JP2006060161A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006060161A JP2006060161A JP2004243204A JP2004243204A JP2006060161A JP 2006060161 A JP2006060161 A JP 2006060161A JP 2004243204 A JP2004243204 A JP 2004243204A JP 2004243204 A JP2004243204 A JP 2004243204A JP 2006060161 A JP2006060161 A JP 2006060161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- peripheral end
- end surface
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 モータ12Aの作動により、処理ヘッド11Aに配設されたローラ群RGが基板Wの周端面に当接するとともに処理液ノズル113,114が基板表面Wfの周縁部と対向する。ローラ群RGは基板Wの回転中心A0と処理ベース111の回動軸A1とを結ぶ線分LSを中心として略対称位置に配置されたローラ対117−117,118−118から構成されている。処理ヘッド11Aは回動軸A1回りに回動自在となっており、これら2つのローラ対117−117,118−118を回転する基板Wの周端面に当接させることで基板Wの周端面の位置を基準として処理液ノズル113,114の位置が合わされ、基板Wの周端面と処理液ノズル113,114との相対距離が一定に保たれる。
【選択図】 図2
【解決手段】 モータ12Aの作動により、処理ヘッド11Aに配設されたローラ群RGが基板Wの周端面に当接するとともに処理液ノズル113,114が基板表面Wfの周縁部と対向する。ローラ群RGは基板Wの回転中心A0と処理ベース111の回動軸A1とを結ぶ線分LSを中心として略対称位置に配置されたローラ対117−117,118−118から構成されている。処理ヘッド11Aは回動軸A1回りに回動自在となっており、これら2つのローラ対117−117,118−118を回転する基板Wの周端面に当接させることで基板Wの周端面の位置を基準として処理液ノズル113,114の位置が合わされ、基板Wの周端面と処理液ノズル113,114との相対距離が一定に保たれる。
【選択図】 図2
Description
この発明は、半導体ウエハなどの略円盤状の基板を回転させながら処理液を供給して該基板に対して洗浄処理などの処理を施す基板処理装置に関するものである。
半導体ウエハ等の基板の処理工程においては、例えば、回転塗布(スピンコート)により、基板の表面全体にフォトレジスト等の薄膜を形成した後、この薄膜の不要部分をエッチング除去する処理が行われる場合がある。例えば、一般的に基板において成膜が必要なのは基板表面のデバイス形成領域のみであり、基板表面の周縁部および周端面に形成された薄膜は不要となる。そればかりでなく、他の装置との接触により、基板表面の周縁部および周端面に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。
そこで、基板表面の周縁部および周端面に形成された薄膜を選択的にエッチング等して処理するために、例えば、特許文献1に記載された装置が提案されている。この装置では、その表面全体にフォトレジストの薄膜が形成された基板をスピンチャックで吸引保持するとともに、回転させる。そして、ノズルを回転している基板表面の周縁部上に相当する供給位置に移動させて処理液を供給することで、基板表面の周縁部および周端面に形成された薄膜を除去している。
ところで、上記した基板処理は基板表面の略中央部に形成された非処理部の周辺から一定範囲の薄膜を除去するために行われるが、この除去範囲、つまり周端面から内側に向かってエッチング除去される幅(以下、「周縁エッチング幅」という)の寸法精度を厳格に管理することが望まれる。特に、薄膜として銅などのメタル層が基板表面に形成された場合には、上記基板処理では周端面(ベベル)近傍でのメタル除去を目的とするため、周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することが要求される。このような要求に応えるために、従来装置のようなノズルを基板表面の周縁部上に固定させて処理液を吐出させる場合には、基板の物理的な中心と回転中心とをより精度良く一致させる必要が生じる。しかしながら、基板の外形寸法にはばらつき(例えば、基板1枚当たりの直径が円周方向に一定でなかったり、複数の基板を処理する際に各基板の直径がロットごとに異なる場合)が存在するため、従来装置では、周縁エッチング幅を高精度に制御することは困難であった。すなわち、従来装置では、基板の外形寸法のばらつきに起因してノズルと基板の周端面との距離が所望値、つまり周縁エッチング幅に正確に一致していない状態のまま、ノズルを基板表面の周縁部上に固定させて処理液を吐出させているので、周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することは困難であった。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明にかかる基板処理装置は、その周縁部に切欠部が形成された略円盤状の基板を回転させながら処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板の周縁に移動自在に配設される処理ベースと、処理ベースを基板の回転軸方向に伸びる回動軸回りに回動自在に支持する回動支軸と、基板の周端面に当接可能なローラを2個基板の回転中心と処理ベースの回動中心とを結ぶ線分を中心として略対称位置に配置したローラ対を複数対設けてなるローラ群と、基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給手段とを有する処理ヘッドと、処理ヘッドを駆動することで、ローラ群を基板の周端面に当接可能な状態にさせるとともに処理液供給手段を基板の周縁部に対向させる対向位置と、ローラ群を基板の周端面から離間させるとともに処理液供給手段を基板から離れた退避位置とに位置決めさせる駆動機構とを備え、互いに異なるローラ対で、かつ互いに隣り合うローラの各々が基板の周端面に当接する当接位置の間隔は切欠部によって基板の円周が切り取られる弧の長さよりも広く、駆動機構はローラ群を基板の周端面に当接させることで処理液供給手段の基板の周端面からの距離を合わせることを特徴としている。
このように構成された発明では、処理ヘッドが駆動機構により駆動されることで、ローラ群が基板の周端面に当接するとともに処理液供給手段が基板の周縁部に対向させられる。また、処理ヘッドは回動支軸により回動自在に支持されているので回転する基板の周端面にローラ群を追随させることができる。このため、基板の周端面の位置を基準として処理液供給手段の位置が合わされる。しかも、ローラ群は基板の回転中心と処理ベースの回動中心とを結ぶ線分を中心として略対称位置に配置したローラ対から構成されているので、基板の周端面からの処理液供給手段の距離を的確に合わすことが可能である。その結果、基板の外形寸法にばらつきがある場合であっても、基板の周端面と処理液供給手段との間の相対距離を一定に保つことができる。したがって、処理液供給手段から回転する基板の周縁部に処理液を供給することで周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することができる。
ここで、基板の周端面に対して処理液供給手段を相対的に位置決めして周縁エッチング幅を制御するという観点のみを考慮すれば、単一のローラ対のみを設ければ足りる。しかしながら、基板の周縁部に切欠部が設けられた場合には、切欠部の影響についても考慮する必要がある。すなわち、ローラ対を構成する一方のローラと切欠部とが対向したときには、該ローラ対による上記作用を期待できない。そこで、この発明では、以下の構成、つまり、
・ローラ対を複数個設ける、
・互いに異なるローラ対でかつ互いに隣り合うローラの各々が基板の周端面に当接する当接位置の間隔が、基板の周縁部に形成された切欠部によって基板の円周が切り取られる弧の長さよりも広くなるように、複数のローラ対を配置する、
を採用している。
・ローラ対を複数個設ける、
・互いに異なるローラ対でかつ互いに隣り合うローラの各々が基板の周端面に当接する当接位置の間隔が、基板の周縁部に形成された切欠部によって基板の円周が切り取られる弧の長さよりも広くなるように、複数のローラ対を配置する、
を採用している。
そして、このような構成を採用することによって互いに異なるローラ対で、かつ互いに隣り合う2個のローラが同時に切欠部に対向するのを防止することができる。つまり、略対称位置に配置したローラ対を複数対設けてなるローラ群のうち、少なくとも1つのローラ対が必ず基板の周端面に当接可能な状態にある。このため、切欠部の存在によって1つのローラ対による処理液供給手段の位置合わせが不可能となる場合であっても、残る1以上のローラ対によって基板の周端面からの処理液供給手段の距離を的確に合わすことが可能である。したがって、基板の周端面と処理液供給手段との間の相対距離を一定に保つことができる。このように、この発明によれば、基板に切欠部がある場合でも周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することができる。
また、対向位置に位置決めされた処理ヘッドを線分の方向に基板に向けて付勢する付勢手段をさらに設けると、基板1枚当たりの直径が円周方向に一定でない場合でも基板の周端面にローラ群を確実に当接させて基板に追随させることができる。これにより、基板の周端面と処理液供給手段との間の相対距離を一定にして、周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することができる。
また、処理液供給手段から基板の周縁部に供給される処理液によって処理される処理領域より基板の径方向内側の非処理領域に気体を供給する気体供給手段を処理ベースに設けるのが望ましい。この構成によれば、基板の周縁部の処理領域より基板径方向内側の非処理領域に気体が供給されることから、処理液の基板中央部の非処理領域への侵入が防止される。これにより、周縁エッチング幅の均一性をさらに向上させることができる。
この発明によれば、ローラ群を基板の周端面に追随させることで、基板の周端面の位置を基準として処理液供給手段の位置が合わされ、基板の周端面と処理液供給手段との間の相対距離を一定に保つことができる。しかも、ローラ群は複数のローラ対から構成されているので、基板の切欠部の存在によって1つのローラ対による処理液供給手段の位置合わせが不可能となる場合であっても、残る1以上のローラ対によって的確に位置合わせすることができる。このため、処理液供給手段から回転する基板の周端部に処理液を供給することで周縁エッチング幅を正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することができる。
図1は、この発明にかかる基板処理装置の全体構成を示す図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板表面の周縁部からメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去する装置である。具体的には、基板表面の周縁部に化学薬品または有機溶剤等の薬液や純水またはDIW等のリンス液(以下、「処理液」という)を供給することで、基板Wに対して薬液処理、リンス処理等を施す装置である。
この基板処理装置では、真空チャック1が設けられており、基板Wの表面を上方に向けた状態で基板Wの裏面の略中央部が真空チャック1により吸引保持される。これにより、基板表面に例えばメタル層やフォトレジスト層などの薄膜を形成してなる基板Wが薄膜形成面(デバイス形成面)を上方に向けた姿勢で、かつ略水平姿勢で真空チャック1に保持される。また、真空チャック1の後端部には、モータ2が連結されており、装置全体を制御する制御ユニット3からの動作指令に応じて鉛直軸A0回りに回転駆動される。このモータ駆動により真空チャック1が回転することで、真空チャック1に保持された基板Wが基板回転軸A0回りに回転する。
また、真空チャック1に保持された基板Wの周縁には、処理ヘッド11A,11Bがそれぞれ水平方向に移動自在に設けられている。また、処理ヘッド11A,11Bにはモータ12A,12Bが本発明の「駆動機構」としてそれぞれ連結されている。このため、制御ユニット3からの動作指令に応じてモータ12A,12Bが作動することで処理ヘッド11A,11Bを基板Wの周縁部に近接させて処理液ノズル(後述)を基板Wの周縁部に対向する対向位置P1に位置決めしたり(実線位置)、逆に処理液ノズルを基板Wから離れた退避位置P2に位置決めする(破線位置)ように構成されている。なお、モータ12A,12Bの作動によって処理ヘッド11A,11Bを駆動させる具体的構成については後で詳述する。
2つの処理ヘッド11A,11Bはともに同一構成を有しており、薬液供給ユニット13からエッチング処理に適した薬液の供給を受けて後述するようにエッチング処理を実行したり、リンス液供給ユニット14から純水やDIWなどのリンス液の供給を受けて後述するようにリンス処理を実行する。また、ガス供給ユニット15が処理ヘッド11A,11Bのガスノズルに接続されており、各ノズルに窒素ガスを供給する。より詳しくは、処理ヘッド11A,11Bは以下のように構成されている。なお、両処理ヘッド11A,11Bは同一構成であるため、処理ヘッド11Aの構成のみを説明し、処理ヘッド11Bの構成説明は省略する。
図2は基板処理装置の平面図である。また、図3は基板処理装置の断面図(図2のIII−III線断面)である。処理ヘッド11Aは、2つのベース部材111a,111bを連結してなる処理ベース111を有している(図3)。この処理ベース111では、ベース部材111a,111bの間に基板Wの厚みよりも若干広い隙間SPが形成されており、モータ12Aの作動により処理ヘッド11Aが基板Wの周縁部に近接すると、基板Wの周端面が処理ヘッド11Aの内部に入り込み、基板表面Wf(薄膜形成面)および基板裏面Wbがそれぞれベース部材111a,111bと対向する。
これらのベース部材111a,111bのうち、基板表面Wfと対向する上方側ベース部材111aには、ガスノズル112(本発明の「気体供給手段」に相当)および2つの処理液ノズル113,114(本発明の「処理液供給手段」に相当)が設けられている。ガスノズル112はガス供給ユニット15と接続されており、基板表面Wf側から周縁部に向けて窒素ガスを吐出する。これによって、ベルヌーイ効果を発揮させて基板表面Wfを上方側ベース部材111aに近接状態で吸着させながら浮上させ、基板表面Wfと上方側ベース部材111aとの離間距離を一定に保っている。なお、この実施形態では、ガスノズル112に窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスを吐出するように構成してもよい。
もう一方の下方側ベース部材111bには、ガスノズル115が設けられている。ガスノズル115は、ガスノズル112と同様にガス供給ユニット15と接続されており、基板表面Wb側から周縁部に向けて窒素ガスを吐出する。これによって、ベベルエッチング処理(エッチング処理+リンス処理)中に処理液(薬液やリンス液)が基板裏面Wbに飛散して付着するのを防止している。
また、2つの処理液ノズル113,114は、一方が薬液吐出用の薬液ノズル113であり、他方がリンス液吐出用のリンス液ノズル114となっている(図2)。薬液ノズル113はリンス液ノズル114に対して基板回転方向の上流側に設けられている。また、薬液ノズル113は薬液供給ユニット13と接続される一方、リンス液ノズル114はリンス液供給ユニット14に接続されている。このため、制御ユニット3からの動作指令に応じて薬液供給ユニット13から薬液が圧送されると、薬液ノズル113から基板表面Wfの周縁部に向けて薬液が吐出される一方で、リンス液供給ユニット14からリンス液が圧送されると、リンス液ノズル114から基板表面Wfの周縁部に向けてリンス液が吐出される。
これらの処理液ノズル113,114はガスノズル112よりも基板Wの径方向外側(図3の左手側)に設けられている。このため、処理液ノズル113,114から供給される処理液によって処理される処理領域TRより基板Wの径方向内側の非処理領域NTRに窒素ガスが供給されることから、処理液の非処理領域NTRへの侵入が防止される。なお、この実施形態では、薬液ノズル113とリンス液ノズル114の2つの処理液ノズルを、薬液ノズル113がリンス液ノズル114に対して基板回転方向の上流側に位置するように設けているが、処理液ノズルの個数、配置等については任意である。
処理ヘッド11Aは、処理ベース111を鉛直方向(基板Wの回転軸方向)に伸びる回動軸A1回りに回動自在に支持する回動支軸116を有している。また、処理ヘッド11Aが基板Wの周端面に対向する側には、処理ベース111に鉛直方向に伸びるローラ回転軸回りに回転自在に軸支されるとともに基板Wの周端面に当接可能なローラが基板Wの回転中心A0と処理ベース111の回動軸(回動中心)A1とを結ぶ線分LSを中心として略対称位置にローラ対として2対(ローラ対117−117とローラ対118−118)設けられている。このように、この実施形態では、2つのローラ対117−117,118−118によりローラ群RGが構成されている。
ローラ群RGは処理ヘッド11Aが対向位置P1に位置決めされた際に基板Wの周端面に当接状態に配置される。したがって、処理ヘッド11Aが制御ユニット3の動作指令に応じてモータ12Aが作動することで、ローラ群RGが基板Wの周端面に当接するとともに処理ヘッド11Aに設けられた処理液ノズル113,114が基板表面Wfの周縁部に対向する。また、処理ヘッド11Aは回動支軸116により回動軸A1回りに回動自在に支持されているので、ローラ群RGが回転する基板Wの周端面に当接しながら追随する。具体的には、ローラ群RGを構成する各ローラ117,117,118,118が基板Wの周端面に当接しながら基板Wの回転に合わせて基板回転方向(この実施形態では、時計回り)と逆方向の反時計回りに回転する。このため、基板Wの周端面の位置を基準として処理液ノズル113,114の位置合わせがなされる。しかも、ローラ群RGは基板Wの基板回転中心A0と処理ベース111の回動軸A1とを結ぶ線分LSを中心として略対称位置に配置したローラ対117−117,118−118より構成されているので、基板Wの周端面に当接するローラ対117−117,118−118によって基板Wに加えられる力は線分LSを中心として均等となる。これにより、処理液ノズル113,114の基板Wの周端面からの距離が的確に合わされ、基板Wの周端面と処理液ノズル113,114との間の相対距離を一定にすることができる。
ここで、複数のローラ対(この実施形態では2対)を設けているのは、基板Wの周縁部に形成された切欠部の影響を考慮しているためである。すなわち、処理対象としている基板Wには、切欠部が施されていることが多い。例えば、基板Wとして半導体ウエハでは、ウエハ面内の結晶学的基準方位を示すために、ノッチなどの切欠部が形成されている。この場合、ローラ対を構成する一方のローラと切欠部とが対向したときには、該ローラ対による上記作用を期待できない。そこで、切欠部の存在を考慮してローラ対を2対設けるとともに、以下のようにローラ対117−117,118−118を配置している。ここでは、基板Wの周縁部にノッチNTが形成されている場合について説明する。
図4は、基板のノッチとローラ対との配置関係を説明する図である。基板Wは略円盤形状を有するとともに、周縁部にノッチNTが形成されてなるものである。図4に示すように、互いに異なるローラ対である、ローラ対117−117とローラ対118−118のうち、互いに隣り合うローラ117とローラ118の各々が基板Wの周端面に当接する当接位置の間隔L1は、基板Wの円周がノッチNTによって切り取られる弧の長さL2よりも広くなるように構成されている。したがって、ローラ117とローラ118とが同時にノッチNTに対向するのを防止することができる。つまり、2つのローラ対117−117,118−118のうち、いずれか一方のローラ対が必ず基板Wの周端面に当接可能な状態にある。このため、ノッチNTの存在によって1つのローラ対による処理液ノズル113,114の位置合わせが不可能となる場合であっても、残る1つのローラ対によって基板の周端面からの処理液ノズル113,114の距離を的確に合わすことが可能である。
次にモータ12Aの作動によって処理ヘッド11Aを駆動させるための具体的構成について図2および図3に戻って説明を続ける。処理ベース111は、回動支軸116を介して支持部21に回動自在に連結されている。支持部21は線分LSの方向に伸びるロッド22を介してブラケット23に接続されている。ロッド22は支持部21とブラケット23との間に設けられたスプリング24に挿通されるとともに、ブラケット23に摺動自在に嵌入されている。このため、処理ヘッド11Aが対向位置P1に位置決めされ、ローラ群RGが基板Wの周端面に当接する際に線分LSの方向に基板Wを押圧する方向に付勢することが可能になっている。このように、この実施形態ではスプリング24が本発明の「付勢手段」として機能している。
また、ブラケット23にはネジ構造が形成された孔が設けられており、当該孔にボールネジ25が挿通されるとともにネジ構造と螺合している。このボールネジ25はカップリング26を介してモータ12Aの回転軸と接続されている。また、ブラケット23は線分LSの方向に伸びるガイド27に沿って、線分LSと同一方向に移動自在に構成されている。このため、モータ12Aの作動によりボールネジ25が回転することで、線分LSの方向に処理ヘッド11Aが進退する。したがって、制御ユニット3の動作指令に応じてモータ12Aが作動することで処理ヘッド11Aを対向位置P1と退避位置P2とに位置決めすることができる。しかも、このように構成することで、線分LSの方向における処理ヘッド11Aの移動量を連続的に設定することも可能である。
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図5および図6を参照しつつ説明する。図5は図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。ここでは、切欠部としてノッチNTが周縁部に形成されてなる基板Wを処理対象とする。この装置では、基板Wの表面Wfにメタル層やフォトレジスト層などの薄膜が形成された基板Wが基板表面Wfを上方に向けて搬入されると、該基板Wに対してベベルエッチング処理(エッチング処理+リンス処理+乾燥処理)が実行される。
先ずステップS1で基板Wが基板表面Wfを上方に向けて搬送されてきた基板Wの裏面Wbの略中央部を真空チャック1により吸引保持する。このとき、両処理ヘッド11A,11Bは基板Wの周縁部から離間した退避位置P2に位置決めされており(図1の破線位置)、基板Wとの干渉が防止されている。
そして、モータ2の駆動を開始させて基板Wを回転させる(ステップS2)。また、ステップ2と同時、あるいは前後して両処理ヘッド11A,11Bを基板Wの周縁部に近接移動させて対向位置P1(図1の実線位置)に位置決めする(ステップS3)。すなわち、ローラ群RGが基板Wの周端面に当接状態に配置されるとともに、処理液ノズル113,114が基板表面Wfの周縁部に対向配置される。
このとき処理ヘッド11A,11Bは回動軸A1回りに回動自在に支持されているのでローラ群RGが回転する基板Wの周端面に当接しながら追随する。このため、基板Wの周端面の位置を基準として、処理液ノズル113,114の位置が合わされる。しかも、ローラ対117−117,118−118は基板Wの回転中心A0と処理ヘッド11A,11Bの回動軸A1とを結ぶ線分LSを中心として略対称位置に配設されているので、処理液ノズル113,114の基板Wの周端面からの距離が的確に合わされる。このため、基板Wの周端面と処理液ノズル113,114との間の相対距離を一定にすることができる。
また、図6に示すように処理ヘッド11A,11Bにはそれぞれ、ローラ対が2対設けられているのでローラ対を構成する一方のローラ(図6ではローラ117)がノッチNTに対向して処理液ノズル113,114の位置合わせができない場合でも、残る一方のローラ対118−118によって基板Wの周端面と処理液ノズル113,114との間の相対距離が一定に保たれる。
こうして対向位置P1への位置決めが完了すると、ガスノズル112,115から基板Wに向けて窒素ガスが吐出される。また、薬液供給ユニット13からエッチング処理に適した薬液が薬液ノズル113に圧送されて基板Wの周端面から一定の位置に薬液が供給される。これによって、薬液ノズル113と基板Wの周縁部との距離が所望値、つまり周縁エッチング幅EHで基板表面Wfの周縁部から不要物(薄膜)がエッチング除去される(ステップS4−1)。このエッチング処理が基板回転に伴い連続的に行われて基板表面Wfの周縁部を所定の周縁エッチング幅EHで正確に、しかも基板全周にわたって均一にエッチング除去される。
このエッチング処理と同時に、リンス液供給ユニット14からリンス液がリンス液ノズル114に圧送されて基板Wの周端面から一定の位置にリンス液が供給される。これによって、エッチング除去された基板表面Wfの周縁部に対してリンス処理が実行される(ステップS4−2)。更に、ガスノズル112,115から窒素ガスが吐出されることによって薬液とリンス液は基板Wの回転下流側のローラ117,118に届く前に除去される。これによって、ローラ群RGに液が付着するのが防止される。
こうして、エッチング処理およびリンス処理が完了すると、両処理ヘッド11A,11Bを移動させて基板Wの周縁部から離間した退避位置P2に位置決めする(ステップS5)。そして、モータ2の回転速度を高めて基板Wを高速回転させる。これによって、基板Wに付着する液体成分を更に振り切って基板Wを乾燥させた(ステップS6)後、基板Wの回転を停止させる(ステップS7)。こうしてベベルエッチング処理が完了すると、搬送アーム等による基板Wの受け取りが可能であることを確認した上で真空チャック1による基板保持を解除する(ステップS8)。その後、ベベルエッチング処理を受けた基板Wを搬送アーム等に受け渡す。これにより、一連のベベルエッチング処理の動作が終了する。
以上のように、この実施形態によれば、処理ヘッド11A,11Bは回動軸A1回りに回動自在に構成されているので、ローラ群RGは回転する基板Wの周端面に当接しながら追随する。これにより、基板Wの周端面の位置を基準として処理液ノズル113,114の位置が合わされる。しかも、ローラ群RGは基板Wの回転中心A0と回動軸(回動中心)A1とを結ぶ線分LSを中心として略対称位置に配置したローラ対117−117,118−118から構成されているので、線分LSに対してローラの当接により基板Wに加えられる力は均等となり、基板Wの周端面からの処理液ノズル113,114の位置が的確に合わされる。その結果、基板Wの外形寸法にばらつきがある場合であっても、基板Wの周端面と処理液ノズル113,114との間の相対距離を一定に保つことができる。したがって、処理液ノズル113,114から回転する基板Wの周縁部に処理液を供給することで周縁エッチング幅EHを正確に、しかも基板全周にわたって均一に制御することができる。
また、この実施形態によれば、ローラ対が2対設けられるとともに、これら2つのローラ対117−117とローラ対118−118のうち、互いに隣り合うローラ117とローラ118の各々が基板Wの周端面に当接する当接位置の間隔L1は、基板Wの円周がノッチNTによって切り取られる弧の長さL2よりも広くなるように構成されている。したがって、ローラ117とローラ118とが同時にノッチNTに対向するのを防止することができる。つまり、2つのローラ対117−117,118−118のうち、いずれか一方のローラ対が必ず基板Wの周端面に当接可能な状態にある。このため、ノッチNTの存在によって1つのローラ対による処理液ノズル113,114の位置合わせが不可能となる場合であっても、残る1つのローラ対によって処理液ノズル113,114の位置合わせが可能である。
また、対向位置P1に位置決めされた処理ヘッド11A,11Bを線分LSの方向に基板Wに向けてスプリング24によって付勢しているので、基板1枚当たりの直径が円周方向に一定でない場合でも基板Wの周端面にローラ群RGを確実に当接させることができる。これにより、基板Wの周端面と処理液ノズル113,114との間の相対距離を一定にして、周縁エッチング幅EHを正確に、しかも基板全周にわたって均一に処理することができる。
さらに、処理液ノズル113,114はガスノズル112よりも基板Wの径方向外側に設けられている。このため、処理液ノズル113,114から供給される処理液によって処理される処理領域TRより基板Wの径方向内側の非処理領域NTRに窒素ガスが供給されることから、処理液の非処理領域NTRへの侵入が防止される。これにより、周縁エッチング幅EHの均一性をさらに向上させることができる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、基板表面Wfを上方に向けて基板Wの上方から基板表面Wfの周縁部に処理液を供給して処理しているが、これに限定されない。例えば、基板表面Wfを下方に向けて(フェースダウン姿勢で)基板Wの下方から基板表面Wfの周縁部に処理液を供給して処理するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、基板Wを鉛直軸A0回りに回転駆動しているが、回転軸A0を90度傾けて基板Wを保持して回転するように構成してもよい。
また、上記実施形態では、「駆動機構」としてモータ12A,12Bを作動させることで処理ヘッド11A,11Bを位置決めしているが、モータに限らず、エアシリンダ等のアクチェータ全般を用いてもよい。
また、上記実施形態では、「付勢手段」としてコイル形状のスプリング24を用いているが、これに限らず、板バネ、その他の弾性部材を用いてもよい。
また、上記実施形態では、その周縁部にノッチNTが形成された基板Wを処理対象としているが、基板の周縁部に切欠部を設けてなる種々の形状を有する基板に対しても本発明を適用することができる。
この発明は、半導体ウエハなどの略円盤状の基板を回転させながら処理液を供給してベベルエッチング処理などの処理を施す基板処理装置に適用することができる。
11A,11B…処理ヘッド
12A,12B…モータ(駆動機構)
24…スプリング(付勢手段)
111…処理ベース
112…ガスノズル(気体供給手段)
113…薬液ノズル(処理液供給手段)
114…リンス液ノズル(処理液供給手段)
116…回動支軸
117−117…ローラ対
118−118…ローラ対
A1…(処理ベースの)回動軸
L1…(ローラの各々が基板の周端面に当接する)当接位置の間隔
L2…(切欠部によって基板の円周が切り取られる)弧の長さ
LS…(基板の回転中心と処理ベースの回動中心とを結ぶ)線分
NT…ノッチ(切欠部)
P1…対向位置
P2…退避位置
RG…ローラ群
TR…処理領域
NTR…非処理領域
W…基板
12A,12B…モータ(駆動機構)
24…スプリング(付勢手段)
111…処理ベース
112…ガスノズル(気体供給手段)
113…薬液ノズル(処理液供給手段)
114…リンス液ノズル(処理液供給手段)
116…回動支軸
117−117…ローラ対
118−118…ローラ対
A1…(処理ベースの)回動軸
L1…(ローラの各々が基板の周端面に当接する)当接位置の間隔
L2…(切欠部によって基板の円周が切り取られる)弧の長さ
LS…(基板の回転中心と処理ベースの回動中心とを結ぶ)線分
NT…ノッチ(切欠部)
P1…対向位置
P2…退避位置
RG…ローラ群
TR…処理領域
NTR…非処理領域
W…基板
Claims (3)
- その周縁部に切欠部が形成された略円盤状の基板を回転させながら処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置において、
前記基板の周縁に移動自在に配設される処理ベースと、前記処理ベースを前記基板の回転軸方向に伸びる回動軸回りに回動自在に支持する回動支軸と、前記基板の周端面に当接可能なローラを2個前記基板の回転中心と前記処理ベースの回動中心とを結ぶ線分を中心として略対称位置に配置したローラ対を複数対設けてなるローラ群と、前記基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給手段とを有する処理ヘッドと、
前記処理ヘッドを駆動することで、前記ローラ群を前記基板の周端面に当接可能な状態にさせるとともに前記処理液供給手段を前記基板の周縁部に対向させる対向位置と、前記ローラ群を前記基板の周端面から離間させるとともに前記処理液供給手段を前記基板から離れた退避位置とに位置決めさせる駆動機構と
を備え、
互いに異なるローラ対で、かつ互いに隣り合うローラの各々が前記基板の周端面に当接する当接位置の間隔は前記切欠部によって前記基板の円周が切り取られる弧の長さよりも広く、
前記駆動機構は前記ローラ群を前記基板の周端面に当接させることで前記処理液供給手段の前記基板の周端面からの距離を合わせることを特徴とする基板処理装置。 - 前記対向位置に位置決めされた前記処理ヘッドを前記線分の方向に前記基板に向けて付勢する付勢手段をさらに備える請求項1記載の基板処理装置。
- 前記処理ヘッドは前記処理液供給手段から前記基板の周縁部に供給される処理液によって処理される処理領域より前記基板の径方向内側の非処理領域に気体を供給する気体供給手段を備える請求項1または2記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004243204A JP2006060161A (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004243204A JP2006060161A (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006060161A true JP2006060161A (ja) | 2006-03-02 |
Family
ID=36107352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004243204A Withdrawn JP2006060161A (ja) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006060161A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009075731A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing polymer from the wafer backside and edge |
JP2009147152A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP2009194088A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2011504653A (ja) * | 2007-11-23 | 2011-02-10 | ラム・リサーチ・アーゲー | ウエハ状物品の周縁領域をウェット処理するための装置及び方法 |
JP2013102184A (ja) * | 2006-07-07 | 2013-05-23 | Tel Fsi Inc | 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
JPWO2013114589A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2015-05-11 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法および光起電力装置の製造装置 |
JP2015213189A (ja) * | 2015-07-09 | 2015-11-26 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
JP2017028201A (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
US20200365422A1 (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
2004
- 2004-08-24 JP JP2004243204A patent/JP2006060161A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013102184A (ja) * | 2006-07-07 | 2013-05-23 | Tel Fsi Inc | 1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
JP2011504653A (ja) * | 2007-11-23 | 2011-02-10 | ラム・リサーチ・アーゲー | ウエハ状物品の周縁領域をウェット処理するための装置及び方法 |
WO2009075731A1 (en) * | 2007-12-12 | 2009-06-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing polymer from the wafer backside and edge |
US8329593B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing polymer from the wafer backside and edge |
JP2009147152A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP2009194088A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPWO2013114589A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2015-05-11 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法および光起電力装置の製造装置 |
JP2015213189A (ja) * | 2015-07-09 | 2015-11-26 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
JP2017028201A (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体 |
US20200365422A1 (en) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP2020188124A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7304737B2 (ja) | 2019-05-14 | 2023-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4601452B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20220375755A1 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
KR100787067B1 (ko) | 처리 장치, 처리 시스템 및 처리 방법 | |
JP4657090B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6118758B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2008047629A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007318140A (ja) | 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド | |
US20090173446A1 (en) | Substrate support, substrate processing apparatus including substrate support, and method of aligning substrate | |
TWI325792B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3958106B2 (ja) | 基板エッチング方法および基板エッチング装置 | |
JP2006060161A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010080583A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
US10331049B2 (en) | Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same | |
JP2001156039A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4128344B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009070946A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008300454A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4936878B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006120666A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2004079908A (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
JP2008080288A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3846697B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6411571B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP3971282B2 (ja) | 基板保持機構、基板処理装置および基板処理方法 | |
JP4364744B2 (ja) | エッチング装置及びエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071106 |