長寿命のトップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス装置が実現される。
本発明によれば、第1の発光層に進入した電子の一部は第1および第2のドーパントによってトラップされる。それにより、電子によるホスト材料の劣化が防止される。また、第1の発光層の膜厚が大きくかつ第1のドーパントにより第2のドーパントへの励起エネルギーの移動が促進されるので、第1の発光層において電子とホールとの再結合が効率よく行われる。したがって、再結合しない電子によるホスト材料の劣化が防止される。これらの結果、有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置の長寿命化が可能となる。
以下、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELと称する)素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る有機EL装置の一例を示す模式的な断面図であり、図2は図1の有機EL装置の構造を詳細に示した断面図である。
図1の有機EL装置は、有機EL素子100、赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFG、青色カラーフィルタ層CFBおよび基板1から構成される。
赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFBは、有機EL素子100および基板1の間に形成される。また、赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFBにより有機EL装置の各画素が形成されるように配置される。
これら各カラーフィルタ層は、例えばガラスまたはプラスチック等の透明な材料からなる。また、各カラーフィルタ層として、CCM(色彩転換媒体)を用いてもよく、ガラスまたはプラスチック等の透明な材料およびCCMの両方を用いてもよい。
次に、図2を用いて図1の有機EL装置の構造の詳細を説明する。
図2に示すように、ガラスまたはプラスチック等からなる透明の基板1上に、例えば酸化シリコン(SiO2 )からなる層と窒化シリコン(SiNx )からなる層との積層膜11が形成される。
積層膜11上の一部にTFT(薄膜トランジスタ)20が形成される。TFT20はチャネル領域12、ドレイン電極13d、ソース電極13s、ゲート酸化膜14およびゲート電極15からなる。
例えば、積層膜11上の一部にポリシリコン層等からなるチャネル領域12が形成される。チャネル領域12上には、ドレイン電極13dおよびソース電極13sが形成される。チャネル領域12上にゲート酸化膜14が形成される。ゲート酸化膜14上にゲート電極15が形成される。
TFT20のドレイン電極13dは後述のホール注入電極2に接続され、TFT20のソース電極13sは電源線(図示せず)に接続される。
ゲート電極15を覆うようにゲート酸化膜14上に第1の層間絶縁膜16が形成される。ドレイン電極13dおよびソース電極13sを覆うように第1の層間絶縁膜16上に第2の層間絶縁膜17が形成される。ゲート電極15は電極(図示せず)に接続される。
なお、ゲート酸化膜14は、例えば窒化シリコンからなる層と酸化シリコンからなる層との積層構造を有する。また、第1の層間絶縁膜16は、例えば酸化シリコンからなる層と窒化シリコンからなる層との積層構造を有し、第2の層間絶縁膜17は、例えば窒化シリコンからなる。
第2の層間絶縁膜17上に、赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFBがそれぞれ形成される。赤色カラーフィルタ層CFRは、赤色の波長領域の光を透過させ、緑色カラーフィルタ層CFGは、緑色の波長領域の光を透過させ、青色カラーフィルタ層CFBは、青色の波長領域の光を透過させる。なお、図2においては、青色カラーフィルタ層CFBを例示する。青色カラーフィルタ層CFBは、400nm〜530nmの波長領域の光を70%以上透過させることが好ましく、80%以上透過させることがより好ましい。
赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFBを覆うように第2の層間絶縁膜17上に、例えばアクリル樹脂等からなる第1の平坦化層18が形成される。
第1の平坦化層18上に有機EL素子100が形成される。有機EL素子100は、ホール注入電極2、ホール注入層3、ホール輸送層4、橙色発光層5、青色発光層6、電子輸送層7および電子注入電極8を順に含む。第1の平坦化層18上にホール注入電極2が各画素ごとに形成され、画素間の領域においてホール注入電極2を覆うように絶縁性の第2の平坦化層19が形成される。なお、ホール注入電極2は、例えばインジウム−スズ酸化物(ITO)等の透明導電膜からなる。
ホール注入電極2および第2の平坦化層19を覆うようにホール注入層3が形成される。ホール注入層3は、例えば、プラズマCVD法(プラズマ化学的気相成長法)により形成されたCFX (フッ化炭素)からなる。
このホール注入層3上に、橙色発光層4、青色発光層5および電子輸送層6が順に形成される。さらに、この電子輸送層6上に、例えば、アルミニウム等からなる電子注入電極7が形成される。
橙色発光層4は、ホスト材料、発光ドーパントおよび補助ドーパントからなり、430nm〜530nmの波長領域に少なくとも一つの発光ピークを有する光を発生する。橙色発光層4の発光メカニズムについては後述する。
橙色発光層4のホスト材料としては、ホール輸送能の高い材料を用いることが好ましい。それにより、発光効率を向上させることができる。例えば、下記式(1)に示されるトリアリールアミンである。
Figure 2006073642
式(1)において、Ar1〜Ar3は芳香族置換基を示し、互いに同一であってもよいし、互いに異なってもよい。
式(1)中のAr1〜Ar3の芳香族置換基は、炭素数が16以下であることが好ましい。この場合、トリアリールアミンの分子量が小さくなるので、橙色発光層4の作製時における真空蒸着が容易になる。
本実施の形態において橙色発光層4のホスト材料として用いられるトリアリールアミンは、例えば、下記式(2)に示されるベンジジン誘導体である。
Figure 2006073642
式(2)において、Ar4〜Ar7は芳香族置換基を示し、互いに同一であってもよいし、互いに異なってもよい。式(2)中のAr8〜Ar11の芳香族置換基としては、フェニル基、3-メチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1,1'-ビフェニル-4-イル基、9-アンスリル基、2-チエニル基、2-ピリジル基、3-ピリジル基等が挙げられる。
式(2)中のAr4〜Ar7の芳香族置換基は、炭素数が16以下であることが好ましい。この場合、ベンジジン誘導体の分子量が小さくなるので、ホール輸送層4の作製時における真空蒸着が容易になる。
橙色発光層4のホスト材料として用いられるベンジジン誘導体としては、下記式(3)に示されるN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジン(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-benzidine)(以下、NPBと略記する)等が挙げられる。
Figure 2006073642
また、本実施の形態において橙色発光層4のホスト材料として用いられるトリアリールアミンは、下記式(5)に示されるトリフェニルアミン誘導体でもよい。
Figure 2006073642
式(5)において、Ar8〜Ar10は芳香族置換基を示し、互いに同一であってもよいし、互いに異なってもよい。式(5)中のAr8〜Ar10の芳香族置換基としては、フェニル基、3-メチルフェニル基、4-tert-ブチルフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1,1'-ビフェニル-4-イル基、9-アンスリル基、2-チエニル基、2-ピリジル基、3-ピリジル基等が挙げられる。
式(5)中のAr8〜Ar10の芳香族置換基は、炭素数が16以下であることが好ましい。この場合、トリフェニルアミン誘導体の分子量が小さくなるので、橙色発光層4の作製時における真空蒸着が容易になる。
橙色発光層4の補助ドーパントとしては、例えば、下記式(4)に示す5,12-ビス(4-ターシャリー-ブチルフェニル)-ナフタセン(5,12-Bis(4-tert-butylphenyl)-naphthacene)(以下、tBuDPNと略記する)を用いることができる。
Figure 2006073642
橙色発光層4の発光ドーパントとしては、例えば、下記式(6)に示す5,12-ビス(4-(6-メチルベンゾチアゾール-2-イル)フェニル)-6,11-ジフェニルナフタセン(5,12-Bis(4-(6-methylbenzothiazol-2-yl)phenyl)-6,11-diphenylnaphthacene)(以下、DBzRと略記する)等を用いることができる。
Figure 2006073642
青色発光層5は、ホスト材料、発光ドーパントおよび補助ドーパントからなり、530nm〜630nmの波長領域に少なくとも一つの発光ピークを有する光を発生する。なお、補助ドーパントはホスト材料から発光ドーパントへのエネルギーの移動を促進することにより発光ドーパントの発光を補助する役割を担う。
青色発光層5のホスト材料としては、例えば、下記式(7)に示されるターシャリー-ブチル置換ジナフチルアントラセン(tert-butyl substituted dinaphthylanthracene)(以下、TBADNと略記する)を用いることができる。
Figure 2006073642
青色発光層5の第1のドーパントとしては、例えば、NPBを用いることができる。
青色発光層5の第2のドーパントとしては、例えば、下記式(8)に示す1,4,7,10-テトラ-ターシャリー-ブチルペリレン(1,4,7,10-Tetra-tert-butylPerylene)(以下、TBPと略記する)を用いることができる。
Figure 2006073642
なお、本実施の形態においては、橙色発光層4の膜厚は青色発光層5に比べて十分に大きく設定する。例えば、橙色発光層4の膜厚を青色発光層5の膜厚の3倍以上に設定することが好ましく、橙色発光層4の膜厚を青色発光層5の膜厚の4倍以上に設定することがより好ましい。橙色発光層4はホール輸送層としての役割も果たすので、橙色発光層4の膜厚を大きくすることによって効率よくホールを輸送することができる。
電子輸送層6としては、例えば、下記式(9)に示される2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)(以下、BCPと略記する)を用いることができる。この場合、BCPは高い電子移動度を有するので、電子を効率よく青色発光層5および橙色発光層4に注入することができる。それにより、駆動電圧が低くなり有機EL素子100の消費電力が低減される。
Figure 2006073642
また、電子輸送層6としては、下記式(10)に示されるトリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)(以下、Alq3と略記する)等の他の有機材料を用いてもよい。
Figure 2006073642
上記の有機EL素子100においては、ホール注入電極2と電子注入電極7との間に電圧を印加することにより、ホール注入電極2からホールが注入され、電子注入電極7から電子が注入される。ホールは橙色発光層4を通して青色発光層5に輸送され、電子は電子輸送層6を通して青色発光層5および橙色発光層4に輸送され、橙色発光層4および青色発光層5においてホールと電子とが再結合し、橙色発光層4および青色発光層5が発光する。その結果、白色光が得られる。
以上のように、基板1上に積層膜11、TFT20、第1の層間絶縁膜16、第2の層間絶縁膜17、赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFB、第1の平坦化層18、第2の平坦化層19ならびに有機EL素子100が形成されることにより、バックエミッション構造の有機EL装置が完成する。
有機EL素子100により発生された光は、赤色カラーフィルタ層CFR、
緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFBと透明の基板1とを通じて外部に取り出される。
以下、橙色発光層4の発光のメカニズムについて図3に基づき説明する。
図3は本実施の形態に係る有機EL素子100の橙色発光層4の最低空分子軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital;以下、LUMOと呼ぶ。)および最高被占有分子軌道(Highest Occupied Molecular Orbital;以下、HOMOと呼ぶ。)のエネルギー準位ならびに電子およびホールの移動過程の一例を示す模式図である。
本実施の形態において、橙色発光層4を構成するホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2のLUMOおよびHOMOにおけるエネルギー準位の関係は以下の通りである。
発光ドーパントD1のHOMO(エネルギー準位H1)は補助ドーパントD2のHOMO(エネルギー準位H2)より高く、補助ドーパントD2のHOMO(エネルギー準位H2)はホスト材料4HのHOMO(エネルギー準位H3)より高い。
また、補助ドーパントD2のLUMO(エネルギー準位L2)は発光ドーパントD1のLUMO(エネルギー準位L1)より高く、ホスト材料4HのLUMO(エネルギー準位L3)は補助ドーパントD2のLUMO(エネルギー準位L2)より高い。
すなわち、ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2のLUMOおよびHOMOにおけるエネルギー準位の関係は次式(11)および(12)で表される。
H1>H2>H3 ・・・(11)
L3>L2>L1 ・・・(12)
すなわち、注入されるホールの安定性はホスト材料4H<補助ドーパントD2<発光ドーパントD1の関係を有し、注入される電子の安定性もホスト材料4H<補助ドーパントD2<発光ドーパントD1の関係を有する。
ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2の各々のエネルギーギャップを順に”E3”,”E1”,”E2”とした場合、エネルギーギャップの関係は次式(13)で表される。
E3>E2>E1 ・・・(13)
図2の有機EL素子100のホール注入電極2と電子注入電極7との間に駆動電圧が印加されると、ホール注入電極2より供給されたホールがホール注入層3に注入され、電子注入電極7より供給された電子が電子輸送層6に注入される。
ホール注入層3に注入されたホールは橙色発光層4に輸送され、電子輸送層6に注入された電子は青色発光層5を介して橙色発光層4に輸送される。
ホール注入層3から橙色発光層4へ輸送されるホールは、ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2のLUMOに移動する。
補助ドーパントD2のキャリア輸送能が高い場合、ホール注入層3および青色発光層5と橙色発光層4との間のキャリア輸送性が向上する。
橙色発光層4において、エネルギー準位H3にあるホールは、矢印e1,e2で示されるように、エネルギー準位H1またはH2に移動する。また、エネルギー準位H2にあるホールは、矢印e3で示されるように、エネルギー準位H1に移動する。
青色発光層5から橙色発光層4へ輸送される電子は、ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2のHOMOに移動する。
橙色発光層4において、エネルギー準位L3にある電子は、矢印e4,e5で示されるように、エネルギー準位L1またはL2に移動する。また、エネルギー準位L2にある電子は、矢印e6で示されるように、エネルギー準位L1に移動する。
エネルギー準位H3のホールとエネルギー準位L3の電子とが再結合し、形成された励起エネルギーが発光ドーパントD1または補助ドーパントD2へ移動し、橙色発光層4が発光する。
また、エネルギー準位H2のホールとエネルギー準位L2の電子とが再結合し、形成された励起エネルギーが発光ドーパントD1へ移動し、橙色発光層4が発光する。
さらに、エネルギー準位H2のホールとエネルギー準位L2の電子とが再結合し、橙色発光層4が発光する。
このように、ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2の各々のLUMOおよびHOMOのエネルギー準位およびエネルギーギャップが式(11)〜(13)の関係を満たす場合、補助ドーパントD2により発光ドーパントD1への励起エネルギーの移動が補助されるため、発光ドーパントD1への励起エネルギーの移動が円滑に行われる。それにより、発光効率が向上する。
また、補助ドーパントD2はホスト材料4Hに比べてエネルギー的に安定であるため、橙色発光層4中に補助ドーパントD2がドープされることにより橙色発光層4へのキャリアの輸送が促進される。それにより、駆動電圧(発光開始電圧)が低下しかつ発光寿命が向上する。
なお、ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2の各々のLUMOおよびHOMOのエネルギー準位およびエネルギーギャップが式(11)〜(13)の関係を満たすことが好ましいが、ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2の各々のエネルギーギャップが式(13)の関係を満たしていれば、ホスト材料4H、発光ドーパントD1および補助ドーパントD2の各々のLUMOおよびHOMOのエネルギー準位が式(11),(12)の関係を満たさなくてもよい。この場合にも、発光ドーパントD1への励起エネルギーの移動が円滑に行われる。
本実施の形態に係る有機EL素子100においては、橙色発光層4のホスト材料として、ホール輸送性の材料が用いられている。ホール輸送性材料として一般的に用いられるトリアリールアミンは電子を受け入れると劣化するが、本実施の形態においては、橙色発光層4は発光ドーパントおよび補助ドーパントを含むので、橙色発光層4に進入した電子の一部は発光ドーパントおよび補助ドーパントによってトラップされる。それにより、電子によるホスト材料の劣化を防止することができる。
特に、ホール輸送能の高い材料を橙色発光層4のホスト材料として用いた場合には、ホールと電子との再結合が効率よく行われ、再結合しない電子によるホスト材料の劣化を防止できるとともに発光効率を向上させることができる。
また、橙色発光層4の膜厚は青色発光層5の膜厚に比べて十分に大きくかつ補助ドーパントにより発光ドーパントへの励起エネルギーの移動が促進されるので、橙色発光層4において電子とホールとの再結合が効率よく行われる。したがって、再結合しない電子によるホスト材料の劣化を防止することができる。これらの結果、有機EL素子100およびそれを備える有機EL装置の長寿命化が可能となる。
本実施の形態においては、第1の発光層が橙色発光層4に相当し、第2の発光層が青色発光層5に相当し、第1のドーパントが補助ドーパントに相当し、第2のドーパントが発光ドーパントに相当する。
また、赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFG、青色カラーフィルタ層CFBが1または複数の色変換媒体に相当する。
本実施の形態に係る有機EL装置は、以下の構成を有してよい。
図4は、他の実施の形態に係る有機EL装置を示す詳細断面図である。図4の有機EL装置は以下の点で図2の有機EL装置と構造が異なる。
図4の有機EL装置においては、図2の有機EL装置と同様に、基板1上に積層膜11、TFT20、第1の層間絶縁膜16、第2の層間絶縁膜17、青色カラーフィルタ層CFB、第1の平坦化層18、第2の平坦化層19および有機EL素子100が形成される。なお、図4においても、青色カラーフィルタ層CFBを例示する。
その後、有機EL素子100上に、透明の接着剤層23を介してオーバーコート層22、青色カラーフィルタ層CFBおよび透明の封止基板21が順に積層された積層体が接着される。これによりトップエミッション構造の有機EL装置が完成する。
有機EL素子100により発生された光は、赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFBと透明の封止基板21とを通じて外部に取り出される。
図4の有機EL装置において、基板1は不透明な材料により形成されてもよい。また、有機EL素子100のホール注入電極2は、例えば、膜厚約50nmのインジウム−スズ酸化物(ITO)と膜厚約100nmのアルミニウム、クロムまたは銀とを積層することにより形成される。この場合、ホール注入電極2は、有機EL素子100により発生された光を封止基板21側へ反射する。
電子注入電極8は、透明な材料からなる。電子注入電極8は、例えば膜厚約100nmのインジウム−スズ酸化物(ITO)と膜厚約20nmの銀とを積層することにより形成される。
オーバーコート層22は、例えば厚み約1μmのアクリル樹脂等により形成される。赤色カラーフィルタ層CFR、緑色カラーフィルタ層CFGおよび青色カラーフィルタ層CFBはそれぞれ約1μmの厚みを有する。
封止基板21としては、例えばガラス、酸化シリコン(SiO2 )からなる層または窒化シリコン(SiNx )からなる層を用いることができる。
図4の有機EL装置においては、トップエミッション構造であることによりTFT20上の領域も画素領域として用いることができる。すなわち、図4の有機EL装置では、図2の青色カラーフィルタ層CFBよりも大きい青色カラーフィルタ層CFBを用いることができる。それにより、より広い領域を画素領域として用いることができるので、有機EL装置の発光効率が向上する。
(実施例)
実施例においては、図2の構造を有する有機EL素子を以下の条件で作製した。
ホール注入電極2は、インジウム−スズ酸化物(ITO)からなる。ホール注入層3はCFX (フッ化炭素)からなる。
橙色発光層4は、膜厚190nmを有し、NPBからなるホスト材料にtBuDPNからなる補助ドーパントを10体積%添加し、発光ドーパントを3体積%添加することにより形成される。
青色発光層5は、膜厚50nmを有し、ホスト材料にNPBからなる補助ドーパントを20体積%添加し、発光ドーパントを2.5体積%添加することにより形成される。
電子輸送層7は、膜厚10nmを有する。電子注入電極8は、1nmのフッ化リチウム(LiF)膜および200nmのアルミニウム膜の積層構造からなる。
以上の条件で、実施例の有機EL素子を作製した。
(比較例1)
比較例1においては、橙色発光層4にtBuDPNからなる補助ドーパントをドープしなかった点を除いて実施例と同じ有機EL素子を作製した。
(比較例2)
比較例2においては、ホール注入層3と橙色発光層4との間に膜厚160nmのNPBからなるホール輸送層を設け、橙色発光層4の膜厚を30nmとした点を除いて実施例と同じ有機EL素子を作製した。
(評価)
以上のようにして作製した実施例、比較例1および比較例2の有機EL素子の80mA/cm2 での輝度を測定した。なお、測定温度は60℃である。
表1に、実施例、比較例1および比較例2の有機EL素子の各層の条件を示す。
Figure 2006073642
図5は、実施例、比較例1および比較例2の有機EL素子の輝度の経時変化の測定結果を示した図である。図5において、横軸は時間を示し、縦軸は規格化輝度を示す。なお、図5においては、実施例、比較例1および比較例2の各有機EL素子の測定開始時の輝度を1として以後の輝度を規格化した。
図5に示すように、実施例の有機EL素子の輝度の経時劣化は、比較例1および比較例2の有機EL素子に比べて十分に小さい。
実施例の有機EL素子においては、橙色発光層4は発光ドーパントおよび補助ドーパントを含んでいる。この場合、青色発光層5から橙色発光層4へと進入してくる電子の一部が発光ドーパントおよび補助ドーパントによってトラップされる。それにより、NPBからなる橙色発光層4のホスト材料が受け入れる電子を低減することができ、ホスト材料の劣化を防止することができる。また、橙色発光層4の膜厚は青色発光層5の膜厚に比べて十分に大きくかつ補助ドーパントにより発光ドーパントへの励起エネルギーの移動が促進されるので、橙色発光層4において電子とホールとの再結合が効率よく行われる。したがって、再結合しない電子によるホスト材料の劣化を防止することができる。これらの結果、実施例の有機EL素子の輝度の経時劣化を小さくすることができたと考えられる。
これに対して、比較例1の有機EL素子においては、橙色発光層4はtBuDPNからなる補助ドーパントを含んでいない。この場合、発光ドーパントが青色発光層5から橙色発光層4へと進入してくる電子の一部をトラップするが、NPBからなる橙色発光層4のホスト材料が電子を受け入れる割合も高くなり、ホスト材料が劣化する。それにより、比較例1の有機EL素子の輝度の経時劣化が大きくなったと考えられる。
また、比較例2の有機EL素子においては、ホール注入層3と橙色発光層4との間にNPBからなるホール輸送層が設けられている。また、橙色発光層4の膜厚は30nmであり、実施例に比べて小さい。このような構成においては、橙色発光層4においてホールと再結合しなかった電子はホール輸送層に進入する。この場合、比較例2のホール輸送層には、発光ドーパントおよび補助ドーパントのいずれのドーパントもドープされていないので、NPBが電子を受け入れて劣化する。また、橙色発光層4の膜厚が小さいので、橙色発光層4においてホールと再結合できない電子が多くなる。それにより、NPBからなる橙色発光層4のホスト材料およびNPBからなるホール輸送層が劣化する。これらの結果、比較例2の有機EL素子の輝度の経時劣化が大きくなったと考えられる。
以上のように、ホール輸送層を設けずに橙色発光層4の膜厚を青色発光層5の膜厚に比べて十分に大きくするとともに、橙色発光層4のホスト材料としてホール輸送性材料を用いかつ発光ドーパントおよび補助ドーパントをドープすることにより、長寿命な有機EL素子が得られる。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置は、各種光源または各種表示装置等に有効に利用できる。
本発明の一実施の形態に係る有機EL装置を示す模式的な断面図である。 図1の有機EL装置の構造を詳細に示した断面図である。 本発明の実施の形態に係る有機EL素子の橙色発光層の最低空分子軌道(LUMO)および最高被占有分子軌道(HOMO)のエネルギー準位ならびに電子およびホールの移動過程の一例を示す模式図である。 本発明の他の実施の形態に係る有機EL装置を示す詳細断面図である。 実施例および比較例の有機EL素子の駆動時間と輝度との関係を示す図である。
符号の説明
1 基板
2 ホール注入電極
3 ホール輸送層
4 橙色発光層
5 青色発光層
6 電子輸送層
7 電子注入電極
4H ホスト材料
D1 発光ドーパント
D2 補助ドーパント

Claims (8)

  1. ホール注入電極と、
    ホール注入層と、
    530nmよりも大きい波長領域に少なくとも一つの発光ピークを有する光を発生する第1の発光層と、
    530nmよりも小さい波長領域に少なくとも一つの発光ピークを有する光を発生する第2の発光層と、
    電子注入電極とを順に備え、
    前記第1の発光層は、ホール輸送性のホスト材料とエネルギーの移動を促進する第1のドーパントおよび発光性の第2のドーパントとを含み、
    前記第1の発光層の膜厚は前記第2の発光層の膜厚よりも大きく、前記第1の発光層は前記ホール注入層に接するように設けられたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  2. 前記ホスト材料は、式(1)で示される分子構造を有するトリアリールアミンであり、式(1)中のAr1〜Ar3は同一または異なり、芳香族置換基であることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2006073642
  3. 前記ホスト材料は、式(2)で示される分子構造を有するベンジジン誘導体であり、式(2)中のAr4〜Ar7は同一または異なり、芳香族置換基であることを特徴とする請求項1または2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2006073642
  4. 前記ホスト材料は、式(3)で示される分子構造を有するN,N'-ジ(1-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-ベンジジンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2006073642
  5. 前記第1のドーパントは、式(4)で示される分子構造を有する5,12,-ビス(4-タート-ブチルフェニル)-ナフタセンであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
    Figure 2006073642
  6. 請求項1〜5のいずれかに記載の1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
    前記1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子により発生された光を透過する1または複数の色変換部材とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
  7. 透光性基板と、
    前記透光性基板上に設けられた請求項1〜5のいずれかに記載の1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
    前記透光性基板と前記1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子との間に設けられる1または複数の色変換部材とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
  8. 基板と、
    前記基板上に設けられた請求項1〜5のいずれかに記載の1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子と、
    前記1または複数の有機エレクトロルミネッセンス素子上に設けられる1または複数の色変換部材とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
JP2004253045A 2004-08-31 2004-08-31 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置 Withdrawn JP2006073642A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004253045A JP2006073642A (ja) 2004-08-31 2004-08-31 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004253045A JP2006073642A (ja) 2004-08-31 2004-08-31 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006073642A true JP2006073642A (ja) 2006-03-16

Family

ID=36153968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004253045A Withdrawn JP2006073642A (ja) 2004-08-31 2004-08-31 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006073642A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041595A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. エレクトロルミネッセンス素子
JP2009099545A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
CN102969332A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 佳能株式会社 显示装置和摄像装置
US8841659B2 (en) 2012-12-14 2014-09-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
US10535722B2 (en) 2015-04-20 2020-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus having a pixel electrode and pixel-defining film and method of manufacturing the same
JP2021036601A (ja) * 2010-12-28 2021-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041595A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. エレクトロルミネッセンス素子
JP2009099545A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
US8384064B2 (en) 2007-09-28 2013-02-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescent device
JP2021036601A (ja) * 2010-12-28 2021-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
JP7098697B2 (ja) 2010-12-28 2022-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
CN102969332A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 佳能株式会社 显示装置和摄像装置
US8841659B2 (en) 2012-12-14 2014-09-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus
US10535722B2 (en) 2015-04-20 2020-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus having a pixel electrode and pixel-defining film and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4785386B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4999291B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える表示装置又は発光装置
JP4916137B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100886976B1 (ko) 다색 발광 장치 및 그의 제조 방법
JP4315874B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
KR101595433B1 (ko) 효율적인 전자 전달을 가진 탠덤 백색 oled
JP2007179933A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2006066872A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007123611A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
US20080003455A1 (en) Organic El Device
JP4565922B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2007035579A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4565921B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP5458554B2 (ja) 有機電界発光素子および表示装置
JP4721668B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20060050863A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 이것을 구비한 유기 전계 발광장치
JP2024023467A (ja) 有機電界発光素子
JP2010027885A (ja) 有機電界発光素子
JP2006100806A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置
JP5791129B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP2006073642A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを備える有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006127985A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2007149605A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP4578215B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
JP2007180376A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070730