JP2006052435A - 半導体加工装置用部材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、被覆層を1層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量18〜40at%のダイヤモンドライクカーボン層である。また、本発明の半導体加工装置用部材の製造方法は、金属製基材表面又は被覆層を1層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が1μS〜20mS、印加電圧が−1〜−50kV、パルス繰り返しが1000〜8000ppsのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させるものである。
【選択図】図1
Description
また、前記金属製基材が、その表面から深さ10〜200nmのFe、Cr、Ti、Si、W、Mo、Ta、Nb及びAlのうちから選ばれる1種以上の金属イオンの注入層を有するものであることが好ましい。
また、前記被覆層が、前記金属製基材の表面に厚さ0.5〜15μmで被覆されたFe、Cr、Ti、Si、W、Mo、Ta、Nb及びAlのうちから選ばれる1種以上の金属薄膜、前記金属製基材の表面に厚さ0.5〜15μmで被覆されたSiC、TiC、WC、Cr3C2、MoC、TaC及びNbCのうちから選ばれる1種以上の金属炭化物薄膜、又は、前記金属製基材の表面に厚さ0.5〜15μmで被覆されたTiN、CrN、AlN、TiAlN及びSi3N4のうちから選ばれる1種以上の金属窒化物薄膜を有するものであることが好ましい。
さらに、前記金属製基材が、Cr、Ti、W、Mo、Ta、Nb、Alの単体とその合金、Mg合金、炭素鋼、低合金鋼、ステンレス鋼、高合金鋼、Ni基合金及びCo基合金のうちから1種選ばれるものであることが好ましい。
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る半導体加工装置用部材の構造図である。この第1実施形態に係る半導体加工装置用部材1は、金属製基材2表面にDLC膜3のみが被覆されたものからなる。
図1(b)は、本発明の第2実施形態に係る半導体加工装置用部材の構造図である。この第2実施形態に係る半導体加工装置用部材4は、表面から所定深さのイオン注入層5aを有する金属製基材5の表面にDLC膜3のみが被覆されたものからなる。
図3に示す金属イオンの注入装置は、主としてイオン源ガス導入口31、イオン発生室32、静電加速器33、質量分離器34、ビーム走査器35、ターゲット試料(試験片)36および真空排気システム37(何れも図示せず)から構成されている。
上記直接的金属イオン注入法は、イオンの真空環境で質量分離した後、必要なイオン種のみを選択し、これを加速して基材表面に注入するため、基材の表面が、平坦な状態にあることが必要であり、三次元的な構造を有する基材への注入は困難である。また1回の注入操作で1種類の金属イオンしか処理できない。
図1(c)は、本発明の第3実施形態に係る半導体加工装置用部材の構造図である。この第3実施形態に係る半導体加工装置用部材6は、金属製基材2の表面に金属薄膜7、DLC膜3の順にそれぞれ被覆されたものからなる。
図1(d)は、本発明の第4実施形態に係る半導体加工部材の構造図である。この第4実施形態に係る半導体加工装置用部材4は、表面から所定深さのイオン注入層5aを有する金属製基材5の表面に金属薄膜7、DLC膜3の順にそれぞれ被覆されたものからなる。
この実施例は、DLC膜中に含まれている水素と、膜の耐食性及び耐熱衝撃性を中心に調査した。試験片はSUS304鋼(寸法幅20mm×長さ30mm×厚さ3.2mm)とし、この上に水素含有量の異なるDLC膜を8μm厚に形成した。この試験片は、次に示すような条件で腐食試験及び熱衝撃試験を行いそれぞれの膜の性能を評価した。腐食試験条件としては、CHF3ガス流量を80ml/min、O2ガス流量を100ml/min、Arガス流量を160ml/minとする温度60℃の混合ガス気流中に100h静置した。熱衝撃試験条件としては、大気中で室温から150℃まで15分間毎の加熱・冷却条件を10回繰り返し、DLC膜の耐剥離性を評価した。なお、比較用のDLC膜以外の試験片として、無処理のSUS304鋼及びSUS304鋼の表面にイオンプレーティング法によって、Crを5μm厚に成膜したものを同じ条件で供試した。
この実施例ではアンダーコート処理(金属薄膜等を被覆する処理)をおこなったDLC膜の耐食性と耐熱衝撃性を調査した。試験片基材は実施例1と同じSUS304鋼を用い、その表面にDLC膜の形成に先駆けて金属イオンの注入や、次に示すようなアンダーコート薄膜を反応性イオンプレーティング法によって2〜4μm厚に施工し、その上に水素含有量の異なるDLC膜を10μm厚に被覆した。その後、これらのDLC膜被覆試験片を次に示す環境条件で腐食試験及び熱衝撃試験を行った。腐食試験条件及び熱衝撃試験条件は実施例1と同条件である。
この実施例は本発明に係るDLC膜を被覆したSUS304鋼からの超純水への金属の溶出量を評価した。試験片基材はSUS304鋼(寸法幅30mm×長さ50mm×厚さ3.2mm)とし、この上に直接またはアンダーコートを施工した後、DLC膜を被覆した。DLC膜は30μmとした。溶出試験はテフロン(登録商標)製のビーカ(1L入り)に超純水500mlを入れ、試験片は完全に水没させ室温で7日間放置した後、超純水中に溶出した金属イオン量を定量分析した。なお比較のため無処理のSUS304鋼、電解研磨したSUS304鋼を同条件で評価した。
この実施例では、水素含有量の異なるDLC膜を形成した後、室温から150℃まで15分間毎の加熱・冷却の操作を2回繰り返し後、実施例3と同じ条件で超純水を用いて金属イオンの溶出量を測定した。試験片基材の種類、寸法浸漬条件などは実施例3と同じである。
この実施例では半導体加工装置の運転環境を勘案してDLC膜被覆部材の表面に付着する腐食性化合物や異物が、純水による洗浄によって、清浄化する程度を実験的に調査した。試験片基材は実施例と同じものを使用し、この表面に腐食性化合物として、0.1規定の塩化第二鉄溶液を0.1ml/cm2塗布して室温(18℃〜22℃)で24時間及び48時間放置した。その後、この試験片を純水(500ml)中に5分間浸漬し、表面に残留する鉄分を測定することによって、腐食性化合物の水洗による除去の難易度を評価した。なお残留鉄分は水洗後、純水(300ml)中で超音波洗浄を30分間行い、水中に溶出したFe分を分析することによって判定した。
2、5 金属製基材
3 DLC膜
5a イオン注入層
7 金属薄膜
21 処理容器
22 被処理体
23 電源(パルス高周波電源又はパルス電源)
24 気相イオン源
25 金属イオン源
26 真空ポンプ
27 気圧調整弁
28 プラズマ
31 イオン源ガス導入口
32 イオン発生室
33 静電加速器
34 質量分離器
35 ビーム走査器
36 ターゲット試料
37 真空排気システム
Claims (7)
- 被覆層を1層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量18〜40at%のダイヤモンドライクカーボン層である半導体加工装置用部材。
- 前記金属製基材が、その表面から深さ10〜200nmのFe、Cr、Ti、Si、W、Mo、Ta、Nb及びAlのうちから選ばれる1種以上の金属イオンの注入層を有する請求項1記載の半導体加工装置用部材。
- 前記被覆層が、前記金属製基材の表面に厚さ0.5〜15μmで被覆されたFe、Cr、Ti、Si、W、Mo、Ta、Nb及びAlのうちから選ばれる1種以上の金属薄膜を有する請求項1又は2に記載の半導体加工装置用部材。
- 前記被覆層が、前記金属製基材の表面に厚さ0.5〜15μmで被覆されたSiC、TiC、WC、Cr3C2、MoC、TaC及びNbCのうちから選ばれる1種以上の金属炭化物薄膜を有する請求項1又は2に記載の半導体加工装置用部材。
- 前記被覆層が、前記金属製基材の表面に厚さ0.5〜15μmで被覆されたTiN、CrN、AlN、TiAlN及びSi3N4のうちから選ばれる1種以上の金属窒化物薄膜を有する請求項1又は2に記載の半導体加工装置用部材。
- 前記金属製基材が、Cr、Ti、W、Mo、Ta、Nb、Alの単体とその合金、Mg合金、炭素鋼、低合金鋼、ステンレス鋼、高合金鋼、Ni基合金及びCo基合金のうちから1種選ばれるものである請求項1〜5のいずれかに記載の半導体加工装置用部材。
- 金属製基材表面又は被覆層を1層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が1μS〜20mS、印加電圧が−1〜−50kV、パルス繰り返しが1000〜8000ppsのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させる半導体加工装置用部材の製造方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007231781A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tocalo Co Ltd | 圧縮機翼及びその製造方法、並びに、火力発電用ガスタービン |
JP2008210982A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置のガス供給システム及びガス供給集積ユニット |
JP2009068097A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Tocalo Co Ltd | 半導体加工装置用部材およびその製造方法 |
JP2009242951A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Tocalo Co Ltd | 半導体加工装置用部材およびその製造方法 |
JP2011187722A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
WO2014050846A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 東洋アルミニウム株式会社 | 導電部材、電極、二次電池、キャパシタ、ならびに、導電部材および電極の製造方法 |
CN105705675A (zh) * | 2013-11-06 | 2016-06-22 | 同和热处理技术株式会社 | 基材与dlc膜之间形成的中间层的形成方法、dlc膜形成方法、以及基材与dlc膜之间形成的中间层 |
CN106282920A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-04 | 浙江工业大学 | 一种亚稳奥氏体不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法 |
CN108103468A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-01 | 富耐克超硬材料股份有限公司 | 一种金刚石涂层刀片及其制备方法 |
CN108456883A (zh) * | 2017-02-20 | 2018-08-28 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基体表面碳基减摩耐磨薄膜的制备方法 |
CN109267029A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-01-25 | 大连大学 | 一种高平整性、高耐磨性、高耐蚀性镁合金表面涂层的制备方法 |
CN111647862A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-11 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种钽基抗腐蚀防护复合涂层及其制备方法与应用 |
-
2004
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4611914B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-01-12 | トーカロ株式会社 | 圧縮機翼及びその製造方法、並びに、火力発電用ガスタービン |
JP2007231781A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tocalo Co Ltd | 圧縮機翼及びその製造方法、並びに、火力発電用ガスタービン |
JP2008210982A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置のガス供給システム及びガス供給集積ユニット |
JP2009068097A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Tocalo Co Ltd | 半導体加工装置用部材およびその製造方法 |
JP2009242951A (ja) * | 2009-07-27 | 2009-10-22 | Tocalo Co Ltd | 半導体加工装置用部材およびその製造方法 |
JP2011187722A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Fujitsu Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
WO2014050846A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 東洋アルミニウム株式会社 | 導電部材、電極、二次電池、キャパシタ、ならびに、導電部材および電極の製造方法 |
US10006116B2 (en) | 2013-11-06 | 2018-06-26 | Dowa Thermotech Co., Ltd. | Forming method of intermediate layer formed between base material and DLC film, DLC film forming method, and intermediate layer formed between base material and DLC film |
CN105705675A (zh) * | 2013-11-06 | 2016-06-22 | 同和热处理技术株式会社 | 基材与dlc膜之间形成的中间层的形成方法、dlc膜形成方法、以及基材与dlc膜之间形成的中间层 |
CN105705675B (zh) * | 2013-11-06 | 2017-12-01 | 同和热处理技术株式会社 | 基材与dlc膜之间形成的中间层的形成方法、dlc膜形成方法、以及基材与dlc膜之间形成的中间层 |
CN106282920A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-04 | 浙江工业大学 | 一种亚稳奥氏体不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法 |
CN106282920B (zh) * | 2016-08-31 | 2018-08-21 | 浙江工业大学 | 一种亚稳奥氏体不锈钢表面制备金刚石薄膜的方法 |
CN108456883A (zh) * | 2017-02-20 | 2018-08-28 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基体表面碳基减摩耐磨薄膜的制备方法 |
CN108456883B (zh) * | 2017-02-20 | 2020-05-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种基体表面碳基减摩耐磨薄膜的制备方法 |
CN108103468A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-01 | 富耐克超硬材料股份有限公司 | 一种金刚石涂层刀片及其制备方法 |
CN108103468B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-06-30 | 富耐克超硬材料股份有限公司 | 一种金刚石涂层刀片及其制备方法 |
CN109267029A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-01-25 | 大连大学 | 一种高平整性、高耐磨性、高耐蚀性镁合金表面涂层的制备方法 |
CN111647862A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-11 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种钽基抗腐蚀防护复合涂层及其制备方法与应用 |
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