JP2006049867A - 独立して移動する基板支持体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一実施形態においては、基板を移送するための方法は、基板支持体138の上面の上方において、基板支持体138を貫通して移動可能に設置された第1セット180のリフトピン150および第2セット182のリフトピン152は、第1の高さにまで突き出ており、第2セット182のリフトピン152は、第1の高さよりも低い第2の高さにまで突き出る。第2セット182のリフトピン152は、第1セット180のリフトピン150の内側に設置される。第1セット180のリフトピン150および第2セット182のリフトピン152の両方と上面との間の相対的な距離が、減少させられ、それによって、基板の中心に近い場所から基板の縁までよどみなく、かつ実質的に連続的に基板を上面に接触させる。
【選択図】図1
Description
Claims (50)
- プロセスチャンバー内において基板を支持するための支持体アセンブリであって、
支持面および底面を有する支持体アセンブリと、
支持体アセンブリを貫通して移動可能に設置され、かつ、基板を支持するための押し広げられた端部と底面を越えて突き出た第2の端部とを有する第1セットのリフトピンと、
第1セットのリフトピンの内側の位置において第1セットのリフトピンとは無関係に移動することができるように支持体アセンブリを貫通して移動可能に設置され、かつ、基板を支持するための押し広げられた端部と底面を越えて突き出た第2の端部とを有する第2セットのリフトピンとを備え、
第1セットのリフトピンの押し広げられた端部が、支持面の上方の第1の距離に基板を支持するように適合され、第2セットのリフトピンの押し広げられた端部が、支持面の上方の第2の距離に基板を支持するように適合され、第2の距離が、第1の距離よりも小さい、支持体アセンブリ。 - 第2セットのリフトピンが、少なくとも4つのリフトピンを備える、請求項1に記載の支持体アセンブリ。
- 第2セットのリフトピンが、支持体アセンブリの中心の周りに約90°の間隔を置いて配置された4つのリフトピンを備える、請求項1に記載の支持体アセンブリ。
- 第1セットのリフトピンが、少なくとも8つのリフトピンを備える、請求項1に記載の支持体アセンブリ。
- 第1セットのリフトピンが、4側部を有する基板のそれぞれの側部の近くに位置決めされるように適合された4対のリフトピンを備える、請求項1に記載の支持体アセンブリ。
- 第1セットのリフトピンが、第2セットのリフトピンの第2の長さよりも長い第1の長さを有する、請求項1に記載の支持体アセンブリ。
- 支持体アセンブリの下方に設置されたアクチュエータと、
アクチュエータに結合され、かつ、アクチュエータによって持ち上げられたときに第2セットのリフトピンをずらすように位置決めされたリフトプレートと、
をさらに備える、請求項1に記載の支持体アセンブリ。 - 支持体アセンブリの下方に設置され、かつ、第1セットのリフトピンに係合することなく第2セットのリフトピンの少なくとも1つに係合する少なくとも1つのアクチュエータ、
をさらに備える、請求項1に記載の支持体アセンブリ。 - 支持体アセンブリの下方に設置され、かつ、第2セットのリフトピンのそれぞれのリフトピンにそれぞれが係合する複数のアクチュエータ、
をさらに備える、請求項1に記載の支持体アセンブリ。 - プロセスチャンバー内において基板を支持するための支持体アセンブリであって、
支持面および底面を有する支持体アセンブリであり、高くなった位置と降ろされた位置との間を移動することができる支持体アセンブリと、
支持体アセンブリを貫通して移動可能に設置され、かつ、支持面の近くに設置された基板を支持するための第1の端部と底面を越えて突き出た第2の端部とを有する第1セットのリフトピンであり、支持体アセンブリが、降ろされた位置にあるとき、前記第1セットのリフトピンの第2の端部が、チャンバーの底部に接触する第1セットのリフトピンと、
支持体アセンブリを貫通して移動可能に設置され、かつ、支持面の近くに設置された基板を支持するための第1の端部と底面を越えて突き出た第2の端部とを有する第2セットのリフトピンと、
第1セットのリフトピンとは無関係に第2セットのリフトピンの少なくとも1つを位置決めするように適合された、支持体アセンブリの下方に設置されたアクチュエータと、
を備える支持体アセンブリ。 - 第2セットのリフトピンが、第1セットのリフトピンの内側に位置決めされた、請求項10に記載の支持体アセンブリ。
- 第2セットのリフトピンが、4つのリフトピンを備える、請求項10に記載の支持体アセンブリ。
- 第2セットのリフトピンが、支持体アセンブリの中心の周りに実質的に等距離に位置決めされた4つのリフトピンを備える、請求項10に記載の支持体アセンブリ。
- 第1セットのリフトピンが、少なくとも8つのリフトピンを備える、請求項10に記載の支持体アセンブリ。
- 第1セットのリフトピンが、4側部を有する基板のそれぞれの側部の近くに位置決めされるように適合された4対のリフトピンを備える、請求項10に記載の支持体アセンブリ。
- アクチュエータが、
チャンバーの底部に形成された孔の中にそれぞれのアクチュエータが設置された一組のアクチュエータ、
をさらに備える、請求項10に記載の支持体アセンブリ。 - 支持体アセンブリの下方に位置決めされ、かつ、アクチュエータに結合されたリフトプレートをさらに備え、前記リフトプレートが、第2セットのリフトピンの第2の端部に接触するように適合された、
請求項10に記載の支持体アセンブリ。 - 成膜チャンバー内おいて大面積基板を支持するための支持体アセンブリであって、
基板を支持するように適合された支持面を有する基板支持体と、
基板支持体を貫通して移動可能に設置され、かつ、支持面の上方の第1の高さにまで突き出るように適合された第1の端部を有する第1の複数のリフトピンと、
第1の複数のリフトピンの外側の位置に基板支持体を貫通して移動可能に設置され、かつ、支持面の上方の第1の高さとは異なる第2の高さにまで突き出るように適合された第1の端部を有する第2の複数のリフトピンとを備え、
第1の複数のリフトピンが、第2の複数のリフトピンとは無関係に突き出ることができ、かつ、移送シーケンス中に、第1の複数のリフトピンが、第1の高さにおいて基板に接触し、それと同時に、第2の複数のリフトピンが、第2の高さにおいて基板に接触する、
支持体アセンブリ。 - 基板支持体が、底面をさらに備え、
第1および第2の複数のリフトピンが、底面の下方へ突き出る長さを有する、
請求項18に記載の支持体アセンブリ。 - 底面の下方へ突き出る長さが、等しい、請求項19に記載の支持体アセンブリ。
- 底面の下方へ突き出る長さが、異なる、請求項19に記載の支持体アセンブリ。
- 第1の複数のリフトピンが、第2の複数のリフトピンの長さよりも長い長さを有する、請求項19に記載の支持体アセンブリ。
- 支持体アセンブリの下方に設置されたアクチュエータと、
アクチュエータに結合され、かつ、アクチュエータによって持ち上げられたときに第2の複数のリフトピンをずらすように位置決めされたリフトプレートと、
をさらに備える、請求項18に記載の支持体アセンブリ。 - リフトプレートが、さらに、アクチュエータによって持ち上げられたときに第1の複数のリフトピンをずらす、請求項21に記載の支持体アセンブリ。
- 基板支持体アセンブリが、成膜チャンバー内に存在する、請求項18に記載の支持体アセンブリ。
- 成膜チャンバーが、高くなった部分がある底部を有し、高くなった部分が、第1の複数のリフトピンの底部に接触するように適合された、請求項24に記載の支持体アセンブリ。
- 成膜チャンバーが、
成膜チャンバーの下面に設置された複数のアクチュエータ、
をさらに備える、請求項24に記載の支持体アセンブリ。 - 複数のアクチュエータが、第2の複数のリフトピンをずらすように適合された、請求項26に記載の支持体アセンブリ。
- 第1および第2の複数のリフトピンの第1の端部が、押し広げられた、請求項18に記載の支持体アセンブリ。
- 成膜チャンバー内において基板を支持するための装置であって、
基板の周囲部分を支持する第1の複数のリフトピンと、
基板の中央部分を支持する第2の複数のリフトピンと、
を備え、
第1の複数のリフトピンおよび第2の複数のリフトピンが、成膜チャンバー内の基板支持体を貫通して移動可能に設置され、リフトピンのそれぞれが、
基板に接触するように適合された第1の端部と、
成膜チャンバーの下面上に設置された変位部材と相互に作用する、基板支持体の下方に突き出る第2の端部とを備え、
変位部材と選択的に係合することによって、基板が、基板支持体に接触するとき、中央部分が、周囲部分よりも先に、基板支持体の上面に接触する、
装置。 - 変位部材が、基板支持体の下方に設置されたアクチュエータであり、前記アクチュエータが、
アクチュエータに結合され、かつ、アクチュエータによって持ち上げられたときに第2の複数のリフトピンをずらすように位置決めされたリフトプレート、
をさらに備える、請求項29に記載の装置。 - 変位部材が、基板支持体の下方に設置され、かつ、第1の複数のリフトピンに接触することなく第2の複数のリフトピンの少なくとも1つに選択的に接触する少なくとも1つのアクチュエータである、請求項29に記載の装置。
- 少なくとも1つのアクチュエータが、
各々のアクチュエータがチャンバーの底部に形成された孔の中に設置された一組のアクチュエータ、
をさらに備える、請求項31に記載の装置。 - 変位部材が、基板支持体の下方に設置され、かつ、第2の複数のリフトピンのそれぞれのリフトピンにそれぞれが接触する複数のアクチュエータである、請求項29に記載の装置。
- 基板支持体が、底部を有するプロセスチャンバー内に設置され、変位部材が、第1の複数のリフトピンに含まれる各々のリフトピンの第2の端部に接触するように適合された底部の高くなった部分である、請求項29に記載の装置。
- 素材を支持するための装置であって、
底部を有するチャンバーと、
支持面を有する支持体アセンブリと、
支持体アセンブリを貫通して移動可能に設置された第1セットのリフトピンであり、素材および底部に接触した状態にあるとき、支持面から第1の距離だけ突出する第1セットのリフトピンと、
半径方向において第1セットのリフトピンの内側に位置決めされ、かつ、支持体アセンブリを貫通して移動可能に設置された第2セットのリフトピンであり、第1セットのリフトピンおよび第2セットのリフトピンの両方が素材および底部に接触した状態にあるとき、支持面から第2の距離だけ突出する第2セットのリフトピンと、
を備え、
第1の距離が、第2の距離よりも大きい、
装置。 - 素材が、支持面に接触した状態にあるときには平面であり、第1セットのリフトピンおよび第2セットのリフトピンに接触した状態にあるときには弓状に曲がっている、請求項35に記載の装置。
- 素材移送プロセス中に、素材が、素材と支持面との間に転がり接点を有する、請求項35に記載の装置。
- 転がり接点が、素材の中心から素材の縁にかけて形成される、請求項37に記載の装置。
- 転がり接点が、素材の縁から素材の中心にかけて形成される、請求項37に記載の装置。
- 基板支持体に対して第2セットのリフトピンを引っ込めるステップが、基板支持体の下方に設置されたリフトプレートを降下させ、かつ、第2セットのリフトピンの底部を支持する工程をさらに含む、請求項24に記載の方法。
- リフトプレートが、さらに、第1セットのリフトピンの底部を支持し、基板支持体に対して第1セットのリフトピンを引っ込めるステップが、リフトプレートを降下させる工程をさらに含む、請求項28に記載の方法。
- 基板の中央を降下させるステップが、
基板支持体に対して第1セットのリフトピンを、第2セットのリフトピンを引っ込める第2の速度よりも小さい第1の速度で引っ込める工程、
をさらに含む、請求項24に記載の方法。 - 基板支持体の上面に接触するステップが、
基板支持体に対して第1セットのリフトピンを、第2セットのリフトピンを引っ込める第2の速度よりも小さい第1の速度で引っ込める工程、
をさらに含む、請求項30に記載の方法。 - 基板支持体の上面に接触するステップが、
基板支持体に対して第1セットのリフトピンを、第2セットのリフトピンを引っ込める第2の速度よりも小さい第1の速度で引っ込める工程、
をさらに含む、請求項24に記載の方法。 - 基板支持体の上面に接触するステップが、
中心から徐々に縁にかけて基板と基板支持体との間からガスを追い出す工程、
をさらに含む、請求項24に記載の方法。 - 基板を基板支持体に移送するための方法であって、
基板支持体の上面の上方において、たるんだ中央部分を有する基板を、基板支持体を貫通して移動可能に設置された第1セットのリフトピンおよび第2セットのリフトピン上に支持するステップであり、第1セットのリフトピンおよび第2セットのリフトピンが、それぞれ、第1の距離および第2の距離だけ上面の上方に突き出ており、第2セットのリフトピンが、第1セットのリフトピンの内側に設置された支持するステップと、
基板支持体に対して少なくとも第1セットのリフトピンを引っ込め、それによって、基板の外側部分よりも先に、基板のたるんだ中央部分を上面に接触させるステップと、
基板支持体に対して少なくとも第1セットのリフトピンを引っ込め、それによって、中心から縁にかけて実質的に連続的に基板を上面に接触させるステップと、
を含む方法。 - 基板を基板支持体に移送するための方法であって、
基板を基板支持体の上方に支持するステップであり、基板が、基板の周囲領域よりも下にたるんだ少なくとも2つの領域を有する支持するステップと、
中心から徐々に縁にかけて基板支持体間からガスを追い出すような形で、基板を基板支持体に移送するステップと、
を含む方法。 - 移送するステップが、
中心から縁にかけて実質的に連続的に基板を基板支持体に接触させる工程、
をさらに含む、請求項35に記載の方法。 - 移送するステップが、ガスが基板と基板支持体との間のポケット内に閉じ込められるのを阻止する、請求項35に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/888,947 US20060005770A1 (en) | 2004-07-09 | 2004-07-09 | Independently moving substrate supports |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006049867A true JP2006049867A (ja) | 2006-02-16 |
Family
ID=35539995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005194172A Pending JP2006049867A (ja) | 2004-07-09 | 2005-07-01 | 独立して移動する基板支持体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060005770A1 (ja) |
JP (1) | JP2006049867A (ja) |
KR (1) | KR20060050004A (ja) |
CN (1) | CN100549775C (ja) |
TW (1) | TWI322191B (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080630 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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