JP2006066540A - 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006066540A JP2006066540A JP2004245749A JP2004245749A JP2006066540A JP 2006066540 A JP2006066540 A JP 2006066540A JP 2004245749 A JP2004245749 A JP 2004245749A JP 2004245749 A JP2004245749 A JP 2004245749A JP 2006066540 A JP2006066540 A JP 2006066540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- cleaning
- thin film
- film forming
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
【解決手段】 熱処理装置1の制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して反応管2内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管17からクリーニングガスを供給して装置内部に付着した付着物を除去するとともに、メインバルブ21の開度を制御しつつ、ポンプ22を駆動させて反応管2内のガスを装置外部に排出する。制御部100は、反応管2から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を赤外センサ27により測定させ、測定した濃度が所定濃度になるまで、この処理を実行する。
【選択図】 図1
Description
また、本発明は、装置内部に付着した付着物を除去するとともに、装置内部の部材が受けるダメージを低減することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、クリーニングガスの使用量を抑え、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、パーティクルの発生を抑制することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
所定の温度に加熱された反応室内にクリーニングガスを供給して装置内部をクリーニングするクリーニング工程を備え、
前記クリーニング工程では、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定し、該濃度が所定濃度になるまで装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする。
被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に、装置内部に付着した付着物を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記反応室に接続され、該反応室内のガスを排出する排出手段と、
前記加熱手段を制御して反応室内を所定の温度に加熱した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去するように前記クリーニングガス供給手段を制御するとともに、前記排出手段を制御して反応室内のガスを排出し、装置内部をクリーニングするクリーニング制御手段と、
を備え、
前記排出手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、
前記クリーニング制御手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を前記測定部により測定させ、該測定した濃度が所定濃度になるまで、前記加熱手段、前記クリーニングガス供給手段及び前記排出手段を制御して装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする。
Si3N4+4F2+4HF→3SiF4+2N2+2H2
2 反応管
4 排気口
5 排気管
11 ウエハボート
16 昇温用ヒータ
17 処理ガス導入管
18 パージガス供給管
19 接合部
20 排気配管
21 メインバルブ
22 ポンプ
23 トラップ
24 バイパス管
25 サブバルブ
26 ニードルバルブ
27 赤外センサ
31a,31b セル窓
32 セル
33 光源
34 赤外センサ用ヒータ
35 光学フィルタ
36 赤外線検出器
100 制御部
W 半導体ウエハ
Claims (17)
- 薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
所定の温度に加熱された反応室内にクリーニングガスを供給して装置内部をクリーニングするクリーニング工程を備え、
前記クリーニング工程では、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定し、該濃度が所定濃度になるまで装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記クリーニング工程では、赤外センサにより前記所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記赤外センサは、前記所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを検出部に入射して所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記クリーニング工程では、前記赤外センサのセルを少なくとも150℃に加熱し、前記所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項2または3に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記反応室から排出された排ガスの少なくとも一部を採取する採取工程をさらに備え、
前記クリーニング工程では、前記採取工程で採取した排ガスの少なくとも一部に含まれる所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記クリーニングガスに、フッ素、フッ化水素、三フッ化塩素、アンモニア、塩素、または、これらの混合ガスを含むガスを用いる、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記装置内部に付着した付着物は、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートであり、
前記所定のガスは、四フッ化珪素、四塩化珪素、三フッ化窒素、四塩化チタン、四フッ化チタン、四フッ化タングステン、六フッ化タングステン、四フッ化アルミニウム、四塩化ハフニウム、または、四フッ化ハフニウムである、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。 - 被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に、装置内部に付着した付着物を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記反応室に接続され、該反応室内のガスを排出する排出手段と、
前記加熱手段を制御して反応室内を所定の温度に加熱した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去するように前記クリーニングガス供給手段を制御するとともに、前記排出手段を制御して反応室内のガスを排出し、装置内部をクリーニングするクリーニング制御手段と、
を備え、
前記排出手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、
前記クリーニング制御手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を前記測定部により測定させ、該測定した濃度が所定濃度になるまで、前記加熱手段、前記クリーニングガス供給手段及び前記排出手段を制御して装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記測定部は、赤外センサである、ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜形成装置。
- 前記赤外センサは、前記所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを検出部に入射する光学フィルタを備える、ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜形成装置。
- 前記赤外センサは、前記反応室から排出された排ガスを導入するセルを少なくとも150℃に加熱する加熱部を備える、ことを特徴とする請求項10または11に記載の薄膜形成装置。
- 前記排出手段は、前記反応室に接続された排出路と、当該排出路に介設されたポンプとを備え、
前記測定部は、前記ポンプより上流側の前記排出路に介設されている、ことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。 - 前記排出手段は、
前記反応室に接続された排出路と、
前記排出路に介設され、前記排出路を開閉するメインバルブと、
前記メインバルブを跨ぐように、一端がメインバルブの上流側の排出路に接続され、他端がメインバルブの下流側の排出路に接続されたバイパス路と、
前記バイパス路に介設され、前記バイパス路を開閉するサブバルブと、
をさらに備え、
前記測定部は、前記バイパス路に介設され、前記サブバルブを開放することにより前記バイパス路に供給された、前記反応室から排出された排ガスの少なくとも一部に含まれる所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。 - 前記測定部は、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 前記クリーニングガスは、フッ素、フッ化水素、三フッ化塩素、アンモニア、塩素、または、これらの混合ガスを含むガスを含むガスである、ことを特徴とする請求項9乃至15のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 前記装置内部に付着した付着物は、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートであり、
前記所定のガスは、四フッ化珪素、四塩化珪素、三フッ化窒素、四塩化チタン、四フッ化チタン、四フッ化タングステン、、六フッ化タングステン、四フッ化アルミニウム、四塩化ハフニウム、または、四フッ化ハフニウムである、ことを特徴とする請求項9乃至16のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004245749A JP2006066540A (ja) | 2004-08-25 | 2004-08-25 | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 |
TW094127878A TWI362061B (en) | 2004-08-25 | 2005-08-16 | Film formation apparatus and method of using the same |
KR1020050077917A KR100940391B1 (ko) | 2004-08-25 | 2005-08-24 | 반도체 처리용의 성막장치 및 그것의 사용 방법 |
US11/209,741 US7604010B2 (en) | 2004-08-25 | 2005-08-24 | Film formation apparatus and method of using the same |
CN2005100927865A CN1804114B (zh) | 2004-08-25 | 2005-08-25 | 成膜装置及其方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004245749A JP2006066540A (ja) | 2004-08-25 | 2004-08-25 | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006066540A true JP2006066540A (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=35941243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004245749A Pending JP2006066540A (ja) | 2004-08-25 | 2004-08-25 | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7604010B2 (ja) |
JP (1) | JP2006066540A (ja) |
KR (1) | KR100940391B1 (ja) |
CN (1) | CN1804114B (ja) |
TW (1) | TWI362061B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209412A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2019161121A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置のクリーニング方法、運用方法及び成膜装置 |
KR20210042017A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제어 장치, 처리 장치 및 제어 방법 |
KR20220029394A (ko) | 2020-08-28 | 2022-03-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법 및 처리 장치 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI365919B (en) * | 2004-12-28 | 2012-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Film formation apparatus and method of using the same |
US7494943B2 (en) * | 2005-10-20 | 2009-02-24 | Tokyo Electron Limited | Method for using film formation apparatus |
JP4550040B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2010-09-22 | セメス株式会社 | カーボンナノチューブの合成装置及び方法 |
WO2008007675A1 (fr) * | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Tokyo Electron Limited | procédé de formation de film, procédé de nettoyage, et dispositif de formation de film |
JP4245012B2 (ja) * | 2006-07-13 | 2009-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びこのクリーニング方法 |
JP4990594B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2012-08-01 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
US8197597B2 (en) | 2006-11-22 | 2012-06-12 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
US9481943B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
KR101379410B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-04-11 | 소이텍 | 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비 |
KR101390425B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-05-19 | 소이텍 | 화학기상증착 챔버용 온도제어 퍼지 게이트 밸브 |
WO2008064077A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
US8585820B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-11-19 | Soitec | Abatement of reaction gases from gallium nitride deposition |
US20090223441A1 (en) * | 2006-11-22 | 2009-09-10 | Chantal Arena | High volume delivery system for gallium trichloride |
US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
JP4918453B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及び薄膜形成装置 |
JP4531833B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2010-08-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法 |
EP2231898A2 (en) * | 2007-12-20 | 2010-09-29 | S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies | Methods for in-situ chamber cleaning process for high volume manufacture of semiconductor materials |
US20090212014A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing multiple treatments in a dual-chamber batch processing system |
JP4961381B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2012-06-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5067381B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の運転方法 |
JP5520552B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-06-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
JP5419276B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-02-19 | 株式会社堀場製作所 | 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム |
US8133806B1 (en) | 2010-09-30 | 2012-03-13 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition |
US8486192B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-07-16 | Soitec | Thermalizing gas injectors for generating increased precursor gas, material deposition systems including such injectors, and related methods |
JP5554252B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2014-07-23 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置およびそのクリーニング方法 |
TWI570777B (zh) * | 2011-12-23 | 2017-02-11 | 索泰克公司 | 減少半導體沉積系統反應腔內非所需沉積物之製程及系統 |
CN102560438A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-07-11 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高等离子体辅助化学气相沉积设备性能的方法 |
JP6105967B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2017-03-29 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6125846B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-05-10 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
CN103839768B (zh) * | 2012-11-20 | 2016-09-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法 |
JP6154677B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び処理装置 |
US20150096590A1 (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-09 | United Microelectronics Corp. | Method for cleaning quartz reaction tube |
US10153141B2 (en) * | 2014-02-14 | 2018-12-11 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus for monitoring gas and plasma process equipment including the same |
JP6752591B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2020-09-09 | 株式会社堀場製作所 | 排ガス計測装置 |
KR102453149B1 (ko) | 2015-07-09 | 2022-10-12 | 삼성전자주식회사 | 퍼니스형 반도체 장치, 이의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
US11447861B2 (en) * | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR102518079B1 (ko) | 2017-03-17 | 2023-04-06 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 정보 처리 장치, 정보 처리 시스템, 정보 처리 방법, 프로그램, 기판 처리 장치, 기준 데이터 결정 장치 및 기준 데이터 결정 방법 |
CN114109832B (zh) * | 2017-03-17 | 2024-04-12 | 株式会社荏原制作所 | 信息处理装置 |
CN109097755A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 华邦电子股份有限公司 | 工艺腔室气体检测***及其操作方法 |
JP6956660B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び成膜装置 |
DE102019107237A1 (de) * | 2019-03-21 | 2020-09-24 | Khs Corpoplast Gmbh | Vorrichtung zur Vakuum-Beschichtung von Oberflächen von Gegenständen |
CN114798591B (zh) * | 2021-01-27 | 2023-08-18 | 中国科学院微电子研究所 | 基于晶片清理仓的气压调控装置及方法 |
US11664283B2 (en) | 2021-08-20 | 2023-05-30 | Tokyo Electron Limited | Raman sensor for supercritical fluids metrology |
US20230366081A1 (en) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor processing tool and methods of operation |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2746448B2 (ja) | 1990-02-07 | 1998-05-06 | セントラル硝子株式会社 | 混合ガス組成物 |
US5534066A (en) * | 1993-10-29 | 1996-07-09 | International Business Machines Corporation | Fluid delivery apparatus having an infrared feedline sensor |
JPH0953180A (ja) | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Sony Corp | Cvd装置 |
US5935334A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system |
US5879574A (en) * | 1996-11-13 | 1999-03-09 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for detecting end of chamber clean in a thermal (non-plasma) process |
US5812403A (en) * | 1996-11-13 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system |
JPH11176815A (ja) * | 1997-12-15 | 1999-07-02 | Ricoh Co Ltd | ドライエッチングの終点判定方法およびドライエッチング装置 |
US6366346B1 (en) * | 1998-11-19 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for optical detection of effluent composition |
JP3891765B2 (ja) | 2000-07-25 | 2007-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2002057149A (ja) | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びそのクリーニング方法 |
US6620108B2 (en) * | 2001-12-26 | 2003-09-16 | Landon Duval | Apparatus and method for determining machine operator status |
US6878214B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Process endpoint detection in processing chambers |
JP4264479B2 (ja) | 2003-03-14 | 2009-05-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | Cvd装置のクリーニング方法 |
-
2004
- 2004-08-25 JP JP2004245749A patent/JP2006066540A/ja active Pending
-
2005
- 2005-08-16 TW TW094127878A patent/TWI362061B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-08-24 US US11/209,741 patent/US7604010B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-24 KR KR1020050077917A patent/KR100940391B1/ko active IP Right Grant
- 2005-08-25 CN CN2005100927865A patent/CN1804114B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209412A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
JP2019161121A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置のクリーニング方法、運用方法及び成膜装置 |
KR20190109262A (ko) | 2018-03-15 | 2019-09-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치의 클리닝 방법, 운용 방법 및 성막 장치 |
JP7045888B2 (ja) | 2018-03-15 | 2022-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の運用方法及び成膜装置 |
KR20210042017A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제어 장치, 처리 장치 및 제어 방법 |
US11894249B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-02-06 | Tokyo Electron Limited | Control device, processing apparatus, and control method |
KR20220029394A (ko) | 2020-08-28 | 2022-03-08 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법 및 처리 장치 |
US11534805B2 (en) | 2020-08-28 | 2022-12-27 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and processing apparatus |
US11745231B2 (en) | 2020-08-28 | 2023-09-05 | Tokyo Electron Limited | Cleaning method and processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100940391B1 (ko) | 2010-02-02 |
KR20060050618A (ko) | 2006-05-19 |
TWI362061B (en) | 2012-04-11 |
CN1804114A (zh) | 2006-07-19 |
TW200611320A (en) | 2006-04-01 |
US20060042544A1 (en) | 2006-03-02 |
US7604010B2 (en) | 2009-10-20 |
CN1804114B (zh) | 2010-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006066540A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置 | |
JP5780695B2 (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
US6164295A (en) | CVD apparatus with high throughput and cleaning method therefor | |
US10724137B2 (en) | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, recording medium, and cleaning completion determining method | |
CN1327485C (zh) | 薄膜形成装置的洗净方法 | |
KR0168984B1 (ko) | 반도체장치의 제조장치 및 그 클리닝 방법 | |
US8361902B2 (en) | Substrate processing apparatus capable of cleaning inside thereof and cleaning control apparatus for controlling cleaning process of substrate processing apparatus | |
EP1382716A2 (en) | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials | |
WO2010113946A1 (ja) | 処理装置 | |
TWI415189B (zh) | 膜形成裝置及其使用方法 | |
EP1538235A1 (en) | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials | |
JP2007531269A (ja) | 装置の構成要素のプラズマエンハンスクリーニングの方法及びその処理装置 | |
US20040011380A1 (en) | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials | |
JPH07169693A (ja) | 横型減圧cvd装置及びそのクリーニング方法 | |
JP4227098B2 (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法および基板処理装置 | |
JP7187890B2 (ja) | 基板搬送モジュール及び基板搬送方法 | |
US7520937B2 (en) | Thin film forming apparatus and method of cleaning the same | |
JPH03204930A (ja) | 絶縁膜の選択的除去方法 | |
JP2000323467A (ja) | 遠隔プラズマ放電室を有する半導体処理装置 | |
US20230223247A1 (en) | Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, recording medium, and substrate processing apparatus | |
JP2006190741A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及びクリーニング装置、成膜装置 | |
JP2007142354A (ja) | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
JP2004288903A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
TWI744759B (zh) | 半導體裝置的製造方法,記錄媒體及基板處理裝置 | |
JP2010034362A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060308 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060308 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080722 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081212 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090127 |