JP2006053543A - フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006053543A JP2006053543A JP2005201417A JP2005201417A JP2006053543A JP 2006053543 A JP2006053543 A JP 2006053543A JP 2005201417 A JP2005201417 A JP 2005201417A JP 2005201417 A JP2005201417 A JP 2005201417A JP 2006053543 A JP2006053543 A JP 2006053543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- layer
- film
- photoresist
- lower layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
【効果】 本発明の下層膜形成材料は、必要により反射防止効果のある中間層と組み合わせることによって、200nm以上の膜厚で十分な反射防止効果を発揮できるだけの吸光係数を有し、基板加工に用いられるCF4/CHF3系ガス及びCl2/BCl3系ガスエッチングの速度も通常のm−クレゾールノボラック樹脂よりも遅く、高いエッチング耐性を有する。また、パターニング後のレジスト形状も良好である。
【選択図】 なし
Description
一般的には珪素含有レジストより単層レジストの方が解像性に優れ、3層プロセスでは高解像な単層レジストを露光イメージング層として用いることができる。
中間層としては、スピンオングラス(SOG)膜が用いられ、多くのSOG膜が提案されている。
基板反射をできるだけ抑え、具体的には1%以下にまで低減させる目的は2層プロセスも3層プロセスも変わらないのであるが、2層プロセスは下層膜だけに反射防止効果を持たせるのに対して、3層プロセスは中間層と下層のどちらか一方あるいは両方に反射防止効果を持たせることができる。
反射防止効果を付与させた珪素含有層材料が、米国特許第6506497号明細書(特許文献9)、米国特許第6420088号明細書(特許文献10)に提案されている。
一般的に単層の反射防止膜よりも多層反射防止膜の方が反射防止効果が高く、光学材料の反射防止膜として広く工業的に用いられている。
中間層と下層の両方に反射防止効果を付与させることによって高い反射防止効果を得ることができる。
3層プロセスにおいて珪素含有中間層に反射防止膜としての機能を持たせることができれば、下層膜に反射防止膜としての最高の効果は特に必要がない。
3層プロセスの場合の下層膜としては、反射防止膜としての効果よりも基板加工における高いエッチング耐性が要求される。
そのために、エッチング耐性が高く、芳香族基を多く含有するノボラック樹脂を3層プロセス用下層膜として用いることが必要である。
中間層のk値として0.2以下の低い値と、適切な膜厚設定によって、1%以下の十分な反射防止効果を得ることができる。
通常反射防止膜として、膜厚100nm以下で反射を1%以下に抑ええるためにはk値が0.2以上が必要であるが(図2参照)、下層膜である程度の反射を抑ええることができる3層構造の中間層としては0.2より低い値のk値が最適値となる。
次に下層膜のk値が0.2の場合と0.6の場合の、中間層と下層の膜厚を変化させたときの反射率変化を図4と図5に示す。
k値が0.2の下層は、2層プロセスに最適化された下層膜を想定しており、k値が0.6の下層は、193nmにおけるノボラックやポリヒドロキシスチレンのk値に近い値である。
下層膜の膜厚は基板のトポグラフィーによって変動するが、中間層の膜厚はほとんど変動せず、設定した膜厚で塗布できると考えられる。
ここで、下層膜のk値が高い方(0.6の場合)が、より薄膜で反射を1%以下に抑えることができる。
下層膜のk値が0.2の場合、250nm膜厚では反射を1%以下にするために中間層の膜厚を厚くしなければならない。
中間層の膜厚を上げると、中間層を加工するときのドライエッチング時に最上層のレジストに対する負荷が大きく、好ましいことではない。
下層膜を薄膜で用いるためには、高いk値だけでなく、より強いエッチング耐性が必要である。
請求項1:
インデン類と、ヒドロキシ基もしくはエポキシ基を有すると共に重合性2重結合を有する化合物とを共重合してなる高分子化合物を含有することを特徴とする下層膜形成材料。
請求項2:
インデン類と、ヒドロキシスチレン又はグリシジルエーテルスチレンとを共重合してなる高分子化合物を含有することを特徴とする下層膜形成材料。
請求項3:
インデン類に由来する繰り返し単位が、下記一般式(a)で表される繰り返し単位であることを特徴とする請求項1又は2記載の下層膜形成材料。
(式中、R1は、独立して水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、アリル基、又はハロゲン原子であり、pは1〜4の整数である。Xはメチレン基、−O−、−S−、又は−NH−である。)
請求項4:
更に、有機溶剤及び酸発生剤を含有する請求項1乃至3のいずれか1項記載の下層膜形成材料。
請求項5:
更に、架橋剤を含有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の下層膜形成材料。
請求項6:
請求項1乃至5のいずれか1項記載の下層膜形成材料による下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、このフォトレジスト層の所用領域に放射線を照射し、現像液で現像してフォトレジストパターンを形成し、次にドライエッチング装置でこのフォトレジストパターン層をマスクにして下層膜層及び被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。
請求項7:
フォトレジスト組成物が炭化水素化合物からなり、フォトレジスト層をマスクにして下層膜を加工するドライエッチングによって加工を行う請求項6記載のパターン形成方法。
請求項8:
フォトレジスト組成物が珪素原子含有ポリマーを含み、フォトレジスト層をマスクにして下層膜を加工するドライエッチングを、酸素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行う請求項6記載のパターン形成方法。
請求項9:
請求項1乃至5のいずれか1項記載の下層膜形成材料による下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上に珪素原子を含有する中間層を適用し、該中間層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、このフォトレジスト層の所用領域に放射線を照射し、現像液で現像してフォトレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置でこのフォトレジストパターン層をマスクにして中間膜層を加工し、フォトレジストパターン層を除去後、上記加工した中間膜層をマスクにして下層膜層、次いで被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。
請求項10:
フォトレジスト組成物が珪素原子を含有しないポリマーを含み、中間層膜をマスクにして下層膜を加工するドライエッチングを、酸素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行う請求項9記載のパターン形成方法。
(A)ベースポリマーとして、インデン類と、ヒドロキシ基又はエポキシ基を有すると共に重合性2重結合を有する化合物とを共重合してなる高分子化合物、特にインデン類とヒドロキシスチレン又はグリシジルエーテルスチレンとを共重合した高分子化合物を必須成分とし、好ましくは
(B)有機溶剤、
(C)架橋剤、
(D)酸発生剤
を含むものである。
(式中、R1は、独立して水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、アリル基、又はハロゲン原子であり、pは1〜4の整数である。Xはメチレン基、−O−、−S−、又は−NH−である。)
0.1≦UA/U≦0.95、特に0.2≦UA/U≦0.9
0<UB/U≦0.8、特に0.1≦UB/U≦0.7
0≦UC/U≦0.8、特に0≦UC/U≦0.7
であることが好ましい。
この時の置換率は、ヒドロキシ基の10〜80モル%、好ましくは15〜70モル%の範囲である。
i.下記一般式(P1a−1)、(P1a−2)、(P1a−3)又は(P1b)のオニウム塩、
ii.下記一般式(P2)のジアゾメタン誘導体、
iii.下記一般式(P3)のグリオキシム誘導体、
iv.下記一般式(P4)のビススルホン誘導体、
v.下記一般式(P5)のN−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル、
vi.β−ケトスルホン酸誘導体、
vii.ジスルホン誘導体、
viii.ニトロベンジルスルホネート誘導体、
ix.スルホン酸エステル誘導体
等が挙げられる。
(式中、R101a、R101b、R101cはそれぞれ炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基又はオキソアルケニル基、炭素数6〜20のアリール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部がアルコキシ基等によって置換されていてもよい。また、R101bとR101cとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、R101b、R101cはそれぞれ炭素数1〜6のアルキレン基を示す。K-は非求核性対向イオンを表す。R101d、R101e、R101f、R101gは、R101a、R101b、R101cに水素原子を加えて示される。R101dとR101e、R101dとR101eとR101fとは環を形成してもよく、環を形成する場合には、R101dとR101e及びR101dとR101eとR101fは炭素数3〜10のアルキレン基を示す。又は式中の窒素原子を環の中に有する複素芳香族環を示す。)
(式中、R102a、R102bはそれぞれ炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R103は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R104a、R104bはそれぞれ炭素数3〜7の2−オキソアルキル基を示す。K-は非求核性対向イオンを表す。)
(式中、R105、R106は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲン化アリール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基を示す。)
(式中、R107、R108、R109は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数6〜20のアリール基又はハロゲン化アリール基、又は炭素数7〜12のアラルキル基を示す。R108、R109は互いに結合して環状構造を形成してもよく、環状構造を形成する場合、R108、R109はそれぞれ炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)
(式中、R101a、R101bは上記と同様である。)
(式中、R110は炭素数6〜10のアリーレン基、炭素数1〜6のアルキレン基又は炭素数2〜6のアルケニレン基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルコキシ基、ニトロ基、アセチル基、又はフェニル基で置換されていてもよい。R111は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は置換のアルキル基、アルケニル基又はアルコキシアルキル基、フェニル基、又はナフチル基を示し、これらの基の水素原子の一部又は全部は更に炭素数1〜4のアルキル基又はアルコキシ基;炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基又はアセチル基で置換されていてもよいフェニル基;炭素数3〜5のヘテロ芳香族基;又は塩素原子、フッ素原子で置換されていてもよい。)
酸発生剤の添加量は、ベース樹脂100部に対して好ましくは0.1〜50部、より好ましくは0.5〜40部である。0.1部より少ないと酸発生量が少なく、架橋反応が不十分な場合があり、50部を超えると上層レジストへ酸が移動することによるミキシング現象が起こる場合がある。
塩基性化合物としては、酸発生剤より微量に発生した酸が架橋反応を進行させるのを防ぐための、酸に対するクエンチャーの役割を果たす。
このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
この場合、このレジスト層を形成するためのフォトレジスト組成物としては公知のものを使用することができる。
また、露光光としては、波長300nm以下の高エネルギー線、具体的には248nm、193nm、157nmのエキシマレーザー、3〜20nmの軟X線、電子ビーム、X線等を挙げることができる。
なお、被加工基板としては、基板上に形成される。基板としては、特に限定されるものではなく、Si、α−Si、p−Si、SiO2、SiN、SiON、W、TiN、Al等で被加工膜(被加工基板)と異なる材質のものが用いられる。被加工膜としては、Si、SiO2、SiON、SiN、p−Si、α−Si、W、W−Si、Al、Cu、Al−Si等種々のLow−k膜及びそのストッパー膜が用いられ、通常50〜10,000nm、特に100〜5,000nm厚さに形成し得る。
2層レジスト加工プロセスの場合、図6(A)に示したように、基板1の上に積層された被加工基板(被加工膜)2上に下層膜形成材料を用いて下層膜3を形成し、その上にフォトレジスト組成物、特に珪素原子含有ポリマーをベース樹脂とするフォトレジスト組成物によるフォトレジスト層4を形成し、次いでフォトマスクを介してフォトレジスト層4の所用部分5を露光し[図6(B)]、ポストエクスポジュアーベーク(PEB)、現像してフォトレジストパターン層4aを形成する[図6(C)]。
その後、このフォトレジストパターン層4aをマスクにして下地層3を酸素プラズマエッチング加工し[図6(D)]、更にフォトレジストパターン層を除去後、被加工基板2をエッチング加工する[図6(E)]。
なお、分子量の測定法は具体的に下記の方法によって行った。
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)を求め、分散度(Mw/Mn)を求めた。
2Lのフラスコにインデン81g、4−ヒドロキシスチレン36g、溶媒として1,2−ジクロロエタンを80g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、重合開始剤としてトリフルオロホウ素を1g加え、60℃まで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール2.5L、水0.2Lの混合溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、60℃で減圧乾燥し、白色重合体35gを得た。
GPCにより分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求め、1H−NMR分析によりポリマー中の比率を以下のように求めた。
ポリマー1;インデン:4−ヒドロキシスチレン(モル比)=0.71:0.29
Mw=8,600、Mw/Mn=1.89
2Lのフラスコにインデン55g、4−ヒドロキシインデン66g、溶媒として1,2−ジクロロエタンを80g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、重合開始剤としてトリフルオロホウ素を1g加え、60℃まで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール2.5L、水0.2Lの混合溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、60℃で減圧乾燥し、白色重合体35gを得た。
GPCにより分子量(Mw)、分散度(Mw/Mn)を求め、1H−NMR分析によりポリマー中の比率を以下のように求めた。
ポリマー2;インデン:4−ヒドロキシインデン(モル比)=0.48:0.52
Mw=6,500、Mw/Mn=1.55
2Lのフラスコにグリシジルメタクリレート56.8g、4−ヒドロキシスチレン48.0g、インデン25.5g、溶媒としてテトラヒドロフランを150g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBNを2.6g加え、60℃まで昇温後、15時間反応させた。この反応溶液をイソプロピルアルコール1,500mL溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、60℃で減圧乾燥し、白色重合体110.1gを得た。
得られた重合体を13C,1H−NMR、及び、GPC測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比(モル比)
ポリマー3;グリシジルメタクリレート:4−ヒドロキシスチレン:インデン=0.42:0.38:0.20
Mw=8,400、Mw/Mn=1.83
200mLのフラスコにインデンを11.5g、N−ヒドロキシエチルマレイミドを14.1g、溶媒としてテトラヒドロフランを15g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を2.5g加え、55℃まで昇温後、25時間反応させた。この反応溶液にアセトン5mLを加えて希釈後、イソプロピルアルコール2L溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体13gを得た。
共重合組成比
ポリマー4;インデン:N−ヒドロキシエチルマレイミド=0.50:0.50
Mw=6,500、Mw/Mn=1.66
表1に示すポリマーを用い、これに架橋剤CR1、酸発生剤AG1又は2をFC−430(住友スリーエム(株)製)0.1質量%を含む溶媒PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)中に表1に示す割合で溶解させ、0.1μmのフッ素樹脂製のフィルターで濾過することによって下層膜溶液と中間層膜溶液をそれぞれ調製した。
下層膜形成材料と中間層膜溶液の溶液をシリコン基板上に塗布して、200℃で60秒間ベークしてそれぞれ下層膜としては膜厚300nmの下層膜(以下、UDL1〜6、UDL9及び比較例UDL1〜3と略称する)、300℃で60秒間ベークしてそれぞれ下層膜としては膜厚300nmの下層膜(以下、UDL7,8と略称する)、中間層としては膜厚100nmの珪素含有膜を形成し(以下、SOG1と略称する)、J.A.ウーラム社の入射角度可変の分光エリプソメーター(VASE)で波長193nmにおけるUDL1〜9、SOG1及び比較例UDL1〜3の屈折率(n,k)を求め、結果を表1に示した。
ポリ−p−ヒドロキシスチレン:1−アダマンチルメタクリレート(モル比)=0.
32:0.68
Mw=10,800、Mw/Mn=1.82
m−クレゾールノボラック
Mw=8,800、Mw/Mn=4.5
ポリ−p−ヒドロキシスチレン
Mw=9,200、Mw/Mn=1.05
ブレンドポリマー1;
1−ナフトール:ジシクロペンタジエン(モル比)=0.70:0.30[ノボラッ
ク]
Mw=1,200、Mw/Mn=3.8
その上に珪素含有中間層材料溶液SOG1を塗布して200℃で60秒間ベークして膜厚100nmの中間層を形成し、ArF用SLレジスト溶液を塗布し、130℃で60秒間ベークして膜厚200nmのフォトレジスト層を形成した。
次いで、ArF露光装置((株)ニコン製;S305B、NA0.68、σ0.85、2/3輪体照明、Crマスク)で露光し、110℃で60秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で60秒間現像し、ポジ型のパターンを得た。得られたパターンの0.12μmL/Sのパターン形状を観察した。結果を表5に示す。
(1)CF4/CHF3系ガスでのエッチング試験
エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 1,300W
ギャップ 9mm
CHF3ガス流量 30ml/min
CF4ガス流量 30ml/min
Arガス流量 100ml/min
時間 60sec
(2)Cl2/BCl3系ガスでのエッチング試験
エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 300W
ギャップ 9mm
Cl2ガス流量 30ml/min
BCl3ガス流量 30ml/min
CHF3ガス流量 100ml/min
O2ガス流量 2ml/min
時間 60sec
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 1,000W
ギャップ 9mm
CHF3ガス流量 20ml/min
CF4ガス流量 60ml/min
Arガス流量 200ml/min
時間 30sec
次に、SOG膜に転写されたパターンを下記酸素ガスを主体とするエッチングで下層膜に転写した。エッチング条件(4)は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 60.0Pa
RFパワー 600W
Arガス流量 40ml/min
O2ガス流量 60ml/min
ギャップ 9mm
時間 20sec
最後に(1)に示すエッチング条件で下層膜パターンをマスクにしてSiO2基板を加工した。
その上にArF用SLレジスト溶液を塗布し、130℃で60秒間ベークして膜厚200nmのフォトレジスト層を形成した。
次いで、ArF露光装置((株)ニコン製;S305B、NA0.68、σ0.85、2/3輪体照明、Crマスク)で露光し、110℃で60秒間ベーク(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液で60秒間現像し、ポジ型のパターンを得た。得られたパターンの0.12μmL/Sのパターン形状を観察した。
次に、上記ArF露光と現像後にて得られたレジストパターンを下層膜に下記条件で転写した。エッチング条件(5)は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 600W
ギャップ 9mm
CHF3ガス流量 20ml/min
CF4ガス流量 60ml/min
O2ガス流量 7ml/min
Arガス流量 200ml/min
時間 15sec
次に、下層膜に転写されたレジストパターンを下地の酸化膜に転写した。エッチング条件(6)は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 40.0Pa
RFパワー 1,000W
ギャップ 9mm
CHF3ガス流量 60ml/min
CF4ガス流量 20ml/min
Arガス流量 200ml/min
時間 20sec
2 被加工基板(被加工膜)
3 下層膜
4,7 フォトレジスト層
5,8 露光部分
6 中間層
Claims (10)
- インデン類と、ヒドロキシ基もしくはエポキシ基を有すると共に重合性2重結合を有する化合物とを共重合してなる高分子化合物を含有することを特徴とする下層膜形成材料。
- インデン類と、ヒドロキシスチレン又はグリシジルエーテルスチレンとを共重合してなる高分子化合物を含有することを特徴とする下層膜形成材料。
- インデン類に由来する繰り返し単位が、下記一般式(a)で表される繰り返し単位であることを特徴とする請求項1又は2記載の下層膜形成材料。
(式中、R1は、独立して水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、アリル基、又はハロゲン原子であり、pは1〜4の整数である。Xはメチレン基、−O−、−S−、又は−NH−である。) - 更に、有機溶剤及び酸発生剤を含有する請求項1乃至3のいずれか1項記載の下層膜形成材料。
- 更に、架橋剤を含有する請求項1乃至4のいずれか1項記載の下層膜形成材料。
- 請求項1乃至5のいずれか1項記載の下層膜形成材料による下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、このフォトレジスト層の所用領域に放射線を照射し、現像液で現像してフォトレジストパターンを形成し、次にドライエッチング装置でこのフォトレジストパターン層をマスクにして下層膜層及び被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。
- フォトレジスト組成物が炭化水素化合物からなり、フォトレジスト層をマスクにして下層膜を加工するドライエッチングによって加工を行う請求項6記載のパターン形成方法。
- フォトレジスト組成物が珪素原子含有ポリマーを含み、フォトレジスト層をマスクにして下層膜を加工するドライエッチングを、酸素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行う請求項6記載のパターン形成方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項記載の下層膜形成材料による下層膜を被加工基板上に適用し、該下層膜の上に珪素原子を含有する中間層を適用し、該中間層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、このフォトレジスト層の所用領域に放射線を照射し、現像液で現像してフォトレジストパターンを形成し、ドライエッチング装置でこのフォトレジストパターン層をマスクにして中間膜層を加工し、フォトレジストパターン層を除去後、上記加工した中間膜層をマスクにして下層膜層、次いで被加工基板を加工することを特徴とするパターン形成方法。
- フォトレジスト組成物が珪素原子を含有しないポリマーを含み、中間層膜をマスクにして下層膜を加工するドライエッチングを、酸素ガスを主体とするエッチングガスを用いて行う請求項9記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005201417A JP4482763B2 (ja) | 2004-07-15 | 2005-07-11 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004208385 | 2004-07-15 | ||
JP2005201417A JP4482763B2 (ja) | 2004-07-15 | 2005-07-11 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006053543A true JP2006053543A (ja) | 2006-02-23 |
JP4482763B2 JP4482763B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=36031020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005201417A Expired - Fee Related JP4482763B2 (ja) | 2004-07-15 | 2005-07-11 | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4482763B2 (ja) |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007233386A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2008039814A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Nissan Chem Ind Ltd | 傾斜構造を有するリソグラフィー用レジスト下層膜 |
JP2008170943A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-07-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトリソグラフィー用コーティング組成物 |
JP2008310229A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法 |
US7488691B2 (en) | 2006-07-19 | 2009-02-10 | Nec Electronics Corporation | Method of fabricating semiconductor device |
JP2009109768A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
WO2009072465A1 (ja) | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターン形成方法 |
WO2009075265A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | レジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法 |
WO2011099235A1 (ja) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 下層膜材料及び多層レジストパターン形成方法 |
JP2011164345A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | レジスト下層膜材料、パターン形成方法 |
US8101341B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-01-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8192921B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8198016B2 (en) | 2008-05-15 | 2012-06-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8216774B2 (en) | 2009-02-12 | 2012-07-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8349533B2 (en) | 2008-11-07 | 2013-01-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process |
US8450048B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-05-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming resist underlayer film, patterning process using the same, and composition for the resist underlayer film |
US8795955B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, resist bottom layer forming method, and patterning process |
US8846846B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-09-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, and patterning process |
EP2813891A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
EP2813892A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
EP2813890A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
EP2813889A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
JP2015120879A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-07-02 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | レジスト組成物 |
US9122147B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-09-01 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Pattern forming process |
US9146468B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film composition and patterning process using the same |
US9658530B2 (en) | 2014-07-08 | 2017-05-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for forming multi-layer film and patterning process |
US9785049B2 (en) | 2016-01-12 | 2017-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming multi-layer film and patterning process |
US9899218B2 (en) | 2015-06-04 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist under layer film composition and patterning process |
US9984878B2 (en) | 2015-05-18 | 2018-05-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist under layer film composition and patterning process |
US10156788B2 (en) | 2015-07-14 | 2018-12-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film composition, patterning process, and compound |
-
2005
- 2005-07-11 JP JP2005201417A patent/JP4482763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10261418B2 (en) | 2006-02-28 | 2019-04-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
JP2013167909A (ja) * | 2006-02-28 | 2013-08-29 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
JP2007233386A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 |
US9429844B2 (en) | 2006-02-28 | 2016-08-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Coating compositions for use with an overcoated photoresist |
US7488691B2 (en) | 2006-07-19 | 2009-02-10 | Nec Electronics Corporation | Method of fabricating semiconductor device |
JP2008039814A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-21 | Nissan Chem Ind Ltd | 傾斜構造を有するリソグラフィー用レジスト下層膜 |
JP2008170943A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-07-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトリソグラフィー用コーティング組成物 |
JP2008310229A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法 |
JP2009109768A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
US8084192B2 (en) | 2007-10-30 | 2011-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming resist pattern |
WO2009072465A1 (ja) | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | リソグラフィー用下層膜形成組成物及び多層レジストパターン形成方法 |
US8592134B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-11-26 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Composition for forming base film for lithography and method for forming multilayer resist pattern |
WO2009075265A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | レジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法 |
JPWO2009075265A1 (ja) * | 2007-12-13 | 2011-04-28 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法 |
US8361695B2 (en) | 2007-12-13 | 2013-01-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film forming composition and method for forming resist pattern |
JP4984098B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2012-07-25 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物及びレジストパターンの形成方法 |
US8198016B2 (en) | 2008-05-15 | 2012-06-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8652757B2 (en) | 2008-10-20 | 2014-02-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming resist underlayer film, patterning process using the same, and composition for the resist underlayer film |
US8450048B2 (en) | 2008-10-20 | 2013-05-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming resist underlayer film, patterning process using the same, and composition for the resist underlayer film |
US8349533B2 (en) | 2008-11-07 | 2013-01-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist lower-layer composition containing thermal acid generator, resist lower layer film-formed substrate, and patterning process |
US8192921B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-06-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8101341B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-01-24 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
US8216774B2 (en) | 2009-02-12 | 2012-07-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process |
JP2011164345A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | レジスト下層膜材料、パターン形成方法 |
WO2011099235A1 (ja) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 下層膜材料及び多層レジストパターン形成方法 |
US8795955B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, resist bottom layer forming method, and patterning process |
US8846846B2 (en) | 2010-09-10 | 2014-09-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, and patterning process |
US9045587B2 (en) | 2010-09-10 | 2015-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Naphthalene derivative, resist bottom layer material, and patterning process |
US9146468B2 (en) | 2011-10-11 | 2015-09-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film composition and patterning process using the same |
US9122147B2 (en) | 2013-02-15 | 2015-09-01 | Shin-Estu Chemical Co., Ltd. | Pattern forming process |
US9620363B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-04-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Underlayer film-forming composition and pattern forming process |
US10228621B2 (en) | 2013-06-11 | 2019-03-12 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Underlayer film-forming composition and pattern forming process |
US9136122B2 (en) | 2013-06-11 | 2015-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Underlayer film-forming composition and pattern forming process |
US9136121B2 (en) | 2013-06-11 | 2015-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Underlayer film-forming composition and pattern forming process |
EP2813889A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
EP2813890A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
EP2813892A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
EP2813891A2 (en) | 2013-06-11 | 2014-12-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photoresist underlayer film-forming composition and pattern forming process |
JP2015120879A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-07-02 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | レジスト組成物 |
US9658530B2 (en) | 2014-07-08 | 2017-05-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for forming multi-layer film and patterning process |
US9984878B2 (en) | 2015-05-18 | 2018-05-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist under layer film composition and patterning process |
US9899218B2 (en) | 2015-06-04 | 2018-02-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist under layer film composition and patterning process |
US10156788B2 (en) | 2015-07-14 | 2018-12-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist underlayer film composition, patterning process, and compound |
US9785049B2 (en) | 2016-01-12 | 2017-10-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for forming multi-layer film and patterning process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4482763B2 (ja) | 2010-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4482763B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP4666166B2 (ja) | レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4496432B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP4388429B2 (ja) | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 | |
JP4823959B2 (ja) | レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 | |
KR100971842B1 (ko) | 포토레지스트 하층막 형성 재료 및 패턴 형성 방법 | |
JP4355943B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP4013057B2 (ja) | パターン形成方法及び下層膜形成材料 | |
JP4573050B2 (ja) | レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP3981825B2 (ja) | パターン形成方法及び下層膜形成材料 | |
JP5741518B2 (ja) | レジスト下層膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4662052B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP4466854B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP4539845B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP4809378B2 (ja) | レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法 | |
KR101064069B1 (ko) | 포토레지스트 하층막 형성 재료 및 패턴 형성 방법 | |
KR101162802B1 (ko) | 레지스트 하층막 재료 및 패턴 형성 방법 | |
JP4662063B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 | |
JP5415982B2 (ja) | レジスト下層膜材料、パターン形成方法 | |
JP4809376B2 (ja) | 反射防止膜材料およびこれを用いたパターン形成方法 | |
JP4220361B2 (ja) | フォトレジスト下層膜形成材料およびパターン形成方法 | |
JP4355643B2 (ja) | レジスト下層膜材料およびパターン形成方法 | |
JP4745298B2 (ja) | レジスト下層膜材料およびこれを用いたパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100105 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100224 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4482763 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160402 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |